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專題十九帶電粒子在立體空間中的運(yùn)動(dòng)1.[信號(hào)放大器/2024天津]信號(hào)放大器是一種放大電信號(hào)的儀器,如圖1,其可以通過在相鄰極板間施加電壓,使陰極逸出的電子擊中極板時(shí),激發(fā)出更多的電子,從而逐級(jí)放大電信號(hào).已知電子的質(zhì)量為m,帶電荷量為-e.(1)在極板上建立空間直角坐標(biāo)系,極板上方空間內(nèi)存在磁場(chǎng),其磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B,方向平行于z軸.極板間的電壓U微小,幾乎不影響電子運(yùn)動(dòng).如圖2,某次激發(fā)中,產(chǎn)生了2個(gè)電子a和b,其初速度方向分別在xOy與zOy平面內(nèi),且與y軸正方向都成θ角,則:(i)推斷磁場(chǎng)的方向;(ii)求a、b兩個(gè)電子運(yùn)動(dòng)到下一個(gè)極板的時(shí)間t1和t2.(2)若單位時(shí)間內(nèi)陰極逸出的電子數(shù)量不變,每個(gè)電子打到極板上可以激發(fā)出δ個(gè)電子,且δ∝U,陽極處接收電子產(chǎn)生的電流為I,在圖3的坐標(biāo)系中定性畫出表示U和I關(guān)系的圖像并說明這樣畫的理由.圖1圖2圖3答案(1)(i)沿z軸負(fù)方向(ii)t1=(π-2θ)meBt2解析(1)(i)由題意可知電子a的初速度方向在xOy平面內(nèi),與y軸正方向成θ角.若磁場(chǎng)方向沿z軸正方向,則由左手定則可知電子a在洛倫茲力的作用下向x軸負(fù)方向偏轉(zhuǎn),不符合題意;若磁場(chǎng)方向沿z軸負(fù)方向,則由左手定則可知電子a在洛倫茲力的作用下向x軸正方向偏轉(zhuǎn),符合題意.綜上可知,磁感應(yīng)強(qiáng)度B的方向沿z軸負(fù)方向(ii)電子a在洛倫茲力作用下的運(yùn)動(dòng)軌跡如圖由圖可知電子a運(yùn)動(dòng)到下一個(gè)極板的時(shí)間為t1=2(π2-θ)2πT分析可知電子b沿z軸方向的分速度與磁感應(yīng)強(qiáng)度方向平行,則電子b在z軸方向做勻速直線運(yùn)動(dòng);沿y軸方向的分速度使電子b受到洛倫茲力向x軸正方向偏轉(zhuǎn),電子b在垂直z軸的平面內(nèi)運(yùn)動(dòng)半個(gè)圓周到下一個(gè)極板的時(shí)間為t2=π2πT=(2)設(shè)δ=kU(k為常量),單位時(shí)間內(nèi)陰極逸出的電子數(shù)量為N0.每個(gè)電子打到極板上可以激發(fā)出δ個(gè)電子,則經(jīng)過n次激發(fā)后單位時(shí)間內(nèi)陽極處接收到的電子數(shù)量為N=N0δn=N0(kU)n=N0knUn結(jié)合電流的定義式可得陽極處接收電子產(chǎn)生的電流為I=Ne=eN0knUn=(eN0kn)Un=AUn(A為常量)可得I-U圖像如圖2.[霍爾效應(yīng)+電流的微觀表達(dá)式/2024天津]霍爾元件是一種重要的磁傳感器,可用在多種自動(dòng)限制系統(tǒng)中.長(zhǎng)方體半導(dǎo)體材料厚為a、寬為b、長(zhǎng)為c,以長(zhǎng)方體三邊為坐標(biāo)軸建立坐標(biāo)系Oxyz,如圖所示.半導(dǎo)體中有電荷量均為e的自由電子與空穴兩種載流子,空穴可看作帶正電荷的自由移動(dòng)粒子,單位體積內(nèi)自由電子和空穴的數(shù)目分別為n和p.當(dāng)半導(dǎo)體材料通有沿+x方向的恒定電流后,某時(shí)刻在半導(dǎo)體所在空間加一勻強(qiáng)磁場(chǎng),磁感應(yīng)強(qiáng)度的大小為B,沿+y方向,于是在z方向上很快建立穩(wěn)定電場(chǎng),稱其為霍爾電場(chǎng),已知電場(chǎng)強(qiáng)度大小為E,沿-z方向.(1)推斷剛加磁場(chǎng)瞬間自由電子受到的洛倫茲力方向;(2)若自由電子定向移動(dòng)在沿+x方向上形成的電流為In,求單個(gè)自由電子由于定向移動(dòng)在z方向上受到洛倫茲力和霍爾電場(chǎng)力的合力大小Fnz;(3)霍爾電場(chǎng)建立后,自由電子與空穴在z方向定向移動(dòng)的速率分別為vnz、vpz,求Δt時(shí)間內(nèi)運(yùn)動(dòng)到半導(dǎo)體z方向的上表面的自由電子數(shù)與空穴數(shù),并說明兩種載流子在z方向上形成的電流應(yīng)滿意的條件.答案(1)沿+z方向(2)e(InBneab+E)(解析(1)由左手定則可知,自由電子受到的洛倫茲力沿+z方向.(2)設(shè)t時(shí)間內(nèi)流過半導(dǎo)體垂直于x軸某一橫截面自由電子的電荷量為q,由電流定義式,有In=q設(shè)自由電子在x方向上定向移動(dòng)速率為vnx,則q=neabvnxt可導(dǎo)出自由電子的電流微觀表達(dá)式為In=neabvnx單個(gè)自由電子所受洛倫茲力大小為F洛=evnxB霍爾電場(chǎng)力大小為F電=eE自由電子在z方向上受到的洛倫茲力和霍爾電場(chǎng)力方向相同,則有Fnz=F洛+F電聯(lián)立得其合力大小為Fnz=e(InBneab(3)設(shè)Δt時(shí)間內(nèi)在z方向上運(yùn)動(dòng)到半導(dǎo)體上表面的自由電子數(shù)為Nn、空穴數(shù)為Np,則Nn=nacvnzΔtNp=pacvpzΔt霍爾電場(chǎng)建
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