GB/T 44004-2024納米技術(shù)有機(jī)晶體管和材料表征試驗(yàn)方法

ICS07030

CCSL.90

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T44004—2024

納米技術(shù)

有機(jī)晶體管和材料表征試驗(yàn)方法

Nanotechnologies—Testmethodsforthecharacterizationof

organictransistorsandmaterials

IEC628602013Testmethodsforthecharacterizationof

(:,

oranictransistorsandmaterialsMOD

g,)

2024-04-25發(fā)布2024-11-01實(shí)施

國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局發(fā)布

國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T44004—2024

目次

前言

…………………………Ⅲ

引言

…………………………Ⅳ

范圍

1………………………1

規(guī)范性引用文件

2…………………………1

術(shù)語(yǔ)定義和縮略語(yǔ)

3、………………………1

術(shù)語(yǔ)和定義

3.1…………………………1

縮略語(yǔ)

3.2………………4

電學(xué)特性通則

4……………4

測(cè)試儀器

4.1……………4

測(cè)試技術(shù)

4.2……………4

重復(fù)性和報(bào)告樣本量

4.3………………5

低噪聲技術(shù)的應(yīng)用

4.4…………………5

標(biāo)準(zhǔn)表征程序

5OFET……………………5

表征過(guò)程指南

5.1OFET………………5

電氣測(cè)量

5.2……………7

報(bào)告

6………………………9

簡(jiǎn)易報(bào)告

6.1……………9

器件結(jié)構(gòu)的報(bào)告

6.2……………………9

器件遷移率的測(cè)定和報(bào)告

6.3…………10

開(kāi)關(guān)比的測(cè)定和報(bào)告

6.4………………11

介電常數(shù)的測(cè)定和報(bào)告

6.5……………11

環(huán)境條件的報(bào)告

6.6……………………11

其他可報(bào)告參數(shù)

6.7……………………11

參考文獻(xiàn)

……………………13

Ⅰ

GB/T44004—2024

前言

本文件按照標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第部分標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則的規(guī)定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

本文件修改采用有機(jī)晶體管和材料表征試驗(yàn)方法

IEC62860:2013《》。

本文件與相比做了下述結(jié)構(gòu)調(diào)整

IEC62860:2013:

第章對(duì)應(yīng)中的

———1IEC62860:20131.1;

增加了第章規(guī)范性引用文件

———2;

第章對(duì)應(yīng)中的第章

———3IEC62860:20132;

調(diào)整了中術(shù)語(yǔ)和定義的編排順序以符合術(shù)語(yǔ)條目按照概念層級(jí)分類(lèi)和編排的原則

———3.1,;

第章對(duì)應(yīng)中的

———4IEC62860:20131.3;

第章對(duì)應(yīng)中的

———5IEC62860:20133.2~3.3;

對(duì)應(yīng)中的

———6.1IEC62860:20133.4.1;

對(duì)應(yīng)中的

———6.2IEC62860:20133.1;

對(duì)應(yīng)中的

———6.3~6.5IEC62860:20133.4.2~3.4.4;

對(duì)應(yīng)中的

———6.6IEC62860:20133.4.5;

對(duì)應(yīng)中的

———6.7IEC62860:20133.4.6;

參考文獻(xiàn)對(duì)應(yīng)中的附錄

———IEC62860:2013A。

本文件與的技術(shù)差異及其原因如下

IEC62860:2013:

刪除了中目的以符合中的規(guī)定

———IEC62860:20131.2“”,GB/T1.1—2020;

將中引導(dǎo)語(yǔ)的第二句改為注以符合中的規(guī)定見(jiàn)

———IEC62860:20132.1,GB/T1.1—2020(

3.1);

刪除了術(shù)語(yǔ)開(kāi)啟電壓底接觸器件底柵器件頂接觸器件頂柵器件激勵(lì)電壓大地

———“”“”“”“”“”“”“

接地電磁干擾射頻干擾亞閾值擺幅因?yàn)楸疚募羞@些術(shù)語(yǔ)僅使用了一次

”“/”“”,;

刪除了縮略語(yǔ)和因?yàn)楸疚募词褂眠@些縮

———EMI、IEEE、NIST、OET、OST、PFET、RFIUV,

略語(yǔ)

。

本文件做了下列編輯性改動(dòng)

:

為與現(xiàn)有標(biāo)準(zhǔn)協(xié)調(diào)將標(biāo)準(zhǔn)名稱(chēng)改為納米技術(shù)有機(jī)晶體管和材料表征試驗(yàn)方法

———,《》;

增加了公式公式中符號(hào)的說(shuō)明及單位

———(1)~(5);

由于中的附錄不適用于本文件刪除了資料性附錄

———IEC62860:2013B,B。

請(qǐng)注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專(zhuān)利本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識(shí)別專(zhuān)利的責(zé)任

。。

本文件由中國(guó)科學(xué)院提出

。

本文件由全國(guó)納米技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)歸口

(SAC/TC279)。

本文件起草單位深圳市德方納米科技股份有限公司國(guó)家納米科學(xué)中心深圳大學(xué)中國(guó)科學(xué)院上

:、、、

海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所中國(guó)科學(xué)院微電子研究所深圳市德方創(chuàng)域新能源科技有限公司中國(guó)計(jì)

、、、

量大學(xué)

。

本文件主要起草人孔令涌葛廣路翟永彪高潔宋志棠夏洋王遠(yuǎn)航孫言陳小剛金青青

:、、、、、、、、、、

邱志平裴現(xiàn)一男陳心怡何萌張淑琴鐘麗坤

、、、、、。

Ⅲ

GB/T44004—2024

引言

本文件涵蓋了有機(jī)晶體管電學(xué)特性表征的推薦方法和報(bào)告要求由于有機(jī)晶體管的特性如果操

。,

作不當(dāng)會(huì)引入較大的測(cè)量誤差本文件描述了常見(jiàn)的測(cè)量誤差來(lái)源并給出了推薦的操作方法以最

,。,,

小化和或表征每種測(cè)量的影響

/。

為了使分析報(bào)告數(shù)據(jù)規(guī)范化本文件還給出了報(bào)告要求包括環(huán)境條件和樣本量的描述以便研究

,,,

人員可恰當(dāng)?shù)卦u(píng)估結(jié)果這些報(bào)告要求還支持結(jié)果的可重復(fù)性分析以便更有效地確認(rèn)新的發(fā)現(xiàn)

。,。

本文件旨在促進(jìn)有機(jī)晶體管從實(shí)驗(yàn)室向產(chǎn)業(yè)化發(fā)展標(biāo)準(zhǔn)化的表征方法和報(bào)告要求為信息的有效

。

比較提供了一種手段并為生產(chǎn)制造奠定了基礎(chǔ)

,。

Ⅳ

GB/T44004—2024

納米技術(shù)

有機(jī)晶體管和材料表征試驗(yàn)方法

1范圍

本文件描述了一種表征有機(jī)晶體管的方法包括測(cè)量技術(shù)數(shù)據(jù)報(bào)告方法和表征過(guò)程的測(cè)試條件

,、。

本文件適用于有機(jī)晶體管的電學(xué)特性測(cè)量

。

2規(guī)范性引用文件

本文件沒(méi)有規(guī)范性引用文件

。

3術(shù)語(yǔ)定義和縮略語(yǔ)

、

31術(shù)語(yǔ)和定義

.

下列術(shù)語(yǔ)和定義適用于本文件

。

注對(duì)于本條中未定義的術(shù)語(yǔ)參考

:IEEE100。

311

..

源極source

電流由半導(dǎo)體溝道的電導(dǎo)率控制的器件電極

。

注器件內(nèi)的所有電壓通常以源極上的電壓為參考

:。

312

..

漏極drain

電流由半導(dǎo)體溝道的電導(dǎo)率控制的器件電極

。

注漏極通常與源極是相同的漏極相對(duì)于源極的偏壓符號(hào)取決于多數(shù)載流子的性質(zhì)偏壓對(duì)電子而言更正對(duì)

:。。