第4章 內(nèi)存教材

選購內(nèi)存選購內(nèi)存模塊一認(rèn)識內(nèi)存模塊二內(nèi)存的性能指標(biāo)模塊三內(nèi)存選購指南1.內(nèi)存的作用

內(nèi)存的主要功能是存放數(shù)據(jù)、執(zhí)行指令及結(jié)果，并根據(jù)需要寫入或讀出數(shù)據(jù)。CPU執(zhí)行的任何程序、處理的任何數(shù)據(jù)都需要現(xiàn)裝載到內(nèi)存中，因此作為內(nèi)部存儲器，內(nèi)存的容量和速度對電腦的性能有很大的影響。認(rèn)識內(nèi)存

內(nèi)存是內(nèi)部存儲器的簡稱，是電腦CPU與硬盤之間數(shù)據(jù)交換的橋梁，是數(shù)據(jù)傳輸過程中的一個寄存紐帶。2.內(nèi)存的分類

電腦內(nèi)存一般可以分為兩類，一種是RAM，叫做隨機(jī)讀寫存儲器，可讀可寫，斷電后內(nèi)容不能保存；另一種是ROM，叫只讀存儲器，只能讀出不能寫入，斷電后內(nèi)容不會丟失，主板上的BIOS芯片就是ROM芯片。我們常提到的電腦內(nèi)存都是指的RAM，它以內(nèi)存條的形式插在主機(jī)上，內(nèi)存條上焊有不同類型的內(nèi)存芯片。

目前市場上流行的內(nèi)存主要有DDR和DDR2，SD內(nèi)存雖然已經(jīng)逐漸淡出歷史舞臺，但還是有部分用戶使用一.SDRAM內(nèi)存SDRAM，即SynchronousDRAM（同步動態(tài)隨機(jī)存儲器），如圖所示。曾經(jīng)是個人電腦上廣泛應(yīng)用的一種內(nèi)存類型。內(nèi)存的分類SDRAM內(nèi)存又分為PC66、PC100、PC133等不同規(guī)格，而規(guī)格后面的數(shù)字就代表著該內(nèi)存所能正常工作最大的系統(tǒng)總線速度，比如PC133，那就說明此內(nèi)存可以在系統(tǒng)總線為133MHz的電腦中同步工作。

SDRAM內(nèi)存的工作速度是與系統(tǒng)總線速度同步的。與系統(tǒng)總線速度同步，也就是與系統(tǒng)時鐘同步，這樣就避免了不必要的等待周期，減少數(shù)據(jù)存儲時間。同步還使存儲控制器知道在哪一個時鐘脈沖期由數(shù)據(jù)請求使用，因此數(shù)據(jù)可在脈沖上升期便開始傳輸。二.DDR內(nèi)存DDR又稱為“DDRSDRAM”，不過人們習(xí)慣將其簡稱為DDR。DDRSDRAM是DoubleDataRateSDRAM的縮寫，是雙倍速率同步動態(tài)隨機(jī)存儲器的意思。DDR內(nèi)存是在SDRAM內(nèi)存基礎(chǔ)上發(fā)展而來的，仍然沿用SDRAM生產(chǎn)體系。DDR內(nèi)存是現(xiàn)在主流的內(nèi)存產(chǎn)品，其外觀如圖所示。DDR與SDRAM相比，其金屬引腳部分只有一個缺口，而SDRAM內(nèi)存則有2個缺口。SDRAM在一個時鐘周期內(nèi)只傳輸一次數(shù)據(jù)，它是在時鐘的上升期進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸；而DDR內(nèi)存則是一個時鐘周期內(nèi)傳輸兩次次數(shù)據(jù)，它能夠在時鐘的上升期和下降期各傳輸一次數(shù)據(jù)，因此稱為雙倍速率同步動態(tài)隨機(jī)存儲器。DDR內(nèi)存可以在與SDRAM相同的總線頻率下達(dá)到更高的數(shù)據(jù)傳輸率。與SDRAM相比，DDR允許在時鐘脈沖的上升沿和下降沿讀出數(shù)據(jù)，所以它的速度是標(biāo)準(zhǔn)SDRA的兩倍。三.DDR2內(nèi)存DDR2是DDR內(nèi)存的后繼產(chǎn)品，它具有更高的速度，更高的帶寬，同時功耗得以降低，并且DDR2將采用新的封裝來更好的進(jìn)行散熱。從技術(shù)上來說DDR2（圖4-3）和DDR基本是類似的，只是DDR2開始引入了4位預(yù)讀取來改善內(nèi)存運(yùn)行頻率的效率，也就是說其單時鐘周期可以進(jìn)行4次數(shù)據(jù)的存取，這比DDR的2次高了一倍。DDR3是一種電腦內(nèi)存規(guī)格。它屬于SDRAM家族的內(nèi)存產(chǎn)品，提供了相較于DDR2SDRAM更高的運(yùn)行效能與更低的電壓，是DDR2SDRAM（四倍資料率同步動態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存）的后繼者（增加至八倍），也是現(xiàn)時流行的內(nèi)存產(chǎn)品。二.DDR內(nèi)存四.DDR3內(nèi)存內(nèi)存的性能指標(biāo)一.內(nèi)存速度

內(nèi)存速度是用存取一次數(shù)據(jù)的時間來表示，單位為納秒，記為ns，1秒=10億納秒，即1納秒=10-9秒。內(nèi)存速度的值越小，表明存取越短，速度就越快。二.內(nèi)存容量

目前常見的內(nèi)存容量單條為1G、2G、4G、8G的內(nèi)存。就目前的行情來看，配機(jī)時盡量使用單條4G的內(nèi)存。三.內(nèi)存的數(shù)據(jù)帶寬

我們可以將內(nèi)存看作是內(nèi)存控制器（一般位于北橋芯片中）與CPU之間的橋梁與倉庫。顯然，內(nèi)存的容量決定“倉庫”的大小，而內(nèi)存的帶寬決定“橋梁”的寬窄，兩者缺一不可。選購內(nèi)存時要根據(jù)CPU的前端總線頻率進(jìn)行選擇，內(nèi)存的帶寬應(yīng)該和CPU的總線帶寬一致。內(nèi)存帶寬取決于內(nèi)存的總線頻率和帶寬，其計(jì)算公式為：內(nèi)存的數(shù)據(jù)帶寬＝（總線頻率×帶寬位數(shù)）÷8其中，總線頻率是指我們常說的DDR400中的數(shù)字400”。以DDR400為例，其數(shù)據(jù)帶寬＝（400MHz×64bit）÷8=3.2GB/s。雙通道DDR400的總線頻率＝3.2GB/s×2＝6.4GB/s。

金士頓4GBDDR31600詳細(xì)參數(shù)基本參數(shù)適用類型：臺式機(jī)內(nèi)存容量：4GB容量描述：單條（4GB）內(nèi)存類型：DDR3內(nèi)存主頻：1600MHz技術(shù)參數(shù)顆粒配置：雙面16顆CL延遲：11制作工藝：30nm保修信息保修政策：全國聯(lián)保，享受三包服務(wù)質(zhì)保時間：終身質(zhì)?？头娫挘?00-810-1972電話備注：星期一到星期五：上午8：00-17：00詳細(xì)內(nèi)容：售后服務(wù)由品牌廠商提供，支持全國聯(lián)保，內(nèi)存自購買日起，可享有三包服務(wù)。以上聲明不對因意外事故、天災(zāi)、操作失誤、使用環(huán)境、人為傷害以及未經(jīng)授權(quán)的拆卸、修理、改裝造成的損害或被廠商證明為非原廠生產(chǎn)的正規(guī)產(chǎn)品的損壞負(fù)責(zé)。消費(fèi)者在送修之前請務(wù)必自行將內(nèi)容先行備份，送修后的產(chǎn)品中所有內(nèi)容都將被清除。

CL：CASLatency，為CAS的延遲時間，是內(nèi)存性能的一項(xiàng)最重要的指標(biāo)。CL表示縱向地址在實(shí)際工作時的反應(yīng)時間，這是衡量不同規(guī)范的內(nèi)存的重要標(biāo)志之一。其中，數(shù)字“2”表示2個時鐘周期，數(shù)字“3”代表則3個時鐘周期；而時鐘周期越短，就代表著內(nèi)存進(jìn)入工作狀態(tài)的速度越快。通過降低CAS的時鐘周期，可以有助于加快內(nèi)存在前端總線頻率下的速度。通常內(nèi)存的標(biāo)準(zhǔn)頻率是CL=3。

tCK：ClockCycleTime，內(nèi)存時鐘周期。代表著內(nèi)存標(biāo)稱運(yùn)行的最大工作頻率。通常與內(nèi)存的運(yùn)行頻率成反比，也就是說，內(nèi)存顆粒為7.5ns，那么我們就可以判斷出7.5ns的內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)工作頻率在1/7.5×1000=133MHz。這樣我們就可以大概的估算出未知內(nèi)存的標(biāo)稱最大工作頻率。

tAC：AccessTimefromCLK，是最大CAS延遲時的存取時間。人們十分容易將tAC和tCK兩者混淆起來。與時鐘周期不同的是，tAC僅僅代表著內(nèi)存在訪問數(shù)據(jù)時所需的時間。標(biāo)準(zhǔn)名稱I/O總線時鐘頻率

(MHz)周期

(ns)存儲器時鐘頻率

(MHz)數(shù)據(jù)速率

(MT/s)傳輸方式模塊名稱極限傳輸率

(GiB/s)比特寬

(比特)DDR3-80040010100800并行傳輸PC3-64006.464DDR3-106653371/21331066并行傳輸PC3-85008.564DDR3-133366761661333并行傳輸PC3-1060010.664DDR3-160080052001600并行傳輸PC3-1280012.864DDR3-186693342/72331866并行傳輸PC3-1490014.964DDR3-2133106633/42662133并行傳輸PC3-1700017.064

內(nèi)存選購指南一.選擇內(nèi)存產(chǎn)品的類型

現(xiàn)在市場中主要DDR3與DDR2和少量的DDR內(nèi)存條銷售。對于新購機(jī)的朋友，DDR、DDR2內(nèi)存已沒有選擇的價值，應(yīng)該將目光放在DDR3上。還有一點(diǎn)值得注意：如果主板支持雙通道內(nèi)存，需要發(fā)揮雙通道內(nèi)存的強(qiáng)大功能，那么最好購買兩條容量相同、品牌相同和頻率相同的產(chǎn)品，這樣能夠最大限度地避免不兼容的情況。二.確定容量

目前主流的電腦都采用1GHz以上頻率的處理器，操作系統(tǒng)采用Microsoft公司的WindowsXP，常用的辦公軟件為MicrosoftOffice系列。這樣的系統(tǒng)，內(nèi)存至少要256MB。如果要想更高效地運(yùn)行程序，建議選購4GB的內(nèi)存。三.選購更快的內(nèi)存

市場上的DDR內(nèi)存有DDR400、DDR500和DDR533等，要選購哪種規(guī)格的DDR內(nèi)存，要根據(jù)搭配的主板和CPU來決定。比如對于P4來說，由于P4的前端總線頻率分別為400/533/800MHz，因此對內(nèi)存帶寬的需求也很大。從i845PE開始，Intel就正式提供了對DDR333的支持，i865PE則提供了對800MHzFSBP4的支持，在搭配800MHzFSB的P4時，內(nèi)存的默認(rèn)頻率為200（400）MHz，而搭配較老P4時與i845PE相同。因此，目前800MHzFSBP4的最佳拍檔是DDR400內(nèi)存，再加上i865的雙通道，800FSBP4的性能才能得以充分發(fā)揮。內(nèi)存選購指南四.選購品牌內(nèi)存

對于普通電腦用戶，購置知名品牌內(nèi)存是一條捷徑。很多品牌內(nèi)存例如Kingston、Apacer、Kingmax等內(nèi)存都具有較高的品質(zhì)和性能。而且隨著技術(shù)的成熟，品牌內(nèi)存的價格已經(jīng)與散裝內(nèi)存的價格十分接近，具有了相當(dāng)?shù)膬r格與品質(zhì)優(yōu)勢。五.電路板與金手指工藝

選購內(nèi)存時，可以根據(jù)其電路板和金手指的做工來判定其質(zhì)量。電路板也稱為PCB（PrintedCircuitBoard），它的質(zhì)量對內(nèi)存的質(zhì)量和穩(wěn)定性起著至關(guān)重要的作用。好的電路板的板面要光潔，色澤均勻；元件焊接要求整齊劃一，不允許錯位；焊點(diǎn)均勻有光澤，如圖所示。

金手指就是指內(nèi)存條與DIMM插槽直接接觸的鍍金接口。用昂貴的金作為電鍍層主要是為了防止氧化，有些質(zhì)量良好的品牌內(nèi)存金手指厚度可達(dá)30微米左右。如圖所示為內(nèi)存的金手指。內(nèi)存選購指南（1）芯片，俗稱顆粒。內(nèi)存的價格就是由芯片的價格來決定的，并且內(nèi)存的質(zhì)量90％是由芯片決定的。如果所有封裝商都采用原裝A級芯片和相同的其他部件來封裝內(nèi)存，那么全球所有內(nèi)存廠商（不包括手工作坊）生產(chǎn)出來的內(nèi)存質(zhì)量相差無幾，產(chǎn)品合格率僅僅是99％和99.99％的區(qū)別。如果芯片等級相差較多，即便是封裝小廠(不包括手工作坊)生產(chǎn)出來的產(chǎn)品質(zhì)量也要遠(yuǎn)遠(yuǎn)優(yōu)于由全球頂級OEM代工廠、最優(yōu)秀的工程師封裝出來的產(chǎn)品，芯片的重要性由此可見一般。選擇何種等級的芯片決定了內(nèi)存的質(zhì)量，也從側(cè)面反映了品牌商的經(jīng)營之路。內(nèi)存選購指南看芯片：同一品牌的內(nèi)存盡量選擇原裝芯片封裝的產(chǎn)品；不同品牌的內(nèi)存如果在保修有保障的情況下，也盡量選擇原裝芯片封裝的內(nèi)存。目前全球主要芯片商有：三星、現(xiàn)代、美光、奇夢達(dá)、南亞。其余的芯片商多主營芯片代工和UTT/ETT芯片的生產(chǎn)。內(nèi)存選購指南（2）

PCB，俗稱底板，包括底板上的各種排阻。底板對內(nèi)存質(zhì)量起著輔助、補(bǔ)充的作用，在一定程度上能增強(qiáng)內(nèi)存的穩(wěn)定性和兼容性。專業(yè)人士通常把底板分為：公板、專用板和服務(wù)器底板。一片服務(wù)器底板的價格是普通公板的2－4倍。OEM、原裝內(nèi)存幾乎是100％采用服務(wù)器底板，而DIY市場中，只有極個別的內(nèi)存品牌采用服務(wù)器底板。內(nèi)存選購指南

做工：拿到一條內(nèi)存，首先要看的是PCB板的大小、顏色以及板材的厚度等等。在這