在線網(wǎng)課知道智慧《無機(jī)材料科學(xué)基礎(chǔ)（陜西理工大學(xué)）》單元測(cè)試考核答案

第一章單元測(cè)試1.【多選題】正確答案：ABCD按材料的化學(xué)組成（或基本組成）分類，可以分為（）。A.金屬材料B.高分子材料C.無機(jī)非金屬材料D.復(fù)合材料2.【多選題】正確答案：ABCD按材料尺寸及形態(tài)分類，可以分為（）。A.三維（塊體）材料B.一維（纖維）材料C.零維（納米）材料D.二維（薄膜）材料3.【多選題】正確答案：AC主要用于各種現(xiàn)代工業(yè)及尖端科學(xué)技術(shù)領(lǐng)域的高性能特種陶瓷包括（）。A.功能陶瓷B.日用陶瓷C.結(jié)構(gòu)陶瓷D.復(fù)合材料4.【多選題】正確答案：BCD半導(dǎo)體材料按結(jié)構(gòu)可分為（）。A.準(zhǔn)晶態(tài)B.單晶態(tài)C.多晶態(tài)D.非晶態(tài)5.【多選題】正確答案：ABCD多孔材料共同持點(diǎn)是（）。A.密度小B.孔隙率高C.對(duì)氣體有選擇性透過作用D.比表面積大第二章單元測(cè)試1【單選題】(2分)依據(jù)等徑球體的堆積原理得出，六方密堆積的堆積系數(shù)（）立方密堆積的堆積系數(shù)。A.等于B.小于C.不確定D.大于2【單選題】(2分)某AX型晶體，A+的電荷數(shù)為1，A-B鍵的S=1/6，則A+的配位數(shù)為（）。A.12B.8C.6D.43【單選題】(2分)在ABO3（鈣鈦礦）型結(jié)構(gòu)中，B離子占有（）。A.四面體空隙B.八面體空隙C.立方體空隙D.三方柱空隙晶體4【單選題】(2分)能夠發(fā)生自發(fā)極化效應(yīng)的物質(zhì)包括（）。A.剛玉B.金紅石C.鈦酸鋇D.鈦酸鈣5【單選題】(2分)構(gòu)成硅酸鹽晶體的基本結(jié)構(gòu)單元為[SiO4]，兩個(gè)相鄰的[SiO4]之間可以通過哪種方式相互連接（）。A.共頂B.共棱C.共頂、共面共棱D.共面第三章單元測(cè)試1.【多選題】正確答案：AC對(duì)于形成雜質(zhì)缺陷而言，低價(jià)正離子占據(jù)高價(jià)正離子位置時(shí)，該位置帶有負(fù)電荷，為了保持電中性，會(huì)產(chǎn)生（）。A.間隙正離子B.正離子空位C.負(fù)離子空位D.間隙負(fù)離子2【單選題】(2分)固溶體的特點(diǎn)是摻入外來雜質(zhì)原子后原來的晶體結(jié)構(gòu)不發(fā)生轉(zhuǎn)變，但發(fā)生點(diǎn)陣畸變，性能變化。所形成的固溶體包括有限固溶體和無限固溶體兩種類型，其中（）。A.結(jié)構(gòu)相同是無限固溶的充要條件B.結(jié)構(gòu)相同是無限固溶的必要條件，不是充分條件C.結(jié)構(gòu)相同不是形成固溶體的條件D.結(jié)構(gòu)相同是有限固溶的必要條件3.【多選題】正確答案：ABCD按照晶體結(jié)構(gòu)缺陷形成的原因，可將晶體結(jié)構(gòu)缺陷的類型分為（）。A.電荷缺陷B.熱缺陷C.非化學(xué)計(jì)量缺陷D.雜質(zhì)缺陷4【單選題】(2分)位錯(cuò)的滑移是指位錯(cuò)在何種力的作用下，在滑移面上的運(yùn)動(dòng)，結(jié)果導(dǎo)致永久形變（）。A.熱應(yīng)力B.化學(xué)力C.外力D.結(jié)構(gòu)應(yīng)力5【單選題】(2分)熱缺陷亦稱為本征缺陷，是指由熱起伏的原因所產(chǎn)生的空位或間隙質(zhì)點(diǎn)（原子或離子）。當(dāng)離子晶體生成肖特基缺陷（Schottkydefect）時(shí)，（）。A.正離子空位和負(fù)離子空位是同時(shí)成對(duì)產(chǎn)生的，同時(shí)伴隨晶體體積的增加B.正離子間隙和負(fù)離子空位是同時(shí)成對(duì)產(chǎn)生的，同時(shí)伴隨晶體體積的增加C.正離子空位和負(fù)離子間隙是同時(shí)成對(duì)產(chǎn)生的，同時(shí)伴隨晶體體積的增加D.正離子空位和負(fù)離子空位是同時(shí)成對(duì)產(chǎn)生的，同時(shí)伴隨晶體體積的縮小第四章單元測(cè)試1【單選題】(2分)硅酸鹽玻璃的結(jié)構(gòu)是以硅氧四面體為結(jié)構(gòu)單元形成的（）的聚集體。A.近程有序，遠(yuǎn)程無序B.近程無序，遠(yuǎn)程有序C.近程有序，遠(yuǎn)程有序。D.近程無序，遠(yuǎn)程無序2【單選題】(2分)在硅酸鹽熔體中，當(dāng)R=O/Si減小時(shí)，相應(yīng)熔體組成和性質(zhì)發(fā)生變化，熔體析晶能力（）。A.增大B.不確定C.不變D.減小3【單選題】(2分)可以根據(jù)3T曲線求出熔體的臨界冷卻速率。熔體的臨界冷卻速率越小，就（）形成玻璃。A.緩慢B.越難C.越快D.越容易4【單選題】(2分)當(dāng)O/Si比趨近于4時(shí)，Li2O-SiO2、Na2O-SiO2、K2O-SiO2三種熔體的粘度大小次序?yàn)椋ǎ?。A.K2O-SiO2＜Na2O-SiO2＜Li2O-SiO2B.Li2O-SiO2＜Na2O-SiO2＜K2O-SiO2C.Na2O-SiO2＜Li2O-SiO2＜K2O-SiO2D.Li2O-SiO2＜K2O-SiO2＜Na2O-SiO25【單選題】(2分)Si:O趨近于1/2時(shí)硅酸鹽晶體的結(jié)構(gòu)類型為（）。A.架狀B.鏈狀C.層狀D.島狀6【單選題】(4分)過冷度越大，相應(yīng)的成核位壘越小，臨界晶核半徑越小，析晶能力（）。A.越大B.不變C.0D.越小7【單選題】(4分)過冷度愈大，臨界晶核半徑越小，相應(yīng)地相變（）。A.越小B.越大C.不受影響D.愈易進(jìn)行8【單選題】(4分)在硅酸鹽熔體中，當(dāng)R＝O/Si減小時(shí)，相應(yīng)熔體組成和性質(zhì)的變化是：非橋氧百分?jǐn)?shù)（），熔體粘度增大，熔體析晶傾向減小。A.不變B.0C.增大D.減小第五章單元測(cè)試1.【多選題】正確答案：AD為提高陶瓷坯釉的附著力，應(yīng)降低（）。A.B.C.D.2【單選題】(2分)粗糙度對(duì)液固相潤濕性能的影響是（）A.粗糙度對(duì)潤濕性能無影響B(tài).固體表面越粗糙，越易被潤濕C.不一定D.固體表面越粗糙，越不易被潤濕3【單選題】(2分)為了提高液相對(duì)固相的潤濕性，在固-氣和液-氣界面張力不變時(shí)，必須使液-固界面張力（）。A.有時(shí)升高，有時(shí)降低B.降低C.升高D.保持不變4【單選題】(2分)固體的表面能與表面張力在數(shù)值上不相等，一般說來，同一種物質(zhì)，其固體的表面能（）液體的表面能。A.小于等于B.等于C.小于D.大于5【單選題】(2分)判斷重構(gòu)表面是指表面原子層在水平方向上的周期性與體內(nèi)，垂直方向的層間距與體內(nèi)各自是否相同（）。A.不同；不同B.相同；相同C.不同；相同D.相同；不同第六章單元測(cè)試1.【多選題】正確答案：ACD相的主要特點(diǎn)有（）。A.相與相之間有界面，越過界面時(shí)性質(zhì)突變B.一個(gè)相在物理性質(zhì)和化學(xué)性質(zhì)上都是微觀尺度的均勻，且只含有一種物質(zhì)C.一種物質(zhì)可以有幾個(gè)相D.相與物質(zhì)的數(shù)量多少無關(guān)，也與物質(zhì)是否連續(xù)無關(guān)2【單選題】(2分)鹽水溶液中的獨(dú)立組元數(shù)是（）。A.1B.3C.2D.43【單選題】(2分)單元系統(tǒng)的相圖中，相界線上的自由度為（）。A.2B.1C.3D.04.【多選題】正確答案：BCDSi02高低溫型轉(zhuǎn)變的特點(diǎn)包括（）A.體積變化對(duì)生產(chǎn)影響小B.體積變化小C.結(jié)構(gòu)變化小D.轉(zhuǎn)變速度快5【單選題】(2分)判斷三元系統(tǒng)相圖中界線的性質(zhì)用到的規(guī)則是（）。A.切線規(guī)則B.重心規(guī)則C.連線規(guī)則D.杠桿規(guī)則第七章單元測(cè)試1【單選題】(2分)在離子型材料中，影響擴(kuò)散的缺陷來自兩個(gè)方面：熱缺陷和摻雜點(diǎn)缺陷。由它們引起的擴(kuò)散分別稱為（）。A.穩(wěn)定擴(kuò)散和不穩(wěn)定擴(kuò)散B.自擴(kuò)散和互擴(kuò)散C.無序擴(kuò)散和有序擴(kuò)散D.本征擴(kuò)散和非本征擴(kuò)散2【單選題】(2分)穩(wěn)定擴(kuò)散（穩(wěn)態(tài)擴(kuò)散）是指在垂直擴(kuò)散方向的任一平面上，單位時(shí)間內(nèi)通過該平面單位面積的粒子數(shù)（）。A.隨高度而變化B.隨位置而變化C.不隨時(shí)間而變化D.隨時(shí)間而變化3【單選題】(2分)在晶體中存在雜質(zhì)時(shí)對(duì)擴(kuò)散有重要的影響，主要是通過（），使得擴(kuò)散系數(shù)增大。A.增加缺陷濃度，使晶格發(fā)生畸變B.增加缺陷濃度C.降低缺陷濃度D.使晶格發(fā)生畸變4【單選題】(2分)擴(kuò)散過程與晶體結(jié)構(gòu)有密切的關(guān)系，擴(kuò)散介質(zhì)結(jié)構(gòu)與擴(kuò)散的關(guān)系是（）。A.越疏松；活化能越大B.越疏松；越困難C.越緊密；活化能越小D.越緊密；越困難5【單選題】(2分)空位擴(kuò)散是指晶體中的空位躍遷入鄰近原子，而原子反向遷入空位，這種擴(kuò)散機(jī)制適用于（）的擴(kuò)散。A.置換型固溶體B.間隙型固溶體C.各種類型固溶體D.各種類型固溶體和間隙型固溶體第八章單元測(cè)試1【單選題】(2分)A，B進(jìn)行反應(yīng)生成AmBn,為擴(kuò)散控制的固相反應(yīng)，若DB》DA，則在AmBn-A界面上，反應(yīng)物B的濃度CB為（）A.0B.1C.不確定D.22【判斷題】兩固相反應(yīng)，增大壓力有助于顆粒的接觸面積，加速物質(zhì)傳遞過程，使反應(yīng)速度增加；有液相參加的固相反應(yīng)，提高壓力不表現(xiàn)積極作用，甚至適得其反。（）A.對(duì)B.錯(cuò)3【判斷題】固相反應(yīng)過程主要包括界面上的化學(xué)反應(yīng)和產(chǎn)物內(nèi)部物質(zhì)傳遞兩個(gè)步驟。因此，除反應(yīng)物的化學(xué)組成、特性和結(jié)構(gòu)狀態(tài)以及溫度、壓力等因素外，凡是可能活化晶格，促進(jìn)物質(zhì)的內(nèi)、外擴(kuò)散作用的因素，都會(huì)對(duì)反應(yīng)產(chǎn)生影響。（）A.對(duì)B.錯(cuò)4【判斷題】楊德方程適用于固相反應(yīng)穩(wěn)定擴(kuò)散的反應(yīng)初期。（）A.對(duì)B.錯(cuò)5【判斷題】金斯特林格采用楊德球狀模型，但放棄了擴(kuò)散截面不變的假設(shè)。因此，金斯特林格方程能夠描述轉(zhuǎn)化率很大情況下的固相反應(yīng)。（）A.對(duì)B.錯(cuò)第九章單元測(cè)試1【判斷題】調(diào)幅分解屬于連續(xù)型相變。它是一種無熱力學(xué)能壘、無形核的固態(tài)相變。（）A.對(duì)B.錯(cuò)2【判斷題】一般而言，隨熔體性質(zhì)不同，自發(fā)結(jié)晶所需的過冷度可以不同，但都包含晶核生成和晶體長大兩個(gè)過程。（）A.對(duì)B.錯(cuò)3【單選題】(2分)成核-長大型相變是材料中常見的一種相變，如結(jié)晶釉的形成。成核-長大型相變是由（）的濃度起伏開始發(fā)生相變，并形成新相核心。A.程度大，范圍大B.程度小，范圍小C.程度大，范圍小D.其他幾項(xiàng)均不對(duì)4【單選題】(2分)在成核－生長機(jī)制的液－固相變過程中，其成核過程有非均勻成核與均勻成核之分。將非均勻成核與均勻成核過程的成核勢(shì)壘相比較，有如下關(guān)系（）。A.非均勻成核勢(shì)壘≤均勻成核勢(shì)壘B.視具體情況而定，其他三種均可能C.非均勻成核勢(shì)壘≥均勻成核勢(shì)壘D.非均勻成核勢(shì)壘＝均勻成核勢(shì)壘5【單選題】(2分)按熱力學(xué)方法分類，相變可以分為一級(jí)相變和二級(jí)相變，一級(jí)相變是在相變時(shí)兩相化學(xué)勢(shì)相等，其一階偏微熵不相等，因此一級(jí)相變（）。A.無相變潛熱，無體積改變B.有相變潛熱，并伴隨有體積改變C.有相變潛熱，無體積改變D.無相變潛熱，并伴隨有體積改變第十章單元測(cè)試1【單選題】(2分)從工藝的角度考慮，下列選項(xiàng)中不是造成二次再結(jié)晶的原因的是（）A.燒結(jié)速率太快B.燒結(jié)溫度過低C.原始粒度不均勻D.坯體成型壓力不均勻2【單選題】(2分)目前常用γGB晶界能和γSV表面能之比值來衡量燒結(jié)