550kV及以上氣體絕緣金屬封閉開關(guān)中抑制VFTO用磁環(huán)型阻尼母線技術(shù)規(guī)范

ICST/CECT/CECFORMTEXTXXXXX—FORMTEXTXXXX____________________________________________________________________550kV及以上氣體絕緣金屬封閉開關(guān)設(shè)備中抑制VFTO用磁環(huán)型阻尼母線技術(shù)規(guī)范General

specification

of

damping

busbar

with

Ferrite

Rings

used

to

suppress

Very

Fast

Transient

Overvoltage

for

550

kV

and

above

gas-insulated

metal-enclosed

switchgear征求意見稿（本稿完成日期：2019.10）FORMTEXTXXXX-FORMTEXTXX-FORMTEXTXX實施中國電力企業(yè)聯(lián)合會發(fā)布FORMTEXTXXXX-FORMTEXTXX-FORMTEXTXX發(fā)布T/CECXXXXX—201X前言 II1范圍 12規(guī)范性引用文件 13使用條件 14術(shù)語和定義 15額定值與技術(shù)要求 26設(shè)計和結(jié)構(gòu) 47型式試驗 78出廠試驗 129阻尼母線選用導(dǎo)則 1310隨訊問單、標(biāo)書和訂單提供資料 1411運輸、儲存、安裝和維護 1412安全性 1513環(huán)境方面 15附錄A（規(guī)范性附錄）磁環(huán)的檢驗 16附錄B（資料性附錄）磁環(huán)的配置數(shù)量 19附錄C（資料性附錄）磁環(huán)吸收能量計算報告 20550kV及以上氣體絕緣金屬封閉開關(guān)設(shè)備中抑制VFTO用磁環(huán)型阻尼母線技術(shù)規(guī)范范圍本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了550kV及以上GIS中抑制VFTO用磁環(huán)型阻尼母線（以下簡稱阻尼母線）的使用條件、設(shè)計結(jié)構(gòu)、額定參數(shù)及試驗等。本標(biāo)準(zhǔn)適用于該裝置的生產(chǎn)、試驗、驗收、包裝、運輸、貯存和安裝。為了便于本標(biāo)準(zhǔn)使用，術(shù)語“GIS”用于表述“氣體絕緣金屬封閉開關(guān)設(shè)備”。注1:HGIS同樣適用本標(biāo)準(zhǔn)。注2:擴建、改造的工程可參照執(zhí)行。規(guī)范性引用文件下列文件對于本文件的應(yīng)用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，僅注日期的版本適用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改單）適用于本文件。GB/T1.1—2009標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第1部分：標(biāo)準(zhǔn)的結(jié)構(gòu)和編寫GB/T2828.1—2012計數(shù)抽樣檢驗程序第1部分：按接收質(zhì)量限（AQL）檢索的逐批檢驗抽樣計劃GB/T2900.20—2016電工術(shù)語高壓開關(guān)設(shè)備GB/T2900.59—2008電工術(shù)語發(fā)電、輸電及配電變電站GB/T7674—2008額定電壓72.5kV及以上氣體絕緣金屬封閉開關(guān)設(shè)備GB/T11022—2011高壓開關(guān)設(shè)備和控制設(shè)備標(biāo)準(zhǔn)的共用技術(shù)要求GB/T24836—20181100kV氣體絕緣金屬封閉開關(guān)設(shè)備技術(shù)規(guī)范GB/T9632.1—2002通信用電感器和變壓器磁芯測量方法GB/T9634.4—2007鐵氧體磁心表面缺陷極限導(dǎo)則第4部分：環(huán)形磁心SJ/T10213—1991鐵氧體材料牌號與元件型號命名方法SJ20669—1998永磁鐵氧體總規(guī)范SJ20966-2006軟磁鐵氧體材料測量方法使用條件550kV及以上GIS抑制VFTO用阻尼母線安裝于GIS設(shè)備中，其使用條件應(yīng)與GIS母線一致，按照GB/T11022—2011中第2章規(guī)定。術(shù)語和定義下列術(shù)語和定義適用于本文件。GB/T2900.20—2016、GB/T11022—2011和GB/T7674—2008定義的以及下列術(shù)語和定義適用于本標(biāo)準(zhǔn)。特快速瞬態(tài)過電壓VeryFastTransientOvervoltage（VFTO）GIS和HGIS在某些操作方式下，例如隔離開關(guān)開合空載短母線時，可能會產(chǎn)生的一種頻率高至數(shù)十MHz的高頻振蕩過電壓，同時含有直流和低頻分量。母線busbar可以連接多個電氣回路的低阻抗導(dǎo)體[GB/T2900.59—2008的605-02-01]磁環(huán)型阻尼母線dampingbusbarwithFerriteRings安裝于GIS中，內(nèi)部含有磁環(huán)元件，可用于抑制隔離開關(guān)操作產(chǎn)生VFTO的一段母線。隔板partition把一個隔室和其它隔室分開的支持絕緣子。[GB/T7674—2008的3.108]支持絕緣子supportinsulator支撐一極或多極導(dǎo)體的內(nèi)部絕緣子[GB/T7674—2008的3.107]電壓抑制比voltagesuppressionratio用于描述阻尼母線對特快速暫態(tài)電壓幅值抑制效果的一個參量。定義為阻尼母線安裝后特快速暫態(tài)電壓的最大峰值與未裝阻尼母線時特快速暫態(tài)電壓的最大峰值的比值，參見本標(biāo)準(zhǔn)7.13。電壓振蕩衰減比voltageoscillationattenuationratio用于描述阻尼母線對特快速暫態(tài)電壓幅值衰減速度的一個參量。定義為阻尼母線安裝后特快速暫態(tài)電壓的第二個峰值和第一個峰值的比值，參見本標(biāo)準(zhǔn)7.13。磁環(huán)magnetring阻尼母線的元件，一種環(huán)狀的導(dǎo)磁體，高頻下有較高的磁導(dǎo)率和損耗，例如鐵氧體材料燒結(jié)成形的導(dǎo)磁體，可以通過串聯(lián)構(gòu)成磁環(huán)串，對VFTO中高頻分量進行抑制。均壓罩利用自身外形結(jié)構(gòu)，使其適用于電壓形式為交流，需要高壓均勻分布的設(shè)備中，以改善電壓分布的金屬罩。額定值與技術(shù)要求550kV及以上GIS/HGIS中抑制VFTO用阻尼母線的額定值包括：額定電壓（Ur）；額定絕緣水平；額定頻率（fr）；主回路的額定電流（Ir）；主回路的額定短時耐受電流（Ik）；主回路的額定峰值耐受電流（Ip）；額定短路持續(xù)時間（tk）；絕緣氣體的額定充入壓力；磁環(huán)的額定參數(shù)。額定電壓（Ur）1100kV，800kV，550kV。額定絕緣水平僅指相對地絕緣，絕緣水平如表1所示。額定絕緣水平額定短時工頻耐受電壓Ud/kV（有效值）額定操作沖擊耐受電壓Us/kV（峰值）額定雷電沖擊耐受電壓Up/kV（峰值）1100180024008001550210055013001675額定頻率（fr）50Hz。額定電流額定電流（Ir）4000A；5000A；6300A；8000A。溫升GB/T11022—2011的4.5.2適用。阻尼母線中部件的溫升沒有被GB/T11022所涵蓋時，不應(yīng)超過相應(yīng)部件及其材料標(biāo)準(zhǔn)中的溫升限值。溫升試驗的電源電流應(yīng)為正弦波，流過阻尼母線的試驗電流應(yīng)為額定電流（Ir）的1.1倍。額定短時耐受電流（Ik）63kA。額定峰值耐受電流（Ip）171kA。額定短路持續(xù)時間（tk）2s、3s。絕緣氣體的額定壓力按照制造廠規(guī)定。磁環(huán)的額定參數(shù)額定初始磁導(dǎo)率（μi）不小于2500×（1±25%）。飽和磁通密度（Bs）不小于500mT。剩余磁通密度（Br）不大于120mT。額定居里溫度（Tc）不小于200℃。矯頑力（Hc）不小于16A/m。額定功率損耗密度（Pcv）不小于650mw/cm3。設(shè)計和結(jié)構(gòu)總體結(jié)構(gòu)阻尼母線應(yīng)為標(biāo)準(zhǔn)尺寸的獨立氣室，能夠單獨生產(chǎn)和檢驗，與所安裝GIS/HGIS母線段接口和尺寸兼容，SF6氣體壓力一致，以便于安裝到GIS/HGIS隔離開關(guān)兩側(cè)的母線中。阻尼母線為軸對稱結(jié)構(gòu)，由外殼、絕緣子、導(dǎo)體、磁環(huán)串和磁環(huán)串外部的均壓罩構(gòu)成，磁環(huán)串套裝在主回路上，磁環(huán)之間以及磁環(huán)與導(dǎo)體之間絕緣，均壓罩套裝在磁環(huán)串外部。均壓罩可采用中部安裝，如圖1中a)所示，也可采用兩端安裝，如圖1中b)所示，兩種安裝方式均能夠控制均壓罩與磁環(huán)串之間的最大電壓約為磁環(huán)串兩端最大電壓的一半。除了本標(biāo)準(zhǔn)專門規(guī)定以外，阻尼母線的各個部件應(yīng)滿足各自的相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)要求。a）均壓罩中部安裝b）均壓罩兩端安裝阻尼母線推薦典型結(jié)構(gòu)磁環(huán)磁環(huán)對材料的高頻導(dǎo)磁和損耗特性有較高要求，需要明確要求和嚴(yán)格檢查（磁環(huán)的檢驗見附錄A）。磁環(huán)為脆性材料，容易磕碰掉渣，推薦要求采用絕緣材料封裝后使用。磁環(huán)型號規(guī)格磁環(huán)的型號規(guī)格由兩部分組成，由制造廠確定并給出：第一部分表示材料牌號，其命名方法按SJ/T10213中2的規(guī)定；第二部分表示形狀和尺寸規(guī)格，其命名方法按SJ/T10213中3的規(guī)定。例如：R2KBH185×140×30第二部分：形狀和尺寸規(guī)格第一部分：材料牌號阻尼母線用磁環(huán)推薦采用R2KBH185×140×30和R2KBH140×120×15兩種型號,磁環(huán)的配置數(shù)量見附錄B。磁環(huán)的封裝因磁環(huán)的易碎特性，使用過程中容易因磕碰破損而產(chǎn)生異物，阻尼母線中的磁環(huán)應(yīng)采用絕緣材料封裝。封裝材料應(yīng)滿足長期置于SF6氣體中不得有任何化學(xué)反應(yīng)、物理特性變化和氣體、固體的要求，不得對GIS本身帶來任何不利影響。封裝前應(yīng)保證磁環(huán)清潔、干燥。磁環(huán)可以單個進行封裝，也可以多個一組進行封裝。封裝材料應(yīng)有一定厚度，在實現(xiàn)磁環(huán)自身保護的同時，也保證磁環(huán)(組)之間以及磁環(huán)與主回路之間的絕緣強度。多個磁環(huán)封裝在一起時，磁環(huán)之間應(yīng)有絕緣隔板，絕緣隔板應(yīng)滿足磁環(huán)間絕緣要求，具體要求見6.3。封裝材料應(yīng)完全包裹磁環(huán)。特殊絕緣要求當(dāng)VFTO行波到達(dá)阻尼母線時，將在導(dǎo)體和磁環(huán)串沿線產(chǎn)生暫態(tài)電壓分布，磁環(huán)與磁環(huán)之間，磁環(huán)與導(dǎo)體之間、均壓罩與磁環(huán)串和主回路的絕緣必須能夠耐受此暫態(tài)陡波電壓，具體絕緣要求如下：磁環(huán)與磁環(huán)之間暫態(tài)耐受電壓（圖2中cf間電壓）：根據(jù)仿真結(jié)果，阻尼母線兩端耐受最高暫態(tài)電壓為0.6p.u.，考慮磁環(huán)配置數(shù)量S，裕度系數(shù)1.5，磁環(huán)與磁環(huán)間暫態(tài)耐受電壓按照1.5×0.6p.u./S確定。均壓罩與磁環(huán)之間，均壓罩與導(dǎo)體之間VFTO耐受暫態(tài)電壓（圖2中ab、ac間電壓）：根據(jù)磁環(huán)兩端耐受最高暫態(tài)電壓為0.6p.u.，裕度系數(shù)k2（圖1中，均壓罩中部和兩端安裝方式）。均壓罩應(yīng)牢固固定，設(shè)計結(jié)構(gòu)應(yīng)具有較高的剛度和精度。以上特殊絕緣要求是考慮到抑制VFTO最惡劣條件時的分析結(jié)果，僅供設(shè)計時參考，絕緣結(jié)構(gòu)設(shè)計的合理性應(yīng)在VFTO抑制試驗中檢驗。磁環(huán)串結(jié)構(gòu)剖面示意圖阻尼母線中氣體的要求GB/T7674—2008的5.2適用，同時作如下規(guī)定：阻尼母線中氣體應(yīng)使用符合GB/T11022要求的新的純SF6氣體，不能使用其它替代氣體或混合氣體。SF6氣體濕度要求在交接驗收時不大于250μL/L，長期運行時不大于500μL/L。SF6氣體監(jiān)測裝置GB/T7674—2008的5.9適用，并作如下補充：阻尼母線所在隔室應(yīng)提供SF6氣體密度監(jiān)測裝置，氣體密度監(jiān)測裝置可安裝于相鄰?fù)羰褿IS母線上。SF6氣體的密封GB/T7674—2008的5.15適用。阻尼母線所在隔室的SF6氣體相對泄漏標(biāo)準(zhǔn)值取每年0.5%。隔板阻尼母線使用隔板應(yīng)與GIS相同，GB/T7674—2008的5.104.2適用。接地GB/T7674—2008的5.3適用。SF6氣體壓力配合GB/T7674—2008的5.101適用。制造廠應(yīng)提供阻尼母線的設(shè)計壓力、SF6氣體的額定壓力（Pre）、報警壓力（Pac）和最低功能壓力（Pme）。外殼阻尼母線外殼及法蘭設(shè)計結(jié)構(gòu)應(yīng)與GIS相同，GB/T7674—2008的5.103適用。外殼提供的防護等級GB/T11022—2011的5.13適用。阻尼母線外殼提供的防護等級應(yīng)與GIS母線相同，不低于IP65。內(nèi)部故障GB/T7674—2008的5.102適用。根據(jù)保護系統(tǒng)性能確定的電弧持續(xù)時間的性能判據(jù)見表2。性能判據(jù)額定短路電流（kA）保護段電流持續(xù)時間（s）性能判據(jù)6310.1不允許燒穿2≤0.3外殼允許燒穿但不能有碎片壓力釋放GB/T7674—2008的5.105適用。阻尼母線不推薦安裝壓力釋放裝置。腐蝕GB/T7674—2008的5.108適用。銘牌GB/T7674—2008的5.10適用。阻尼母線應(yīng)提供獨立的銘牌，如果GIS的公共信息在一個銘牌上標(biāo)明，獨立的銘牌可以簡化，應(yīng)包含下列資料?！圃鞆S的名稱或商標(biāo)——型號或系列號——額定電壓Ur——額定雷電沖擊耐受電壓Up——額定操作沖擊耐受電壓Us——額定工頻耐受電壓Ud——額定電流Ir——額定短時耐受電流Ik——額定峰值耐受電流Ip——額定頻率fr——額定短路持續(xù)時間tk——SF6的額定壓力和最低功能壓力；——磁環(huán)型號規(guī)格；——磁環(huán)配置數(shù)量；“額定”一詞可以不出現(xiàn)在銘牌上。型式試驗總則概述GB/T7674—2008的6.1適用，并作如下補充：除在相關(guān)條款中另有規(guī)定外，所有試驗應(yīng)在SF6氣體最低功能壓力下進行。正常生產(chǎn)的產(chǎn)品，每隔8年應(yīng)進行一次絕緣試驗、主回路電阻測量、溫升試驗和密封試驗，其它強制試驗必要時也可抽試。所有型式試驗的結(jié)果都應(yīng)記錄在型式試驗報告中，型式試驗報告應(yīng)包含充分的數(shù)據(jù)以證明其符合本標(biāo)準(zhǔn)，要有足夠的信息以確認(rèn)被試設(shè)備的主要零部件。磁環(huán)的型號規(guī)格和配置數(shù)量對阻尼母線性能有較大影響，阻尼母線的型式試驗報告應(yīng)詳細(xì)記載上述參數(shù)值，如果上述參數(shù)發(fā)生變化，阻尼母線應(yīng)重新進行型式試驗。型式試驗項目均壓罩與主回路間隙尺寸檢查，按7.2；絕緣試驗，按7.3；主回路電阻測量，按7.4；溫升試驗，按7.5；短時耐受電流和峰值耐受電流試驗，按7.6；密封試驗，按7.7；殼體的驗證試驗，按7.8；防護等級驗證，按7.9；隔板的試驗，按7.10；運輸與沖擊的模擬試驗，按7.11；評估內(nèi)部電弧故障效應(yīng)的試驗，按6.12；VFTO抑制試驗，按7.13。封裝磁環(huán)試驗，按7.12；均壓罩與主回路間隙檢查圖3給出了均壓罩與導(dǎo)體間隙h的描述，測量圖中h尺寸，測量位置應(yīng)在圓周內(nèi)均勻選取3處，應(yīng)滿足設(shè)計要求。均壓罩與導(dǎo)體間隙的描述絕緣試驗GB/T24836—2018的7.2適用，并作如下補充：不需要考慮海拔及大氣修正。阻尼母線安裝于GIS母線中，不直接連接套管，所以絕緣試驗不包含套管。阻尼母線絕緣試驗僅包括相對地工頻電壓試驗、操作沖擊電壓試驗、雷電沖擊電壓試驗、局部放電試驗和1.1倍工頻電壓裕度試驗。阻尼母線在1.2Um/下持續(xù)5min，最大允許局部放電量不應(yīng)超過5pC。主回路電阻測量GB/T24836—2018的7.4.1適用，并作如下補充：測量電流應(yīng)不低于直流300A。溫升試驗GB/T24836—2018的7.5適用，并作如下補充：在SF6氣體充最低功能壓力下進行試驗，試驗電流按照1.1倍額定電流。測量磁環(huán)與導(dǎo)體接觸部位溫升，不應(yīng)超過磁環(huán)及其周圍絕緣材料的長期運行溫升允許值。短時耐受電流和峰值耐受電流試驗GB/T24836—2018的7.6適用。試驗后不應(yīng)出現(xiàn)可能防礙正常運行的導(dǎo)體、接觸連接及其接觸部件的變形或損壞。試驗后測量主回路電阻增加不應(yīng)超過20%。試驗后測量5.9中列舉的磁環(huán)材料參數(shù)不應(yīng)有顯著變化。密封試驗GB/T11022—2011的6.8適用。殼體的驗證試驗GB/T24836—2018的7.13適用。防護等級驗證GB/T11022—2011的6.7適用。隔板的試驗GB/T7674—2008的6.104適用。運輸與沖擊的模擬試驗選取阻尼母線標(biāo)準(zhǔn)化設(shè)計單元，在振動試驗臺對X、Y、Z方向分別依次進行正弦頻率掃描、寬帶隨機振動和沖擊試驗，試驗后按照表3的要求進行尺寸和外觀檢查。試驗結(jié)束后，磁環(huán)不得有斷裂，均壓罩與主回路間隙不得超出7.2的要求。X軸、Y軸和Z軸三個方向分別按照表3的步驟進行試驗。試驗步驟序號試驗項目試驗步驟1正弦頻率掃描從2Hz到500Hz范圍內(nèi)尋找諧振頻率，每分鐘1倍頻。注：此項試驗前，在試品各部件的連接部位，做好標(biāo)記，便于發(fā)現(xiàn)振動是否對試品產(chǎn)生影響。2寬帶隨機振動噪聲振動從10Hz～500Hz，持續(xù)30分鐘。根據(jù)機械環(huán)境等級2M2，在10Hz到200Hz頻率范圍內(nèi)，加速度頻譜密度為1m2/s3；在200Hz到500Hz頻率范圍內(nèi)，加速度頻譜密度為0.3m2/s3。3沖擊試驗振動正負(fù)方向的加速度為50m/s2持續(xù)11ms。在預(yù)振動階段，以每個方向上的振動為?18dB、?15dB、?12dB、?9dB、?6dB、?3dB的方式來調(diào)整記錄和振動臺，當(dāng)發(fā)生嚴(yán)重?fù)p壞時停止振動臺振動。加速度為50m/s2持續(xù)11ms的沖擊在正負(fù)方向各進行5次。4正弦頻率掃描從2Hz到500Hz范圍內(nèi)尋找諧振頻率，每分鐘1倍頻。諧振頻率與步驟1的結(jié)果對比。如變化超過10%，應(yīng)檢查是否為連接松動導(dǎo)致，而非產(chǎn)品自身的問題。封裝磁環(huán)試驗自由跌落試驗封裝后的磁環(huán)應(yīng)有一定抵御搬運期間可能經(jīng)受到的自由跌落的能力。封裝后的磁環(huán)應(yīng)開展自由跌落試驗，試驗方法:跌落試驗高度選取為500mm，選取磁環(huán)環(huán)面朝下和圓周面朝下兩種工況，每組試驗應(yīng)選取2個試品開展。完成自由跌落試驗后的磁環(huán)封裝件，要求磁環(huán)本身不能斷裂，封裝材料不能有裂紋。2個試品應(yīng)同時通過試驗熱性能試驗本試驗的目的是檢查封裝后的磁環(huán)在溫度交變環(huán)境中的耐受能力，試驗應(yīng)通過3個樣品10個熱循環(huán)來驗證，熱循環(huán)如圖4所示。熱循環(huán)試驗程序（1個循環(huán)）完成熱性能試驗后的磁環(huán)封裝件要求磁環(huán)本身不能斷裂，封裝材料不能有裂紋。VFTO抑制及絕緣試驗本試驗?zāi)康氖谴_認(rèn)阻尼母線VFTO抑制性能，在磁環(huán)規(guī)格型號、配置數(shù)量調(diào)整和設(shè)計結(jié)構(gòu)改變時要求開展本試驗。試驗分兩部分進行，分別檢驗阻尼母線的抑制VFTO效果及耐受VFTO電壓的能力。本試驗在規(guī)定的試驗回路中進行。試驗回路試驗回路如圖5所示。直流或交流試驗電源經(jīng)保護電阻和套管施加在串聯(lián)的阻尼母線和3-5m長的直母線段上，直母線段末端開路，在套管根部設(shè)置距離可調(diào)的放電間隙，在直母線段末端安裝VFTO測量裝置測量試驗電壓。VFTO測量裝置應(yīng)采用寬頻帶手窗式傳感器。放電間隙應(yīng)盡可能電場均勻和放電距離短，以使放電后產(chǎn)生的試驗電壓上升時間盡可能縮短。在測量未安裝阻尼母線的VFTO時，阻尼母線采用相同電壓等級的等長母線替代。試驗回路布置圖試驗要求圖6為未安裝阻尼母線時產(chǎn)生的典型試驗電壓波形，圖中U1、U2為產(chǎn)生VFTO電壓波形的第一和第二個峰值（階躍），試驗要求U1上升時間滿足20～70ns，U2/U1不小于0.9。未安裝阻尼母線時的試驗電壓波形（實際波形）VFTO抑制試驗試驗間隙擊穿電壓不小于1p.u.，分別在未安裝和安裝阻尼母線條件下進行3次試驗，對比兩種條件下的VFTO波形分析阻尼母線對暫態(tài)電壓的抑制效果。圖7為安裝阻尼母線時產(chǎn)生的典型試驗電壓波形，試驗通過判據(jù)為電壓抑制比V1/U1和電壓衰減比V2/V1均不大于0.8。安裝阻尼母線時的試驗電壓波形特殊絕緣試驗試驗間隙擊穿電壓不小于1.3p.u.，安裝阻尼母線進行3次試驗，分析試驗電壓波形(金光耀補充原理描述)及試驗后對阻尼母線解體檢查，磁環(huán)之間、磁環(huán)與導(dǎo)體之間、均壓罩與磁環(huán)串及導(dǎo)體間不應(yīng)有任何放電痕跡。出廠試驗磁環(huán)裝置的出廠試驗項目包括：a）均壓罩與主回路間隙尺寸檢查，按8.1；b）主回路絕緣試驗，按8.2；d）主回路電阻測量，按8.3；e）密封試驗，按8.4；g）設(shè)計和外觀檢查，按8.5；h）殼體的壓力試驗，按8.6；j）隔板的壓力試驗，按8.7。k）VFTO抑制試驗，按8.8。均壓罩與主回路間隙檢查本標(biāo)準(zhǔn)7.2條。主回路絕緣試驗GB/T24836—2018的8.1適用，并作如下補充：磁環(huán)裝置絕緣試驗僅包括相對地工頻電壓試驗、雷電沖擊電壓試驗和局部放電試驗。磁環(huán)裝置在1.2Um/下持續(xù)5min，最大允許局部放電量不應(yīng)超過5pC。主回路電阻的測量GB/T24836—2018的8.3適用，并作如下補充：測量電流應(yīng)不低于300A，測量阻尼母線兩端的接觸電阻。密封試驗GB/T24836—2018的8.4適用。設(shè)計和外觀檢查GB/T11022—2011的7.6適用。殼體的壓力試驗GB/T24836—2018的8.7適用。隔板的壓力試驗GB/T24836—2018的8.9適用。VFTO抑制試驗本標(biāo)準(zhǔn)7.13條，并作如下補充：不需要進行特殊絕緣試驗。阻尼母線選用導(dǎo)則在采用阻尼母線抑制VFTO的應(yīng)用中，應(yīng)首先根據(jù)具體變電站的接線情況和隔離開關(guān)的操作方式，仿真獲得不裝阻尼母線情況下的VFTO分布，確定是否存在VFTO超標(biāo)的隔離開關(guān)操作。在存在VFTO超標(biāo)的情況下，選擇安裝阻尼母線。建議阻尼母線安裝在盡量靠近隔離開關(guān)兩側(cè)任選一側(cè)的位置。對于3/2接線形式的GIS變電站，建議阻尼母線安裝在進、出線相連的隔離開關(guān)分支的靠近三通節(jié)點的位置，如圖8中所示。對于4/3接線形式的GIS變電站，建議阻尼母線安裝在進、出線相連的隔離開關(guān)分支的靠近三通節(jié)點的位置，如圖9中所示。變電站3/2接線方式中阻尼母線的推薦安裝位置變電站4/3接線方式中阻尼母線的推薦安裝位置隨訊問單、標(biāo)書和訂單提供資料本章的目的是規(guī)定能夠使用戶對GIS用阻尼母線進行適當(dāng)?shù)脑儐柡湍軌蚴怪圃鞆S給出標(biāo)書所需的資料。此外，能夠使用戶對不同的制造廠提供的資料進行比較和評估。詢單和訂單資料GB/T7674—2008的9.101適用。標(biāo)書的資料GB/T7674—2008的9.102適用。運輸、儲存、安裝和維護GB/T7674—2008的第10章適用。運輸、儲存和安裝條件GB/T11022—2011的10.1適用。安裝GB/T11022—2011的10.2適用?，F(xiàn)場安裝后的交接試驗阻尼母線在安裝后、投運前，為了檢查設(shè)備的正確性和完整性，應(yīng)進行交接試驗。交接試驗和驗證包括：條款號主回路的絕緣試驗主回路的電阻測量氣體密封試驗檢查和驗證氣體質(zhì)量驗證主回路的絕緣試驗GB/T7674—2008的適用。主回路的電阻測量GB/T7674—2008的適用。氣體密封試驗GB/T7674—2008的適用。檢查和驗證GB/T7674—2008的適用。氣體質(zhì)量驗證GB/T7674—2008的適用。安全性GB/T11022—2011第11章適用。環(huán)境方面GB/T7674—2008的第12章適用。

（規(guī)范性附錄）

磁環(huán)的檢驗概述磁環(huán)的檢驗分類和檢驗項目應(yīng)包含：a）材料檢驗，檢驗項目包含：額定初始磁導(dǎo)率μi、飽和磁通密度Bs、剩余磁通密度Br、額定居里溫度Tc、矯頑力Hc和額定功率損耗密度Pcv。b）質(zhì)量一致性檢驗，包含外觀、尺寸、電感系數(shù)、功率損耗及標(biāo)識的檢驗。每一批磁環(huán)均應(yīng)開展所使用材料的檢驗，相同批次材料可以生產(chǎn)多批磁環(huán)，材料的檢驗只需一次。材料的檢驗在小型試樣上進行。每一批磁環(huán)均應(yīng)按一定比例抽取試品開展質(zhì)量一致性檢驗，檢驗項目及試品數(shù)量由用戶與制造廠協(xié)商。一致性檢驗抽檢方案外觀、尺寸、電感系數(shù)：依據(jù)GB/T2828.1正常檢查一次抽樣方案，一般檢查水平Ⅱ，AQL=1.5。功耗：功耗的交收試驗每批產(chǎn)品抽檢2只，若有一只不合格，則從該批中加倍抽檢，若還有一只不合格則該批產(chǎn)品退回后進行100%挑選，合格后再次交驗。標(biāo)識：100%檢查。檢驗條件除非另有規(guī)定所有檢驗均應(yīng)在SJ20966所規(guī)定的試驗的標(biāo)準(zhǔn)大氣條件下進行。試驗電壓試驗電壓的諧波畸變不應(yīng)超過5%。試驗頻率當(dāng)試驗頻率未規(guī)定偏差時所有試驗頻率的偏差均為0.l%。磁正常狀態(tài)化磁環(huán)在進行電氣性能測量前應(yīng)按GB/T9632.1中6.2規(guī)定的一種方法進行磁正常狀態(tài)化處理。夾緊力除非另有規(guī)定對多于一個磁環(huán)件構(gòu)成的磁環(huán)夾緊力應(yīng)按GB/T9632.1中4.3的規(guī)定。線圈詳細(xì)規(guī)范應(yīng)根據(jù)GB/T9632.1附錄E或其它國家標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定電感測量線圈及品質(zhì)因數(shù)測量線圈。檢驗方法外觀檢查用目測法檢驗磁芯的結(jié)構(gòu)外現(xiàn)缺陷和標(biāo)志外觀缺陷的允許程度應(yīng)按GB/T9634.4的規(guī)定，進行判定標(biāo)志應(yīng)用在鑒定有效期內(nèi)的量具稱量磁芯的重量。尺寸應(yīng)采用精度適合于被測磁芯公差要求的在計量周期內(nèi)的量具測量磁芯的尺寸。電感a）電感測量磁芯應(yīng)按GB/T9632.1中7章的規(guī)定進行測量，夾緊力按A3.4的規(guī)定，測量頻率不大于10kHz，有效峰值磁通密度不大于0.25mT，出廠檢驗可在15℃-27℃下進行。在試驗報告中均應(yīng)記錄測量溫度。b）電感因數(shù)磁芯應(yīng)按a）的規(guī)定測出電感，電感因數(shù)按下式計算：QUOTEQUOTE????=????2????=????2式中：AL——電感因數(shù)，H；L——電感，H；N——線圈匝數(shù)。通過檢驗的判據(jù)外觀A5.1.1外形缺陷磁環(huán)表面不應(yīng)有影響使用的明顯裂紋、氣孔、雜質(zhì)等，端面、壁部掉塊長度每處不超過10mm，不超過3處（小于3.0mm不計入缺陷數(shù)），磁環(huán)的極面也不應(yīng)有影響使用的邊角缺損。A5.1.2標(biāo)識依承制方規(guī)定執(zhí)行。尺寸SJ20669—1998中3.4.1適用。額定初始磁導(dǎo)率μi符合本標(biāo)準(zhǔn)5.9規(guī)定。飽和磁通密度Bs符合本標(biāo)準(zhǔn)5.9規(guī)定。剩余磁通密度Br符合本標(biāo)準(zhǔn)5.9規(guī)定。額定居里溫度Tc符合本標(biāo)準(zhǔn)5.9規(guī)定。矯頑力Hc符合本標(biāo)準(zhǔn)5.9規(guī)定。額定功率損耗密度Pcv符合本標(biāo)準(zhǔn)5.9規(guī)定。

（資料性附錄）

磁環(huán)的配置數(shù)量B1推薦配置數(shù)量根據(jù)磁環(huán)型號不同推薦配置數(shù)量如下：型號：R2KBH185×140×30數(shù)量