GB∕T 43262-2023 電磁干擾診斷導則（正式版）

電磁干擾診斷導則2023-11-27發(fā)布國家市場監(jiān)督管理總局國家標準化管理委員會I前言 l2規(guī)范性引用文件 13術(shù)語、定義和縮略語 13.1術(shù)語和定義 13.2縮略語 24電磁干擾診斷概述 24.1電磁干擾診斷基本概念 24.2電磁干擾診斷過程 75RE問題診斷 95.1概述 95.2RE檢查清單 95.3不合格的典型原因 5.4RE故障診斷 5.5典型的解決辦法 6CE問題診斷 6.1概述 6.2CE檢查清單 6.3不合格的典型原因 6.4CE故障診斷 6.5特殊情況和問題 6.6典型的解決辦法 7RI問題診斷 7.1概述 7.2RI檢查清單 7.3典型的失效模式 7.4RI故障診斷 7.5特殊情況和問題 7.6典型的解決辦法 8CI問題診斷 8.1概述 8.2CI檢查清單 8.3典型的失效模式 Ⅱ8.4CI故障診斷 8.5特殊情況和問題 8.6典型的解決辦法 9EFT/B問題診斷 9.1概述 9.2EFT/B抗擾度檢查清單 9.3典型的失效模式 9.4EFT/B故障診斷 9.5特殊情況和問題 9.6典型的解決辦法 10浪涌(沖擊)問題診斷 10.2浪涌(沖擊)抗擾度檢查清單 10.3典型的失效模式 10.4浪涌(沖擊)故障診斷 10.5特殊情況和問題 10.6典型的解決辦法 11ESD問題診斷 11.2ESD抗擾度檢查清單 11.3典型的失效模式 11.4ESD故障診斷 11.5特殊情況和問題 11.6典型的解決辦法 附錄A(資料性)PCB級RE診斷 附錄B(資料性)電源濾波器的設計與選型 附錄C(資料性)不同端口的浪涌抑制電路示例 參考文獻 ⅢGB/T43262—2023本文件按照GB/T1.1—2020《標準化工作導則第1部分：標準化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則》的規(guī)定起草。請注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利。本文件的發(fā)布機構(gòu)不承擔識別專利的責任。本文件由全國無線電干擾標準化技術(shù)委員會(SAC/TC79)提出并歸口。本文件起草單位：中國電子技術(shù)標準化研究院、深圳市恒創(chuàng)技術(shù)有限公司、北京泰派斯特電子技術(shù)有限公司、美的集團股份有限公司、深圳市韜略科技有限公司、工業(yè)和信息化部電子第五研究所、廣州致遠電子股份有限公司、揚芯科技(深圳)有限公司、中電科思儀科技股份有限公司北京分公司、上海市計量測試技術(shù)研究院、四川省藥品檢驗研究院(四川省醫(yī)療器械檢測中心)、廈門市產(chǎn)品質(zhì)量監(jiān)督檢驗院、上海雷卯電子科技有限公司、航衛(wèi)通用電氣醫(yī)療系統(tǒng)有限公司、中汽研新能源汽車檢驗中心(天津)有限公司、江蘇省電子信息產(chǎn)品質(zhì)量監(jiān)督檢驗研究院(江蘇省信息安全測評中心)、中國汽車工程研究院股份有限公司、廣東中認華南檢測技術(shù)有限公司、健研檢測集團有限公司、北京郵電大學、中家院(北京)檢測認證有限公司、中科都興電磁技術(shù)(北京)有限公司、河南凱瑞車輛檢測認證中心有限公司、北方自動控制技術(shù)研究所、聯(lián)正電子(深圳)有限公司、深圳市億聯(lián)無限科技有限公司、蘇州鉑韜新材料科技有限公司、廣東順德科銳瑪電器有限公司、東莞市東電檢測技術(shù)有限公司、廣州市德瓏電子器件有限公司、深圳市黑金工業(yè)制造有限公司、深圳市佳賢通信科技股份有限公司、廣東博緯通信科技有限公司。1電磁干擾診斷導則1范圍本文件給出了電子/電氣設備電磁干擾(EMI)診斷技術(shù)和基本方法。本文件適用于電子/電氣設備的EMI故障診斷，并為電子/電氣設備的EMI故障的解決提供指導。2規(guī)范性引用文件下列文件中的內(nèi)容通過文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款。其中，注日期的引用文件，僅該日期對應的版本適用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本(包括所有的修改單)適用于本文件。GB/T4365—2003電工術(shù)語電磁兼容GB/T17626.5—2019電磁兼容試驗和測量技術(shù)浪涌(沖擊)抗擾度試驗3.1術(shù)語和定義GB/T4365—2003界定的以及下列術(shù)語和定義適用于本文件。信號從一點到另一點的傳輸過程中，其電壓、電流或功率減少的量值。在兩個金屬部件間獲得盡可能小的阻抗(電阻和電感)。注：直流電阻一般不超過10mΩ。使用低電流(≤100mA)4線制毫歐計進行測量。耦合路徑couplingpath能量從噪聲源傳輸?shù)绞軘_電路或系統(tǒng)所經(jīng)由的結(jié)構(gòu)或媒介。一個電路到另外一個電路的電磁耦合。注：這種現(xiàn)象通常出現(xiàn)在線纜之間或電路印制線之間。騷擾源disturbancesource對其他電路或系統(tǒng)產(chǎn)生電磁干擾或破壞的源。由傳輸線路或系統(tǒng)中插入轉(zhuǎn)換網(wǎng)絡所引起的損耗。2注：插入損耗通常為下述a)、b)兩項的比值，以dB(分貝)表示：a)在插入轉(zhuǎn)換網(wǎng)絡之前，分配給傳輸線路或系統(tǒng)中待置轉(zhuǎn)換網(wǎng)絡后續(xù)部分的功率；b)在插入轉(zhuǎn)換網(wǎng)絡之后，分配給傳輸線路或系統(tǒng)中該后續(xù)部分的功率。下列縮略語適用于本文件。AC交流(alternatingcurrent)AMN人工電源網(wǎng)絡(artificialmainsnetwork)ASIC專用集成電路(applicationspecificintegratedcircuit)BCI大電流注入(bulkcurrentinjection)CAD計算機輔助設計(computeraideddesign)CE傳導發(fā)射(conductedemissions)CI傳導抗擾度(conductedimmunity)DC直流(directcurrent)EFT/B電快速瞬變脈沖群(electricalfasttransient/burst)EM電磁(electromagnetic)EMC電磁兼容性(electromagneticcompatibility)EMI電磁干擾(electromagneticinterference)ESD靜電放電(electrostaticdischarge)EUT受試設備(equipmentundertest)IC集成電路(integratedcircuit)IL插入損耗(insertionloss)LCD液晶顯示器(liquidcrystaldisplay)MOV壓敏電阻(metaloxidevaristor)OEM原始設備制造商(originalequipmentmanufacturer)PCB印制電路板(printedcircuitboard)PLL鎖相環(huán)(phaselockedloop)PPTC自恢復保險絲(polymerpositivetemperaturecoefficient)RE輻射發(fā)射(radiatedemissions)RI輻射抗擾度(radiatedimmunity)SMT表面貼裝技術(shù)(surfacemountingtechnology)TSS半導體放電管(thyristorsurgesuppressor)TVS瞬態(tài)抑制二極管(transientvoltagesuppressor)4電磁干擾診斷概述4.1電磁干擾診斷基本概念EMI問題的基本形式由以下3個部分組成：——能量(騷擾)源，即發(fā)射器或騷擾源電路或設備；3——受擾者，即接收器或接收電路或設備；EMI的3個組成部分及其能量的耦合方式如圖1所示，能量耦合方式主要有以下4種?！行择詈?，其產(chǎn)生需要時變的電流源和兩個“環(huán)路”或兩條平行導線(具有返回路徑),其主要通過磁場耦合。注1:這種耦合的例子：開關電源中的電源變壓器(具有大的di/dt)與附近電纜的耦合或一條“有噪”電纜走線時位于另一條電纜的附近?！菪择詈希洚a(chǎn)生需要時變的電壓源和兩塊緊耦合的金屬“板”(金屬板也可以是兩條平行導線)。注2:這種耦合的例子：開關電源(具有大的dV/dt)的大散熱片，其與電纜或附近的PCB發(fā)生耦合。 輻射耦合，其產(chǎn)生需要兩副天線，例如發(fā)射電路或?qū)Ь€與接收電路或?qū)Ь€。發(fā)射天線可以是大的結(jié)構(gòu)，在這種結(jié)構(gòu)中，能量源耦合給金屬外殼、設備或電纜，也可以是作為能量源的發(fā)射器(即圖1中的騷擾源電路或設備)。接收器(即圖1中的接收電路或設備)可以為廣播或電視接收機或其他受擾設備。在EMI試驗中，一副天線是實驗室所用的EMI天線和接收機系統(tǒng)。能作為天線的常見結(jié)構(gòu)包括輸入/輸出(I/O)電纜、內(nèi)部電纜和屏蔽殼體上的開口、槽或縫隙。如果這些結(jié)構(gòu)(電纜或縫隙)的耦合頻率接近諧振頻率(通常對應于半波長的諧振頻率),則這種情況更符合形成天線的條件。這種類型的耦合通常位于EUT外部。 傳導耦合，其產(chǎn)生需要騷擾源與接收器之間具有連接導線，且這種耦合通常與導線的長度無關。騷擾源與接收器之間也同時存在共阻抗(導線或外殼結(jié)構(gòu))。在大多數(shù)情況下，這種耦合為低頻效應(小于50kHz),通常稱為地環(huán)路。在音頻或聲音系統(tǒng)中通常存在這種耦合問題。當兩個或多個分系統(tǒng)通過相同的電源供電時經(jīng)常也出現(xiàn)這種問題。通常的故障診斷是為每個分系統(tǒng)單獨供電，看是否解決了耦合問題。這種類型的耦合位于設備的內(nèi)部或外部。感性耦合和容性耦合稱為近場耦合。這些類型的耦合通常出現(xiàn)在EUT內(nèi)部。對于近場耦合，如果耦合結(jié)構(gòu)之間增加較小的距離，耦合效應將會顯著地減小，所以把兩個環(huán)路或平面相隔開是解決這種干擾故障的方法。示例：如果懷疑電源變壓器可能與某個敏感電路相耦合，則需盡量延長變壓器的引線使得變壓器和可疑受擾電路之間存在一定的距離。通過改變鐵心和繞組的方位，如果觀察到耦合發(fā)生較大變化，則就可確認其為近場耦合。4GB/T43262—2023感性耦合騷擾源騷擾源騷擾源電騷擾源電或設備或設備或設備圖1EMI的三個組成部分及其能量的耦合方式4.1.2近場和遠場由于電磁(EM)能量源為時變的電壓源或電流源，因此，當非常接近這些能量源時主要的場分量為電場(E)或磁場(H)。通常，導線或電路印制線中流動的電流產(chǎn)生的主場分量為磁場，而高壓產(chǎn)生的主場分量為電場?？紤]這種問題的另外一種方式，即電流環(huán)路是主要的磁場源，而金屬表面(例如散熱片)是主要的電場源。電路印制線產(chǎn)生的是電場還是磁場，則取決于其與環(huán)路相關的多還是與金屬表面相關的多。這些騷擾源可用近場探頭確定，近場探頭用來測量磁場或者電場。如圖2所示，高阻抗電路(通常與高壓相關)通常會產(chǎn)生高的電場，而低阻抗電路(通常與大電流環(huán)路相關)通常會產(chǎn)生高的磁場。當探頭(或接收天線)遠離電磁能量源超過大約1/6波長(即λ/2π)時，電場和磁場的阻抗趨于自由空間的波阻抗Z。(約為377Ω),電磁場成為平面波。由于所有天線都5GB/T43262—2023能對電場和磁場產(chǎn)生響應，因此通常都使用天線測量電場或磁場，但當評估EUT產(chǎn)生的RE時，測量天線主要測量一定距離(通常為3m或10m)處的電場。距騷擾源的距離r/m(r=1/2π的倍數(shù))標引序號說明：Zw——波阻抗，單位為歐姆(Ω);Z?——自由空間的波阻抗，單位為歐姆(Ω);r——距騷擾源的距離，單位為米(m);圖2近場和遠場以及與波阻抗之間的關系電小環(huán)天線結(jié)構(gòu)(例如短的電纜或電路印制線),其與能量的波長相比為電短的，通常為弱的輻射體，其發(fā)射的能量隨著距離的三次方(1/r3)進行衰減。因此，磁場源與接收電路或?qū)Ь€通常應非常接近且位于近場范圍內(nèi)，這為磁場耦合。導線和金屬板為高阻抗的電場源。其發(fā)射的能量，不像磁場衰減那樣快，而是隨著距離的二次方(1/r2)進行衰減。其可以與其他高阻抗電路、導線或金屬板實現(xiàn)最佳耦合。這些金屬結(jié)構(gòu)之間應非常接近且位于近場范圍內(nèi)，這為容性電場耦合。圖2給出了近場和遠場以及與波阻抗(Zw)之間的關系示例，其為確定近場和遠場的幾種模型之一。這些模型和過渡區(qū)取決于許多因素，包括發(fā)射結(jié)構(gòu)和接收結(jié)構(gòu)的物理尺寸、增益、源阻抗和負載阻抗。當六分之一波長位于過渡區(qū)內(nèi)時，通常認為3λ的距離可確保為遠場，λ/16可確保為近場。在遠場中，電場和磁場引起噪聲問題的潛在幾率是相等的。要確定哪種場在實際當中影響最顯著,敏感電路是什么。敏感電路具有更多的暴露環(huán)路面積，其會對磁場敏感；敏感電路具有更多的暴露表面面積，其會對電場敏感。4.1.3接地/搭接在EMI故障診斷領域內(nèi)，接地(grounding)實際上是指EUT內(nèi)電路或組件的信號或電源的返回路徑而不是地或地平面。術(shù)語“地(ground)”很容易讓人對其產(chǎn)生誤解，尤其對于EMI分析，其也指用于把EUT與大地相連接的黃綠雙色線。在工程設計中通常誤用術(shù)語“地”,由于信號或電源返回路徑或參考更能準確表達正確的EMI設計概念，因此本文件使用此定義。金屬部件之間的搭接應具有較低的DC阻抗(例如小于10mΩ)。良好搭接可為電流的流動(包括6高頻電流)提供低阻抗回流路徑。殼體上的間隙，當其長度大于1/10波長(該波長為EUT產(chǎn)生的許多諧波頻率中的任何一個所對應的)時，可作為有效的輻射天線。由于天線既能接收又能發(fā)射，因此這些間隙能使外部的射頻或脈沖能量進入到EUT內(nèi)部，從而使電路受到干擾。此外，任何組件，例如LCD顯示屏，應與金屬殼體在多點進行搭接。當評估屏蔽殼體搭接的完整性時，銅箔或鋁箔都是有用的故障診斷工具。由于完整的環(huán)形(例如360°)搭接有助于阻止電纜的輻射，所以任何輸入/輸出(I/O)連接器或電源連接器的導電外殼都應與EUT的屏蔽殼體進行良好的搭接。金屬屏蔽體可作為高頻電磁場的屏障。大多數(shù)EUT都有完全包圍電路的金屬殼體或具有金屬鍍層的塑料殼體?；诖耍_保EUT殼體的所有部分很好地搭接在一起則是非常的重要。當需要將電纜穿過EUT殼體時就需要注意。除非電纜連接器搭接到殼體，否則共模(噪聲)電流會沿著電纜導線或電纜屏蔽層的外層進行泄漏。理想情況下連接器應與EUT殼體進行360°搭接。這意味著涂層(例如油漆、鍍層等)都會影響搭接，連接器的一面良好搭接到機殼要比差的高阻抗360°搭接更好。設計良好的EUT中通常都會使用濾波器。安裝濾波器的目的是阻止高頻電流(其會產(chǎn)生RE)向后級流動或阻止脈沖能量(例如ESD、電源線瞬態(tài))或射頻干擾進入電路。殼體設計為非屏蔽的EUT應依靠濾波和良好的PCB設計以符合EMI要求。通常使用下述方式：——開關電源的輸入和輸出都宜進行濾波；——微控制器IC的復位引腳通常安裝阻容(RC)濾波器；——I/O數(shù)據(jù)線和電源線使用RC濾波器或共模扼流圈；——I/O電纜上所夾的鐵氧體可作為高頻扼流圈。4.1.8電纜布線和互連電纜——EUT的外殼為非屏蔽的且電路和PCB設計得不好；——電纜連接器穿過屏蔽殼體時搭接不正確(如圖3所示)。因此，在EMI發(fā)射中，電纜很可能是首要的發(fā)射源。7圖3電纜連接器穿過屏蔽殼體時產(chǎn)生RE注：穿過屏蔽殼體的電纜會使屏蔽無效，高頻共模電流在屏蔽體的外側(cè)產(chǎn)生輻射。此外，殼體上的間隙或縫隙也能夠作為輻射天線(例如產(chǎn)生發(fā)射)或接收天線(例如對ESD敏感)。EUT設計時宜使互連電纜的數(shù)量最少。此外，對于每一條信號和電源導線，都應有信號和電源返回導線。對于排線，應在信號導線和電源導線下面增加信號或殼體返回平面，并確保每個電路的返回導線的每一端與返回平面進行多點連接。確?；ミB電纜之間或與另外的能量源不會產(chǎn)生耦合(如圖4所示)。如果殼體為金屬，則電纜最好緊貼金屬機殼內(nèi)側(cè)進行布線以減小電纜周圍的電場。電纜電纜一散熱片·寄生電容高壓開關裝置金屬過壁連接器圖4互連電纜與能量源的耦合4.1.9PCB級的設計及其RE診斷PCB級的設計考慮和RE診斷見附錄A。4.2電磁干擾診斷過程EMI的故障診斷過程通常由以下三個基本環(huán)節(jié)組成。a)去掉元件、分系統(tǒng)或者相關設備，以確認它們是否對EMI問題產(chǎn)生影響。例如，對于RE問題，宜嘗試移走EUT的輔助設備以確認問題是出自輔助設備還是EUT。由于電纜通常為輻射源，因此另一種好的診斷方法是移走所有不必要的電纜。如果EUT產(chǎn)生的發(fā)射仍超過限值，那么出問題的可能是屏蔽殼體或PCB。b)特定頻率的諧波發(fā)射通常是由多個騷擾源或輻射結(jié)構(gòu)產(chǎn)生，其中某個騷擾源或輻射結(jié)構(gòu)可能8GB/T43262—2023是主要的發(fā)射源，要比其他騷擾源或輻射結(jié)構(gòu)的發(fā)射要強。當使用一種或多種解決辦法，定位到主要的發(fā)射源時才能看到發(fā)射的減小。通常最佳的做法是使用所有潛在的解決辦法使EUT合格，然后再逐一去掉所使用的解決辦法，最后識別到底是哪些方法解決了問題。c)先使用一切辦法使EUT合格，然后再進行簡化，以確定成本最低的解決辦法。由于有些潛在的EMI解決辦法成本過高或過于復雜，則不會使用。解決EMI問題的關鍵是能夠識別騷擾源、潛在的耦合路徑以及接收器或接收電路。圖5給出了不同騷擾源和接收器的示例。對于發(fā)射和抗擾度，四種耦合路徑同樣有效。對于RE,接收器通常為EMC試驗設施中使用的EMI接收機或頻譜分析儀。EUT或系統(tǒng)產(chǎn)生的發(fā)射通常具有規(guī)定的限值。在實際環(huán)境中，接收器是任何通信系統(tǒng)或其他設備。耦合路徑耦合路徑輻射感性容性傳導感性容性振蕩器抗擾度騷擾源接收器發(fā)射ESD輸入/輸山電纜注：相同的耦合路徑可用于發(fā)射模型或抗擾度模型。圖5用于EMI故障診斷的騷擾源—耦合路徑—接收器模型對于發(fā)射問題，可使用近場探頭(磁場或電場)確定最大能量電平。常見的內(nèi)部騷擾源有時鐘振蕩器、大功率緩沖器、模數(shù)(A/D)或數(shù)模(D/A)轉(zhuǎn)換器、ASIC、電源變壓器、開關器件或任何具有快速上升沿的高頻數(shù)字信號(例如低速存儲器或地址總線)。也可以在單個電源和I/O信號電纜上使用射頻電流探頭確定騷擾源。對于200MHz以下的多數(shù)RE問題，電纜產(chǎn)生的RE問題要比設備外殼或內(nèi)部電路直接產(chǎn)生的多。當工作頻率為幾十兆赫或幾百兆赫時，如果確定在某個位置使用電容可解決問題，但焊接的電容具有長的(5cm～8cm)引線，引線的電感將會影響電容的性能，尤其在較高的頻率。在這些頻率，宜使用引線長度最短的元件或SMT元件。另外一種情況是屏蔽電纜和外殼之間好的射頻搭接。電纜屏蔽層或電路板和外殼之間連接的短導線(也稱為“軟辮線”)在所考慮的諧波頻率時很可能不具有足夠低的阻抗。為了使搭接更為有效，宜進行多次連接或者如果可能，使用短(例如0.6cm)寬的金屬條(或多條導線)進行搭接。發(fā)射問題的故障診斷見第5章～第6章。對于抗擾度問題，騷擾源可為ESD、附近的射頻發(fā)射機或電源線瞬態(tài)(由雷擊或電源線上的大負載產(chǎn)生);也可為產(chǎn)生噪聲的設備，例如電源線上連接的電機或濾波不好的開關電源。對ESD或電源線瞬態(tài)進行監(jiān)測，可將這些現(xiàn)象與出現(xiàn)的問題相聯(lián)系并進行識別?？箶_度問題的故障診斷見第7章～第11章。識別出了潛在的騷擾源，可用下面這些方式識別耦合路徑。——傳導耦合：通常情況下，如果路徑為傳導耦合路徑，處理的是導線或電纜束上的時變(AC或射頻)電流，這些電流可能沒進行足夠的濾波(或去耦)。一種情況是這種電流先傳輸?shù)竭h端的位置或負載，然后通過另外一條導線或電纜束返回到騷擾源。另外一種情況是噪聲源和受擾者9GB/T43262—2023之間具有公共的返回路徑。騷擾電流與環(huán)路的長度無關，因此，如果把騷擾源和接收器(或受擾電路)從物理上相隔開，干擾問題仍存在，那么這種問題通常就是傳導耦合。然而，輻射耦合也仍是有可能的。 感性或容性耦合：如果耦合是感性或容性的，增加騷擾源和接收器之間的物理距離則可顯著減小騷擾對電路的影響。例如，騷擾源為電源變壓器，宜嘗試著把變壓器連接在延長的導線上，使其位于不同的方向或距離上。如果騷擾源為開關電源的散熱片，把散熱片短時間的移走看是否解決了問題(如果移走散熱片電源工作不安全，則使用附加的非導電但導熱的墊子或隔離物以減小電容)。散熱片也會與附近的電纜產(chǎn)生容性耦合，監(jiān)測干擾時宜嘗試移動電纜。感性耦合通常出現(xiàn)在電纜和PCB電路之間或者兩條電纜之間。使用隔離通常也能表明耦合機理是否為感性的。 輻射耦合，主要是由EUT電纜或殼體上的縫隙產(chǎn)生的發(fā)射通過空間耦合(傳播)給EMI接收天線。增加EUT和EMI天線之間的物理間隔通常并不能使諧波的幅值產(chǎn)生大的變化。5RE問題診斷5.1概述通常情況下，RE試驗不合格的原因為電纜輻射或殼體上的縫隙、孔徑產(chǎn)生的泄漏。下述檢查清單可用于EUT試驗不合格后的問題診斷。PCB級RE診斷見附錄A。5.2RE檢查清單RE由射頻能量產(chǎn)生，而這種能量可由非常小的電流或電壓形成。寄生能量和交叉耦合噪聲是常見的問題。任何金屬物體都可能成為天線，尤其是電纜，因此考慮以下方面。——通常，200MHz以下的輻射能量由電纜作為輻射源。在較低頻率時，由于波長較長，因此導線或電纜能成為很好的天線?！ǔ＃?00MHz以上的輻射能量由殼體作為輻射源。頻率越高，輻射能量的更可能是設備的殼體，或者設備沒有金屬殼體或為開放式的框架時輻射能量往往來自內(nèi)部電路板。——確保所有屏蔽電纜在其兩端實現(xiàn)低阻抗的搭接。通常高頻情況下應確保屏蔽層與殼體或連接器360°環(huán)接，應注意低頻情況下屏蔽層與殼體或連接器兩端搭接可能會形成地環(huán)路。除非絕 如果使用“軟辮線”對屏蔽電纜進行搭接，應確保其盡可能短，——應確保殼體金屬片之間實現(xiàn)低阻抗(搭接電阻為10mΩ或更小)搭接，搭接處應沒有能產(chǎn)生電阻的油漆或其他涂層、油脂、污垢、腐蝕或氧化層。 進/出設備的每條電纜都宜進行濾波，且濾波器應安裝在鄰近電纜進/出設備的位置。對于金屬外殼設備，濾波器的金屬外殼與設備機殼地應有良好的低阻抗搭接；對于非金屬外殼設備，濾波器的金屬外殼與設備保護地應有良好的電氣連接；對于板載濾波電路，濾波電路應布置于靠近I/O引線的接口處，若內(nèi)部連接引線使用非屏蔽線纜，其長度一般不超過3cm?！绻?0MHz以下存在垂直極化的發(fā)射，則宜嘗試增大電源線與接地平面之間的距離，這將縮短EUT通過接地平面到天線的耦合路徑。反之，宜嘗試縮短電源線與接地平面之間的距離以確認發(fā)射是否增大，可確認該垂直極化的發(fā)射是否和電源線與接地平面之間的耦合相關?！绻信cEUT相連的輔助設備，應確認它們不是噪聲源。如果可能，關掉輔助設備的電源。如果不能關掉輔助設備的電源，則可以關掉EUT的電源，僅留下輔助設備工作。如果發(fā)射信號仍存在，則噪聲源可能為輔助設備而不是EUT。5.3不合格的典型原因EUT未通過RE試驗的原因通常是由以下方面引起的?！娎|：I/O電纜由于其屏蔽層與機架或殼體搭接不良、缺少足夠的濾波或簡單地穿過屏蔽殼體，因此其通常會產(chǎn)生高頻輻射。通常情況下，200MHz以下RE試驗不合格的原因為電纜輻射，電纜通常為EUT的最長部分，電纜的物理長度使其成為有效的發(fā)射天線(天線越長，發(fā)射效率越高)?！饘贆C殼：高頻(通常大于200MHz)發(fā)射通常由EUT的金屬機殼產(chǎn)生。高頻時，I/O電纜通常為感性，對于流動的射頻電流，其阻抗要比機殼的阻抗大，因此，機殼上的射頻電流通常更易平面上時，在30MHz～40MHz可能存在四分之一波長的諧振?！獧C殼縫隙：EUT內(nèi)部電路板能在機殼的內(nèi)表面上產(chǎn)生電流。這些高頻電流可從縫隙或間隙泄漏出去，在EUT機殼或殼體外部的附近流動，因此，整個殼體變成了發(fā)射天線。一種例外情況是電流被耦合到機殼上的點非常接近于騷擾源時，它們中的大部分能返回到騷擾源，這就是在電路板上或電路板的參考返回平面上使用旁路電容抑制RE的原因。當EUT殼體的高頻電流流經(jīng)縫隙時，該縫隙會對高頻電流呈現(xiàn)阻抗(例如幾毫歐),從而在縫隙間產(chǎn)生電勢差，該電勢差產(chǎn)生電場RE。水平縫隙從其頂部到底部具有電壓梯度或矢量，能產(chǎn)生垂直極化的電場；垂直縫隙主要產(chǎn)生水平極化的電場。一種好的故障診斷技術(shù)是通過電場(假設使用的是電場天線)的主極化，然后確定這種電場是否由垂直或水平搭接不良的縫隙產(chǎn)生。如果EUT包括顯示屏，則顯示屏跟機殼之間的安裝縫隙易出現(xiàn)泄漏。其他的泄漏區(qū)域包括通風口、插入式板卡或金屬連接器(典型個人計算機機殼上所用的)與機箱擋板之間的空隙。5.4.1在實驗室進行的RE故障診斷在實驗室進行RE故障診斷，宜考慮以下三個方面。——診斷過程中宜能看到頻譜分析儀的顯示屏，同時確保觀察到的發(fā)射不是來自于調(diào)頻(FM)廣播、蜂窩電話等產(chǎn)生的環(huán)境信號?？赡苄枰P掉EUT電源以確認是否為環(huán)境信號?！\斷過程中人員進入電波暗室會影響EUT的RE測量結(jié)果。發(fā)射電平可能會與進入前不同，同時EUT最大發(fā)射位置的角度也會發(fā)生變化。EUT及其電纜發(fā)生輕微的移動，最大發(fā)射位置的角度也可能會發(fā)生變化。因此，在診斷過程中，EUT的RE電平若有降低時，要意識到其可能是最大發(fā)射的角度或位置發(fā)生了移動引起的?！苊馊藛T站在測量天線和EUT之間(見圖6)。用丁顯示頻譜分析儀屏幕的監(jiān)視器測量天線避免站立區(qū)域允許站避免站立區(qū)域立區(qū)域F!U'T圖6RE故障診斷時試驗人員站立的位置(俯視圖)注1:RE故障診斷過程中通常要移去EUT的殼體以及移動內(nèi)部導線、電纜或其他組件，在移動EUT內(nèi)部組件時注意預防，避免高壓觸電。RE故障診斷程序如下。a)電纜排查?！ㄟ^抓住(如果這樣做安全)和松開電纜，能快速識別電纜是否為輻射體。這樣做時，宜盡可能減小移動，因為電纜會與電波暗室和人員所站的區(qū)域發(fā)生諧振或失諧。也可通過使用一根非導電棍挑起電纜，人員站立的位置到EUT要有一定的距離，由于不與電纜相接觸，因此，減小了人員對電纜輻射場的影響。測量結(jié)果的任何變化僅來自于電纜的移動?！cEUT相連的I/O電纜，每次可嘗試僅斷開這些電纜中的一根，其余電纜仍保持連接，直到所有的電纜都被斷開，這有助于識別是哪根電纜產(chǎn)生了輻射?！褂梅菍щ姷你^針，每次從電纜束中拉出單根導線，可用手指接觸這些導線(如果這樣做安全),觸摸和松開導線以確認它們是否敏感以及RE電平是否發(fā)生了改變。 測量導線或電纜屏蔽層上流動的共模電流，是識別輻射電纜的最佳方法之一。通過用電流探頭就近鉗住EUT的導線，用頻譜分析儀測量導線中的射頻電流，這種射頻電流與RE有很強的相關性。實際上，對于電短電纜(小于1/4波長),能預測其產(chǎn)生的電場(單位為V/m),這種電場可與標準限值進行比較。 使用近場探頭測量導線產(chǎn)生的電場或磁場也是識別輻射電纜的最佳方式之一。通過用近場探頭沿著線纜移動，注意變化探頭的方向以獲得最大測量值，這種電場或磁場與EUT的RE有很強的相關性。注2:當使用前置放大器時，避免近場探頭非絕緣部位與高壓部件相接觸。b)殼體排查?！绻J為不是電纜產(chǎn)生的問題，在安全的前提下可將手放置在設備的殼體或外殼上。如果可能，可按壓或擠壓機箱以確保設備金屬殼體之間接觸或斷開。在這種情況下，RE電平可能會突然抬高或降低，這表明機箱的某些部位斷開了或得到了良好接觸。若為這種情況，檢查金屬表面之間的涂層或噴涂物。c)輔助設備排查。——排查輔助設備是否為輻射源時，在不影響EUT主要功能的前提下，可斷開輔助設備電源。若無法斷開輔助設備電源，則可斷開EUT電源僅留下輔助設備工作，如果RE仍存在，則輔助設備可能是輻射源。輔助設備位于電波暗室外也適用。 進出電波暗室的電纜可能包含大量的射頻能量，這些能量在電波暗室內(nèi)重新進行傳播，應確保這些電纜進行了有效濾波、屏蔽或使用某些方式進行了處理以避免產(chǎn)生輻射問題。有時在較長的輔助電纜上串一些鐵氧體磁環(huán)能有效減小其對EUT的影響。如果EUT或輔助設備不能斷開電源，可嘗試通過改變負載、運行狀態(tài)、數(shù)據(jù)率或其他功能，再觀察RE電平的變化。d)整體排查。——可考慮使用一對長的鋁編織針(也可使用萬用表的表筆或焊接在導線上的連接器插針),使用絕緣膠帶(例如電工膠帶)包裹其中一根的絕大部分，通過使用編織針的導電端接觸連接器、連接器的插針、電路板、機箱和機殼部件(但一定注意平的增加或減小，可識別出敏感區(qū)域，在這些區(qū)域應仔細進行排查。當導線連接到敏感區(qū)域時，其能與測量天線的極化處于相同的方向，因此這樣的方式易于 —對于小型和中型設備，可使用銅箔或鋁箔包裹整個設備。由于覆蓋的區(qū)域很大，不宜使用銅膠帶或鋁膠帶。當用導電膠帶一層一層包裹設備時，膠帶粘貼部位的阻抗能顯著減小屏蔽層的屏蔽效能。鋁箔不像導電膠帶，其不會受到阻抗的影響，包裹設備時鋁箔應疊加，以覆蓋鋁箔之間的縫隙。如果可能，鋁箔應與所有連接器和電纜的屏蔽層進行搭接。為了確保這種搭接，在連接器的周圍要使用扎帶或束線帶。如果設備還繼續(xù)產(chǎn)生輻射，則可把包裹了鋁箔的設備放置在導電接地平面(即地板，如果其作為接地平面)上。如果設備仍繼續(xù)輻射，則電纜很可能仍還存在問題。如果使用這種方式解決了RE問題，則機殼可能是輻射不合格的原因。慢慢地剝離認為很可能沒有問題的區(qū)域(例如沒有顯示屏或連接器的實體面板)上的鋁箔，最后再移去連接器和顯示屏上的鋁箔。每剝離一些鋁箔，宜進行核查以確認發(fā)射電平是否返回到之前的測量值或仍保持低值。進行這種故障診斷時宜同時觀察頻譜分析儀上頻譜曲線的變化。5.4.2在自有設施中進行的RE故障診斷為了確保較低的電磁環(huán)境電平，故障診斷場所宜選擇屏蔽室或地下室。把EUT放置在桌子或工作臺的一端，另外一端放置測量天線，距離EUT1m遠。為了更清楚地觀察諧波發(fā)射，可將天線移得更近。測量天線在所關注的頻段內(nèi)宜發(fā)生諧振。把頻譜分析儀與測量天線相連，將其調(diào)節(jié)到所關注的一個諧波或多個諧波頻率上。宜在試驗布置條件下建立測量結(jié)果的基準線，通過對比，可知道是否改善了RE。如果頻譜分析儀有這種基準線，可把顯示線設置到最大諧波值上。如果同時評估好幾個諧波，也可把基準線都保存在屏幕上，在故障診斷過程中與之比較。這可作為參考以幫助判斷使用的解決辦法是否有用。如果測量距離為1m,使用調(diào)整后的如圖7所示的RE限值，這樣可粗略評估發(fā)射電平是否符合3m或10m的發(fā)射限值要求。注1:由于被測的頻率可能位于近場，測量結(jié)果僅是粗略估計。經(jīng)驗表明在測量距離3m對應的限值的基礎上增加6dB通常更為準確。注2:根據(jù)經(jīng)驗，當對特定諧波進行故障診斷時，測量距離1m時發(fā)射電平10dB的減小并不意味著測量距離3m或10m時也減小10dB。這種現(xiàn)象的主要原因是近場和遠場效應。這種效應使得場強與測量距離之間并不是線性的反比關系。其次，認為2dB～3dB的減小是顯著的改善，但此數(shù)值可能小于測量誤差或者可能小于人員位置或設備和電纜位置的變化引起的測量結(jié)果的變化，這些因素都會影響天線或EUT的輻射波瓣圖。頻率/MHz圖7測量距離3m轉(zhuǎn)換為測量距離1m的RE限值(即加上6dB的修正因子)排查由電纜發(fā)射還是由外殼發(fā)射產(chǎn)生的(或兩者的組合),可以使用近場掃描或電流探頭。使用電流探頭鉗住EUT電纜，每次鉗住一根，沿著電纜向兩個方向分別慢慢地滑動探頭得到最大讀數(shù)以識別最強的發(fā)射源。通常情況下，電纜上200MHz以下的共模電流與RE問題直接相關。也可使用電場探頭在殼體或外殼的縫隙附近探測泄漏。作為通用規(guī)則，如果泄漏縫隙被限定在較短的長度，則其可能對總的發(fā)射結(jié)果影響不大。若泄漏縫隙的長度接近十分之一波長或更長(例如，半波長的泄漏縫隙可作為有效天線),則這種縫隙可用銅膠帶進行處理。宜嘗試移走不需要的I/O電纜以確認是否是其導致的RE超標。宜嘗試在電纜上夾套鐵氧體磁環(huán)。但一定要規(guī)定鐵氧體磁環(huán)的材料，確保其能衰減電纜上的共模電流以減小所產(chǎn)生的磁場。如果得到所測電纜中的諧波電流值，則可使用此電流值估算某一距離(通常為3m或10m)處的電場。使用電流探頭測量電流，然后估算符合性試驗中所用的典型測量距離處的電場。電流探頭的傳輸阻抗是隨頻率變化的，應確保在所測頻率上使用正確的傳輸阻抗。注3:當診斷特定的諧波時，根據(jù)標準要求周期性地掃描整個頻段的頻譜。很多情況下，一種潛在的解決辦法雖可減小一個頻段內(nèi)的諧波能量，但會將諧波能量移到上一個或下一個不同的頻段，這的諧波值減小，而另外一個頻點的諧波值增加)。這種現(xiàn)象通常由電纜或其他金屬結(jié)構(gòu)中的諧振效應產(chǎn)生。5.4.2.2時鐘振蕩器產(chǎn)生窄帶諧波的騷擾源有晶振或時鐘振蕩器、內(nèi)部PLL時鐘上變頻器、快速時鐘信號或其他產(chǎn)生快速(ps或ns)上升時間的數(shù)字電路。對于理想方波的晶振或時鐘，其占空比為準確的50%且沒有過沖或失真時只有奇次諧波(例如，3次、5次、7次等)。然而，由于晶振或時鐘脈沖的占空比通常都有偏差(即占空比與準確的50%有偏離),且由于信號的失真、上升和下降時間等，因此會出現(xiàn)偶次諧波。通常情況下，偶次諧波的幅值要小于奇次諧波。與50%理想占空比的偏差小于1%時產(chǎn)生的偶次諧波和奇次諧波是相等的。通常不同時鐘源的兩個或多個諧波會落在相同的頻率上。雖對某一個時鐘使用了解決辦法，但諧波的幅值可能并沒有明顯改善。示例：假設1#諧波的值為50dBμV/m,2#諧波的值為34dBμV/m(注意這兩者都超過了30dBμV/m的B級限值)。如果它們同相，兩個矢量疊加得到的值為50.9dBμV/m。若2#諧波得到了抑制(使用一種解決辦法),則與之前的諧波值相比并沒有太大的變化(最多為0.9dBμV/m)。這就是為什么最好留下所有可能的解決辦法直到解決了問題或識別出了所有的主要影響。5.4.2.3發(fā)射的識別若發(fā)現(xiàn)EUT的結(jié)構(gòu)(電纜、縫隙或其他孔徑)作為輻射天線，則要保持EUT正常運行，盡力確定驅(qū)動外部電纜或縫隙產(chǎn)生輻射的發(fā)射源和可能的耦合機理。通常情況下，發(fā)射源要追溯到特定的電路板或一組電路板上是困難的。對于此問題，在發(fā)射電纜上(在噪聲源端)夾套鐵氧體磁環(huán)通常是有用的。同時，尋找與其他電纜捆在一起且相耦合的噪聲電纜。例如，宜嘗試將噪聲電纜重新布置到其他地方。通常情況下，把噪聲電纜沿著金屬外殼進行布置可減小電纜產(chǎn)生的場強。最壞情況下，可能需要使用附加的濾波對EUT的噪聲部分進行重新優(yōu)化設計。為了識別可能是輻射源的內(nèi)部電纜，宜使用射頻電流探頭。把電流探頭鉗在電纜上有助于對所懷疑的電纜或者甚至單根導線上的輻射源進行定位。這時測得的輻射值與測量整個EUT得到的輻射值不同，且測量曲線也可能與測量整個EUT得到的測量曲線不完全相同(例如，整個EUT的輻射有兩個寬帶頻率峰值，但測量電纜時僅看到一個),但這是一個可能解決問題的著手點。測得的輻射源可能僅是兩個或多個騷擾源中的一個，因此，如果整個EUT的測量曲線中有兩個凸起的峰，但測量一根電纜時僅測到一個，則需要再繼續(xù)尋找另外一條輻射電纜或其他的輻射源。如果RE仍存在且懷疑是由電源線產(chǎn)生的，可通過AMN測量100MHz以下的CE進行某些RE故障診斷。使用AMN測量CE,然后與在實驗室測量的RE結(jié)果進行比較。如果發(fā)現(xiàn)兩條曲線具有相似性，則可判斷電源線是產(chǎn)生RE問題的發(fā)射源之一。CE的減小有助于改善RE。然而，發(fā)射源可能有多個，電源線僅是其中的一個。只單獨使用這種解決辦法不能保證解決所有問題。隨著頻率的增加，濾波器周圍的耦合噪聲也可能隨之增加。其安裝位置宜盡可能接近EUT輸入/輸出連接器或電纜進出點。濾波器安裝位置不當或遠離連接器安裝，都可能造成大量的射頻能量與已濾波的線纜相耦合，從而產(chǎn)生RE問題。濾波器安裝時應使濾波器外殼良好接地，濾波器輸入/輸出線要遠離，以避免串擾。如果設備的外殼為非導電塑料或為開放式的機架，良好的濾波和電路布線則是重要的。電路產(chǎn)生的所有電流應控制在本地且能返回到源。用于RE濾波的所有電容器應為陶瓷電容器或其他高頻類型的電容器。電解電容器和鉭電容器在RE的頻率范圍內(nèi)沒有足夠的工作帶寬，其對改善RE并沒有效果。鉗在電纜上的鐵氧體稱為鐵氧體磁環(huán)。使用的鐵氧體應具有較小的磁導率(μ;),在較高頻率時通常也能起作用。與內(nèi)徑較大的鐵氧體相比，內(nèi)徑較小的鐵氧體能較好地耦合磁場且具有較高的阻抗，因此，需要使用適合于導線內(nèi)徑最小的鐵氧體。同時也應規(guī)定鐵氧體的阻抗，其在所關注的頻率范圍內(nèi)能產(chǎn)生足夠的損耗。對于大多數(shù)RE問題，鐵氧體的磁導率通常應小于1000才有效。和夾式鐵氧體相比，閉合的鐵氧體磁環(huán)能提供較好的抑制效果。屏蔽層可能為電纜屏蔽層、外殼或者為這兩者。對于電纜屏蔽層，應確保使用對稱的端接方式與連接器進行搭接(至少在屏蔽層的每一側(cè)使用一條短的“軟辮線”與連接器進行搭接)。360°的端接最為理想。許多電纜設計時使用“軟辮線”,該“軟辮線”在高頻GB/T43262—2023器所連接的導線相耦合。其也會耦合產(chǎn)生沿著電纜屏蔽層的外部流動的共模電流，使得電纜產(chǎn)生輻射。圖8屏蔽層使用單條“軟辮線”的非對稱端接由于傳導耦合或輻射耦合，屏蔽層上有流動的大電流，因此外殼上也有流動的電流，其將產(chǎn)生磁場，該磁場會與連接器附近的裸露導線產(chǎn)生耦合。圖9中使用分開的端接，減小了每一條“軟辮線”上的電流，但此電流也會產(chǎn)生磁場。然而，兩條對稱的“軟辮線”中的電流產(chǎn)生的場為磁場，這兩個磁場在連接器中的方向相反。這樣雖不是理想的磁場相消，但在某種程度上減小了合成場。因此，由于減小的電流和方向相反的磁場，對稱端接的“軟辮線”是可以使用的。如果可能，可以使用兩條或多條“軟辮線”,對稱地環(huán)繞連接器布置。更好的辦法(作為故障診斷試驗或臨時性的解決辦法)是宜使用鋁箔包裹屏蔽層的末端、“軟辮線”和連接器。這將為所有導線建立一個完整的殼體以及使用非常低阻抗的連接把屏蔽層搭接到外殼。圖9屏蔽層使用對稱端接的“軟辮線”在80MHz以下，大多數(shù)RE問題出現(xiàn)在垂直極化。如果試驗在這些較低的頻率沒有通過，則問題可能是由放置在接地平面上的且與接地平面相耦合的電源線或其他電纜產(chǎn)生的。宜嘗試著抬高電源線使其遠離接地平面以確認輻射是否減小。相反地，也宜嘗試著將更多的電纜放置在接地平面上以確認輻射是否增加。根據(jù)RE標準，測量天線至少要比接地平面高30cm。如果測量天線太接近接地平面，如圖10所示，對數(shù)周期復合天線能與接地平面產(chǎn)生容性耦合。如果電源線也與接地平面產(chǎn)生容性耦合，則接地平面將成為導電路徑的一部分，測量天線和EUT之間形成閉合的輻射環(huán)路路徑，這將產(chǎn)生錯誤的不合格的測量結(jié)果。因此，在對某些超標頻率點進行最終RE試驗時，宜采用調(diào)諧偶極子天線進行測量。注：進行最終測量的測量天線為調(diào)諧偶極子天線，如圖11所示，在較低頻率時垂直極化的偶極子天線要比對數(shù)周期復合天線測量得更為準確。這種天線具有很多優(yōu)點，包括其與接地平面之間最小的容性耦合。由于要進行調(diào)諧，其中心最低要位于接地平面上大約1.25m處，這就減小了天線與接地平面之間的電容且天線的位置也對數(shù)周期復合天線對數(shù)周期復合天線EUT接地平面耦合電容圖10對數(shù)周期復合天線與接地平面之間的容性耦合(大約100MHz以下)圖11在較低頻率時使用垂直極化的偶極子天線測量RE5.5典型的解決辦法RE問題典型的解決辦法有以下三種形式：——對于進出EUT殼體的所有線路都宜進行濾波；——當連接器穿過EUT殼體時，電纜屏蔽層與EUT的外殼或金屬殼體應進行正確的屏蔽和搭接； 對于進入或穿出外殼的線路，最常見的濾波方式是在外殼的穿透點確保存在IL較大的濾波器。通常是使用從信號線或電源線到外殼的電容器，且形成的環(huán)路應具有非常短的和阻抗非常低的路徑。應注意這種環(huán)路包括從濾波器到外殼的路徑(通常是通過某些支架返回到連接器)。如果支架與連接器相距較遠，若不在連接器處增加一個支架，則要保持這個較短路徑是不可能的。通過安裝電容器以試驗這種解決辦法時，在連接器的后側(cè)從線路到外殼之間加裝電容器是最佳的。如果此電容器的安裝位置為理想位置，則這種解決辦法能起作用。如果這種電容器的安裝在生產(chǎn)時是不可能的，則對此問題要增加一些設計裕量。為了對導線和電纜進行正確屏蔽，在屏蔽層的兩端進行低阻抗的搭接是非常重要的。不宜把屏蔽層連接到遠地進行排流，因為電流不會被排放到某些未知的“洞”中，其總是選擇較低阻抗的路徑返回到源。使用與兩個外殼相連的本地返回路徑，然后使用導線束進行布線。這樣可減小一些發(fā)射，但并不是真正的屏蔽解決辦法。一種較好的解決辦法是把電纜束包裹在屏蔽層內(nèi)。屏蔽層應在電纜的源端和負載端進行良好的端接。如果電纜加裝編織層，連接器為金屬或金屬化的，則應使用導線帶或扎帶將屏蔽層與連接器進行搭接。這將建立低阻抗的路徑，且有助于保持包裹電纜束的屏蔽層的對稱或完整。除非能確保解決問對于屏蔽層內(nèi)線束上的無用共模電流，屏蔽層通常作為電流返回路徑，但屏蔽層并不作為有用信號電流的返回路徑。屏蔽層內(nèi)包括有用信號和無用的共模噪聲，每種電流都能沿著最小阻抗路徑返回到源，則在這種情況下并不存在RE問題。同軸電纜的外導體的內(nèi)表面在高頻時作為信號的返回路徑，但外表面作為外部高頻噪聲電流的返回路徑。盡管這兩種電流在相同的屏蔽層上流動，但它們通過集膚效應相隔開。如果發(fā)現(xiàn)外殼屏蔽體屏蔽效能不夠，則可用鋁箔或銅箔包裹整個EUT,盡可能把屏蔽體與所有暴露的金屬部件相搭接。通過使用上述導線帶或扎帶，這種搭接通常最容易實現(xiàn)。把鋁箔與每個連接器進行低阻抗的搭接。一旦通過屏蔽解決了問題，則可慢慢去掉鋁箔，但宜首先去掉顯示屏或視頻屏幕的鋁箔。既然這些部件最可能是射頻騷擾源，在引入其他影響發(fā)射的因素之前宜確認是否是它們產(chǎn)生了發(fā)射。如果發(fā)現(xiàn)顯示屏為騷擾源，則宜使用導電涂層玻璃，例如銦錫氧化物(ITO)涂層玻璃，或使用其他透明的屏蔽涂層。6.1概述CE試驗不合格通常由開關電源(SMPS)導致。較好的開關電源在其輸入/輸出端具有濾波器(或濾波電路),濾波器的抑制頻率范圍一般為150kHz～30MHz,也有專門針對更高(或更低)頻率的傳導干擾抑制濾波器，如饋通濾波器、諧波抑制器等。隨著SMPS開關頻率的提高，傳統(tǒng)濾波器并不能有效解決開關器件(或整流器)開關瞬態(tài)產(chǎn)生的低頻諧波及30MHz以上干擾問題。此外，目前EUT內(nèi)廣泛使用高速數(shù)字電路，從而產(chǎn)生更高頻率的諧波。良好的濾波器(或濾波電路)需要兼顧配套電源、模塊的干擾類型，實現(xiàn)從低頻到高頻更寬頻段的覆蓋，且要注意濾波器的結(jié)構(gòu)、安裝、布線和接地等。下述檢查清單可用于EUT試驗不合格后的問題診斷。EUT的CE問題診斷重點是排查騷擾頻率和騷擾源，因此考慮以下方面。——測量配置：檢查CE的測量配置，是否連接有輔助設備，確認該輔助設備的供電情況(單獨供電還是通過AMN供電)。若AMN同時為輔助設備供電，宜排查輔助設備的CE特性是否影響EUT的CE測量結(jié)果。——測量布局：檢查EUT(包括可能連接的輔助設備)的供電線長度與布置、接地及接地有效性等?！卣黝l率：EUT是否存在開關電源等可產(chǎn)生較高發(fā)射電平的模塊(或電路),記錄其對應的特征頻率，分析特征頻率及其諧波是否與CE問題頻段相關?！丝跒V波：EUT是否裝有濾波器(或濾波模塊),分析其安裝位置、布線、接地等是否滿足規(guī)范要求，分析其在CE問題頻段IL特性是否有效。●通常，10MHz以下間隔規(guī)律且頻域較寬的諧波發(fā)射，其發(fā)射源為開關電源；●通常，10MHz以上單個尖峰頻點超標，發(fā)射源可能是EUT內(nèi)部的數(shù)字時鐘或其他高頻騷擾源；●通常，寬帶發(fā)射明顯區(qū)別于窄帶發(fā)射，寬帶發(fā)射主要由開關電源、整流器、電機等產(chǎn)生。-CE抑制：超標頻段可劃分為差模干擾發(fā)射頻段和共模干擾發(fā)射頻段，但沒有明確的臨界頻率，以下頻率宜作為施加抑制措施的參考：·通常，幾兆赫以下的發(fā)射為差模干擾發(fā)射，抑制措施通常為差模電容和/或差模電感；·通常，幾兆赫以上的發(fā)射為共模干擾發(fā)射，抑制措施為共模電容和/或共模電感。6.3不合格的典型原因EUT未能通過CE試驗的原因通常是由開關電源開關頻率引起的，受限于濾波器在低頻、高頻的IL特性，EUT往往在較低或較高的臨界頻率出現(xiàn)CE超標現(xiàn)象。開關頻率作為開關電源的工作頻率，這里不作為典型原因去分析，其他典型原因如下：——濾波器布局不合理，安裝位置遠離設備的輸入/輸出端口，或者濾波器的輸入/輸出導線臨近布置或捆扎在一起；——接地措施不合理，EUT殼體接地、電源濾波器(或濾波電路)接地以及PCB接地設計不合理；——元器件參數(shù)不合理，電源濾波器(或濾波電路)中的電容、電感等元器件參數(shù)選擇與阻抗特性相關，且不同電路IL可能存在較大差異；——耦合嚴重，CE高頻超標與寄生效應及耦合相關，宜重點排查濾波器的放置和高頻線纜的布局，對于產(chǎn)生磁場的元器件，宜重點排查其在EUT中的布置；——元器件使用不當，例如錯誤使用電解質(zhì)電容器對兆赫茲以上的頻率進行濾波、把鐵氧體磁芯作為線性電感磁芯使用；——磁性材料使用不當，單根電源線(尤其AC電源線)上使用鐵氧體容易存在飽和現(xiàn)象，會產(chǎn)生顯著的阻抗變化，增加了電源線上噪聲和發(fā)射的產(chǎn)生。6.4.1在實驗室進行的CE故障診斷在實驗室進行CE故障診斷，可考慮以下方面：——針對不易拆解的EUT可使用外置濾波裝置輔助診斷；——針對容易拆解的EUT,可串聯(lián)附加的濾波器。圖12給出了EUT的CE故障診斷流程圖示例。確認發(fā)射超標的頻率共模共模差模/共模?否是調(diào)整濾波器參數(shù)，發(fā)射是否低于限值?否是調(diào)整濾波器參數(shù)，發(fā)射是否低于限值?于限值?否是調(diào)整輸入輸出布置，發(fā)射是否低于調(diào)整輸入輸出布置，發(fā)射是否低于限值?否是調(diào)整濾波器位置，發(fā)射是否低于限值?否是調(diào)整濾波器參數(shù)，發(fā)射是否低于限值?是圖12在實驗室進行CE診斷的流程圖示例6.4.2在自有設施中進行的CE故障診斷在自有設施中進行CE故障診斷，可考慮以下方面?！趯嶒炇沂褂秒娏魈筋^進行測量，此測量數(shù)據(jù)作為參考，并結(jié)合電壓法測得的結(jié)果進行評估。通過這種方式，當EUT返回自有設施后，利用自有設備對EUT進行評估?！獮V波器的放置位置應非?？拷B接器或EUT機殼的穿入點，如果濾波器的放置位置不當(例如放置位置遠離輸入電源的連接器，如圖13所示),空間電磁輻射能量又會耦合到已濾波的線路；——使用便于安裝的磁夾、磁珠，通過卡扣或者穿線直接對線纜進行濾波。使用內(nèi)直徑最小的鐵氧體，使其剛好鉗住導線，能較好地耦合磁場且其阻抗要比具有較大開口的磁芯高；——對于大多數(shù)10MHz以上的傳導超標，通常磁導率小于1000的鐵氧體更有效。由于鉗式鐵氧體固有的空氣間隙，對于磁場會產(chǎn)生阻抗，從而減小了有效電感，使用閉合的磁芯鐵氧體比鉗式鐵氧體能得到更好的阻抗特性。閉合的磁芯鐵氧體能提供較大的阻抗，但易飽和。a)濾波器的安裝位置遠離輸入電源的連接器b)濾波器的安裝位置靠近輸入電源的連接器圖13電源濾波器的安裝位置對比圖14給出了在自有設施進行CE故障診斷的流程圖示例。CE超標確認發(fā)射超標的頻率和dB值在實驗室使用電流探頭測量電流發(fā)射作為基準差模判斷超標發(fā)射的性質(zhì)養(yǎng)模/共模?共模否調(diào)整濾波器參數(shù)，發(fā)射是否低于dB值?是優(yōu)化接地，發(fā)射是否低于dB值?否是是調(diào)整輸入輸出布置，發(fā)射否是調(diào)整濾波器位置，發(fā)射是否低于dB值?否是調(diào)整濾波器參數(shù)，發(fā)射是否低于dB值?否實驗室驗證否發(fā)射是否低于限值?是通過故障診斷的流程圖示例對于許多CE問題，常用的解決措施的是使用電容器，宜考慮如下問題。 帶極性的電容器其帶寬有限，對于高頻能量的抑制并不很有效。陶瓷電容器、薄膜類電容器——注意電容器的額定電壓值。應確保電容器的額定電壓值要大于AC電壓的峰值，而不僅是大于有效值。——線線之間的電容器對于減小差模能量非常有效。然而，當這種電容器被放置在整流器電路的AC側(cè)時將會增加泄漏電流，宜考慮放置在DC側(cè)。——用于線電壓的所有電容器都應具有電介質(zhì)擊穿的安全評級。為了抑制CE,可能需要使用電感器增加濾波效果，宜考慮如下問題。——電感器的結(jié)構(gòu)類型非常重要。開氣隙類型電感器的效果不如環(huán)形電感器。這是因為開氣隙類型電感器產(chǎn)生的磁場不受控制。當這些磁場不受控制時，其會將能量耦合給周圍的電路。通過這種現(xiàn)象干擾信號會注入給電路的無噪部分，這會旁路掉濾波器。——所用材料的類型也非常重要。宜考慮以下方面。·對于差模噪聲，使用差模電感器。差模電感器應使用粉末鐵芯或其他磁導率低的材料。用于電源的電感器，不宜使用鐵氧體作為磁芯?！駥τ诠材Ｔ肼暎褂霉材＠@線電感器。與大多數(shù)的其他材料相比，使用鐵氧體時每匝能提供較高的阻抗?！裨谒紤]的頻率范圍內(nèi)使用正確類型的鐵氧體。對于CE問題，其考慮的是低頻，最佳材料為使用原始磁導率大于2000的錳鋅(MnZn)材料。6.6典型的解決辦法CE問題通常與開關電源、其在EUT里的位置以及電源連接器和EUT之間的連接電纜有關，典型的解決辦法如下：——對騷擾源進行濾波處理，安裝性能較好的電源濾波器以及一些抑制高頻干擾的濾波器；——合理安裝濾波器，安裝位置應靠近電源線進入設備的連接口處，保證良好接地和布線；——調(diào)整濾波元件的參數(shù)和選型，提高濾波器的濾波效果；——改變EUT的布局或布線，減少耦合效應的產(chǎn)生；——對于可開啟展頻功能的開關電源(或IC),宜開啟展頻功能，降低CE噪聲；——更換電磁發(fā)射較低的部件，例如開關電源。7RI問題診斷7.1概述RI試驗主要用于評估EUT抵抗射頻電磁場輻射的符合性。試驗的頻率范圍通常為80MHz~18GHz,施加的場強范圍通常為3V/m～200V/m,具體取決于EUT所處的環(huán)境或其實際使用的環(huán)境。在大多數(shù)情況下，用于RE的檢查清單也適用于RI,因為EUT向外產(chǎn)生輻射的天線振子(電纜以及外殼上的縫隙)也能作為接收天線，把射頻電磁場能量傳輸至EUT內(nèi)部，引起EUT功能喪失或性能降級，甚至出現(xiàn)EUT的硬件損壞或軟件異常。RI問題診斷的檢查清單如下：——電纜的屏蔽層與EUT的屏蔽殼體或PCB參考接地點的搭接不良；——屏蔽面板與EUT外殼或殼體的搭接不良；——屏蔽殼體散熱孔的孔徑過大；——視頻/LCD顯示屏的孔縫過大；——I/O或電源的電纜端口濾波不好；——接地點的高阻抗接地；——關鍵電路處[例如中央處理器(CPU)復位線或模擬輸入或傳感器輸入]的射頻旁路不夠充分。7.3典型的失效模式EUT的典型失效模式如下：——重新啟動；——硬件電路受到破壞；——顯示屏上出現(xiàn)錯誤讀數(shù)；——聲音出現(xiàn)干擾雜音、無聲、卡頓、音頻或音高失真等異常；——數(shù)據(jù)丟失；——高誤碼率(BER);——工作狀態(tài)發(fā)生改變(例如，模式、時序等);——EUT響應靈敏度的喪失。7.4.1在實驗室進行RI故障診斷在大多數(shù)情況下，RI的故障診斷與RE的相似。首先，應確定耦合路徑，即確定射頻電磁場干擾能量是否可能由電纜作為天線或者是由外殼或殼體上的孔縫泄漏引入。然后，確定受擾電路，即確定EUT內(nèi)部受擾的功能模塊或PCB上的芯片。RI故障診斷程序如下?！娎|最小化。在EUT端斷開無關故障功能的電纜，并把剩余的所有電纜捆起來形成最小長度電纜。由于電纜可能會成為拾取射頻能量的天線，減小其物理尺寸，則能夠有效地減少其接收的射頻能量。如果有效，則拾取射頻能量的天線可能為電纜，然后再去尋找接收射頻能量的特定電纜。當電纜較多時，可將不同類型或功能的電纜相互分開，且盡量間距10cm以上，以避免電纜間串擾引起的交叉耦合。電纜去耦。宜在所有的電纜上分別加裝鐵氧體扼流圈，且在所關注的頻率范圍內(nèi)至少能提供200Ω的阻抗。如果有效，則每次移走其中的一個，直到識別出作為接收天線的接收電纜。應注意的是，如果電纜阻抗(不加裝鐵氧體時)在100Ω~200Ω之間，鐵氧體通常不起作用。-屏蔽EUT。用金屬箔或金屬網(wǎng)包裹整個EUT,確保EUT外殼上的縫隙被覆蓋嚴實并電連接良好，但允許電纜進出殼體。如果電纜具有屏蔽層，宜包裹至電纜的屏蔽層。如果有效，則極大可能為EUT本身拾取能量。如果EUT為屏蔽外殼，則再去尋找引起能量泄漏的孔縫位置；如果EUT為非屏蔽外殼，則需要進一步定位EUT內(nèi)部拾取能量的互連線(或PCB功能模塊)。對于具有屏蔽外殼的EUT,定位泄漏孔縫位置和定位EUT內(nèi)部拾取能量的互連線(或PCB功能模塊)的操作可同步開展，以實現(xiàn)較佳的整改效果。屏蔽電纜環(huán)接。通常應檢查電纜屏蔽層與EUT外殼或殼體是否搭接良好，在理想情況下電纜的屏蔽層應與屏蔽殼體進行360°環(huán)接。如果屏蔽層使用“軟辮線”與外殼進行端接，應使用金屬箔圍繞連接器和屏蔽層把“軟辮線”區(qū)域包裹，實現(xiàn)屏蔽層與屏蔽殼體360°環(huán)搭接，如果有效，則拾取能量的天線可能為該屏蔽電纜。7.4.2在自有設施中進行RI故障診斷在實驗室進行RI試驗，如果EUT出現(xiàn)RI故障且試驗現(xiàn)場不具備故障診斷的條件，宜利用自有設施進行故障診斷，可按以下方法進行?！獙τ贓UT本身問題的確認，如果EUT為屏蔽外殼，主要是定位屏蔽外殼泄漏孔縫的位置；如果EUT為非屏蔽外殼，則主要是定位EUT內(nèi)部拾取能量的互連線(或PCB功能模塊),以及定位EUT內(nèi)部PCB上引起故障的芯片或印制線。通常更快速的做法是針對EUT上的可疑位置，使用電平可控的射頻源進行射頻能量注入以識別敏感點。當在工作臺上不能實現(xiàn)所要求的試驗場強時，可通過在射頻發(fā)生器上連接一個小環(huán)天線，然后在電纜或電路附近進行輻射，以尋找敏感互連線或電路上的敏感部分。如果需要，可選用多匝的小環(huán)天線以提高其產(chǎn)生輻射場的能力；-對于電纜問題的確認，可通過射頻發(fā)生器連接BCI探頭(設計用來把功率注入給端口的電流探頭),將注入探頭鉗在可疑電纜上，在敏感頻率范圍內(nèi)沿電纜感應出射頻電磁能量傳輸至EUT。選擇注入探頭時應關注其工作頻率范圍，通常由電纜作為接收天線的敏感頻率范圍主要在400MHz以下(也可至1GHz),因此，應結(jié)合在實驗室的試驗中已獲得的敏感頻率范圍來選擇合適的注入探頭。注：射頻發(fā)生器能產(chǎn)生至少+15dBm～+20dBm的電平輸出，否則需要增加一臺10W或更大功率的寬帶放大器。如果使用商用探頭，確保其能承受大功率的電平。7.5特殊情況和問題理想情況下，所有的I/O端口和電源端口都應進行適當?shù)臑V波。否則，I/O電纜或電源電纜能將射頻能量幾乎完全傳輸進EUT內(nèi)部電路。對于I/O端口，通常應使用為這些端口設計的共模扼流圈或濾波器。具有靈敏模擬前端或其他低電平模擬電路的設備對外部的射頻電磁場尤為敏感。如果模擬信號為低頻(小于1MHz),則宜嘗試在輸入(或靈敏放大器的節(jié)點)和信號返回路徑之間連接適當大小的電容器(推薦值1nF～10nF)。應注意的是，對于非常高阻抗的輸入，這種做法不起作用。在某些情況下，宜把電容值大幅減小，使其小于100pF。對于運算放大器，可在正輸入端和負輸入端之間連接適當大小的電容器(推薦值100pF)。尤其要檢查與任何系統(tǒng)線或CPU復位線相關的電路。這些線通常應使用合適大小的電容器(推薦值1nF～10nF或更小)對噪聲源進行濾波并將其旁路到信號返回路徑。有時在并聯(lián)電容器的前端串聯(lián)相應的電阻器(推薦值100Ω~1000Ω或更小)作為低通濾波器的一部分。7.6典型的解決辦法典型的解決辦法如下?！诳梢呻娎|上加裝鐵氧體是便捷快速的，對于寬頻帶信號干擾可加兩個或多個磁環(huán)來抑制干擾，但宜考慮加裝鐵氧體的工程應用可行性。宜確保這些鐵氧體的放置位置盡可能靠近EUT的I/O連接器或電源連接器?！獙τ贗/O線，宜使用表面貼裝的數(shù)據(jù)線鐵氧體共模扼流圈。——應確保外殼或殼體不產(chǎn)生泄漏?？赡苄枰黾泳o固件的數(shù)量，殼體也可能需要附加的射頻襯墊。——在I/O端口使用RC低通濾波器。在信號線上串聯(lián)典型值為47Ω~100Ω的電阻器，同時在信號線與信號返回線或電源返回線之間使用合適大小的電容器(推薦值1nF～10nF),濾波器應使用短的引線。如果濾波器被直接安裝在PCB上，高頻時宜使用表面貼裝元件，應確保這種串聯(lián)阻抗不會影響信號完整性。——在對外部射頻電磁場敏感的內(nèi)部電路節(jié)點(典型情況為CPU的復位線)上跨接合適大小的電容器(推薦值1nF～10nF或更小),但應驗證所加的電容器不會影響信號質(zhì)量?！獞_保電纜屏蔽層的正確端接，尤其是對于400MHz以下的問題，應確保電纜屏蔽層與連接器或EUT金屬殼體360°環(huán)接?！绻霈F(xiàn)問題的頻率較高(例如500MHz及以上),則這可能是由EUT本身引起的。應確保EUT殼體之間的連接處是電連續(xù)的，特別是要清除掉連接處的油漆或者涂層。作為臨時措施，可采用金屬箔覆蓋縫隙?！獙τ诜瞧帘瓮鈿さ腅UT,宜在PCB上使用磁珠或共模扼流圈。——沿著EUT外殼并遠離EUT端口布置電纜。為防止射頻電磁場能量的交叉耦合，應把濾波器的輸入線和輸出線相隔離，并把敏感電路與發(fā)射能量的電纜相隔開。——減小環(huán)路面積，并避免長導線互連。為避免潛在的接收天線效應，應合理布局EUT內(nèi)部和PCB上的各功能模塊，避免導線無濾波的長距離連接；對敏感信號線宜設置伴隨地線，減小環(huán)路面積；對差分信號線應采用雙絞線，以增加互連線的抗共模干擾能力；對高頻信號線走線進行包地處理等?！狤UT具有圖文顯示或光學窗口時，宜采用透明導電材料進行電磁屏蔽并與屏蔽殼體良好搭接?！狤UT具有通風散熱窗時，宜采用小孔徑的六邊形陣列面板散熱，單個小孔的最大尺寸應小于敏感頻率對應波長的1/20;必要時可用通風波導并與屏蔽殼體良好搭接。8CI問題診斷8.1概述CI試驗主要用來評估EUT對由電磁輻射感應的沿I/O電纜或電源電纜傳導干擾信號的符合性。試驗頻率范圍通常為150kHz～80MHz(也可擴展到230MHz),施加的電壓有效值通常為1V~10V,具體取決于EUT所處的環(huán)境或其實際使用的環(huán)境。在車輛等領域，規(guī)定的試驗頻率范圍上限通常為400MHz(也可擴展到1GHz)。試驗方法采用感應電流注入方式，要求施加的電流電平通常為60mA～300mA。8.2CI檢查清單在大多數(shù)情況下，用于RI和CE的檢查清單也適用于CI,因為接收外部射頻電磁能量的耦合振子(電纜和外殼縫隙)通過交叉耦合或在抑制感應能量的濾波器失效時能將這些射頻電磁場能量傳導進EUT。CI問題診斷的檢查清單如下：——I/O或電源的電纜端口濾波不好；——電纜的屏蔽層與EUT的屏蔽殼體或PCB參考接地點的搭接不良；——屏蔽殼體之間的高阻抗搭接；——視頻/LCD顯示屏的孔縫過大；——接地點高阻抗接地；——關鍵電路處(例如CPU復位線或模擬輸入或傳感器輸入)的射頻旁路不夠充分。8.3典型的失效模式EUT的典型失效模式如下：——重新啟動；——硬件電路受到破壞；——顯示屏上出現(xiàn)錯誤讀數(shù)；——聲音出現(xiàn)干擾雜音、無聲、卡頓、音頻或音高失真等異常；——數(shù)據(jù)丟失；——高誤碼率(BER);——工作狀態(tài)發(fā)生改變(例如，模式、時序等);——EUT響應靈敏度的喪失。8.4CI故障診斷8.4.1在實驗室進行CI故障診斷CI試驗的射頻電磁干擾注入方法主要有耦合/去耦裝置(CDN)注入、電磁鉗注入和電流鉗注入，其中CDN和電磁鉗注入法主要依據(jù)GB/T17626.6按電纜逐根進行試驗；對于電流鉗注入法，依據(jù)GB/T17626.6按電纜逐根進行試驗，在車輛相關標準中，通常按照線束進行試驗，一個線束可能包含多根導線，例如同時包含電源線和I/O線等。此外，CDN注入法可將射頻電磁干擾信號耦合給連接EUT的各種受試電纜，并防止干擾信號影響EUT以外的輔助設備或系統(tǒng)；而電磁鉗注入法和電流鉗注入法施加給受試電纜兩端的干擾電流是相同的，此時需要輔助設備有足夠的抗擾能力以不受干擾信號電平的影響。CI故障診斷程序如下?！_認是否為EUT故障。對于工作狀態(tài)可觀察的EUT或沒有輔助設備而獨立運行的EUT,可依據(jù)EUT的功能特性和故障現(xiàn)象來確認為EUT本身故障。否則，需要排除故障來源于受影響的輔助設備和/或供電系統(tǒng)。例如，可采用電壓表監(jiān)視供電電壓，采用經(jīng)過光電隔離的示波器監(jiān)視輸入信號是否正常；可采用能表征輔助設備負載特性的無源負載來代替端接的輔助設備；還可在輔助設備端電纜上加裝鐵氧體扼流圈或插入去耦網(wǎng)絡以隔離可能影響輔助設備的干擾信號。此外，還應注意施加干擾信號的受試電纜對外輻射電磁場的影響。 確定引起故障的干擾信號回路。在EUT端斷開無關故障功能的電纜，并把剩余的電纜分別加裝鐵氧體扼流圈，如果有效，則逐個去掉鐵氧體扼流圈直到故障現(xiàn)象復現(xiàn)以確定干擾信號回路；如果電纜加裝鐵氧體扼流圈無效，則可能是EUT本身對地寄生電容形成干擾信號回路引起的故障。 識別引起故障的干擾信號輸入端口。如果分電纜逐根進行試驗，則易識別所施加干擾信號的電纜端口即為引起故障的輸入端口。如果按照線束進行試驗，則需按照功能端口對受試線束中的導線進行分類，每次移開其中一個功能端口的導線；如有必要，也可每次移開受試線束中的一根導線，直到識別出引起故障的干擾信號輸入端口。在移開導線的過程中，宜使被移開導線與剩余的受試導線之間距離10cm以上，以減小導線間串擾引起的交叉耦合。 確認屏蔽電纜是否良好環(huán)接。通常應檢查電纜屏蔽層與外殼或殼體是否進行良好的搭接，在理想情況下電纜的屏蔽層應與屏蔽殼體進行360°環(huán)接。如果屏蔽層使用“軟辮線”與外殼進行端接，應使用金屬箔圍繞連接器和屏蔽層把“軟辮線”區(qū)域包裹，實現(xiàn)屏蔽層與屏蔽殼體 確定輻射耦合的影響。CI試驗的干擾信號能量可直接耦合給EUT電纜或者通過受試電纜交叉耦合給相鄰的電纜。對于這兩種情況中的任何一種，首先應確定EUT出現(xiàn)的故障是否是由電纜作為天線或屏蔽殼體上的孔縫泄漏產(chǎn)生。8.4.2在自有設施中進行CI故障診斷在實驗室進行CI試驗，如果EUT出現(xiàn)CI故障且試驗現(xiàn)場不具備故障診斷的條件，宜利用自有設施進行故障診斷。可