光伏（PV）組件 電勢誘導(dǎo)衰減測試方法 第1-1部分：晶體硅組件 分層 編制說明_第1頁
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1《光伏（PV）組件電勢誘導(dǎo)衰減測試方法第1-1部分：晶體硅組件分層》編制說明準(zhǔn)化管理委員會關(guān)于下達(dá)2023年第四批推薦性國家標(biāo)準(zhǔn)計劃及相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)外文版頭編寫，由全國太陽光伏能源系統(tǒng)標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會（SAC全國太陽光伏能源系統(tǒng)標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會（SAC/TC90）秘書處組織標(biāo)委會委員技術(shù)委員會（SAC/TC90）秘書處組織標(biāo)委會委員及行業(yè)專家進行第二次標(biāo)準(zhǔn)草22024年4月-6月，進一步完善實驗方書處組織召開了標(biāo)準(zhǔn)起草會，標(biāo)準(zhǔn)編制組成員對2項國家標(biāo)準(zhǔn)展開了充分討論，本標(biāo)準(zhǔn)是等同轉(zhuǎn)化IECTS62804-1-1:2020Photovoltaic(PV)modules-Testmethodsforthedetectionofpotential-induceddegradsilicon-Delaminat1.范圍，2.規(guī)范性引用文件，3.術(shù)語和定義，4.抽樣，日本產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所Matsuda等人發(fā)現(xiàn)晶體下，使用低體電阻率封裝材料的組件具有更大的PID敏感層的電化學(xué)反應(yīng)機制，在Ag離子的作用下，對水進行還原和氧化反應(yīng)，產(chǎn)生了負(fù)偏壓時：2H2O+2e->H2(g)+20H-3圖1電化學(xué)反應(yīng)示意圖andJ.A.Kratochvi光伏組件電勢誘導(dǎo)衰減針對組件分層測試方法是對IEC62804-1的補充，針實驗驗證發(fā)現(xiàn)目前市場上產(chǎn)品均未出現(xiàn)分層失效現(xiàn)象（實驗過程圖片如圖發(fā)生分層的條件二Na+遷移導(dǎo)致的較大電流，從而一般情況下不會出現(xiàn)分層失4模式，包括漏電導(dǎo)致衰減PID-s、極化導(dǎo)致衰減PID-p、腐蝕導(dǎo)致的衰減PID-c等試方法，IEC62804-1-1針對分層2、推動國際接軌：IECTS62804-1-1:2020Photovoltaic(PV)modules-Testmethodsforthedetec

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