2022-2023學(xué)年高二物理競賽課件：金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管基礎(chǔ)_第1頁
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文檔簡介

金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管基礎(chǔ)11.1MOS電容

MOS電容結(jié)構(gòu)氧化層厚度氧化層介電常數(shù)Al或高摻雜的多晶Sin型Si或p型SiSiO2實(shí)際的鋁線-氧化層-半導(dǎo)體

（M:約10000AO:250AS:約0.5~1mm）11.1MOS電容

表面能帶圖:p型襯底(1)負(fù)柵壓情形導(dǎo)帶底能級(jí)禁帶中心能級(jí)費(fèi)米能級(jí)價(jià)帶頂能級(jí)11.1MOS電容

表面能帶圖:p型襯底(2)小的正柵壓情形大的正柵壓情形(耗盡層)(反型層+耗盡層)11.1MOS電容

表面能帶圖:n型襯底(1)正柵壓情形11.1MOS電容

表面能帶圖:n型襯底(2)小的負(fù)柵壓情形大的負(fù)柵壓情形(耗盡層)n型(反型層+耗盡層)n型小節(jié)內(nèi)容11.1.1能帶圖隨便畫能帶圖,要知道其半導(dǎo)體類型加什么電壓往那里彎曲11.1MOS電容

空間電荷區(qū)厚度:表面耗盡情形費(fèi)米勢(shì)表面勢(shì)表面空間電荷區(qū)厚度半導(dǎo)體表面電勢(shì)與體內(nèi)電勢(shì)之差半導(dǎo)體體內(nèi)費(fèi)米能級(jí)與禁帶中心能級(jí)之差的電勢(shì)表示采用單邊突變結(jié)的耗盡層近似P型襯底11.1MOS電容

空間電荷區(qū)厚度:表面反型情形閾值反型點(diǎn)條件：表面處的電子濃度=體內(nèi)的空穴濃度表面空間電荷區(qū)厚度P型襯底表面電子濃度：體內(nèi)空穴濃度：柵電壓=閾值電壓表面空間電荷區(qū)厚度達(dá)到最大值11.1MOS電容

空間電荷區(qū)厚度:n型襯底情形閾值反型點(diǎn)條件：表面勢(shì)=費(fèi)米勢(shì)的2倍，表面處的空穴濃度=體內(nèi)的電子濃度，柵電壓=閾值電壓表面空間電荷區(qū)厚度表面勢(shì)n型襯底

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