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文檔簡介
光學連續(xù)性方程
連續(xù)性方程是描述半導體在外界作用下產(chǎn)生非平衡載流子時,載流子濃度n=n(x,y,z,t),p=p(x,y,z,t)如何隨時間和空間位置變化的方程。一、載流子的流密度和電流密度
⒈流密度:單位時間通過單位截面積的粒子數(shù)。⒉在雜質(zhì)分布均勻,熱平衡時的半導體中,無載流子擴散。當半導體的局部區(qū)域產(chǎn)生非平衡載流子時,由于載流子濃度的不均勻,將發(fā)生載流子由高濃度區(qū)向低濃度區(qū)的擴散運動。⒊實驗表明:擴散電流∝濃度梯度電子和空穴濃度的乘積為與n0p0=ni2比較,可以看出EFn和EFp之間的距離的大小,直接反映了半導體偏離平衡態(tài)的程度。
①兩者的距離越大,偏離平衡態(tài)越顯著;
②兩者的距離越小,就越接近平衡態(tài);
③當兩者重合時,有統(tǒng)一的費米能級,半導體處于平衡態(tài)。根據(jù)可以得出,在有非平衡載流子存在時,由于n>n0和p>p0,所以無論是EFn還是EFp都偏離EF,EFn偏向?qū)У譋c,而EFp則偏向價帶頂Ev,但是,EFn和EFp偏離EF的程度是不同的。 一般來說,多數(shù)載流子的準費米能級非??拷胶鈶B(tài)的費米能級EF,兩者基本上是重合的,而少數(shù)載流子的準費米能級則偏離EF很大。對于Nd=1015cm-3的N型硅,在注入水平Δp=1011cm-3時,準費米能級偏離平衡態(tài)費米能級的情況如圖7.3所示。圖7.3準費米能級和平衡態(tài)的費米能級
考慮沿x方向的一維擴散,可以寫出
其中Dp稱為空穴擴散系數(shù);Dn稱為電子擴散系數(shù),等式右邊的負號,表示空穴/電子是向著濃度減小的方向流動。
⒋當樣品中在x方向上有電場ε存在時,載流子要作漂移運動.
漂移流密度=載流子濃度×漂移速度
①空穴漂移流密度=pμpε
②電子漂移流密度=-nμnε
其中μp
和μn
分別是空穴和電子的遷移率。式中的負號表示電子漂移運動的方向與電場的方向相反。
5、載流子濃度梯度和電場同時存在時,載流子的流密度等于擴散流密度與漂移流密度之和。
6、電流密度=粒子流密度×粒子電量圖7.4電子和空穴的擴散和漂移
⒎
在三維情況下:在圖7.4中,我們用箭頭表示出電子和空穴的流密度和電流密度之間的關(guān)系。二、愛因斯坦關(guān)系 在熱平衡情況下,在雜質(zhì)非均勻分布的半導體中,存在載流子濃度梯度,由此引起載流子的擴散運動,使載流子有均勻分布的趨勢;但電離雜質(zhì)是固定不動的。這時,半導體中出現(xiàn)空間電荷,因而形成電場。通常稱之為自建電場。該電場引起載流子的漂移運動。在熱平衡情況下,自建電場引起的漂移電流與擴散電流彼此抵消,總的電流密度等于零。以N型半導體為例,平衡時:圖7.5給出了非均勻的N型半導體的能帶圖。平衡時,半導體各處的費米能級都相同。由于存在自建電場,電勢V是坐標x的函數(shù),這將使電子附加靜電勢能-eV(x)。例如導帶底的電子能量Ec(x)可寫為n=n(x)圖7.5非均勻半導體能帶的示意圖由.于是有同理,對于空穴,得出通常把上兩式稱為愛因斯坦關(guān)系。它們只適用于非簡并情況.愛因斯坦關(guān)系是在熱平衡條件下得到的,但非平衡載流子存在時,上述關(guān)系仍然成立。愛因斯坦關(guān)系表明了非簡并條件下載流子遷移率和擴散系數(shù)之間的關(guān)系。
(p176)在簡并情況下,愛因斯坦關(guān)系為三、連續(xù)性方程
在建立連續(xù)性方程時,必須考慮非平衡載流子的產(chǎn)生、復合、擴散和漂移過程的作用。簡約費米能級在一個能帶范圍內(nèi)的非平衡載流子,通過和晶格的頻繁碰撞,在比它們的壽命短得多的時間內(nèi),使自身的能量相應(yīng)于平衡分布。因此,在復合前的絕大部分時間里,非平衡載流子與平衡載流子沒有區(qū)別。!現(xiàn)在我們討論圖7.6中小體積元dxdydz中空穴數(shù)目的變化。令t時刻的空穴濃度為p(x,y,z,t)。而在t+dt時空穴濃度為p(x,y,z,t+dt)。則在dt時間內(nèi),小體積元中空穴數(shù)的變化為:1、擴散和漂移過程:只考慮空穴在x方向的擴散和飄移,引起dt時間內(nèi)空穴積累數(shù)為:圖7.6小體積元中的空穴流yxz流入的空穴數(shù)流出的空穴數(shù)2、產(chǎn)生過程:設(shè)外界作用在單位時間單位體積內(nèi)產(chǎn)生的電子空穴對的數(shù)目(產(chǎn)生率)為G。產(chǎn)生過程引起dt內(nèi)空穴的增加數(shù)為3、復合過程:非平衡空穴的復合率為Δp/て,它表示在單位時間
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