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導(dǎo)體和絕緣體

12導(dǎo)體和絕緣體(conductor.insulator)

它們的導(dǎo)電性能不同,是因?yàn)樗鼈兊哪軒ЫY(jié)構(gòu)不同。晶體按導(dǎo)電性能的高低可以分為導(dǎo)體半導(dǎo)體絕緣體3導(dǎo)體導(dǎo)體導(dǎo)體半導(dǎo)體絕緣體

Eg

Eg

Eg4

在外電場(chǎng)的作用下,大量共有化電子很易獲得能量,集體定向流動(dòng)形成電流。從能級(jí)圖上來(lái)看,是因?yàn)槠涔灿谢娮雍芤讖牡湍芗?jí)躍遷到高能級(jí)上去。E導(dǎo)體5從能級(jí)圖上來(lái)看,是因?yàn)闈M帶與空帶之間有一個(gè)較寬的禁帶(

Eg約3~6eV),共有化電子很難從低能級(jí)(滿帶)躍遷到高能級(jí)(空帶)上去。

在外電場(chǎng)的作用下,共有化電子很難接受外電場(chǎng)的能量,所以形不成電流。

的能帶結(jié)構(gòu),滿帶與空帶之間也是禁帶,但是禁帶很窄(

Eg約0.1~2eV)。絕緣體半導(dǎo)體6絕緣體與半導(dǎo)體的擊穿當(dāng)外電場(chǎng)非常強(qiáng)時(shí),它們的共有化電子還是能越過(guò)禁帶躍遷到上面的空帶中的。絕緣體半導(dǎo)體導(dǎo)體Al1-xGaxAs1-ySby的禁帶寬度隨x、y的變化間接帶隙混合晶體的Eg

隨組分變化的特性

發(fā)光器件

GaAs1-xPx

發(fā)光二極管

x=0.38~0.40時(shí),Eg=1.84~1.94eV

電-空復(fù)合發(fā)出640

~680nm紅光

激光器件

Ga1-xInxP1-yAsy

長(zhǎng)波長(zhǎng)激光器調(diào)節(jié)x、y組分可獲得1.3~1.6m紅外光3.II-VI族化合物半導(dǎo)體的能帶結(jié)構(gòu)二元化合物的能帶結(jié)構(gòu)

導(dǎo)帶極小值和價(jià)帶極大值位于k=0

價(jià)帶包含三個(gè)能帶:重空穴帶V1

輕空穴帶V2

能帶V3(L-S耦合)禁帶寬度較寬

禁帶寬度

ZnS3.6eVZnSe2.58eVZnTe2.28eV

電子有效質(zhì)量

ZnS0.39m0ZnSe0.17m0

ZnTe0.15m0

碲化鎘的能帶室溫下,Eg

~1.50eV8碲化汞的能帶Eg極小且為負(fù)值室溫下,Eg

~-0.15eV半金屬或零帶隙材料8混合晶體的能帶結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體+半金屬,如Hg1-xCdxTe的能帶結(jié)構(gòu)由半金屬向半導(dǎo)體過(guò)渡x0.14x~0.14x~0.

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