電子顯微技術(shù)試題

電子顯微技術(shù)一、名詞解釋數(shù)值孔徑景深與焦長齊焦像差色差電子探針二、選擇題適于觀看細(xì)胞簡單網(wǎng)絡(luò)如內(nèi)質(zhì)網(wǎng)膜系統(tǒng)、細(xì)胞骨架系統(tǒng)的三維構(gòu)造的顯微鏡是( )A．一般光學(xué)顯微鏡 B．熒光顯微鏡C．相襯顯微鏡 D．激光掃描共聚焦顯微鏡下面對(duì)透射電鏡描述不正確的選項(xiàng)是( A．利用泛光式電子束和透射電子成像B．觀看細(xì)胞內(nèi)部超微構(gòu)造C．進(jìn)展最早,性能最完善D．景深長、圖像立體感強(qiáng)電子散射少、對(duì)樣品損傷小、可用于觀看活細(xì)胞的電子顯微鏡是( )A．一般透射電鏡 B．一般掃描電鏡C．超高壓電鏡 D．掃描隧道顯微鏡物象在低倍鏡下清楚可見，換高倍鏡后看不見了這是由于( )A．玻片放反了 B．高倍物鏡故障C．物象不在視野正中心 D．焦距沒調(diào)好用于透射電鏡的超薄切片厚度通常為( )A．50nm～100nmB．0.2μmC．10μmD．2nm關(guān)于掃描隧道顯微鏡(STM)，以下表達(dá)錯(cuò)誤的選項(xiàng)是( )A．STM是IBM蘇黎世試驗(yàn)室的Binnig等人在1981年制造的B．可直接觀看到DNA、RNA和蛋白等生物大分子C．僅可在真空條件下工作D．依靠一極細(xì)的金屬針尖在標(biāo)本外表掃描來探測(cè)標(biāo)本的形貌下面哪一種措施與提高顯微鏡區(qū)分力量無關(guān)( A．使用放大倍率較高的目鏡B．使用折射率高的介質(zhì)C．?dāng)U大物鏡直徑透射電鏡的反差取決于樣品對(duì)( )的散射力量A．二次電子 B．入射電子C．樣品質(zhì)量厚度 D．樣品性質(zhì)僅僅反映固體樣品外表形貌信息的物理信號(hào)是( A．背散射電子 B．二次電子C．吸取電子 D．透射電子透射電鏡所具有的特征有( )A．區(qū)分率高 C．成像立體感強(qiáng) D．標(biāo)本須超薄電子槍產(chǎn)生的電子是( )A．入射電子 B．俄歇電子C．彈性散射電子 D．二次電子電鏡標(biāo)本制備時(shí)常用的固定劑有( A．鋨酸 B．戊二醛C．丙酮 D．過碘酸下面屬于超高壓電子顯微鏡的優(yōu)點(diǎn)的是( )A．可用于觀看厚切片 B．可以提高區(qū)分率C．可提高圖像質(zhì)量 D．削減輻射損傷范圍二次電子檢測(cè)系統(tǒng)不包括( )A．收集體 B．顯像管C．閃耀體 D．光電倍增管掃描電鏡的反差是由( )打算的A．吸取電子產(chǎn)率 B．反射電子產(chǎn)率C．二次電子產(chǎn)率 D．特征X射線產(chǎn)率三、推斷題1938年，俄國工程師MaxKnollErnstRuska制造出了世界上第一臺(tái)透射電子顯微鏡(TEM)。1952CharlesOatley制造出了第一臺(tái)掃描電子顯微鏡(SEM)。電鏡放射自顯影技術(shù)是電鏡技術(shù)與放射自顯影技術(shù)相結(jié)合，觀看放射性物質(zhì)在超微構(gòu)造水平上的定位和變化，從而了解細(xì)胞的各種代謝活動(dòng)，是一種動(dòng)態(tài)的爭(zhēng)論方法。SEM常規(guī)制樣技術(shù)使樣品外表特征充分暴露而變形，不適合于爭(zhēng)論生物樣品的外表特征。球差是由于電磁透鏡的中心區(qū)域磁場(chǎng)和邊緣區(qū)域磁場(chǎng)對(duì)入射電子束的反射力量不同而產(chǎn)生的。3-6nm之間。電子放射功函數(shù)與所離開的晶體取向無關(guān)。供TEM10~20nm以內(nèi)。SEM不能利用透射電子成像，而只能利用背景散射電子成像。10.掃描隧道和原子力電子顯微鏡，是1986年諾貝爾物理學(xué)獎(jiǎng)獲得者賓尼和羅雷爾相繼制造制造的。四、填空題透射電鏡的構(gòu)造主要由＿＿＿、＿＿＿、＿＿＿、＿＿＿、＿＿＿、＿＿＿＿＿等五局部組成。TEM依據(jù)加速電壓的大小可分為＿＿＿、＿＿＿和＿＿＿三種。掃描電鏡〔SEM〕利用＿＿＿轟擊樣品外表，引起＿＿＿等信號(hào)的放射，經(jīng)檢測(cè)裝置接收后成像的一類電鏡。電子透鏡分為＿＿＿和＿＿＿。電磁透鏡的像差包括＿＿＿、＿＿＿和＿＿＿。五、簡答題電鏡的根本類型有哪些？各有什么特點(diǎn)？電鏡由哪幾個(gè)主要局部組成？對(duì)成像質(zhì)量影響較大的部件有哪些？掃描電鏡與透射電鏡相比有