STM32單片機仿真開發(fā)實例 課件 4.8 Flash ROM的讀寫

4.8FlashROM的讀寫能力目標(biāo)：

了解STM32F103R6單片機FlashROM的基本結(jié)構(gòu)與工作特性，掌握讀寫FlashROM的讀寫方法。任務(wù)要求：仿真電路如圖所示，單片機能將由串口收到的1個字節(jié)數(shù)據(jù)存入到FlashROM的指定地址；按下按鈕BTN，單片機將存儲在FlashROM指定地址的1個字節(jié)數(shù)據(jù)通過串口發(fā)送。串口通信參數(shù)是19200-N-1。4.8.1FlashROMSTM32單片機的FlashROM即程序存儲器，它的作用就是用來存放用戶編寫的單片機程序（機器碼）。實際上，F(xiàn)lashROM除了用來存放單片機程序之外也可以用來保存數(shù)據(jù)，保存在FlashROM中的數(shù)據(jù)可以借助于專門的API函數(shù)進行讀寫，換言之這些數(shù)據(jù)可以在線修改，也能斷電保存。ISP下載過程中，可以看到STM32單片機的Flashmapping（閃存映射），STM32F103R6單片機的32KBFlashROM按1KB每頁頁劃分為32頁，如右圖所示。FlashROM的數(shù)據(jù)寫入務(wù)必遵循如下圖所示步驟。

而FlashROM的數(shù)據(jù)讀取則沒有繁瑣的步驟，直接讀取即可。4.8.2任務(wù)程序的編寫Flash讀寫沒有圖形化配置步驟，本項目僅需配置串口和GPIO即可。

本次任務(wù)需要用到的新的API函數(shù)有：

①解鎖FlashROM函數(shù)

HAL_FLASH_Unlock

例如：②鎖定FlashROM函數(shù)HAL_FLASH_Lock

例如：if(HAL_FLASH_Unlock()!=HAL_OK){Error_Handler();}if(HAL_FLASH_Lock()!=HAL_OK){Error_Handler();}③擦除FlashROM指定部分函數(shù)HAL_FLASHEx_Erase

例程往后翻→其中，TypeErase參數(shù)有兩個宏定義選項，分別是：●FLASH_TYPEERASE_PAGES（頁擦除）；●FLASH_TYPEERASE_MASSERASE（全部擦除）。uint32_tpage_error=0;//錯誤FLASH_EraseInitTypeDeferase_initstruct={.TypeErase=FLASH_TYPEERASE_PAGES,/*擦除方式--頁擦除*/.NbPages=1,/*頁數(shù)量--1頁*/.PageAddress=0x08006400/*擦除頁起始地址*/};if(HAL_FLASHEx_Erase(&erase_initstruct,&page_error);!=HAL_OK){Error_Handler();}④寫入FlashROM函數(shù)HAL_FLASH_Program

例程：HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_HALFWORD,0x08006400,0x1234);其中，TypeProgram參數(shù)有三個宏定義選項，分別是：●FLASH_TYPEPROGRAM_HALFWORD（半字，長度16位）●FLASH_TYPEPROGRAM_WORD（單字，長度32位）●FLASH_TYPEPROGRAM_DOUBLEWORD（