福建省長(zhǎng)樂(lè)高級(jí)中學(xué)2017-2018學(xué)年高二下學(xué)期期中考試化學(xué)（理科）試題

長(zhǎng)樂(lè)高級(jí)中學(xué)20172018學(xué)年第二學(xué)期期中考高二化學(xué)（理科）試卷命題人：黃炳生審核人：張秀鳳命題內(nèi)容：《物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)》專(zhuān)題一至專(zhuān)題三班級(jí)姓名座號(hào)成績(jī)說(shuō)明：1、本試卷分第I、II兩卷，考試時(shí)間：90分鐘滿分：100分2、Ⅰ卷的答案用2B鉛筆填涂到答題卡上；Ⅱ卷的答案用黑色簽字筆填寫(xiě)在答題卡上?？赡苡玫降南鄬?duì)原子質(zhì)量：H:1He:4C:12N:14O:16Na:23Al:27P:31S:32Cl:35.5K:39Ca:40Fe:56Cu:64Zn:65Ag:108Ba:137Pb:207第Ⅰ卷（選擇題共45分）一、選擇題（本題包括15小題，每小題3分，每小題只有一個(gè)答案符合題意。）1．原子結(jié)構(gòu)模型經(jīng)歷了五個(gè)主要階段：1803年實(shí)心球模型→1897年葡萄干面包式模型→1911年原子核式結(jié)構(gòu)模型→1913的軌道模型→20世紀(jì)初電子云的原子結(jié)構(gòu)模型。對(duì)軌道模型貢獻(xiàn)最大的科學(xué)家是（）A．玻爾B．湯姆生C．盧瑟福D．道爾頓2．若某原子在處于能量最低狀態(tài)時(shí)，價(jià)電子層排布為4d25s2，則下列說(shuō)法正確的是（）A．該元素原子最外層共有4個(gè)電子

B．該元素處于第五周期IVA族C．該元素原子核外第N層上共有10個(gè)不同運(yùn)動(dòng)狀態(tài)的電子D．該元素原子第四電子層上有4個(gè)空軌道3．下列基態(tài)原子或離子的電子排布式錯(cuò)誤的是（）A．

Ca：1s22s22p63s23p64s2

B．Mg2+：1s22s22p6C．

F﹣：1s22s22p5

D．Br：1s22s22p63s23p63d104s24p54．具有下列電子排布式的原子中，半徑最大的為（）A．1s22s22p63s1B．1s22s22p63s23p64s1C．1s22s22p63s2D．1s22s22p63s23p5．下列物質(zhì)的性質(zhì)比較不正確的（）A．熱穩(wěn)定性：HCl＞HBr

B．沸點(diǎn)：H2O＞H2SC．堿性：Ca（OH）2＞Mg（OH）2

D．酸性：H3PO4＞H2SO46．金屬晶體的下列性質(zhì)中，不能用金屬晶體結(jié)構(gòu)加以解釋的是（）A．易導(dǎo)電B．易導(dǎo)熱C．有延展性D．易銹蝕7．下列物質(zhì)中，只含有離子鍵的是（）A．H2OB．CO2C．MgCl28．下列物質(zhì)的分子中，共用電子對(duì)數(shù)目最多的是（）A．N2B．NH3C．H2OD．9．下列敘述的有關(guān)性質(zhì)，可能屬于金屬晶體的是（

）A．Z分子間作用力結(jié)合而成，熔點(diǎn)低B．固體或熔融狀態(tài)導(dǎo)電，熔點(diǎn)在1000℃C．由共價(jià)鍵結(jié)合成網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，熔點(diǎn)高D．固體不導(dǎo)電，但溶于水或熔融后能導(dǎo)電10．下列各晶體熔沸點(diǎn)高低的比較，正確的是（）A．H2O＞NH3＞H2

B．CsCl＞KCl＞NaCl

C．SiO2＞CO2＞Hg

D．硅＞金剛石＞石英砂11．下列晶體類(lèi)型相同的一組是（）A．NaCl晶體與冰B．石英與干冰C．金剛石與KCl晶體D．冰與干冰12．下列物質(zhì)的分子中既有σ鍵又有π鍵的是（）A．HClB．Cl2C．C2H2D13．氫鍵既可以存在于分子之間，也可以存在于分子內(nèi)部的原子團(tuán)之間，如鄰羥基苯甲酸（）存在分子內(nèi)氫鍵，對(duì)羥基苯甲酸（）存在分子間氫鍵，則兩者的熔點(diǎn)、沸點(diǎn)的相對(duì)大小關(guān)系是（）A．前者＞后者B．前者＜后者C．前者=后者D．無(wú)法估計(jì)14．有下列離子晶體空間結(jié)構(gòu)示意圖：●為陽(yáng)離子M，○為陰離子N，化學(xué)式為MN2的晶體結(jié)構(gòu)為（）A．B．C．D．15．制造光導(dǎo)纖維的材料是一種很純的硅氧化物，它是具有立體網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的晶體，下圖是簡(jiǎn)化了的平面示意圖，關(guān)于這種制造光纖的材料，下列說(shuō)法正確的是（）A．它的晶體中硅原子與氧原子數(shù)目比是1：4

B．它的晶體中硅原子與氧原子數(shù)目比是1：6C．這種氧化物是原子晶體D．這種氧化物是分子晶體第II卷（非選擇題共55分）二、填空題（本題共5小題，共55分。）16.(7分)有A、B、C、D、E5種元素，它們的核電荷數(shù)依次增大，且都小于20。其中C、E是金屬元素；A和E屬同一族，它們?cè)拥淖钔鈱与娮优挪紴閚s1。B和D也屬同一族，它們?cè)幼钔鈱拥膒能級(jí)電子數(shù)是s能級(jí)電子數(shù)的兩倍，C原子最外層上電子數(shù)等于D原子最外層上電子數(shù)的一半。請(qǐng)回答下列問(wèn)題：（1）寫(xiě)元素符號(hào)：A是，B是，E是。（2）寫(xiě)出C元素基態(tài)原子的電子排布式。（3）用軌道表示式表示D元素原子的價(jià)電子構(gòu)型。（4）用元素號(hào)回符號(hào)：元素B與D的電負(fù)性的大小關(guān)系是，C與E的第一電離能的大小關(guān)系是。17．(16分)下表為長(zhǎng)式周期表的一部分，其中的編號(hào)代表對(duì)應(yīng)的元素。①②③④⑤⑥⑦⑧⑨⑩請(qǐng)回答下列問(wèn)題：（1）表中屬于d區(qū)的元素是（填編號(hào)）。（2）表中元素①的6個(gè)原子與元素③的6個(gè)原子形成的某種環(huán)狀分子名稱(chēng)為；③和⑦形成的常見(jiàn)化合物的晶體類(lèi)型是。（3）某元素的特征電子排布式為nsnnpn+1，該元素原子的核外最外層電子的孤電子對(duì)數(shù)為；該元素與元素①形成的分子X(jué)的空間構(gòu)形為。（4）某些不同族元素的性質(zhì)也有一定的相似性，如上表中元素⑤與元素=2\*GB3②的氫氧化物有相似的性質(zhì)。請(qǐng)寫(xiě)出元素=2\*GB3②的氫氧化物與NaOH溶液反應(yīng)的化學(xué)方程式：。（5）1183K以下⑨元素形成的晶體的基本結(jié)構(gòu)單元如圖1所示，1183K以上轉(zhuǎn)變?yōu)閳D2所示結(jié)構(gòu)的基本結(jié)構(gòu)單元，在兩種晶體中最鄰近的原子間距離相同。在1183K以下的晶體中，與⑨原子等距離且最近的⑨原子數(shù)為個(gè)，在1183K以上的晶體中，與⑨原子等距離且最近的⑨原子數(shù)為個(gè)。18．(9分)有下列物質(zhì)：①O2②CO2③NH3④Na2O⑤Na2O2⑥NaOH⑦CaBr2⑧H2O2⑨NH4Cl⑩HBr用序號(hào)回答下列問(wèn)題：（1）只含有極性鍵的是；（2）只含有非極性鍵的是；（3）含有極性鍵和非極性鍵的是；（4）只含有離子鍵的離子化合物是；（5）含有非極性鍵的離子化合物是；（6）含鍵的類(lèi)型最多的是。19．(11分)現(xiàn)有幾組物質(zhì)的熔點(diǎn)（℃）數(shù)據(jù)：A組B組C組D組金剛石：3550Li：181HF：﹣83NaCl：801硅晶體：1410Na：98HCl：﹣115KCl：776硼晶體：2300K：64HBr：﹣89RbCl：718二氧化硅：1710Rb：39HI：﹣51CsCl：645據(jù)此回答下列問(wèn)題：（1）A組屬于

晶體，其熔化時(shí)克服的粒子間的作用力是

；（2）B組晶體共同的物理性質(zhì)是（填序號(hào)）；①硬度大

②導(dǎo)電性

③導(dǎo)熱性

④延展性（3）D組晶體可能具有的性質(zhì)是（填序號(hào)）；①硬度?、谒芤耗軐?dǎo)電③固體能導(dǎo)電

④熔融狀態(tài)能導(dǎo)電（4）D組晶體的熔點(diǎn)由高到低的順序?yàn)椋篘aCl＞KCl＞RbCl＞CsCl，其原因解釋為：。20．(12分)四種常見(jiàn)晶體的結(jié)構(gòu)模型如下圖所示。請(qǐng)將A、B、C、D填入下列第（1）、（2）問(wèn)各空：（1）每個(gè)陽(yáng)離子同時(shí)吸引8個(gè)陰離子的是

，化學(xué)式為XY2的

。（2）每個(gè)陽(yáng)離子周?chē)c它距離最近的陽(yáng)離子數(shù)目為12，該晶體是

。晶體熔化時(shí)化學(xué)鍵沒(méi)有改變的是

。（3）上述4種晶體的物理性質(zhì)列入下表，請(qǐng)將這些晶體的化學(xué)式填入下表：長(zhǎng)樂(lè)高級(jí)中學(xué)20172018學(xué)年第二學(xué)期期中考高二化學(xué)（理科）試卷參考答案一、選擇題（本題包括15小題，每小題3分，每小題只有一個(gè)答案符合題意。）1．A2．C3．C4．B5．D6．D7．C8．D9．B10．A11．D12．C13．Ｂ14．A15．C二、填空題（本題共5小題，共55分。）16.(7分)3s3p↑↓↑↓↑↑（1）H、O、3s3p↑↓↑↓↑↑（4）O>S,Al>K17．(16分，每空2分。)（1）⑨（2）苯；分子晶體（3）1；三角錐型（4）Be(OH)2+2NaOH=Na2BeO2+2H2O（5）8；1218．(9分,每個(gè)答案1分。)（1）②③⑩（2）①（3）⑧（4）④⑦（5）⑤（6）⑨19．(11分，第2小題3分，其它每空2分。)（1）原子；共價(jià)鍵；（2）②③④；（3）②④；（4）在離子所帶電荷相同的情況下，離子半徑越小，晶格能越大，熔點(diǎn)就越高。20、（12分）（1）A（2分）

CD（2分）

（2）B（2分）

D（2分）（3）SiO2（1分）

CO2（1分）

NaCl（1分）

CsCl（1分）長(zhǎng)樂(lè)高級(jí)中學(xué)20172018學(xué)年第二學(xué)期期中考高二化學(xué)（理科）答題卡姓名：班級(jí)：座號(hào)：準(zhǔn)考證號(hào)貼條形碼區(qū)域注準(zhǔn)考證號(hào)貼條形碼區(qū)域注意事項(xiàng)1.答題前請(qǐng)將姓名、班級(jí)、座號(hào)、準(zhǔn)考證號(hào)填定清楚。2.客觀題答題，必須使用2B鉛筆填涂，修改時(shí)用橡皮擦干凈。3.主觀題答題，必須使用黑色簽字筆書(shū)寫(xiě)。4.必須在題號(hào)對(duì)應(yīng)的答題區(qū)域內(nèi)作答，超出答題區(qū)域書(shū)寫(xiě)無(wú)效。5.保持答題卡清潔、完整。正確填涂缺考標(biāo)記正確填涂缺考標(biāo)記請(qǐng)?jiān)诟黝}目區(qū)域內(nèi)作答，超出黑色矩形邊框限定區(qū)域的答案無(wú)效！一、選擇題（共15小題，每小題3分，計(jì)45分，每小題只有一個(gè)正確答案。）11［A］［B］［C］［D］6［A］［B］［C］［D］11［A］［B］［C］［D］2［A］［B］［C］［D］7［A］［B］［C］［D］12［A］［B］［C］［D］3［A］［B］［C］［D］8［A］［B］［C］［D］13［A］［B］［C］［D］4［A］［B］［C］［D］9［A］［B］［C］［D］14［A］［B］［C］［D］5［A］［B］［C］［D］10［A］［B］［C］［D］15［A］［B］［C］［D］二、填空題（本題共5小題，共55分。）1616．（7分）（1）；；；（2）；（3）；（4）；。17.（16分）（17.（16分）（1）；（2）；；（3）；