《環(huán)境光傳感器芯片參數(shù)測試方法（征求意見稿）》

1T/ZJBDTXXXXX—XXXX環(huán)境光傳感器芯片參數(shù)測試方法本文件規(guī)定了環(huán)境光傳感器芯片的開路_短路測試、輸入漏電測試、IIC_讀寫測試、輸入高低電平測試、輸出高低電平測試、Efuse判斷測試、基準頻率測試、待機功耗測試、靜態(tài)功耗測試、動態(tài)功耗測試、暗光校準測試、Efuse燒寫測試、基準頻率檢查測試、暗光校準檢查測試、固定光強校準檢查測試等測試方法。本文件適用于環(huán)境光傳感器芯片參數(shù)測試。2規(guī)范性引用文件下列文件中的內(nèi)容通過文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款。其中，注日期的引用文件，僅該日期對應(yīng)的版本適用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改單）適用于本文件。GB/T34069-2017《物聯(lián)網(wǎng)總體技術(shù)智能傳感器特性與分類》GB/T30269.801-2017《信息技術(shù)傳感器網(wǎng)絡(luò)第801部分：測試：通用要求》GB/T7665-2005《傳感器通用術(shù)語》3術(shù)語和定義下列術(shù)語和定義適用于本文件。SPEC：芯片規(guī)格表。PIN：芯片管腳。VDD：器件電源管腳。IIC：Inter-IntegratedCircuit，集成電路總線。Efuse：electronicfuse，電子熔絲。燒寫：對一次性可編程存儲器對應(yīng)位進行熔斷，達到配置芯片非易失性存儲單元數(shù)據(jù)的目的。暗光：芯片處于完全無光的環(huán)境下。Lux：勒克斯（法定符號lx），是照度的單位。ATE：自動測試設(shè)備，用于半導(dǎo)體芯片測試。DPS：ATE測試機臺中的器件電源供給板卡。PE：ATE測試機臺中的數(shù)字測試板卡。3.1開路_短路Open_Short測試芯片內(nèi)部相關(guān)引腳對地和對電源的二極管壓降，判斷值是否符合標準。3.2輸入漏電測試IIH/IIL芯片上電，對芯片輸入管腳分別配置高低電平，測量輸入電流，判斷值是否符合標準。3.3IIC_讀寫測試2T/ZJBDTXXXXX—XXXX芯片上電，通過IIC接口對芯片可讀寄存器進行指定寄存器回讀，判斷回讀內(nèi)容是否與預(yù)期默認值一致。對芯片可讀寫寄存器進行0x00、0x55、0xAA、0xFF內(nèi)容寫讀測試，判斷讀內(nèi)容是否與寫內(nèi)容一致。3.4輸入高低電平VIH/VIL芯片上電，針對輸入管腳，通過功能向量，進行輸入高低電平加嚴，觀測向量是否通過。3.5輸出高低電平測試芯片上電，針對輸出和輸入/輸出管腳，在功能向量中的指定周期中施加電流負載，并測試電壓，判斷值是否符合標準。3.6Efuse判斷測試芯片上電，讀取Efuse相關(guān)寄存器的值，判斷芯片是否已經(jīng)進行過燒寫動作。3.7基準頻率測試芯片上電，配置芯片后，在基準頻率輸出管腳上進行頻率測試，根據(jù)基準目標計算差值，記錄對應(yīng)的碼字。3.8待機功耗測試芯片上電，配置芯片進入待機模式，測試電源管腳的電流，判斷值是否符合標準。3.9靜態(tài)功耗測試芯片上電，配置芯片進入靜態(tài)模式，測試電源管腳的電流，判斷值是否符合標準。3.10動態(tài)功耗測試芯片上電，配置芯片進入動態(tài)模式，測試電源管腳的電流，判斷值是否符合標準。3.11暗光校準測試芯片上電，將芯片置于暗光環(huán)境下，配置芯片后，測量芯片光感讀值，根據(jù)基準目標計算差值，記錄對應(yīng)的碼字，對芯片感光能力進行校準與補償。3.12Efuse燒寫測試芯片上電,根據(jù)基準頻率和暗光校準測試項得到的偏差碼字，進行對應(yīng)燒寫。3.13基準頻率檢查測試芯片上電，配置芯片后，在基準頻率輸出管腳上進行頻率測試，判斷值是否符合標準。3T/ZJBDTXXXXX—XXXX3.14暗光校準檢查測試芯片上電，配置芯片后，測量芯片在暗光環(huán)境下進行校準和補償后的光感讀值，即傳感器的零點輸出，判斷值是否符合標準。3.15固定光強校準檢查測試芯片上電，配置芯片后，測量芯片在固定光強環(huán)境下光感讀值，判斷值是否符合標準。4總則4.1環(huán)境要求4.1.1除另有規(guī)定外，電測試環(huán)境條件如下：a)環(huán)境溫度：15℃~35℃;b)環(huán)境氣壓：86kPa～106kPa。4.1.2如果環(huán)境濕度對試驗有影響，應(yīng)在詳細規(guī)范中規(guī)定。4.2注意事項4.2.1環(huán)境或參考點溫度偏離規(guī)定值的范圍應(yīng)符合器件詳細規(guī)范的規(guī)定。4.2.2在測試需要配置IIC參數(shù)的測試項時，電源供電電壓和IIC配置的具體參數(shù)應(yīng)按照生產(chǎn)廠家詳細規(guī)范規(guī)定。4.2.3在測試暗光校準檢查測試項時，判斷芯片感應(yīng)暗光功能(傳感器零點輸出)是否正常的標準由生產(chǎn)廠家詳細規(guī)范規(guī)定。4.2.4在測試固定光強校準檢查測試項時，判斷芯片感應(yīng)光強功能是否正常的標準由生產(chǎn)廠家詳細規(guī)范規(guī)定。4.2.5測試期間應(yīng)避免震動等外界干擾對測試精度的影響，測試設(shè)備引起的測試誤差應(yīng)滿足器件詳細規(guī)范的要求。4.2.6測試期間，加到被測器件的電參量的精度應(yīng)符合器件詳細規(guī)范的規(guī)定。4.2.7被測器件與測試系統(tǒng)連接或斷開時，不應(yīng)超過器件的使用極限條件。4.2.8測試用例的測量結(jié)果準確度，與所用ATE測試機的對應(yīng)儀器資源的測試精度強相關(guān)。4.3電參數(shù)符號本規(guī)范采用的電參數(shù)文字符號按表1的規(guī)定。表1電參數(shù)文字符號4T/ZJBDTXXXXX—XXXX5參數(shù)測試5.1開路_短路5.1.1目的測試芯片引腳的內(nèi)部連接關(guān)系。5.1.2測試原理圖圖1開路_短路測試圖5.1.3測試程序測試程序如下：a)將器件接入系統(tǒng)中；b)器件電源腳輸入電壓0V；c)在芯片涉及內(nèi)部二極管的PIN上分別施加Iforce-100uA；d)讀取這些PIN的電壓Vmeasure，記為測量結(jié)果OS_VSS(內(nèi)部VSS端的二極管)；e)在芯片涉及內(nèi)部二極管的PIN上分別施加Iforce100uA；f)讀取這些PIN的電壓Vmeasure，記為測量結(jié)果OS_VDD(內(nèi)部VDD端的二極管)；g)根據(jù)SPEC進行測試判決,判斷測試值是否滿足要求，落在門限范圍內(nèi)，結(jié)果為通過。5.1.4測試條件詳細規(guī)范應(yīng)規(guī)定下列條件：a)環(huán)境或參考點溫度；b)管腳輸入電流。5.1.5注意事項5.1.5.1電源輸入電壓為0V。5.1.5.2管腳輸入電流可根據(jù)不同器件和工藝要求做調(diào)整。5T/ZJBDTXXXXX—XXXX5.1.5.3二極管壓價值與門限值，遵從器件SPEC。5.1.5.4需要在測試PIN施加電流延遲毫秒級時間后，再去讀取測試PIN的電壓。5.1.5.5各個PIN間串行測試，可檢測被測PIN間是否有短路問題。5.2輸入漏電測試IIH/IIL5.2.1目的測試芯片輸入管腳在輸入高低電平時的漏電流是否正常。5.2.2測試原理圖圖2輸入漏電測試圖測試程序如下：a)將器件接入系統(tǒng)中；b)器件電源腳輸入電壓VDDtyp；c)在芯片輸入PIN/雙向PIN上施加邏輯高電平電壓；d)讀取輸入PIN的電流Imeasure，記為測量結(jié)果IIH；e)在芯片輸入PIN/雙向PIN上施加邏輯低電平電壓；f)讀取輸入PIN的電流Imeasure，記為測量結(jié)果IIL；g)器件電源管腳下電；h)根據(jù)SPEC進行測試判決,判斷測試值是否滿足要求，落在門限范圍內(nèi)，結(jié)果為通過。5.2.3測試條件詳細規(guī)范應(yīng)規(guī)定下列條件：a)環(huán)境或參考點溫度；b)電源輸入電壓使用VDDmax；c)邏輯高電平和邏輯低電平值。5.2.4注意事項5.2.4.1電源輸入電壓，及被測管腳邏輯高/低電平值，以及門限值遵從器件SPEC。5.2.4.2電源上電后，等待合適延時后再進行測試，延時長度取決于器件VDDPIN外圍電容值。6T/ZJBDTXXXXX—XXXX5.2.4.3測試完畢后，器件是否下電，取決于測試需求，驗證測試優(yōu)先選擇下電，量產(chǎn)測試優(yōu)先選擇。不下電。5.3IIC_讀寫測試5.3.1目的測試芯片IIC讀寫功能是否正常。5.3.2測試原理圖圖3IIC_讀寫測試圖5.3.3測試程序測試程序如下：a)將器件接入系統(tǒng)中；b)器件電源腳輸入電壓VDDtyp；c)IIC數(shù)據(jù)管腳施加動態(tài)負載電流，上拉數(shù)據(jù)管腳輸出電平至所需電壓d)通過IIC接口(SCL和SDAPIN)讀取指定寄存器值，判斷回讀內(nèi)容是否與預(yù)期默認值一致；e)通過IIC接口對芯片可讀寫寄存器進行0x00內(nèi)容寫讀測試，判斷讀內(nèi)容是否與寫內(nèi)容一致；f)通過IIC接口對芯片可讀寫寄存器進行0x55內(nèi)容寫讀測試，判斷讀內(nèi)容是否與寫內(nèi)容一致；g)通過IIC接口對芯片可讀寫寄存器進行0xAA內(nèi)容寫讀測試，判斷讀內(nèi)容是否與寫內(nèi)容一致；h)通過IIC接口對芯片可讀寫寄存器進行0xFF內(nèi)容寫讀測試，判斷讀內(nèi)容是否與寫內(nèi)容一致；i)e-h的四條測試判決,測量結(jié)果均為真后，測試結(jié)果才為通過；j)器件電源管腳下電；5.3.4測試條件詳細規(guī)范應(yīng)規(guī)定下列條件：a)環(huán)境或參考點溫度；b)電源輸入電壓使用VDDtyp；c)IIC數(shù)據(jù)管腳上拉電壓；d)IIC數(shù)據(jù)管腳動態(tài)負載電流。7T/ZJBDTXXXXX—XXXX5.3.5注意事項5.3.5.1電源輸入電壓遵從器件SPEC。5.3.5.2IIC數(shù)據(jù)上拉電壓，遵從器件SPEC。5.3.5.3IIC動態(tài)負載電流，需要根據(jù)器件IIC上拉電阻及上拉電壓計算。5.3.5.4電源上電后，等待合適延時后再進行測試，延時長度取決于器件VDDPIN外圍電容值。5.3.5.5測試完畢后，器件是否下電，取決于測試需求，驗證測試優(yōu)先選擇下電，量產(chǎn)測試優(yōu)先選擇。5.4輸入高低電平5.4.1目的測試器件識別輸入高低電平的能力。5.4.2測試原理圖圖4輸入高低電平測試圖5.4.3測試程序測試程序如下：a)將器件接入系統(tǒng)中；b)器件電源腳輸入額定的電壓VDDtyp；c)加嚴輸入管腳的高低電平值；d)運行功能向量；e)觀測測量結(jié)果(向量運行結(jié)果)是否通過來進行測試判決，結(jié)果為真時，測試結(jié)果為通過；f)器件斷電。5.4.4測試條件詳細規(guī)范應(yīng)規(guī)定下列條件：a)環(huán)境或參考點溫度；b)電源輸入電壓VDDtyp；c)輸入管腳高低電平VIH，VIL。5.4.5注意事項8T/ZJBDTXXXXX—XXXX5.4.5.1電源輸入電壓，遵從器件SPEC。5.4.5.2輸入高低電平，遵從器件SPEC。5.4.5.3功能向量通常是IIC對于特定寄存器的讀寫，隨器件定制。5.4.5.4電源上電后，等待合適延時后再進行測試，延時長度取決于器件VDDPIN外圍電容值。5.4.5.5測試完畢后，器件是否下電，取決于測試需求，驗證測試優(yōu)先選擇下電，量產(chǎn)測試優(yōu)先選擇。5.5輸出高低電平測試5.5.1目的測試器件輸出管腳的驅(qū)動能力是否達標。5.5.2測試原理圖圖5輸出高低電平測試圖5.5.3測試程序測試程序如下：a)將器件接入系統(tǒng)中；b)器件電源腳輸入額定的電壓VDDtyp；c)在芯片輸出管腳上施加動態(tài)負載電流；d)設(shè)置輸出儀器數(shù)字通道的高低比較電平VOH和VOL；e)運行功能向量；f)觀測測量結(jié)果(向量運行結(jié)果)是否通過來進行測試判決，結(jié)果為真時，測試結(jié)果為通過；g)器件斷電。5.5.4測試條件詳細規(guī)范應(yīng)規(guī)定下列條件：a)環(huán)境或參考點溫度；b)電源輸入電壓VDDtyp；c)動態(tài)負載電流ActiveLoad；d)輸出高低電平VOH和VOL。9T/ZJBDTXXXXX—XXXX5.5.5注意事項5.5.5.1電源輸入電壓，遵從器件SPEC。5.5.5.2動態(tài)負載電流，遵從器件SPEC。5.5.5.3輸出高低電平，遵從器件SPEC。5.5.5.4功能向量通常是IIC對于特定寄存器的讀寫，隨器件定制。5.5.5.5電源上電后，等待合適延時后再進行測試，延時長度取決于器件VDDPIN外圍電容值。5.5.5.6測試完畢后，器件是否下電，取決于測試需求，驗證測試優(yōu)先選擇下電，量產(chǎn)測試優(yōu)先選擇。5.6Efuse判斷測試5.6.1目的測試芯片是否進行過燒寫動作。5.6.2測試原理圖圖6Efuse判斷測試圖5.6.3測試程序測試程序如下：a)將器件接入系統(tǒng)中；b)器件電源腳輸入額定的電壓VDDtyp；c)IIC數(shù)據(jù)管腳施加動態(tài)負載電流，上拉數(shù)據(jù)管腳輸出電平至所需電壓；d)通過IIC接口(SCL和SDAPIN)讀取燒寫狀態(tài)寄存器值，判斷芯片是否被燒寫過；e)若芯片燒寫寄存器回讀值為未燒寫狀態(tài)，則芯片為未燒寫芯片。若芯片燒寫寄存器回讀值為已燒寫狀態(tài)，則芯片為已燒寫芯片；f)程序中記錄芯片燒寫標志位，并通過燒寫標志位的回讀狀態(tài)；g)器件電源管腳下電；5.6.4測試條件詳細規(guī)范應(yīng)規(guī)定下列條件：a)環(huán)境或參考點溫度；T/ZJBDTXXXXX—XXXXb)電源輸入電壓使用VDDtyp；c)IIC數(shù)據(jù)管腳上拉電壓；d)IIC數(shù)據(jù)管腳動態(tài)負載電流。5.6.5注意事項5.6.5.1電源輸入電壓，遵從器件SPEC。5.6.5.2IIC數(shù)據(jù)上拉電壓，遵從器件SPEC。5.6.5.3IIC動態(tài)負載電流，需要根據(jù)器件IIC上拉電阻及上拉電壓計算。5.6.5.4燒寫狀態(tài)寄存器的讀取流程及值的意義，遵從器件SPEC。5.6.5.5電源上電后，等待合適延時后再進行測試，延時長度取決于器件VDDPIN外圍電容值。5.6.5.6測試完畢后，器件是否下電，取決于測試需求，驗證測試優(yōu)先選擇下電，量產(chǎn)測試優(yōu)先選擇。5.7基準頻率測試5.7.1目的測試芯片的內(nèi)部基準頻率是否正常。5.7.2測試原理圖圖7基準頻率測試圖5.7.3測試程序測試程序如下：a)將器件接入系統(tǒng)中；b)器件電源腳輸入額定的電壓VDDtyp；c)配置芯片進入基準頻率輸出狀態(tài)；d)在TEST管腳測量頻率值，計算并記錄與目標基準頻率的偏差，記為測量結(jié)果；e)將測量結(jié)果進行測試判決，落在門限范圍內(nèi)，結(jié)果為通過；f)器件斷電。5.7.4測試條件詳細規(guī)范應(yīng)規(guī)定下列條件：T/ZJBDTXXXXX—XXXXa)環(huán)境或參考點溫度；b)電源輸入電壓VDDtyp；c)基準頻率輸出狀態(tài)的配置向量。5.7.5注意事項5.7.5.1僅當芯片燒寫標志位狀態(tài)為未燒寫時，執(zhí)行此測試項。5.7.5.2電源輸入電壓，及門限值遵從器件SPEC。5.7.5.3測量管腳，隨器件定制。5.7.5.4基準頻率輸出狀態(tài)的配置向量，隨器件定制。5.7.5.5與目標基準頻率的差值，在后續(xù)測試項內(nèi)作為補償值會燒寫入芯片，保證芯片基準頻率精確。5.7.5.6電源上電后，等待合適延時后再進行測試，延時長度取決于器件VDDPIN外圍電容值。5.7.5.7測試完畢后，器件是否下電，取決于測試需求，驗證測試優(yōu)先選擇下電，量產(chǎn)測試優(yōu)先選擇。5.8待機功耗測試5.8.1目的測試芯片在待機模式下功耗是否正常。5.8.2測試原理圖圖8待機功耗測試圖5.8.3測試程序測試程序如下：a)將器件接入系統(tǒng)中；b)器件電源腳輸入額定的電壓VDDtyp；c)配置芯片進入待機模式；d)在電源管腳測量電流，記為測量結(jié)果；e)進行測試判決，落在門限范圍內(nèi)，結(jié)果為通過；f)器件斷電。5.8.4測試條件T/ZJBDTXXXXX—XXXX詳細規(guī)范應(yīng)規(guī)定下列條件：a)環(huán)境或參考點溫度；b)電源輸入電壓VDDtyp；c)芯片待機模式的配置向量。5.8.5注意事項5.8.5.1電源輸入電壓，及門限值遵從器件SPEC。5.8.5.2芯片待機模式的配置向量，隨器件定制。5.8.5.3電源上電后，等待合適延時后再進行測試，延時長度取決于器件VDDPIN外圍電容值。5.8.5.4測試完畢后，器件是否下電，取決于測試需求，驗證測試優(yōu)先選擇下電，量產(chǎn)測試優(yōu)先選擇。5.9靜態(tài)功耗測試5.9.1目的測試芯片在靜態(tài)模式下功耗是否正常。5.9.2測試原理圖圖9靜態(tài)功耗測試圖5.9.3測試程序測試程序如下：a)將器件接入系統(tǒng)中；b)器件電源腳輸入額定的電壓VDDtyp；c)配置芯片進入靜態(tài)模式；d)在電源管腳測量電流，記為測量結(jié)果；e)進行測試判決，落在門限范圍內(nèi)，結(jié)果為通過；f)器件斷電。5.9.4測試條件詳細規(guī)范應(yīng)規(guī)定下列條件：a)環(huán)境或參考點溫度；T/ZJBDTXXXXX—XXXXb)電源輸入電壓VDDtyp；c)芯片靜態(tài)模式的配置向量。5.9.5注意事項5.9.5.1電源輸入電壓，及門限值遵從器件SPEC。5.9.5.2芯片靜態(tài)模式的配置向量，隨器件定制。5.9.5.3電源上電后，等待合適延時后再進行測試，延時長度取決于器件VDDPIN外圍電容值。5.9.5.4測試完畢后，器件是否下電，取決于測試需求，驗證測試優(yōu)先選擇下電，量產(chǎn)測試優(yōu)先選擇。5.10動態(tài)功耗測試5.10.1目的測試芯片在動態(tài)模式下功耗是否正常。5.10.2測試原理圖圖10動態(tài)功耗測試圖5.10.3測試程序測試程序如下：a)將器件接入系統(tǒng)中；b)器件電源腳輸入額定的電壓VDDtyp；c)配置芯片進入動態(tài)模式；d)在電源管腳測量電流，記為測量結(jié)果；e)進行測試判決，落在門限范圍內(nèi)，結(jié)果為通過；f)器件斷電。5.10.4測試條件詳細規(guī)范應(yīng)規(guī)定下列條件：a)環(huán)境或參考點溫度；b)電源輸入電壓VDDtyp；c)芯片動態(tài)模式的配置向量。T/ZJBDTXXXXX—XXXX5.10.5注意事項5.10.5.1電源輸入電壓，及門限值遵從器件SPEC。5.10.5.2芯片動態(tài)模式的配置向量，隨器件定制。5.10.5.3電源上電后，等待合適延時后再進行測試，延時長度取決于器件VDDPIN外圍電容值。5.10.5.4測試完畢后，器件是否下電，取決于測試需求，驗證測試優(yōu)先選擇下電，量產(chǎn)測試優(yōu)先選擇。5.11暗光校準測試5.11.1目的測試芯片在暗光環(huán)境下，感光輸出值是否正常。5.11.2測試原理圖圖11暗光校準檢查測試圖5.11.3測試程序測試程序如下：a)將器件接入系統(tǒng)中；b)器件電源腳輸入額定的電壓VDDtyp；c)IIC數(shù)據(jù)管腳施加動態(tài)負載電流，上拉數(shù)據(jù)管腳輸出電平至所需電壓；d)配置芯片進入感光模式；e)通過指定寄存器值回讀，計算芯片感光值，計算并記錄與目標基準值的偏差，記為測量結(jié)果；f)進行測試判決，符合器件門限值規(guī)定的，結(jié)果為通過；g)器件斷電。5.11.4測試條件詳細規(guī)范應(yīng)規(guī)定下列條件：a)環(huán)境或參考點溫度；b)電源輸入電壓VDDtyp；c)芯片感光模式的配置向量。5.11.5注意事項T/ZJBDTXXXXX—XXXX5.11.5.1電源輸入電壓，及門限值遵從器件SPEC。5.11.5.2芯片感光模式的配置向量，隨器件定制。5.11.5.3IIC數(shù)據(jù)上拉電壓，遵從器件SPEC。5.11.5.4IIC動態(tài)負載電流，需要根據(jù)器件IIC上拉電阻及上拉電壓計算。5.11.5.5本測試項芯片傳感器需要置于完全無環(huán)境光影響的密閉暗場環(huán)境內(nèi)。5.11.5.6與目標基準值的差值，在后續(xù)測試項內(nèi)會作為補償值燒寫入芯片，保證芯片暗光感光值精確。5.11.5.7電源上電后，等待合適延時后再進行測試，延時長度取決于器件VDDPIN外圍電容值。5.11.5.8測試完畢后，器件是否下電，取決于測試需求，驗證測試優(yōu)先選擇下電，量產(chǎn)測試優(yōu)先選擇。5.12Efuse燒寫測試5.12.1目的將基準偏差燒寫入芯片，補償芯片的基準頻率、暗光感光數(shù)值保證對應(yīng)輸出的精確性。5.12.2測試原理圖圖12Efuse燒寫測試圖5.12.3測試程序測試程序如下：a)將器件接入系統(tǒng)中；b)器件電源腳輸入額定的電壓VDDtyp；c)IIC數(shù)據(jù)管腳施加動態(tài)負載電流，上拉數(shù)據(jù)管腳輸出電平至所需電壓；d)根據(jù)燒寫流程，將基準頻率偏差與暗光光感偏差的碼字，寫入對應(yīng)寄存器，并將燒寫標志位置為真；e)回讀燒寫標志位記為測量結(jié)果；f)進行測試判決，標志位為真時，測試通過；g)器件斷電。5.12.4測試條件詳細規(guī)范應(yīng)規(guī)定下列條件：a)環(huán)境或參考點溫度；T/ZJBDTXXXXX—XXXXb)電源輸入電壓VDDtyp；c)芯片燒寫流程。5.12.5注意事項5.12.5.1電源輸入電壓，遵從器件SPEC。5.12.5.2芯片燒寫流程，隨器件定制。5.12.5.3燒寫狀態(tài)寄存器的讀取流程及值的意義，遵從器件SPEC。5.12.5.4IIC數(shù)據(jù)上拉電壓，遵從器件SPEC。5.12.5.5IIC動態(tài)負載電流，需要根據(jù)器件IIC上拉電阻及上拉電壓計算。5.12.5.6電源上電后，等待合適延時后再進行測試，延時長度取決于器件VDDPIN外圍電容值。5.12.5.7測試完畢后，器件是否下電，取決于測試需求，驗證測試優(yōu)先選擇下電，量產(chǎn)測試優(yōu)先選擇。5.13基準頻率檢查測試5.13.1目的測試燒寫后，芯片的基準頻率輸出值是否正常。5.13.2測試原理圖圖13基準頻率檢查測試圖5.13.3測試程序測試程序如下：a)將器件接入系統(tǒng)中；b)器件電源腳輸入額定的電壓VDDtyp；c)配置芯片進入基準頻率輸出狀態(tài)；d)在TEST管腳測量頻率值，記為測量結(jié)果；e)進行測試判決，符合器件門限值規(guī)定的，結(jié)果為通過；f)器件斷電。5.13.4測試條件詳細規(guī)范應(yīng)規(guī)定下列條件：T/ZJBDTXXXXX—XXXXa)環(huán)境或參考點溫度；b)電源輸入電壓VDDtyp；c)基準頻率輸出狀態(tài)的配置向量。5.13.5注意事項5.13.5.1電源輸入電壓，及門限值遵從器件SPEC。5.13.5.2測量管腳，隨器件定制。5.13.5.3基準頻率輸出狀態(tài)的配置向量，隨器件定制。5.13.5.4電源上電后，等待合適延時后再進行測試，延時長度取決于器件VDDPIN外圍電容值。5.13.5.5測試完畢后，器件是否下電，取決于測試需求，驗證測試優(yōu)先選擇下電，量產(chǎn)測試優(yōu)先選擇。5.14暗光校準檢查測試5.14.1目的測試燒寫后，芯片在暗光環(huán)境下，感光輸出值是否正常。5.14.2測試原理圖圖14暗光校準檢查測試圖5.14.3測試程序測試程序如下：a)將器件接入系統(tǒng)中；b)器件電源腳輸入額定的電壓VDDtyp；c)IIC數(shù)據(jù)管腳施加動態(tài)負載電流，上拉數(shù)據(jù)管腳輸出電平至所需電壓；d)配置芯片進入感光模式；e)通過指定寄存器值回讀，計算芯片感光值，記為測量結(jié)果；f)進行測試判決，符合器件門限值規(guī)定的，結(jié)果為通過；g)器件斷電。5.14.4測試條件詳細規(guī)范應(yīng)規(guī)定下列條件：T/ZJBDTXXXXX—XXXXa)