電子元器件 半導(dǎo)體器件長(zhǎng)期貯存 第9部分：特殊情況 征求意見稿

GB/TXXXXX—XXXX/IEC62435-91電子元器件半導(dǎo)體器件長(zhǎng)期貯存第9部分：特殊情況失效模式影響分析failuremodeeffectsan磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器magnetoresistiverandomaccessmemor鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器ferroelectricrandomaccessmemory；GB/TXXXXX—XXXX/IEC62435-92注：鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器通常被稱為“憶阻器”?？刹脸删幊讨蛔x存儲(chǔ)器erasableprogrammableread-o一種存儲(chǔ)器，在設(shè)備電源關(guān)閉時(shí)存儲(chǔ)和保留信息，具有微機(jī)電系統(tǒng)micro-electromechanicals注2：和MEMS相關(guān)的技術(shù)非常多樣化，包括基礎(chǔ)技術(shù)（如設(shè)計(jì)、材料、加工、功能元件、系統(tǒng)控制、能源供應(yīng)、鍵2.5D封裝2.5dimensionalpac硅器件彼此堆疊或使用封裝作為堆疊方案的一4元器件貯存案例一個(gè)或多個(gè)芯片（如CMOS處理器、GaN無(wú)線電器件、傳感器、新型存儲(chǔ)器等），每種技術(shù)的器件可能都GB/TXXXXX—XXXX/IEC62435-93會(huì)提出貯存要求，例如，存儲(chǔ)器可能需要遠(yuǎn)離X射線和強(qiáng)磁場(chǎng)源，傳感器可能需要貯存在黑暗、低壓的環(huán)境中。貯存風(fēng)險(xiǎn)評(píng)估宜考慮每個(gè)器件獨(dú)特的貯存環(huán)境和貯存5.1概述5.2半導(dǎo)體存儲(chǔ)器器件類型磁存儲(chǔ)器對(duì)強(qiáng)磁場(chǎng)的環(huán)境敏感，而相變存儲(chǔ)器可能對(duì)貯GB/TXXXXX—XXXX/IEC62435-94件柵陣列（BGA）封裝，這種封裝可以容納3D存儲(chǔ)器件、收發(fā)器、無(wú)線電器件或其他功率器件。類似的還有芯片嵌入到封裝中，以子組裝單元的狀態(tài)等待GB/TXXXXX—XXXX/IEC62435-95晶圓級(jí)芯片通常在重分布層（RDL）沉積前后貯存，然后再用于封芯片尺寸封裝的貯存，需要完成設(shè)計(jì)失效模式影響分析（DFMEA）和包括貯存室環(huán)境條件的失效模式影響分析(FMEA)，IEC62435-6概述了可用于風(fēng)險(xiǎn)評(píng)估的和包括貯存室環(huán)境條件的失效模式影響分析(FMEA)，IEC624以卡片式或帶有連接器的小型主板式的模塊可以以原來(lái)的狀態(tài)或子組裝單元或完整組裝單元的形響分析（DFMEA）和包括貯存室環(huán)境條件的失效模式影響分析(FMEA)，IEC62435-6概述了可用于風(fēng)險(xiǎn)模塊可以作為現(xiàn)場(chǎng)更換的單元貯存在不受控制的環(huán)境中，因此貯業(yè)務(wù)協(xié)商中應(yīng)考慮的責(zé)任歸屬示例，將調(diào)查納入管理貯環(huán)境的風(fēng)險(xiǎn)。改變的環(huán)境可以是IEC60721系列標(biāo)準(zhǔn)中的混合環(huán)境，需要完成設(shè)計(jì)失效模式影響分析（DFMEA）和包括貯存室環(huán)境條件的失效模式影響分析(FMEA)，貯存條件不僅要考慮溫度、壓力等，從GB/TXXXXX—XXXX/IEC62435-96鑒定數(shù)據(jù)進(jìn)行風(fēng)險(xiǎn)評(píng)估，并將簡(jiǎn)單縮放時(shí)間添加GB/TXXXXX—XXXX/IEC62435-97ABCDEFGHIJKLMGB/TXXXXX—XXXX/IEC62435-98ofgroupsofenvironmentalparametersandtheirseverities[4]IEC62435Electroniccomdevices-Part1:Generaldevices-Part3:Datadevices-Part6: