SJ-T 11773-2021 半導體集成電路沖壓型引線框架

半導體集成電路沖壓型引線框架I1半導體集成電路沖壓型引線框架本標準規(guī)定了半導體集成電路沖壓型引線框架術(shù)語和定義、技術(shù)要求、檢測及驗收規(guī)定、標志、儲存等。本標準適用于半導體集成電路沖壓型引線框架。2規(guī)范性引用文件下列文件對于本文件的應用是必本可少納。凡是注期的文件僅所注日期的版本適用于本文件。凡是不注日期的引用文件其最新版本(包括所有的修改單Y話用于本文件。GB/T2828.1計數(shù)抽樣檢驗程序第1部分：按接收質(zhì)量限(AQD檢索的逐批檢驗抽樣計劃GB/T7092半導體重成電路外形尺寸GB/T14112半與體集成電路塑料雙列封裝沖制型引線框架規(guī)范GBT1411坐導體集成電路3術(shù)語和定義GB/T111s定的術(shù)語與定義適用了本文件。4技術(shù)要求在引線框架有間部位，豎直毛刺不大于0.025mm,水平毛刺不大于0.05m4.2凹坑和壓痕凹坑和壓痕的要求如大：a)在功能區(qū)和外引線上的壓痕，深度應不大于0.013mm,壓痕長度應不大于0.13mm;b)功能區(qū)和外引線以外的區(qū)域壓痕深度應不大于0.05mm,長度應不大手0.13mm。4.3鍍層鍍層表面應致密，色澤均勻呈鍍層本色，不允許有肉眼可見的起皮、起泡、發(fā)花、斑點、沾污、異物等缺陷。應無鍍層漏鍍并符合相關(guān)要求。4.4外形尺寸引線框架外形尺寸應符合GB/T7092有關(guān)規(guī)定及引線框架設(shè)計文件的要求。4.5厚度公差引線框架常用材料厚度公差見表1。24.6側(cè)彎a)引線精壓區(qū)的寬度不小于對應精壓部位的80%;b)引線精壓后的深度不大于材料厚度的30%,引線框架精壓深度為(0.013～0.05)mm;4.9扭曲4.10卷曲3圖1內(nèi)引繼端精壓區(qū)與引線連筋區(qū)的平面性應不大五±0.12m4.16內(nèi)引線部精壓區(qū)翹曲端部定位孔位置偏差一圖24垂直毛刺a)變焦顯微鏡(放大25倍);5b)利用變焦顯微鏡1倍目鏡10倍物鏡進行全面的肉眼檢驗，發(fā)現(xiàn)異常時用3.5倍目鏡10倍物c)必要時可以利用工具顯微鏡放大50倍對外觀不良的長寬進行測量，放大200倍或者500倍下5.3鍍層變焦顯微鏡(放大25倍)。b)利用變焦顯微鏡1信鏡10倍物鏡進行全面的肉眼檢驗發(fā)現(xiàn)異常時用3.5倍目鏡10倍物5.4.1測量工具a)投景樹量儀放大20倍，精確度0.002-mm);5.4.2測量方法a)將產(chǎn)品香值放在測量夾具(檢查夾其正確固定在投影測量儀上)上固定好；d)用同樣的方去測量引線框架的另一端的寬度，如圖4中Wi所長度L1寬度W寬度W圖4a)將產(chǎn)品垂直放在測量夾具(檢查夾具正確固定在投影測量儀上)上固定好；6d)用同樣的方法測量引線框架的另一邊的切斷長度，如圖4中L1所示。a)將產(chǎn)品垂直放在測量夾具(檢查夾具正確固定在投影測量儀上)上固定好；a)將產(chǎn)品垂直放在測量夾具(檢查夾具正確固定在投影測量儀上)上固定好；螺旋測微器(精確度0.001mm,量程a)投影測量儀(放大20倍，精確度0.002mm);7圖5a)真品微鏡(放大200倍，精確度b)檢驗具其測量的見圖6最大值部位。橫橫彎值基準面橫橫彎值8精精壓長度9圖8圖9所示。卷卷曲值精壓面c)利用工具顯微鏡放大25倍在芯片粘結(jié)區(qū)連筋上距離打完壓點A,轉(zhuǎn)動物鏡到200倍調(diào)焦歸“0”;再將物鏡轉(zhuǎn)到25倍下在距離打完壓痕的芯片粘結(jié)區(qū)或芯片粘結(jié)區(qū)連筋上0.254mm的平坦區(qū)域選一點B,轉(zhuǎn)動物鏡到200倍調(diào)焦得出的Z值即引線框架芯片粘結(jié)區(qū)打凹深度，如圖10所示Da)工具顯微鏡(放大500倍，精確度0.002mm);c)測試點應在距芯片粘結(jié)區(qū)切割邊緣0.127mm處，把顯微鏡聚焦在如圖7的目標1處，聚焦Ze)用同樣方法分別測量目標3和4,得出芯片粘結(jié)區(qū)的最大斜度數(shù)值。圖11c)測試點應在距芯片粘結(jié)區(qū)切割邊緣0.127mm處，把顯微鏡聚焦在如圖13的目標1處，聚焦e)將(Z1+Z2+Z3)/4,把顯示器Z軸的數(shù)值調(diào)整為Z1+Z2+Z3除4的數(shù)值后再重新將Z軸清零；5.13.1測量工具a)投影測量儀(放大20倍，精確度0.002mm);5.13.2測量方法a)將產(chǎn)品垂直放在測量夾具(檢查夾具正確固定在投影測量儀上)上固定好；上Y軸歸“0”;示值就是定位孔位置偏差的值，如圖1中L所示。5.14.1測量工具a)工具顯微鏡(放大25倍和200倍，精確度0.002mm);c)放大25倍下在芯片粘結(jié)區(qū)連筋左上邊的LEADTIP的中心選一點1,轉(zhuǎn)到200倍下調(diào)焦歸值-最小值或|最大值計最隊值針算得出的數(shù)值助位內(nèi)引線端部精壓區(qū)共面性的值。5.15.1測量工具測量工具如下a)工具顯微鏡(放大200倍，精確度.002mm);5.15.2測量方法內(nèi)引線端部精壓區(qū)與引線筋區(qū)的方法如下：a)在引線連筋點1的中央調(diào)焦后數(shù)字盤歸于“0”b)工具顯微鏡的焦點移向相反方向引線(筋2的中心后從調(diào)焦；為了設(shè)定基準把兩個焦點高c)焦點移向引線端部3后從引線端部市2.54am的地方從新調(diào)焦；記錄基灘點到Z軸的高度差。所要測定的一切引線用同樣的步驟反復進行，記錄(+)和(-)符號，此數(shù)值就是內(nèi)引線2圖135.16.1測量工具a)工具顯微鏡(放大500倍，精確度0.002mm);b)把引線框架按引線平面朝上放置，并固定在夾具的底座上后確定Z平面；c)把顯微鏡聚焦在內(nèi)引線精壓區(qū)的表面的邊緣上，避開圓弧的平坦面上A點進行測量，聚焦Zd)移動測量儀器的軸，使平面移至規(guī)定的距離(Y),并重新調(diào)節(jié)顯微鏡焦距，確保焦點在平坦面上B點上，測出焦點高度(Z)值；e)引線扭曲角度利用下列公式計算：f)引線扭曲角度=arctan(焦點高度Z值/移動距離Y值)圖145.17鍍層耐熱度5.17.1測量工具b)變焦顯微鏡(20倍)5.17.2測量方法鍍層耐熱度測量方法如下：a)將引線框架電鍍層向上放在加熱板上，按所規(guī)定的(溫度及時間)加熱；b)加熱的引線框架用顯微鏡觀察是否有變色、起皮、起泡、發(fā)花、斑點等缺陷。5.18鍍層鍵合強度5.18.1測量工具測量工具如下：b)鍵合強度試驗儀。5.18.2測量方法如圖15所示，用掛鉤鉤住焊接絲的中央部分向垂直方向拉，A點不發(fā)生斷裂，鍵合強度不小于40mN,則符合鍵合強度。芯片a)變焦顯微鏡(20倍引線框架外觀目檢和變焦顯微鏡按4.1引線框架外觀目檢和變焦顯微鏡按4.2目檢和變