2022-2023學年高二物理競賽課件:光學連續(xù)性方程_第1頁
2022-2023學年高二物理競賽課件:光學連續(xù)性方程_第2頁
2022-2023學年高二物理競賽課件:光學連續(xù)性方程_第3頁
2022-2023學年高二物理競賽課件:光學連續(xù)性方程_第4頁
2022-2023學年高二物理競賽課件:光學連續(xù)性方程_第5頁
已閱讀5頁,還剩6頁未讀 繼續(xù)免費閱讀

下載本文檔

版權(quán)說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請進行舉報或認領(lǐng)

文檔簡介

光學連續(xù)性方程

連續(xù)性方程是描述半導體在外界作用下產(chǎn)生非平衡載流子時,載流子濃度n=n(x,y,z,t),p=p(x,y,z,t)如何隨時間和空間位置變化的方程。一、載流子的流密度和電流密度

⒈流密度:單位時間通過單位截面積的粒子數(shù)。⒉在雜質(zhì)分布均勻,熱平衡時的半導體中,無載流子擴散。當半導體的局部區(qū)域產(chǎn)生非平衡載流子時,由于載流子濃度的不均勻,將發(fā)生載流子由高濃度區(qū)向低濃度區(qū)的擴散運動。⒊實驗表明:擴散電流∝濃度梯度電子和空穴濃度的乘積為與n0p0=ni2比較,可以看出EFn和EFp之間的距離的大小,直接反映了半導體偏離平衡態(tài)的程度。

①兩者的距離越大,偏離平衡態(tài)越顯著;

②兩者的距離越小,就越接近平衡態(tài);

③當兩者重合時,有統(tǒng)一的費米能級,半導體處于平衡態(tài)。根據(jù)可以得出,在有非平衡載流子存在時,由于n>n0和p>p0,所以無論是EFn還是EFp都偏離EF,EFn偏向?qū)У譋c,而EFp則偏向價帶頂Ev,但是,EFn和EFp偏離EF的程度是不同的。 一般來說,多數(shù)載流子的準費米能級非??拷胶鈶B(tài)的費米能級EF,兩者基本上是重合的,而少數(shù)載流子的準費米能級則偏離EF很大。對于Nd=1015cm-3的N型硅,在注入水平Δp=1011cm-3時,準費米能級偏離平衡態(tài)費米能級的情況如圖7.3所示。圖7.3準費米能級和平衡態(tài)的費米能級

考慮沿x方向的一維擴散,可以寫出

其中Dp稱為空穴擴散系數(shù);Dn稱為電子擴散系數(shù),等式右邊的負號,表示空穴/電子是向著濃度減小的方向流動。

⒋當樣品中在x方向上有電場ε存在時,載流子要作漂移運動.

漂移流密度=載流子濃度×漂移速度

①空穴漂移流密度=pμpε

②電子漂移流密度=-nμnε

其中μp

和μn

分別是空穴和電子的遷移率。式中的負號表示電子漂移運動的方向與電場的方向相反。

5、載流子濃度梯度和電場同時存在時,載流子的流密度等于擴散流密度與漂移流密度之和。

6、電流密度=粒子流密度×粒子電量圖7.4電子和空穴的擴散和漂移

在三維情況下:在圖7.4中,我們用箭頭表示出電子和空穴的流密度和電流密度之間的關(guān)系。二、愛因斯坦關(guān)系 在熱平衡情況下,在雜質(zhì)非均勻分布的半導體中,存在載流子濃度梯度,由此引起載流子的擴散運動,使載流子有均勻分布的趨勢;但電離雜質(zhì)是固定不動的。這時,半導體中出現(xiàn)空間電荷,因而形成電場。通常稱之為自建電場。該電場引起載流子的漂移運動。在熱平衡情況下,自建電場引起的漂移電流與擴散電流彼此抵消,總的電流密度等于零。以N型半導體為例,平衡時:圖7.5給出了非均勻的N型半導體的能帶圖。平衡時,半導體各處的費米能級都相同。由于存在自建電場,電勢V是坐標x的函數(shù),這將使電子附加靜電勢能-eV(x)。例如導帶底的電子能量Ec(x)可寫為n=n(x)圖7.5非均勻半導體能帶的示意圖由.于是有同理,對于空穴,得出通常把上兩式稱為愛因斯坦關(guān)系。它們只適用于非簡并情況.愛因斯坦關(guān)系是在熱平衡條件下得到的,但非平衡載流子存在時,上述關(guān)系仍然成立。愛因斯坦關(guān)系表明了非簡并條件下載流子遷移率和擴散系數(shù)之間的關(guān)系。

(p176)在簡并情況下,愛因斯坦關(guān)系為三、連續(xù)性方程

在建立連續(xù)性方程時,必須考慮非平衡載流子的產(chǎn)生、復合、擴散和漂移過程的作用。簡約費米能級在一個能帶范圍內(nèi)的非平衡載流子,通過和晶格的頻繁碰撞,在比它們的壽命短得多的時間內(nèi),使自身的能量相應(yīng)于平衡分布。因此,在復合前的絕大部分時間里,非平衡載流子與平衡載流子沒有區(qū)別。!現(xiàn)在我們討論圖7.6中小體積元dxdydz中空穴數(shù)目的變化。令t時刻的空穴濃度為p(x,y,z,t)。而在t+dt時空穴濃度為p(x,y,z,t+dt)。則在dt時間內(nèi),小體積元中空穴數(shù)的變化為:1、擴散和漂移過程:只考慮空穴在x方向的擴散和飄移,引起dt時間內(nèi)空穴積累數(shù)為:圖7.6小體積元中的空穴流yxz流入的空穴數(shù)流出的空穴數(shù)2、產(chǎn)生過程:設(shè)外界作用在單位時間單位體積內(nèi)產(chǎn)生的電子空穴對的數(shù)目(產(chǎn)生率)為G。產(chǎn)生過程引起dt內(nèi)空穴的增加數(shù)為3、復合過程:非平衡空穴的復合率為Δp/て,它表示在單位時間

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁內(nèi)容里面會有圖紙預覽,若沒有圖紙預覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 人人文庫網(wǎng)僅提供信息存儲空間,僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護處理,對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對任何下載內(nèi)容負責。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當內(nèi)容,請與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準確性、安全性和完整性, 同時也不承擔用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評論

0/150

提交評論