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場(chǎng)效應(yīng)管主講人:田媛場(chǎng)效應(yīng)管雙級(jí)型元器件電流控制元器件;

工作時(shí)多數(shù)載流子和少數(shù)載流子都同時(shí)參與運(yùn)行。三極管簡(jiǎn)稱fet,電壓控制元器件;

工作時(shí)只有一種載流子參與導(dǎo)電。場(chǎng)效應(yīng)管單級(jí)型元器件場(chǎng)效應(yīng)管優(yōu)點(diǎn)輸入電阻高功耗比較小溫度特性曲線好制造工藝簡(jiǎn)單分類絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管結(jié)刑場(chǎng)效應(yīng)管N溝道增強(qiáng)型MOS管結(jié)構(gòu)襯底bp襯底源極s柵極g漏極dN+NsbgdUgs=0V,管子截止;Ugs>0V,形成耗盡層;進(jìn)一步增加Ugs,形成導(dǎo)電溝道,如果此時(shí)加有漏源電壓,就可以形成漏極電流Id。柵源電壓Ugs的控制作用工作原理N溝道增強(qiáng)型MOS管N+bgdN+sVDDp襯底二氧化硅N+bgdN+sVDDp襯底二氧化硅VGGid漏源電壓Uds對(duì)漏極電流Id的控制作用工作原理Uds=0,Id=0;Uds↑,Id↑,溝道靠漏區(qū)變窄;Uds增加到使Ugd=Ut時(shí),溝道靠漏區(qū)夾斷,稱為預(yù)夾斷;Uds再增加,Id基本不變。N溝道增強(qiáng)型MOS管引入定義開(kāi)啟電壓(Ut)剛剛產(chǎn)生溝道所需的柵源電壓Ugs?;咎匦訳gs越大,溝道越寬,相同的漏源電壓Uds作用下,漏極電流Id越大。Ugs<Ut,管子截止;N溝道增強(qiáng)型MOS管Ugs>Ut,管子導(dǎo)通;N溝道增強(qiáng)型MOS管特性曲線輸出特性曲線iD(mA)uDS(V)

飽和區(qū)擊穿區(qū)截止區(qū)可變電阻區(qū)N溝道增強(qiáng)型MOS管特性曲線轉(zhuǎn)移特性曲線UtiD(mA)uDS(V)

iD(mA)uGS(V)10V26423412341引入?yún)?shù)跨導(dǎo)gm其大小反映了柵源電壓對(duì)漏極電流的控制作用;在轉(zhuǎn)移特性曲線上,gm為的曲線的斜率;在輸出特性曲線上也可求出gm。iD(mA)uDS(V)iD(mA)uGS(V)10V2462341?uGS?uGS?iD2341Ugs<0,溝道變窄,Id減小。主要特點(diǎn)Ugs=0,有溝道,加入U(xiǎn)ds,就有Id;Ugs>0,溝道增寬,Id進(jìn)一步增加;N溝道耗盡型MOS管襯底bp襯底源極s柵極g漏極dN+Nsbgd引入定義夾斷電壓(Up)溝道剛剛消失所需的柵源電壓Ugs。特性曲線N溝道耗盡型MOS管iD(mA)uDS(V)iD(mA)uGS(V)10V

23412341120-1-2UP轉(zhuǎn)移特性曲線輸出特性曲

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