5《模擬電子技術(shù)》-4 場(chǎng)效應(yīng)三極管 (1)課件講解

電子技術(shù)基礎(chǔ)場(chǎng)效應(yīng)三極管任務(wù)目標(biāo)：1.掌握結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管；2.掌握絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管；3.熟悉場(chǎng)效應(yīng)管的主要參數(shù)。場(chǎng)效應(yīng)三極管的分類：分類：結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管增強(qiáng)型耗盡型N溝道P溝道N溝道N溝道P溝道P溝道一、結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管1.結(jié)構(gòu)N型溝道耗盡層GDSGDSP+P+N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)和符號(hào)柵極漏極源極2.工作原理UGS=0UGS<0UGS=UGS(off)⑴

當(dāng)UDS=0

時(shí)，UGS對(duì)耗盡層和導(dǎo)電溝道的影響。ID=0ID=0N型溝道GDSP+P+N型溝道GDSP+P+GDSP+P+IS=IDIDISIDISUGS=0，UDG<|UGS(off)|UGS<0，UDG<|UGS(off)|⑵.當(dāng)UDS＞0

時(shí)，UGS對(duì)耗盡層和ID的影響。NP+P+VGGVDDGDSNP+P+VDDGDS溝道較寬，ID

較大。溝道變窄，

ID

較小。NP+P+IDISVGGVDDP+P+IDISVGGVDDUGS<0，UDG=|UGS(off)|，UGS≤

UP

，UDG

>

|UGS(off)|，ID≈0，導(dǎo)電溝道夾斷。ID更小，導(dǎo)電溝道預(yù)夾斷。3.特性曲線⑴.轉(zhuǎn)移特性曲線ID=f（UGS）|UDS=常數(shù)GDSmAVVIDVGGVDD場(chǎng)效應(yīng)管特性曲線測(cè)試電路Ｎ溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管轉(zhuǎn)移特性

IDSSUP飽和漏極電流UGS/VID/mAO⑵.輸出特性曲線ID=f（UDS）|UGS=常數(shù)預(yù)夾斷軌跡可變電阻區(qū)恒流區(qū)擊穿區(qū)|UGS(off)|8VIDSSUGS=0-4-2-6-8ID/mAUDS/VO|UDS-UGS|=|UP|可變電阻區(qū)：恒流區(qū)：又稱飽和區(qū)N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的漏極特性?shī)A斷區(qū)：夾斷電壓擊穿區(qū)：二、絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管1.N溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管⑴

結(jié)構(gòu)P型襯底N+N+BSGDSiO2鋁SGDBP型襯底N+SGDBN+⑵

工作原理N型溝道UGS>UT時(shí)形成導(dǎo)電溝道VGGUDS對(duì)導(dǎo)電溝道的影響IDP型襯底N+N+SGDBVGGN型溝道VDDUDS對(duì)導(dǎo)電溝道的影響⑶

特性曲線IDOUT2UT預(yù)夾斷軌跡可變電阻區(qū)恒流區(qū)ID/mAUDS/VOUGS/VID/mAO截止區(qū)2.N溝道耗盡型MOS場(chǎng)效應(yīng)管GDSBP型襯底N+N+SGDBN型溝道++++++耗盡型：UGS

=0

時(shí)有導(dǎo)電溝道。增強(qiáng)型：UGS

=0

時(shí)無導(dǎo)電溝道。特性曲線IDSSUP預(yù)夾斷軌跡可變電阻區(qū)恒流區(qū)IDSSID/mAUDS/VOUGS=0-2-1+1+2UGS/VOID/mA截止區(qū)三、場(chǎng)效應(yīng)管的主要參數(shù)1.飽和漏極電流IDSS2.夾斷電壓UP3.開啟電壓UGS(th