硅基片上螺旋電感的模型參數(shù)提取及應(yīng)用的開題報(bào)告

硅基片上螺旋電感的模型參數(shù)提取及應(yīng)用的開題報(bào)告一、研究背景與意義隨著通信、信息、娛樂等領(lǐng)域的不斷發(fā)展，對(duì)于微波電路的需求也隨之增加。而以芯片為基礎(chǔ)的微波電路技術(shù)已經(jīng)成為當(dāng)今發(fā)展趨勢(shì)。在這個(gè)領(lǐng)域中，螺旋電感作為一種常見的電容元器件，廣泛應(yīng)用于各種天線、放大器、濾波器等微波電路中。而硅基片上的螺旋電感相比于傳統(tǒng)的螺旋電感具有尺寸小、阻抗匹配好等優(yōu)點(diǎn)，因此得到了廣泛關(guān)注。針對(duì)硅基片上螺旋電感的應(yīng)用，進(jìn)行有效的建模和參數(shù)提取顯得尤為重要。正確的模型可以幫助工程師在設(shè)計(jì)電路時(shí)準(zhǔn)確地預(yù)測(cè)電感的特性，從而提高設(shè)計(jì)的成功率。因此，在硅基片上螺旋電感的研究中，模型參數(shù)提取和應(yīng)用是一個(gè)重要的課題。二、研究?jī)?nèi)容和方法本課題旨在利用矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀（VNA）獲取硅基片上螺旋電感的S參數(shù)，并基于S參數(shù)實(shí)現(xiàn)模型參數(shù)的提取與應(yīng)用。具體研究?jī)?nèi)容包括以下幾個(gè)方面：1.計(jì)算模型的構(gòu)建：選取合適的計(jì)算模型，通過理論分析和電磁仿真建立硅基片上螺旋電感的計(jì)算模型，對(duì)其特性進(jìn)行分析。2.S參數(shù)的測(cè)量：使用VNA對(duì)硅基片上螺旋電感進(jìn)行S參數(shù)的測(cè)量。3.模型參數(shù)的提?。焊鶕?jù)S參數(shù)，采用擬合算法提取硅基片上螺旋電感的模型參數(shù)，并對(duì)其準(zhǔn)確性進(jìn)行驗(yàn)證。4.應(yīng)用研究：基于提取出來的模型參數(shù)，針對(duì)一系列硅基片上螺旋電感的應(yīng)用進(jìn)行深入研究。本研究將采用雙模式間隔重采樣（SMIR）算法及窄線歸一化算法等進(jìn)行模型參數(shù)的提取。同時(shí)，將結(jié)合Matlab和Ansys等軟件平臺(tái)進(jìn)行模型構(gòu)建、仿真分析與參數(shù)提取工作。三、預(yù)期結(jié)果1.基于S參數(shù)的硅基片上螺旋電感計(jì)算模型。2.實(shí)現(xiàn)針對(duì)硅基片上螺旋電感的模型參數(shù)提取，并對(duì)其準(zhǔn)確性進(jìn)行驗(yàn)證。3.確定一系列硅基片上螺旋電感的應(yīng)用，進(jìn)行深入研究。4.研究成果可為微波電路的設(shè)計(jì)及制造提供重要的理論參考和實(shí)踐指導(dǎo)。四、研究計(jì)劃1.第一階段：文獻(xiàn)綜述、理論分析和建模。時(shí)間：1月。2.第二階段：硅基片上螺旋電感的S參數(shù)測(cè)量和數(shù)據(jù)處理。時(shí)間：2-3月。3.第三階段：基于S參數(shù)的模型參數(shù)提取及準(zhǔn)確性驗(yàn)證。時(shí)間：4-5月。4.第四階段：應(yīng)用研究和文獻(xiàn)寫作。時(shí)間：6-7月。五、參考文獻(xiàn)[1]R.Sun,J.Liang,W.HongandB.Liang.Compactandhigh-performanceinductordesignonsiliconsubstrateusingMOScapacitortechnique.IEEETransactionsonMagnetics,vol.53,no.11,pp.1-4,Nov.2017.[2]W.Wei,R.Wang,H.Gao,J.HouandJ.Yan.Inductormodelformulti-substrateIC.IEEETransactionsonMagnetics,vol.52,no.12,pp.1-5,Dec.2016.[3]C.Fritsch,C.W.Hsu,S.FanandK.E.Goodson.Designandoptimizationofspiralinductorbasedintegratedvoltageregulators.Journalo