在線網課知道智慧《無機材料科學基礎（陜西理工大學）》單元測試考核答案

第一章單元測試1.【多選題】正確答案：ABCD按材料的化學組成（或基本組成）分類，可以分為（）。A.金屬材料B.高分子材料C.無機非金屬材料D.復合材料2.【多選題】正確答案：ABCD按材料尺寸及形態(tài)分類，可以分為（）。A.三維（塊體）材料B.一維（纖維）材料C.零維（納米）材料D.二維（薄膜）材料3.【多選題】正確答案：AC主要用于各種現代工業(yè)及尖端科學技術領域的高性能特種陶瓷包括（）。A.功能陶瓷B.日用陶瓷C.結構陶瓷D.復合材料4.【多選題】正確答案：BCD半導體材料按結構可分為（）。A.準晶態(tài)B.單晶態(tài)C.多晶態(tài)D.非晶態(tài)5.【多選題】正確答案：ABCD多孔材料共同持點是（）。A.密度小B.孔隙率高C.對氣體有選擇性透過作用D.比表面積大第二章單元測試1【單選題】(2分)依據等徑球體的堆積原理得出，六方密堆積的堆積系數（）立方密堆積的堆積系數。A.等于B.小于C.不確定D.大于2【單選題】(2分)某AX型晶體，A+的電荷數為1，A-B鍵的S=1/6，則A+的配位數為（）。A.12B.8C.6D.43【單選題】(2分)在ABO3（鈣鈦礦）型結構中，B離子占有（）。A.四面體空隙B.八面體空隙C.立方體空隙D.三方柱空隙晶體4【單選題】(2分)能夠發(fā)生自發(fā)極化效應的物質包括（）。A.剛玉B.金紅石C.鈦酸鋇D.鈦酸鈣5【單選題】(2分)構成硅酸鹽晶體的基本結構單元為[SiO4]，兩個相鄰的[SiO4]之間可以通過哪種方式相互連接（）。A.共頂B.共棱C.共頂、共面共棱D.共面第三章單元測試1.【多選題】正確答案：AC對于形成雜質缺陷而言，低價正離子占據高價正離子位置時，該位置帶有負電荷，為了保持電中性，會產生（）。A.間隙正離子B.正離子空位C.負離子空位D.間隙負離子2【單選題】(2分)固溶體的特點是摻入外來雜質原子后原來的晶體結構不發(fā)生轉變，但發(fā)生點陣畸變，性能變化。所形成的固溶體包括有限固溶體和無限固溶體兩種類型，其中（）。A.結構相同是無限固溶的充要條件B.結構相同是無限固溶的必要條件，不是充分條件C.結構相同不是形成固溶體的條件D.結構相同是有限固溶的必要條件3.【多選題】正確答案：ABCD按照晶體結構缺陷形成的原因，可將晶體結構缺陷的類型分為（）。A.電荷缺陷B.熱缺陷C.非化學計量缺陷D.雜質缺陷4【單選題】(2分)位錯的滑移是指位錯在何種力的作用下，在滑移面上的運動，結果導致永久形變（）。A.熱應力B.化學力C.外力D.結構應力5【單選題】(2分)熱缺陷亦稱為本征缺陷，是指由熱起伏的原因所產生的空位或間隙質點（原子或離子）。當離子晶體生成肖特基缺陷（Schottkydefect）時，（）。A.正離子空位和負離子空位是同時成對產生的，同時伴隨晶體體積的增加B.正離子間隙和負離子空位是同時成對產生的，同時伴隨晶體體積的增加C.正離子空位和負離子間隙是同時成對產生的，同時伴隨晶體體積的增加D.正離子空位和負離子空位是同時成對產生的，同時伴隨晶體體積的縮小第四章單元測試1【單選題】(2分)硅酸鹽玻璃的結構是以硅氧四面體為結構單元形成的（）的聚集體。A.近程有序，遠程無序B.近程無序，遠程有序C.近程有序，遠程有序。D.近程無序，遠程無序2【單選題】(2分)在硅酸鹽熔體中，當R=O/Si減小時，相應熔體組成和性質發(fā)生變化，熔體析晶能力（）。A.增大B.不確定C.不變D.減小3【單選題】(2分)可以根據3T曲線求出熔體的臨界冷卻速率。熔體的臨界冷卻速率越小，就（）形成玻璃。A.緩慢B.越難C.越快D.越容易4【單選題】(2分)當O/Si比趨近于4時，Li2O-SiO2、Na2O-SiO2、K2O-SiO2三種熔體的粘度大小次序為（）。A.K2O-SiO2＜Na2O-SiO2＜Li2O-SiO2B.Li2O-SiO2＜Na2O-SiO2＜K2O-SiO2C.Na2O-SiO2＜Li2O-SiO2＜K2O-SiO2D.Li2O-SiO2＜K2O-SiO2＜Na2O-SiO25【單選題】(2分)Si:O趨近于1/2時硅酸鹽晶體的結構類型為（）。A.架狀B.鏈狀C.層狀D.島狀6【單選題】(4分)過冷度越大，相應的成核位壘越小，臨界晶核半徑越小，析晶能力（）。A.越大B.不變C.0D.越小7【單選題】(4分)過冷度愈大，臨界晶核半徑越小，相應地相變（）。A.越小B.越大C.不受影響D.愈易進行8【單選題】(4分)在硅酸鹽熔體中，當R＝O/Si減小時，相應熔體組成和性質的變化是：非橋氧百分數（），熔體粘度增大，熔體析晶傾向減小。A.不變B.0C.增大D.減小第五章單元測試1.【多選題】正確答案：AD為提高陶瓷坯釉的附著力，應降低（）。A.B.C.D.2【單選題】(2分)粗糙度對液固相潤濕性能的影響是（）A.粗糙度對潤濕性能無影響B(tài).固體表面越粗糙，越易被潤濕C.不一定D.固體表面越粗糙，越不易被潤濕3【單選題】(2分)為了提高液相對固相的潤濕性，在固-氣和液-氣界面張力不變時，必須使液-固界面張力（）。A.有時升高，有時降低B.降低C.升高D.保持不變4【單選題】(2分)固體的表面能與表面張力在數值上不相等，一般說來，同一種物質，其固體的表面能（）液體的表面能。A.小于等于B.等于C.小于D.大于5【單選題】(2分)判斷重構表面是指表面原子層在水平方向上的周期性與體內，垂直方向的層間距與體內各自是否相同（）。A.不同；不同B.相同；相同C.不同；相同D.相同；不同第六章單元測試1.【多選題】正確答案：ACD相的主要特點有（）。A.相與相之間有界面，越過界面時性質突變B.一個相在物理性質和化學性質上都是微觀尺度的均勻，且只含有一種物質C.一種物質可以有幾個相D.相與物質的數量多少無關，也與物質是否連續(xù)無關2【單選題】(2分)鹽水溶液中的獨立組元數是（）。A.1B.3C.2D.43【單選題】(2分)單元系統(tǒng)的相圖中，相界線上的自由度為（）。A.2B.1C.3D.04.【多選題】正確答案：BCDSi02高低溫型轉變的特點包括（）A.體積變化對生產影響小B.體積變化小C.結構變化小D.轉變速度快5【單選題】(2分)判斷三元系統(tǒng)相圖中界線的性質用到的規(guī)則是（）。A.切線規(guī)則B.重心規(guī)則C.連線規(guī)則D.杠桿規(guī)則第七章單元測試1【單選題】(2分)在離子型材料中，影響擴散的缺陷來自兩個方面：熱缺陷和摻雜點缺陷。由它們引起的擴散分別稱為（）。A.穩(wěn)定擴散和不穩(wěn)定擴散B.自擴散和互擴散C.無序擴散和有序擴散D.本征擴散和非本征擴散2【單選題】(2分)穩(wěn)定擴散（穩(wěn)態(tài)擴散）是指在垂直擴散方向的任一平面上，單位時間內通過該平面單位面積的粒子數（）。A.隨高度而變化B.隨位置而變化C.不隨時間而變化D.隨時間而變化3【單選題】(2分)在晶體中存在雜質時對擴散有重要的影響，主要是通過（），使得擴散系數增大。A.增加缺陷濃度，使晶格發(fā)生畸變B.增加缺陷濃度C.降低缺陷濃度D.使晶格發(fā)生畸變4【單選題】(2分)擴散過程與晶體結構有密切的關系，擴散介質結構與擴散的關系是（）。A.越疏松；活化能越大B.越疏松；越困難C.越緊密；活化能越小D.越緊密；越困難5【單選題】(2分)空位擴散是指晶體中的空位躍遷入鄰近原子，而原子反向遷入空位，這種擴散機制適用于（）的擴散。A.置換型固溶體B.間隙型固溶體C.各種類型固溶體D.各種類型固溶體和間隙型固溶體第八章單元測試1【單選題】(2分)A，B進行反應生成AmBn,為擴散控制的固相反應，若DB》DA，則在AmBn-A界面上，反應物B的濃度CB為（）A.0B.1C.不確定D.22【判斷題】兩固相反應，增大壓力有助于顆粒的接觸面積，加速物質傳遞過程，使反應速度增加；有液相參加的固相反應，提高壓力不表現積極作用，甚至適得其反。（）A.對B.錯3【判斷題】固相反應過程主要包括界面上的化學反應和產物內部物質傳遞兩個步驟。因此，除反應物的化學組成、特性和結構狀態(tài)以及溫度、壓力等因素外，凡是可能活化晶格，促進物質的內、外擴散作用的因素，都會對反應產生影響。（）A.對B.錯4【判斷題】楊德方程適用于固相反應穩(wěn)定擴散的反應初期。（）A.對B.錯5【判斷題】金斯特林格采用楊德球狀模型，但放棄了擴散截面不變的假設。因此，金斯特林格方程能夠描述轉化率很大情況下的固相反應。（）A.對B.錯第九章單元測試1【判斷題】調幅分解屬于連續(xù)型相變。它是一種無熱力學能壘、無形核的固態(tài)相變。（）A.對B.錯2【判斷題】一般而言，隨熔體性質不同，自發(fā)結晶所需的過冷度可以不同，但都包含晶核生成和晶體長大兩個過程。（）A.對B.錯3【單選題】(2分)成核-長大型相變是材料中常見的一種相變，如結晶釉的形成。成核-長大型相變是由（）的濃度起伏開始發(fā)生相變，并形成新相核心。A.程度大，范圍大B.程度小，范圍小C.程度大，范圍小D.其他幾項均不對4【單選題】(2分)在成核－生長機制的液－固相變過程中，其成核過程有非均勻成核與均勻成核之分。將非均勻成核與均勻成核過程的成核勢壘相比較，有如下關系（）。A.非均勻成核勢壘≤均勻成核勢壘B.視具體情況而定，其他三種均可能C.非均勻成核勢壘≥均勻成核勢壘D.非均勻成核勢壘＝均勻成核勢壘5【單選題】(2分)按熱力學方法分類，相變可以分為一級相變和二級相變，一級相變是在相變時兩相化學勢相等，其一階偏微熵不相等，因此一級相變（）。A.無相變潛熱，無體積改變B.有相變潛熱，并伴隨有體積改變C.有相變潛熱，無體積改變D.無相變潛熱，并伴隨有體積改變第十章單元測試1【單選題】(2分)從工藝的角度考慮，下列選項中不是造成二次再結晶的原因的是（）A.燒結速率太快B.燒結溫度過低C.原始粒度不均勻D.坯體成型壓力不均勻2【單選題】(2分)目前常用γGB晶界能和γSV表面能之比值來衡量燒結