第三章 晶體三極管及其放大電路

第3章晶體三極管及其放大電路第3章晶體三極管及其放大電路3.1晶體三極管3.2放大電路的組成和工作原理3.3放大電路的分析3.4放大電路的三種接法13.1晶體三極管幾種常見晶體管的外形1.晶體管的結(jié)構(gòu)小功率管中功率管大功率管2晶體管有三個(gè)極、三個(gè)區(qū)、兩個(gè)PN結(jié)。面積大發(fā)射區(qū)：發(fā)射載流子集電區(qū)：收集載流子基區(qū)：傳送和控制載流子3.1晶體三極管32.晶體管的類型與符號箭頭表示發(fā)射結(jié)加正向偏壓時(shí)，發(fā)射極電流的實(shí)際方向

4外部條件發(fā)射區(qū)比基區(qū)重?fù)诫s；基區(qū)很??；集電區(qū)面積大內(nèi)部條件3.1.2晶體管的電流分配與放大作用53.1.2晶體管的電流分配與放大作用擴(kuò)散運(yùn)動形成發(fā)射極電流IE，復(fù)合運(yùn)動形成基極電流IB，漂移運(yùn)動形成集電極電流IC。少數(shù)載流子的運(yùn)動因發(fā)射區(qū)多子濃度高使大量電子從發(fā)射區(qū)擴(kuò)散到基區(qū)因基區(qū)薄且多子濃度低，使擴(kuò)散到基區(qū)的電子（非平衡少子）中的極少數(shù)與空穴復(fù)合因集電區(qū)面積大，在外電場作用下大部分?jǐn)U散到基區(qū)的電子漂移到集電區(qū)基區(qū)空穴的擴(kuò)散6電流分配：IE＝IB＋I(xiàn)C

3個(gè)電極的電流關(guān)系IE>IC>IB

交流電流放大系數(shù)直流電流放大系數(shù)大表示只要基極電流很小的變化，就可以控制產(chǎn)生集電極電流大的變化，即電流放大作用好。3.1.2晶體管的電流分配與放大作用73.1.2晶體管的電流分配與放大作用在考慮基區(qū)多子擴(kuò)散運(yùn)動和集電區(qū)少子運(yùn)動的情況下有式中是發(fā)射極開路時(shí)，集電極的反向飽和電流，ICEO是基極開路（）時(shí)，集電極和發(fā)射極之間流過的穿透電流，即集電極電流IC的主要成分是由發(fā)射極電流IE轉(zhuǎn)化而來的，為了反映這個(gè)轉(zhuǎn)化的比例關(guān)系，定義共基極直流電流放大系數(shù)為與的關(guān)系：或8放大的條件：發(fā)射結(jié)正向偏置，

集電結(jié)反向偏置。NPN型：VC>VB>VEPNP型：VE>VB>VCPNP管IE流進(jìn)PNP管IC流出PNP管IB流出3.1.2晶體管的電流分配與放大作用93.1.2晶體管的電流分配與放大作用【例】一個(gè)晶體管的發(fā)射極電流為12.1mA，集電極電流為12.0mA，晶體管的是多少？解：首先求基極電流然后求出

103.1.2晶體管的電流分配與放大作用【例】在某放大電路中，晶體管的3個(gè)電極的電流如圖6.1.5所示，已知，I1=－1.5mA，I2=－0.03mA。(1)求出另一個(gè)電極電流I3的大??；(2)試確定晶體管是PNP型還是NPN型，并區(qū)分出各電極；(3)近似確定出該管電流放大系數(shù)解：(1)由KCL，將三極管看成是一個(gè)節(jié)點(diǎn)，可以得到：(mA)113.1.2晶體管的電流分配與放大作用I1=－1.5mA，I2=－0.03mAI3=1.53mA(2)根據(jù)三極管3個(gè)電極的電流關(guān)系IE>IC>IB，故得①→c，②→b，③→e。由于發(fā)射極電流的實(shí)際方向?yàn)橄蚶?，所以此晶體管為PNP型管。(3)可以求得電流放大系數(shù)：12為什么UCE增大曲線右移？對于小功率晶體管，UCE大于1V的一條輸入特性曲線可以取代UCE大于1V的所有輸入特性曲線。為什么像PN結(jié)的伏安特性？為什么UCE增大到一定值曲線右移就不明顯了？1.輸入特性發(fā)射結(jié)電壓UBE硅管:0.6V~0.7V,鍺管:0.2v~0.3V相當(dāng)于兩個(gè)并聯(lián)PN結(jié)更多的電子被集電極收集，iB減小，同樣uBE下，曲線右移大部分電子都被拉過去3.1.3晶體管的共射特性曲線13對應(yīng)于一個(gè)IB就有一條iC隨uCE變化的曲線。為什么uCE較小時(shí)iC隨uCE變化很大？為什么進(jìn)入放大狀態(tài)曲線幾乎是橫軸的平行線？飽和區(qū)放大區(qū)截止區(qū)大部分電子都被拉過去，iC不再增加2.輸出特性14截止區(qū)：iB=0的曲線下方。iC=ICEOuBE小于死區(qū)電壓,為了可靠截止，常使得發(fā)射結(jié)和集電結(jié)均反偏。

飽和區(qū)放大區(qū)截止區(qū)放大區(qū)：iC平行于uCE軸的區(qū)域，曲線基本平行等距。此時(shí)，發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏。飽和區(qū)：iC明顯受uCE控制的區(qū)域，該區(qū)域內(nèi)，uCE＜UCES(飽和壓降)。此時(shí)，發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)正偏。UCES硅管UCES≈0.3V,鍺管UCES≈0.1V輸出特性曲線的三個(gè)區(qū)域:15

晶體管工作在放大狀態(tài)時(shí)，輸出回路的電流iC幾乎僅僅決定于輸入回路的電流iB，即可將輸出回路等效為電流iB

控制的電流源iC

。狀態(tài)uBEiCuCE截止＜UonICEOVCC放大≥UonβiB≥uBE飽和≥Uon＜βiB≤uBE晶體管的三個(gè)工作區(qū)域16晶體管的三個(gè)工作區(qū)域

晶體管截止?fàn)顟B(tài)模型晶體管放大狀態(tài)模型

晶體管飽和狀態(tài)模型

iB=0iE=iC=iCEO=0UBE=UBE(0n)iC=βiBUCE=UCES17NPN型PNP型中間電位為BBB與B腳相差0.6V~0.7V為E腳，是硅管；相差0.2V~0.3V為E腳，是鍺管EE剩下的為C腳CC硅管鍺管NPNPNP【例3.1.3】

已知工作在放大區(qū)，今測得它們的管腳對地電位如下圖所示，試判別三極管的三個(gè)管腳，說明是硅管還是鍺管？是NPN還是PNP型三極管？3.1.3晶體管的共射特性曲線183.1.4晶體管的主要參數(shù)A點(diǎn)對應(yīng)的iC=6mA，iB=40μA1.電流放大系數(shù)估算時(shí)，可認(rèn)為，故可以混用。A3DG6的輸出特性19β值的求法：在A點(diǎn)附近找兩個(gè)uCE相同的點(diǎn)C和D所以對應(yīng)于C點(diǎn)，iC=8.8mA，B=60μA；對應(yīng)于D點(diǎn)，iC=3.3mA，iB=20μA，△iC

=8.8-3.3=5.5mA，△iB=60-20=40μA，共射交流電流放大系數(shù)β3DG6的輸出特性3.1.4晶體管的主要參數(shù)ACD202.極間反向電流ICBO、ICEOICEO=（1+）ICBO

由圖可見，ICEO不單純是一個(gè)PN結(jié)的反向電流所以，β大的三極管的溫度穩(wěn)定性較差I(lǐng)CBO是少數(shù)載流子電流，受溫度影響很大，ICBO越小越好。3.1.4晶體管的主要參數(shù)21c-e間擊穿電壓最大集電極電流最大集電極耗散功率，PCM＝iCuCE3.極限參數(shù)：ICM、PCM、U（BR）CEO3.1.4晶體管的主要參數(shù)安全工作區(qū)22例如，3DG4的PCM=300mW根據(jù)iCuCE=300mW，可以計(jì)算出功率損耗線上的點(diǎn)：uCE=5V時(shí)iC=60mA；uCE=l0V時(shí)iC=30mA；uCE=15V時(shí)，iC=20mA；uCE=20V時(shí)，iC=l5mA；uCE=30V時(shí)，iC=l0mA；uCE=40V時(shí)，iCE=7.5mA等等。在輸出特性坐標(biāo)上找出這些點(diǎn)，并將它們連成一條曲線即為最大功率損耗線，如圖所示。3DG4的安全工作區(qū)曲線的左下方均滿足此PC<PCM條件。3.1.4晶體管的主要參數(shù)23討論一由圖示特性求出PCM、ICM、U（BR）CEO

、β。3.1.4晶體管的主要參數(shù)2.7U（BR）CEOuCE=1V時(shí)的iC就是ICM24VBB、Rb：使UBE＞Uon，且有合適的IB。VCC：使UCE≥UBE，同時(shí)作為負(fù)載的能源。Rc：將ΔiC轉(zhuǎn)換成ΔuCE(uO)。動態(tài)信號作用時(shí)：輸入電壓ui為零時(shí)，晶體管各極的電流、b-e間的電壓、管壓降稱為靜態(tài)工作點(diǎn)Q，記作IBQ、ICQ（IEQ）、UBEQ、UCEQ。共射1.電路的組成及各元件的作用一、基本共射放大電路的工作原理3.2放大電路的組成和工作原理25

輸出電壓必然失真！

設(shè)置合適的靜態(tài)工作點(diǎn)，首先要解決失真問題，但Q點(diǎn)幾乎影響著所有的動態(tài)參數(shù)！為什么放大的對象是動態(tài)信號，卻要晶體管在信號為零時(shí)有合適的直流電流和極間電壓？2.設(shè)置靜態(tài)工作點(diǎn)的必要性26動態(tài)信號馱載在靜態(tài)之上與iC變化方向相反輸出和輸入反相！3、基本共射放大電路的波形分析27飽和失真底部失真截止失真頂部失真

要想不失真，就要在信號的整個(gè)周期內(nèi)保證晶體管始終工作在放大區(qū)！3、基本共射放大電路的波形分析28二、如何組成放大電路靜態(tài)工作點(diǎn)合適：合適的直流電源、合適的電路參數(shù)。動態(tài)信號能夠作用于晶體管的輸入回路，在負(fù)載上能夠獲得放大了的動態(tài)信號。對實(shí)用放大電路的要求：共地、直流電源種類盡可能少、負(fù)載上無直流分量。1.組成原則29問題：1.兩個(gè)電源2.信號源與放大電路不“共地”共地，且要使信號馱載在靜態(tài)之上靜態(tài)時(shí)，動態(tài)時(shí)，b-e間電壓是uI與VCC的共同作用的結(jié)果。將兩個(gè)電源合二為一有直流分量有交流損失（1）直接耦合放大電路2.兩種實(shí)用放大電路30（2）阻容耦合放大電路耦合電容的容量應(yīng)足夠大，即對于交流信號近似為短路。其作用是“隔離直流、通過交流”。靜態(tài)時(shí)，C1、C2上電壓？C1、C2為耦合電容！2.兩種實(shí)用放大電路31（2）阻容耦合放大電路動態(tài)時(shí)，uBE＝uI＋UBEQ，信號馱載在靜態(tài)之上。負(fù)載上只有交流信號。32討論：

試用PNP型管分別組成直接耦合和阻容耦合共射放大電路。二、如何組成放大電路336.3放大電路的分析343.3.1放大電路的直流通路和交流通路1.直流通路：①

Us=0，保留Rs；②電容開路；③電感相當(dāng)于短路（線圈電阻近似為0）。2.交流通路：①大容量電容相當(dāng)于短路；②直流電壓源相當(dāng)于短路（內(nèi)阻為0）。直流流過的路徑交流流過的路徑畫法：35列晶體管輸入、輸出回路方程，將UBEQ作為已知條件，令I(lǐng)CQ＝βIBQ，可估算出靜態(tài)工作點(diǎn)Q。1.直流通路1.直流通路：①

us=0，保留Rs；②電容開路；③電感相當(dāng)于短路（線圈電阻近似為0）（一）基本共射放大電路的直流通路和交流通路362.交流通路2.交流通路：①大容量電容相當(dāng)于短路；②直流電壓源相當(dāng)于短路（內(nèi)阻為0）（一）基本共射放大電路的直流通路和交流通路371.直流通路1.直流通路：①

us=0，保留Rs；②電容開路；③電感相當(dāng)于短路（線圈電阻近似為0）（二）阻容耦合單管共射放大電路的直流通路和交流通路直流通路382.交流通路2.交流通路：①大容量電容相當(dāng)于短路；②直流電壓源相當(dāng)于短路（內(nèi)阻為0）（二）阻容耦合單管共射放大電路的直流通路和交流通路39【例3.3.1】畫出圖（a）所示放大電路的直流通路和交流通路3.3.1放大電路的直流通路和交流通路解：

ui短路，電容開路

,得直流通路如圖（b）所示。電容短路，直流電源+VCC對地短路

得交流通路如圖（c）所示。403.3.1放大電路的直流通路和交流通路【例3.3.2】電路如圖所示，試判斷各電路可否正常放大交流輸入信號，若不能正常放大，則說明原因。設(shè)圖中所有電容對交流信號可視為短路。解：

對應(yīng)的直流和交流通路如圖所示，均不能放大。交流短路截止411.用直流通路計(jì)算靜態(tài)值（估算Q點(diǎn)）直流通路3.3.2靜態(tài)分析當(dāng)VCC>>UBEQ時(shí)，UBEQ硅管:0.6V~0.7V,鍺管:0.2v~0.3V已知：VCC＝12V，Rc＝3kΩRb＝600kΩ，β＝100。Q＝？423.3.2靜態(tài)分析【例3.3.3】

在圖中，已知UBEQ=0.7V，試求該放大電路的靜態(tài)工作點(diǎn)，并說明晶體管的工作狀態(tài)。方法1：假設(shè)為放大狀態(tài)，則有：解：

晶體管工作于發(fā)射結(jié)正偏、集電結(jié)反偏的放大區(qū)。方法2：求飽和電流，則由于

故晶體管處于放大狀態(tài)。43列輸入回路方程

首先，畫出直流通路在輸入回路確定IBQ，UBEQ2.用圖解法確定靜態(tài)值輸入回路負(fù)載線44列輸出回路方程（直流負(fù)載線）在輸出回路確定ICQ，UCEQ2.用圖解法確定靜態(tài)值三極管輸出特性曲線：iC=f(uCE)直流負(fù)載線斜率：?1/RC45減小Rc阻值

負(fù)載線與曲線的交點(diǎn)右移。電路參數(shù)對輸出特性上Q點(diǎn)的影響Rc↓1/Rc↑VCC/Rc↑46

Rb↓1/Rb↑VBB/Rb↑靜態(tài)工作點(diǎn)上移（飽和區(qū)）。uBE

(V)iB

(μA)0QVBBMQ2VBB/RbRb對Q點(diǎn)的影響Q3NRb

↑靜態(tài)工作點(diǎn)下移（截止區(qū)）。電路參數(shù)對輸出特性上Q點(diǎn)的影響471.微變等效電路法放大電路的微變等效電路，就是把非線性元件晶體管所組成的放大電路等效為一個(gè)線性電路，即把晶體管線性化，等效為一個(gè)線性元件。a.晶體管的微變等效電路6.3.3動態(tài)分析（Au、Ri、Ro）48a.晶體管的微變等效電路6.3.3動態(tài)分析（Au、Ri、Ro）當(dāng)輸入信號比較小時(shí)，二極管可以進(jìn)一步用它的小信號電路模型代替，其微變電阻rbe在共發(fā)射極連接時(shí)，其一般電路模型可由圖(b)描述。輸入端是一個(gè)二極管，輸出端則是受控電流源βiB491.微變等效電路法晶體管的微變等效電路a.晶體管的微變等效電路當(dāng)0.1mA

IEQ

5mA時(shí)與Q點(diǎn)有關(guān)IEQ為靜態(tài)時(shí)的發(fā)射極電流mAUT稱為熱電壓，常溫下取值26(mV)rbb'稱為晶體管的基區(qū)體電阻，可查手冊得到，近似取值300Ω50交流通路微變等效電路（b）放大電路的微變等效電路51根據(jù)則電壓增益為（可作為公式）輸出電壓與輸入電壓相位相反。①求電壓放大倍數(shù)（電壓增益）52Ri是放大電路的輸入電阻，也是信號源的負(fù)載電阻，也就是從放大電路輸入端看進(jìn)去的交流等效電阻。如果Ri小，則：1.放大電路將從信號源取用較大電流，增加信號源的負(fù)擔(dān)；2.經(jīng)過信號源內(nèi)阻Rs

和Ri分壓，實(shí)際加到Ri上的電壓ui減小,從而減小了uo對上述電路通常希望Ri高一些②求輸入電阻53Ro=Rc

所以求等效輸出電阻時(shí)，用外加電源法：獨(dú)立電源置0，負(fù)載斷開放大電路對負(fù)載（或后級放大電路）來說，相當(dāng)于一信號源，其內(nèi)阻即為放大電路的輸出電阻Ro。③求輸出電阻54當(dāng)Ro<<RL時(shí)，輸出信號電壓。當(dāng)RL在較大范圍內(nèi)變化時(shí)，就可基本維持輸出信號電壓的恒定。如果輸出電阻Ro很大，滿足Ro>>RL的條件，則輸出信號電流。當(dāng)RL在較大范圍內(nèi)變化時(shí)，就可維持輸出信號電流的恒定。放大器在不同負(fù)載條件下維持輸出信號電壓（或電流）恒定的能力稱為帶負(fù)載能力。輸出電阻Ro

55Ri為放大電路的輸入電阻放大電路對信號源(或前級放大電路)來說是一負(fù)載，可用一電阻Ri等效代替④源電壓放大倍數(shù)定義56輸入電阻中不應(yīng)含有Rs!輸出電阻中不應(yīng)含有RL!1.微變等效電路法57解（1）求Q點(diǎn)，作直流通路（1）試求該電路的靜態(tài)工作點(diǎn)；（2）畫出簡化的小信號等效電路；（3）求該電路的電壓增益Au，輸出電阻Ro、輸入電阻Ri。例如圖，已知BJT的β=100，UBE=-0.7V。1.微變等效電路法58＝200+（1+100）26/4=865歐（2）畫出微變等效電路（3）

求電壓增益59（5）

求輸出電阻Ro=Rc

=2kΩ（4）求輸入電阻1.微變等效電路法60小結(jié)等效電路法的步驟(歸納)1.首先利用圖解法或近似估算法確定放大電路的靜態(tài)工作點(diǎn)

Q

。2.求出靜態(tài)工作點(diǎn)處的微變等效電路，參數(shù)rbe，β已知。3.畫出放大電路的微變等效電路。可先畫出放大電路的交流通路，然后將三極管換成其微變等效電路即可。4.列出電路方程并求解。612.圖解法顯然此方程描述的是關(guān)于uCE和iC的一條直線，此直線的斜率為–1/RL',且過(UCEQ,ICQ)點(diǎn)。此直線稱為交流負(fù)載線。622.圖解法直流負(fù)載線斜率：–1/Rc交流負(fù)載線過Q點(diǎn)，斜率為–1/RL'交流負(fù)載線斜率：–1/RL'632.圖解法輸出與輸入反相！643.3.4.動態(tài)分析之失真分析飽和失真截止失真1、非線性失真653.3.4.動態(tài)分析之失真分析正常放大：輸出與輸入反相飽和失真：負(fù)半周被削頂在輸入回路首先產(chǎn)生失真！截止失真：正半周被削頂，663.3.4.動態(tài)分析之失真分析消除失真的方法：截止失真：Q點(diǎn)上移Rb↓飽和失真：Q點(diǎn)下移Rb↑Q點(diǎn)右移Rc↓不是一個(gè)好方法67Uom=?Q點(diǎn)在什么位置Uom最大？交流負(fù)載線應(yīng)過Q點(diǎn)，且斜率決定于（Rc∥RL）直流負(fù)載線和交流負(fù)載線68UR=UCEQ-UCES

對于小功率硅管，UCES一般取0.5~1V。2.最大輸出電壓幅值受飽和失真限制求UR受截止失真限制求UF691、輸出波形頂部失真時(shí)：對NPN管，是截止失真；對PNP管，是飽和失真2、輸出波形底部失真時(shí)：對NPN管，是飽和失真；對PNP管，是截止失真與是什么放大電路也有關(guān)，比如共射電路或共集電極電路。NPN，比如同是消底，共射電路是飽和失真，共集電極電路就是截止失真。iC

、uCE(uo)波形失真總結(jié)70

1.能夠形象地顯示靜態(tài)工作點(diǎn)的位置與非線性失真的關(guān)系；

2.方便估算最大輸出幅值的數(shù)值；

3.可直觀表示電路參數(shù)對靜態(tài)工作點(diǎn)的影響；

4.有利于對靜態(tài)工作點(diǎn)Q

的檢測等。

缺點(diǎn)：不夠精確，過程較慢，人為因素很大。圖解法小結(jié)713.3.4.動態(tài)分析之失真分析【例】電路如圖所示，已知晶體管VT為鍺管，rbb'=300Ω，UBE(on)=?0.3V，UCES=?0.5V

C1和C2對交流信號可視為短路；試求：（1）靜態(tài)工作點(diǎn)Q；（2）電壓放大倍數(shù)，輸入電阻、輸出電阻和動態(tài)范圍UP-P。解：(1)靜態(tài)分析：723.3.4.動態(tài)分析之失真分析(2)畫出微變等效電路(3)動態(tài)分析Ri=Rb//rbe≈rbe=1.1(kΩ)Ro=Rc=2(kΩ)733.3.4.動態(tài)分析之失真分析Uomax=min{|UCEQ|?|UCES|,ICQRL'}=min{8.1?0.5,1.95×1}=1.95(V)UP-P=2Uomax=3.9(V)(4)動態(tài)范圍74

所謂Q點(diǎn)穩(wěn)定，是指ICQ和UCEQ在溫度變化時(shí)基本不變，這是靠IBQ的變化得來的。若溫度升高時(shí)要Q'回到Q，則只有減小IBQ。T（℃）→β↑→Q上移至Q'

(進(jìn)入飽和)ICEO↑若UBEQ不變IBQ↑1.溫度對靜態(tài)工作點(diǎn)的影響3.4.1、靜態(tài)工作點(diǎn)穩(wěn)定的共射放大電路3.4晶體管放大電路的三種接法→ICQ↑Q'75直流通路？Ce為旁路電容，在交流通路中可視為短路（1）電路組成加了Rb1和Re，構(gòu)成基極分壓式射極偏置電路2、靜態(tài)工作點(diǎn)穩(wěn)定的典型電路76為了穩(wěn)定Q點(diǎn)，通常I1>>IBQ，即I1≈I2；因此基本不隨溫度變化若使VBQ>>UBEQ，則IEQ穩(wěn)定一般對硅管，取I1=(5~10)IBQ

，VBQ=(5~10)UBEQT(℃)↑→ICQ↑→IEQ↑→

UEQ

(IEQRe)↑→UBEQ↓(UB基本不變)→IBQ↓→ICQ↓這種電路穩(wěn)定工作點(diǎn)的過程：（2）穩(wěn)定原理77T(℃)↑→IC↑→VE↑→UBE↓（VB基本不變）→IB↓→IC↓Re起直流負(fù)反饋?zhàn)饔?，其值越大，反饋越?qiáng)，Q點(diǎn)越穩(wěn)定。關(guān)于反饋的一些概念：將輸出量通過一定的方式引回輸入回路影響輸入量的措施稱為反饋。直流通路中的反饋稱為直流反饋。反饋的結(jié)果使輸出量的變化減小的稱為負(fù)反饋，反之稱為正反饋。Re有上、下限值嗎？IC通過Re轉(zhuǎn)換為ΔUE影響UBE溫度升高IC增大，反饋的結(jié)果使之減小Re的作用UBE=VB－ICRe78（3）Q點(diǎn)分析分壓式電流負(fù)反饋工作點(diǎn)穩(wěn)定電路Rb上靜態(tài)電壓是否可忽略不計(jì)？判斷方法：79如何提高電壓放大能力？（4）動態(tài)分析有旁路電容Ce時(shí)：80利?弊?雖Re使Au減小，但Au僅取決于電阻值，不受溫度影響，溫度穩(wěn)定性好比較無旁路電容Ce時(shí)：（4）動態(tài)分析折合的概念813.4.1、靜態(tài)工作點(diǎn)穩(wěn)定的共射放大電路【例】在圖示分壓式偏置放大電路中，已知晶體管的UBE(on)=0.7V，試計(jì)算：（1）靜態(tài)工作點(diǎn)；（2）計(jì)算該電路的電壓放大倍數(shù)，輸入電阻Ri和輸出電阻Ro。解：（1）靜態(tài)工作點(diǎn)823.4.1、靜態(tài)工作點(diǎn)穩(wěn)定的共射放大電路(2)畫微變等效電路(3)動態(tài)分析Ro=Rc=2kΩ833.4.1、靜態(tài)工作點(diǎn)穩(wěn)定的共射放大電路【例】在上例中，如果沒有并聯(lián)旁路電容Ce，試計(jì)算：(1)計(jì)算該電路的電壓放大倍數(shù)，(2)輸入電阻Ri和輸出電阻Ro。解：沒有并聯(lián)旁路電容Ce的直流分析同上題一樣。843.4.1、靜態(tài)工作點(diǎn)穩(wěn)定的共射放大電路此時(shí)的微變等效電路如圖所示Ro=Rc=2(kΩ)853.穩(wěn)定靜態(tài)工作點(diǎn)的方法引入直流負(fù)反饋溫度補(bǔ)償：利用對溫度敏感的元件，在溫度變化時(shí)直接影響輸入回路。例如，Rb1或Rb2采用熱敏電阻。它們的溫度系數(shù)？86討論一圖示兩個(gè)電路中是否采用了措施來穩(wěn)定靜態(tài)工作點(diǎn)？若采用了措施，則是什么措施？a：T增大，Ic增大，IcR3增大，UCQ減小，IB減小，IC減小直流負(fù)反饋，穩(wěn)定靜態(tài)工作點(diǎn)b：若VCC較大，流過Rb的電流