第2章 基本物理與PN結(jié)_第1頁
第2章 基本物理與PN結(jié)_第2頁
第2章 基本物理與PN結(jié)_第3頁
第2章 基本物理與PN結(jié)_第4頁
第2章 基本物理與PN結(jié)_第5頁
已閱讀5頁，還剩21頁未讀， 繼續(xù)免費閱讀

下載本文檔

版權(quán)說明：本文檔由用戶提供并上傳，收益歸屬內(nèi)容提供方，若內(nèi)容存在侵權(quán)，請進行舉報或認(rèn)領(lǐng)

文檔簡介

半導(dǎo)體器件原理南京大學(xué)第二章基本物理與PN結(jié)I。若干概念(1)載流子濃度與費米能級半導(dǎo)體器件原理南京大學(xué)（2）遷移率高溫： 晶格散射控制（T-3/2），對載流子濃度相對不敏感；低溫： 雜質(zhì)散射控制，強力依賴于載流子濃度。

MOSFET反型層中遷移率遠(yuǎn)低于體遷移率（表面遷移率）半導(dǎo)體器件原理南京大學(xué)（3）

擴散電流半導(dǎo)體器件原理南京大學(xué)（4）薄層電阻率（5）速度飽和半導(dǎo)體器件原理南京大學(xué)II。器件中的基本方程（1）泊松方程（2）德拜長度(能帶對摻雜突然變化的響應(yīng)長度）半導(dǎo)體器件原理南京大學(xué)（3）電流密度方程（準(zhǔn)費密勢）半導(dǎo)體器件原理南京大學(xué)（4）連續(xù)性方程及少子壽命（5）介質(zhì)馳豫時間（：多子響應(yīng)時間,很小，10-12s）半導(dǎo)體器件原理南京大學(xué)III。P-N結(jié)（1）內(nèi)建勢突變結(jié)半導(dǎo)體器件原理南京大學(xué)半導(dǎo)體器件原理南京大學(xué)半導(dǎo)體器件原理南京大學(xué)半導(dǎo)體器件原理南京大學(xué)（2）薄i層P-I-N二極管半導(dǎo)體器件原理南京大學(xué)半導(dǎo)體器件原理南京大學(xué)（3）二極管方程半導(dǎo)體器件原理南京大學(xué)(1)假設(shè)電壓降僅發(fā)生在耗盡區(qū)，體內(nèi)為準(zhǔn)中性區(qū)(2)若體內(nèi)壓降不可忽略，Vapp必須由V

app代替。半導(dǎo)體器件原理南京大學(xué)（4）電流電壓特性半導(dǎo)體器件原理南京大學(xué)a:均勻摻雜(p-n結(jié)的p區(qū)）半導(dǎo)體器件原理南京大學(xué)b:單邊突變結(jié)（n+-p)正偏反偏半導(dǎo)體器件原理南京大學(xué)c:寬基二極管W/Ln>>1正偏反偏半導(dǎo)體器件原理南京大學(xué)半導(dǎo)體器件原理南京大學(xué)半導(dǎo)體器件原理南京大學(xué)d:窄基二極管

W/Ln<<1正偏反偏半導(dǎo)體器件原理南京大學(xué)e:漏電流擴散電流：正比于ni2，或exp（-Eg/kT）產(chǎn)生電流：正比于ni，或exp（-Eg/2kT）半導(dǎo)體器件原理南京大學(xué)（5）開關(guān)特性充電時間寬基窄基放電時間寬基窄基tB(10-11s)<<

n(10-7s)半導(dǎo)體器件原理南京大學(xué)（6）擴散電容

n+(wide)-p(narrow)結(jié)

CDn>>CDp半導(dǎo)體器件原理南京大學(xué)(7)

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無特殊說明，都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等，如果需要附件，請聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙，網(wǎng)頁內(nèi)容里面會有圖紙預(yù)覽，若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 人人文庫網(wǎng)僅提供信息存儲空間，僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護處理，對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯，并不能對任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容，請與我們聯(lián)系，我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評論

0/150

提交評論