GB∕T 43538-2023 集成電路金屬封裝外殼質(zhì)量技術(shù)要求（正式版）

集成電路金屬封裝外殼質(zhì)量技術(shù)要求2023-12-28發(fā)布2024-07-01實施I前言 l2規(guī)范性引用文件 13術(shù)語和定義 14技術(shù)要求 54.1材料 54.2鍍覆 54.3設計和結(jié)構(gòu) 54.4電特性 54.5外觀質(zhì)量 64.6環(huán)境適應性 6附錄A(規(guī)范性)鍍層質(zhì)量試驗方法 7A.1鍍金層質(zhì)量試驗方法 7A.2鍍鎳層質(zhì)量試驗方法 7附錄B(規(guī)范性)金屬外殼外觀質(zhì)量要求 9B.1質(zhì)量要求 9B.2檢驗條件 ⅢGB/T43538—2023本文件按照GB/T1.1—2020《標準化工作導則第1部分：標準化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則》的規(guī)定起草。請注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利。本文件的發(fā)布機構(gòu)不承擔識別專利的責任。本文件由中華人民共和國工業(yè)和信息化部提出。本文件由全國半導體器件標準化技術(shù)委員會(SAC/TC78)歸口。本文件起草單位：中國電子技術(shù)標準化研究院、廣東省高智新興產(chǎn)業(yè)發(fā)展研究院、合肥圣達電子科技實業(yè)有限公司、河北中瓷電子科技股份有限公司、青島凱瑞電子有限公司、廣東省中紹宣標準化技術(shù)研究院有限公司、深圳市渭樾科技有限公司。1集成電路金屬封裝外殼質(zhì)量技術(shù)要求1范圍方面的技術(shù)要求和檢驗方法。2規(guī)范性引用文件下列文件中的內(nèi)容通過文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款。其中，注日期的引用文件，僅該日期對應的版本適用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本(包括所有的修改單)適用于GB/T4937.11—2018半導體器件機械和氣候試驗方法第11部分：快速溫度變化雙液槽法GB/T4937.13—2018半導體器件機械和氣候試驗方法第13部分：鹽霧GB/T4937.14—2018半導體器件機械和氣候試驗方法第14部分：引出端強度(引線牢固性)GB/T4937.21—2018半導體器件機械和氣候試驗方法第21部分：可焊性GB/T4937.22—2018半導體器件機械和氣候試驗方法第22部分：鍵合強度GB/T16526封裝引線間電容和引線負載電容測試方法GB/T19248封裝引線電阻測試方法SJ20129金屬鍍覆層厚度測量方法IEC60749-8:2002半導體器件機械和氣候試驗方法第8部分：密封(Semiconductordevices—Mechanicalandclimatictestmethods—PartIEC60749-25:2003半導體器件機械和氣候試驗方法第25部分：溫度循環(huán)(SemiconductorIEC60749-36:2003半導體器件機械和氣候試驗方法第36部分：穩(wěn)態(tài)加速(Semiconductordevices—Mechanicalandclimatictestmethods—Part36:Acceleration,steadystate)3術(shù)語和定義下列術(shù)語和定義適用于本文件。構(gòu)成密封腔的外殼內(nèi)表面。注：包含并保護連接延伸至外殼內(nèi)部引線的產(chǎn)品電路。底板base外殼底部的主要支撐區(qū)域。2基底金屬basemetal金屬外殼、引線或焊料結(jié)構(gòu)所使用的主要未鍍金屬材料。安裝面mountingsurface外殼上安裝至印制電路板(PCB)、熱沉等的外部區(qū)域。密封區(qū)sealingarea底座或蓋板上的封接面。注1:采用縫焊、熔焊或儲能焊等方式將底座和蓋板的密封區(qū)焊接在一起形成密封結(jié)構(gòu)。注2:采用不同密封方式的金屬外殼的關(guān)鍵密封區(qū)規(guī)定如下：a)縫焊外殼：密封區(qū)外側(cè)25%;b)熔焊(激光焊)外殼：密封區(qū)內(nèi)側(cè)0.30mm以內(nèi)；芯片黏接區(qū)dieattacharea外殼上用于放置芯片的區(qū)域。注：芯片黏接區(qū)通常位于外殼底板內(nèi)表面的底部。鍵合區(qū)bondingarea用于鍵合引線的引出端或外殼表面。從外殼引出的用于電氣和機械連接的柔性、半柔性或固態(tài)/剛性導體。注：引線一般分為圓形(銷、釘頭銷、端子等)和扁形(蝕刻或沖壓平面等)。蓋板cover通過釬焊、縫焊和儲能焊等方式焊接在底座上從而構(gòu)成密封器件的蓋子。擁有一個共同的中心軸。氣泡bubble將材料從表面分離所產(chǎn)生的泡狀形狀。圓弧狀裂紋circumferentialcrack絕緣子表面出現(xiàn)的與引線孔形狀類似的裂縫。彎月區(qū)meniscus浸潤引線密封區(qū)平均低點上方的引線以及引線和/或外殼界面處外殼(密封兩邊)的絕緣子區(qū)域。3徑向裂紋radialcrack從外殼開始延伸至引線或者從引線開始向外殼延伸并跨過絕緣子的平均低點的絕緣子表面裂縫。玻璃缺損chip-out絕緣子部分破裂致使其金屬表面出現(xiàn)孔隙的裂縫區(qū)域。用于在引線與外殼間形成電學隔離并起到密封作用的材料。從外殼表面至絕緣子頂部所測得的絕緣子高度。絕緣子外溢insulatoroverflow溢出絕緣子設計區(qū)(通常為引線孔)的絕緣子。絕緣子飛濺物insulatorsplatter熔化時附在外殼或引線表面且清潔和/或鍍層后仍然殘留在表面的絕緣子微小顆粒。用于接合兩種金屬或金屬化組件的金屬材料。外殼表面至引線上焊料線頂部的距離。注：焊料爬高不包括焊料飛邊。焊料飛邊brazeflash溢出焊料規(guī)劃區(qū)的焊料，且厚度小于0.0254mm。溢出焊料設計區(qū)的焊料。注：焊料流出不包括焊料飛邊。外殼墻體和外殼底板接口處外殼表面凹陷的焊料。材料(尤其是金屬材料)在化學反應后出現(xiàn)的分解或破壞。絕緣子表面出現(xiàn)的多個微小裂縫。4分層delamination片狀材料從基體表面分離。片狀材料從基體表面脫離。異物foreignmaterial非設計原因添加或包含在外殼零件上的任何附著物或殘留物。表面上的空心或缺口。注：孔隙通常由缺乏鍍層或金屬化層造成。表面上的切口或深凹槽。劃痕nick注：劃痕通常由于機械損傷導致。刮擦引起的微小損傷、瑕疵或標記。注：擦痕通常小且淺。起皮peeling片狀材料的層間分離。表面的凹陷或缺口。注：通常由化學侵蝕引起。由小型相同分子(稱為單體)連接在一起構(gòu)成的任意化合物。注：通常用作微電子組裝黏合劑。從表面突出或伸出的凸起部分。注：通常出現(xiàn)在材料表面上。懸掛凸起hangingprotrusion探針觸碰時移動但仍然附在表面的凸起。5鍍層plating涂敷在基底金屬上的金屬薄層或通過化學或電化學方法施加的附加層。重新處理或更新以達到重新使用或可接收的操作。4技術(shù)要求4.1材料或工作時對外殼環(huán)境適應能力產(chǎn)生有害影響的缺陷。外引線或引出端材料的選取應與殼體金屬材料及封接材料(如玻璃絕緣子、陶瓷絕緣子、焊料等)相匹配，具有良好的鍍覆特性和抗疲勞性能，并滿足適用的電流承載及信號傳輸要求。絕緣介質(zhì)材料應具有良好的機械性能、電性能、導熱性能、熱匹配性能以及化學穩(wěn)定性。外殼引出端鍍覆應滿足適用的可焊性和防腐蝕的要求；其他外部金屬零件(如底板、蓋板、密封環(huán)，包括金屬化的陶瓷零件)只要滿足適用的防腐蝕和環(huán)境要求，則無需另外進行鍍覆；內(nèi)部零件(如鍵合點、鍵合柱等)應滿足引線鍵合及適用的設計和結(jié)構(gòu)要求。采用鍍鎳或鍍金工藝時，引線和殼體鍍層厚度應不小于1.3μm,鍵合區(qū)等特殊部位鍍層厚度應符合有關(guān)詳細規(guī)范或訂購文件的規(guī)定。鍍層厚度應按SJ20129的規(guī)定進行測量，測量時宜避免選取引線上非典型部位。鍍層質(zhì)量按附錄A規(guī)定進行試驗。4.3設計和結(jié)構(gòu)外殼的設計和結(jié)構(gòu)應滿足預定用途要求，必要時，可借助仿真工具優(yōu)化和驗證外殼的結(jié)構(gòu)設計、電特性設計、熱特性設計和可靠性設計。外殼設計文件應能充分地說明外殼具體結(jié)構(gòu)和各項性能，并且能追溯到外殼生產(chǎn)和試驗時的生產(chǎn)批和檢驗批代碼。外殼外形尺寸應滿足相關(guān)詳細規(guī)范或訂購文件規(guī)定。引出端與內(nèi)部鍵合點之間的引線電阻應符合有關(guān)詳細規(guī)范或訂購文件的規(guī)定。引線電阻按GB/T19248規(guī)定測試。除另有規(guī)定外，引出端與殼體絕緣電阻應不小于1.0×101°Ω。絕緣電阻采用兆歐電橋、兆歐表等適用裝置測試，測試條件為相對濕度20%～50%,施加500V直流電壓。64.4.3引線間電容(適用時)引線間電容應符合有關(guān)詳細規(guī)范或訂購文件的規(guī)定。引線間電容按GB/T16526規(guī)定測試。4.5外觀質(zhì)量外觀質(zhì)量應符合附錄B的規(guī)定。4.6環(huán)境適應性按IEC60749-8:2002第6章進行試驗。氣密性應滿足IEC60749-8:2002中6.3.1的要求。按GB/T4937.14—2018試驗條件A進行試驗。試驗后應滿足4.6.1的要求。按GB/T4937.14—2018試驗條件B進行試驗。試驗后應滿足4.6.1的要求。按GB/T4937.14—2018試驗條件C進行試驗。試驗后應滿足4.6.1的要求。按GB/T4937.22—2018方法A或方法B進行試驗。鍵合強度應滿足GB/T4937.22—2018中表2的規(guī)定。按GB/T4937.21—2018進行試驗。試驗判據(jù)應滿足GB/T4937.21—2018中4.3.3.6規(guī)定。按GB/T4937.11—2018試驗條件D進行試驗，至少15次循環(huán)。試驗后應滿足4.6.1的要求。按IEC60749-25:2003試驗條件C進行試驗，至少100次循環(huán)。試驗后應滿足4.6.1的要求。按GB/T4937.13—2018試驗條件A進行試驗。試驗判據(jù)應滿足GB/T4937.13—2018中4.4規(guī)定。按IEC60749-36:2003試驗條件B進行試驗，至少Y1方向。試驗后應滿足4.6.1的要求。7(規(guī)范性)鍍層質(zhì)量試驗方法A.1鍍金層質(zhì)量試驗方法A.1.1目的本方法目的是確定外殼鍍金層經(jīng)受高溫后的牢固性。A.1.2設備加熱器。A.1.3試驗程序本試驗分為試驗條件A和試驗條件B。b)試驗條件A鍍金層質(zhì)量試驗條件A按下列程序進行：a)在加熱器中通入空氣，加熱到450℃±10℃;b)將待試驗的外殼預熱到250℃~300℃;c)將預熱好的外殼置于加熱器中120+1°s;d)將外殼從加熱器中取出，在空氣中冷卻至室溫。c)試驗條件B鍍金層質(zhì)量試驗條件B按下列程序進行：a)在加熱器中通入氮氣，加熱到470℃±10℃;b)將待試驗的外殼預熱到250℃~300℃;c)將預熱好的外殼置于加熱器中60+!"s;d)將外殼從加熱器中取出，在空氣中冷卻至室溫。A.1.4檢驗判據(jù)鍍金層質(zhì)量試驗檢驗判據(jù)為：a)用10倍放大鏡檢查，不應有氣泡；b)用10倍放大鏡檢查，不應有剝落和起皮；c)在鍵合區(qū)、密封環(huán)表面或外部引線處不應有色變。而在試驗期間引入或操作前殘留的表面沾污，不應作為拒收的理由。A.2鍍鎳層質(zhì)量試驗方法A.2.1目的本方法目的是確定外殼鍍鎳層經(jīng)受高溫后的牢固性。A.2.2設備加熱器。8A.2.3試驗程序a)概述本試驗分為試驗條件A和試驗條件B。b)試驗條件A鍍鎳層質(zhì)量試驗條件A按下列程序進行：a)在加熱器中通入氮氣，加熱到225℃±5℃;b)將預熱好的外殼置于加熱器中24h;c)將外殼從加熱器中取出，在空氣中冷卻至室溫。c)試驗條件B鍍鎳層質(zhì)量試驗條件B按下列程序進行：a)在加熱器(如擴散爐)中通入氮氣，充分排出空氣，加熱到450℃±10℃;b)將預熱好的外殼置于加熱器中15min,試驗過程中保持爐內(nèi)氮氣氣氛；c)將外殼在加熱器中冷卻至100℃以下取出，在空氣中冷卻至室溫。A.2.4檢驗判據(jù)鍍鎳層質(zhì)量試驗檢驗判據(jù)為：a)用10倍放大鏡檢查，不應有氣泡；b)用10倍放大鏡檢查，不應有剝落和起皮；c)在鍵合區(qū)、密封環(huán)表面或外部引線處不應有色變。而在試驗期間引入或操作前殘留的表面沾污，不應作為拒收的理由。9(規(guī)范性)金屬外殼外觀質(zhì)量要求B.1.1絕緣子氣泡外殼不應出現(xiàn)以下缺陷。a)破開的表面氣泡直徑超過0.13mm(見圖B.1)。對于玻璃填充底座的外殼，破開的表面氣泡直徑超過0.25mm,或者破開的表面氣泡直徑超過0.13mm且距引線不到0.25mm。直徑應以最長的X-Y尺寸為準。圖B.1一個破開的表面氣泡b)破開的表面氣泡或內(nèi)部氣泡聚集成團，且覆蓋超過引線和孔壁間距L的2/3(見圖B.2)。注：可用木質(zhì)探針刺破的靠近表面的內(nèi)部氣泡歸類為表面氣泡。圖B.2成組破開的表面氣泡c)內(nèi)部氣泡連成一線，且覆蓋超過引線和孔壁間距L的2/3(見圖B.3)。連成一線氣泡覆蓋超過2/3I.圖B.3內(nèi)部氣泡連成一線d)多個內(nèi)部氣泡，且面積超過絕緣子面積的1/3(見圖B.4)。e)單個內(nèi)部氣泡覆蓋超過引線和孔壁間距L的2/3(見圖B.5)。圖B.5單個內(nèi)部氣泡B.1.2絕緣子裂紋、玻璃缺損和裂紋外殼不應出現(xiàn)以下缺陷。a)在陶瓷絕緣子中的所有裂紋，包括但不限于徑向和圓弧狀裂紋(見圖B.6)。如果陶瓷絕緣子表面的裂紋是由于外殼設計的壓力所導致，應提供長期可靠性和客戶許可證明(如果為玻璃絕緣子，絕緣子彎月區(qū)內(nèi)部的裂紋可接收)。圖B.6陶瓷絕緣子裂紋b)不完全位于一個象限(即弧度或旋轉(zhuǎn)超出引線的90°)的單個圓弧狀裂紋(裂紋穿過彎月區(qū)或在彎月區(qū)平均低點以外)或者不完全位于一個象限內(nèi)的任何重疊/交叉圓弧狀裂紋(見圖B.7)。玻璃的平均低點拒收圖B.7圓弧狀裂紋c)超出彎月區(qū)的徑向裂紋，出現(xiàn)在外殼內(nèi)外部的同一密封區(qū)上。d)非從引線開始產(chǎn)生的徑向裂紋(見圖B.8)。e)從引線開始產(chǎn)生的三條或以上的徑向裂紋并延伸至彎月區(qū)平均低點之外(見圖B.9)。玻璃的平均低點拒收圖B.9徑向裂紋f)從引線開始產(chǎn)生的兩條或以上的徑向裂紋并延伸至彎月區(qū)平均低點之外，且處于同一象限內(nèi)(即弧度或旋轉(zhuǎn)不超出引線的90°)(見圖B.10)。圖B.10徑向裂紋g)絕緣子表面的龜裂(見圖B.11)。h)玻璃缺損導致引線上基底金屬裸露深度H超出0.25mm或者穿透彎月區(qū)平面下方的絕緣子(見圖B.12)。拒收；缺損穿透彎月區(qū)平均低點i)玻璃缺損面積超過引線和外殼間絕緣子距離L的50%(見圖B.13)。玻璃缺損超出1/2I.圖B.13絕緣子玻璃缺損B.1.3絕緣子爬高、外溢和飛濺物外殼不應出現(xiàn)以下缺陷。a)絕緣子爬高H超過0.38mm(見圖B.14)。拒收：雙曲線形玻璃爬高彎月形玻璃爬高b)絕緣子爬高為雙曲線狀(見圖B.14)。c)絕緣子在引線和/或外殼接口出現(xiàn)不均勻的浸潤或反彎月形(見圖B.15)。d)外殼兩側(cè)的絕緣子凹陷導致的絕緣子剩余厚度h小于殼體厚度H的2/3(見圖B.16)。e)絕緣子外溢距離L超出0.38mm,或超過兩相鄰絕緣子間金屬長度W的1/2,取其小者(見圖B.17)。圖B.17絕緣子外溢f)接插臺面或圓形外殼或墻體式外殼內(nèi)部底板上任意部位的絕緣子飛濺物(見圖B.18)。圖B.18絕緣子飛濺物g)外墻體上絕緣子飛濺物直徑超出0.25mm。直徑應以最長的X-Y尺寸為準。B.1.4絕緣子異物、嵌入式鍍層和密封處理外殼不應出現(xiàn)以下缺陷。a)絕緣子表面出現(xiàn)嵌入式異物或夾雜物(見圖B.19),導致絕緣電阻低于規(guī)范值。圖B.19絕緣子上的嵌入式異物b)絕緣子表面的嵌入式鍍層致使引線和外殼間的絕緣降低了50%以上。絕緣子表面可用探針除去的鍍層不應歸類為嵌入式鍍層，而應完全去除鍍層，否則拒收該外殼(見圖B.20)。圖B.20絕緣子表面的鍍層c)利用聚合物或其他異物優(yōu)化處理密封或重新處理密封(見圖B.21)。圖B.21密封優(yōu)化處理或返工B.1.5焊料凹陷和不連續(xù)焊料外殼不應出現(xiàn)以下缺陷。a)外殼墻體和底板外部界面上的焊料凹陷深度L超過0.13mm或者在拐角處超出墻體厚度的1/3(見圖B.22)。GB/T43538—2023墻體底板腔內(nèi)圖B.22焊料凹陷b)外殼其他部位的焊料凹陷，且凹陷區(qū)域的底部不可見。c)外殼墻體和底板界面的焊料不連續(xù)，且框架表面的孔隙凹陷，使得焊料孔隙底部不可見(見圖B.23)。圖B.23外殼底板和墻體界面的焊料凹陷B.1.6多孔和起皮焊料外殼不應出現(xiàn)以下缺陷。a)焊料呈海綿狀的凹坑，在10倍顯微鏡下檢查時，凹坑底部不可見或凹坑直徑大于0.13mm(見b)焊料從外殼、引線、絕緣子或與其本身分離或剝落(見圖B.25)。圖B.25焊料分離c)釬焊外殼墻體和底板未對準，導致超出訂購文件中規(guī)定的整體最大外部尺寸(見圖B.26)。圖B.26釬焊外殼墻體和底板未對準B.1.7焊料流出外殼不應出現(xiàn)以下缺陷。焊料邊緣的流出厚度超過0.25mm或者超過訂購文件規(guī)定的最大外殼尺寸(見圖B.27)。圖B.27焊料流出B.1.8焊料爬高外殼不應出現(xiàn)以下缺陷。a)直頭引線焊料爬高超過0.38mm(見圖B.28)。b)釘頭引線頂面存在焊料(焊料達到釘頭底部是可接收的)(見圖B.28)。直頭引線釘頭引線圖B.28焊料爬高c)鍵合區(qū)或關(guān)鍵密封區(qū)上有焊料。d)焊料過多增加了引線直徑，導致超出了訂購文件規(guī)定的最大直徑。應從距外殼表面0.38mm處測量引線直徑(見圖B.29)。圖B.29焊料過多e)對陶瓷密封處的修補或返工存在過多焊料(見圖B.30)。圖B.30過多焊料的修補或返工f)釘頭接地線上的釘頭未處于外殼表面，而是懸在焊頸上(見圖B.31)。圖B.31釘頭接地線懸在焊頸上外殼不應出現(xiàn)以下缺陷。a)扁平引線的三個表面有可見的劃痕、凹坑、孔隙、缺口或擦痕。平面引線的過度蝕刻、劃痕、凹坑、孔隙、缺口、或擦痕面積大于橫截面積的25%,或者深度超過0.08mm,或者直徑大于0.13mm,取較大者。直徑應以最長的X-Y尺寸為準。b)扁平引線的(頂部或側(cè)面)內(nèi)部鍵合區(qū)引線上有可見的劃痕、凹坑、孔隙、缺口或擦痕。(扁平引線的連筋區(qū)上有劃痕、凹坑、孔隙、缺口或擦痕，或扁平引線上的內(nèi)部引線底部有不影響引線鍵c)當有關(guān)訂購文件中規(guī)定圓引線用于引線鍵合時，圓引線上沒有劃痕、凹坑、孔隙、缺口或擦痕的連續(xù)鍵合面積(頂部)不到80%。d)圓引線上的劃痕、凹坑、孔隙、缺口或擦痕減小了引線直徑，導致無法達到有關(guān)訂購文件規(guī)定的最小直徑要求(見圖B.32)。圖B.32圓引線上的缺口e)劃痕、凹坑、孔隙、缺口或擦痕使基底金屬裸露面積超出引線表面非鍵合區(qū)的5%。切割引線端(外部)有裸露的基底金屬是可接收的，且不計算在上述5%的范圍內(nèi)(見圖B.33)。圖B.33裸露的引線基底金屬f)當有關(guān)訂購文件中規(guī)定引線用于引線鍵合時，鍵合區(qū)上任何引線的凸起伸出高度h超過0.03mm(見圖B.34)。圖B.34引線鍵合區(qū)凸起g)扁平引線凸起增加了引線的直徑或?qū)挾?，導致超出了有關(guān)訂購文件規(guī)定的最大直徑或?qū)挾鹊?5%。圓引線凸起增加了引線的直徑，導致超出了有關(guān)訂購文件規(guī)定的最大直徑或?qū)挾?見圖B.35)。外部引線上的修剪毛邊可接收。圖B.35引線凸起h)懸掛的引線凸起可隨探針移動(見圖B.36)。圖B.36懸掛的引線凸起外殼不應出現(xiàn)以下缺陷。a)當有關(guān)訂購文件規(guī)定將引線用于引線鍵合時，扁平引線不存在至少80%且表面鍍層粗糙度(Ra)優(yōu)于0.81μm的連續(xù)鍵合區(qū)。b)當有關(guān)訂購文件規(guī)定將引線用于引線鍵合時，當圓引線直徑大于或等于0.46mm時，鍵合面不存在至少80%或直徑至少為0.25mm且表面鍍層粗糙度(Ra)優(yōu)于0.81μm的連續(xù)鍵合區(qū)；或者當圓引線直徑小于0.46mm時，鍵合面不存在至少80%且表面鍍層粗糙度(Ra)優(yōu)于0.81μm的連續(xù)鍵合區(qū)。c)含有異物或其他附著物的任何引線。對于引線上可用探針除去的異物應予完全去除，否則應拒收。d)鍍層起皮或剝落的任何引線。外殼不應出現(xiàn)以下缺陷。a)當孔直徑d≥0.84mm時，偏心引線的引線至外殼封孔壁的距離h<0.13mm;或者孔直徑d<0.84mm時，該距離h<0.08mm。如果偏心距離不在上述拒收范圍內(nèi)，但引線中心與外殼封孔中心的同軸范圍不在0.13mm內(nèi)，受影響的引線應通過絕緣電阻測試，否則拒收(見圖B.37)。圖B.37偏心引線b)當內(nèi)引線伸出絕緣子長度L≤0.90mm當內(nèi)引線伸出絕緣子長度L>0.90mm時，內(nèi)引線傾斜距離h>0.13時，內(nèi)引線傾斜距離h>0.18mm或傾斜角度θ>3°;mm或傾斜角度θ>5°圖B.38圓引線內(nèi)部偏角c)內(nèi)引線彎曲或彎折，且與正常引線平面的彎曲或彎折距離h>0.05mm;外引線彎曲或彎折，且與正常引線平面的彎曲或彎折角度θ>20°(見圖B.39)。圖B.39圓引線外部偏角或彎曲d)扁平引線外部彎曲或偏角，當用手矯直引線時出現(xiàn)扭結(jié)或永久變形，并違反引線的尺寸和視覺要求。金屬外殼的絕緣子在矯直后應符合本條要求并保持視覺上可接收(見圖B.40)。圖B.40無法矯正的永久彎折扁平引線e)斷裂引線(見圖B.41)。圖B.41斷裂引線外殼不應出現(xiàn)以下缺陷。a)熔焊外殼的關(guān)鍵蓋板密封區(qū)(“△”熔筋焊)上的劃痕、凹坑、孔隙、缺口或擦痕深度超出熔筋焊的50%或直徑超出0.51mm。直徑應以最長的X-Y尺寸為準(見圖B.42)。b)所有其他外殼類型關(guān)鍵密封區(qū)上的劃痕、凹坑、孔隙或缺口深度超出0.03mm且直徑超出0.13mm。直徑應以最長的X-Y尺寸為準(見圖B.43)。c)基板區(qū)(底板區(qū)內(nèi)部)上的劃痕、凹坑、孔隙或缺口深度超出0.25mm或直徑超出0.51mm。直徑應以最長的X-Y尺寸為準(見圖B.44)。GB/T43538—2023d)所有其他普通區(qū)域(關(guān)鍵密封區(qū)或基板區(qū)外的其他區(qū)域)上的劃痕、凹坑、孔隙或缺口深度超出0.25mm,或直徑超出0.51mm。直徑應以最長的X-Y尺寸為準(見圖B.45)。圖B.45普通區(qū)域上的劃痕、凹坑e)劃痕、凹坑、孔隙、缺口或擦痕使外殼任何區(qū)域的基底金屬裸露出來。底鍍層的裸露可接收。非鐵合金外殼只有在訂購文件明確許可時，其裸露基底金屬才可接收(見圖B.46)。圖B.46外殼上裸露的基底金屬f)可隨探針移動的懸掛凸起(見圖B.47)。圖B.47懸掛凸起g)關(guān)鍵密封區(qū)上的固體凸起(外殼孔除外),伸出超過0.025mm(見圖B.48)。圖B.48關(guān)鍵密封區(qū)的固體凸起h)基板區(qū)或芯片黏接區(qū)(底板區(qū)內(nèi)部)的固體凸起，伸出超過0.03mm(見圖B.49)。圖B.49基板區(qū)的固體凸起i)外殼底部(安裝面)的固體凸起，伸出超過0.03mm(見圖B.50)。圖B.50安裝面的固體凸起j)所有其他普通區(qū)域(上述區(qū)域除外)的固體凸起，伸出超過0.13mm或者增加了外殼尺寸，導致超出了有關(guān)訂購文件許可的范圍。如果有關(guān)訂購文件有規(guī)定且設計存在的凹痕、壓花標識(ID)符號等可接收。k)斷裂的金屬外殼(見圖B.51)。圖B.51斷裂的金屬外殼外殼不應出現(xiàn)以下缺陷