發(fā)明-雙殼聲導向MEMEMIC（硅麥克風）－20140206

智建領(lǐng)航者智建領(lǐng)航者MUCN130195權(quán)利要求書1000012010.2 PAGE1本發(fā)明公開了一種通過雙外殼設(shè)計完成聲音導向的MEMSMIC（硅麥克風）。包括：MEMS傳感器與ASIC芯片，所述MEMS傳感器與ASIC芯片放置于線路板上，MEMS傳感器與ASIC芯片及線路板之間通過導線實現(xiàn)電連接。在線路板之上放置有全封閉的外殼2將MEMS傳感器與ASIC芯片封裝起來，在外殼1上有開孔，靠近外殼2放置在線路板上。外殼與線路板由焊錫膏等與線路板密封相連。外殼1的空腔4另一端與所述MEMS傳感器底部與線路板之間的聲音傳遞通道連接。所有連接均密閉無聲音泄露。由此形成將由外殼1進音孔3傳遞進來的聲音，由此通道送至MEMS傳感器底部。采用此類設(shè)計，一是可以顯著提高產(chǎn)品靈敏度，信噪比等等聲學性能。二是因為采用了完全密閉的外殼將MEMS傳感器與ASIC芯片密封了起來，極大地提高了產(chǎn)品抗電磁干擾能力。同時，因為外部聲音經(jīng)過管道改變方向進入MEMS傳感器，可以有效提高產(chǎn)品抗高壓氣流沖擊能力與防止異物進入的能力，提高了產(chǎn)品的可靠性。1、一種通過雙外殼設(shè)計完成聲音導向的MEMSMIC（硅麥克風）。包括：包括：MEMS傳感器與ASIC芯片，所述MEMS傳感器與ASIC芯片放置于線路板上，MEMS傳感器與ASIC芯片及線路板之間通過導線實現(xiàn)電連接。在線路板之上放置有全封閉的外殼2將MEMS傳感器與ASIC芯片封裝起來，在外殼1上有開孔，靠近外殼2放置在線路板上。外殼與線路板由焊錫膏等與線路板密封相連。外殼1的空腔4另一端與所述MEMS傳感器底部與線路板之間的聲音傳遞通道連接。所有連接均密閉無聲音泄露。由此形成將由外殼1進音孔3傳遞進來的聲音，由此通道送至MEMS傳感器底部。采用此類設(shè)計，一是可以顯著提高產(chǎn)品靈敏度，信噪比等等聲學性能。二是因為采用了完全密閉的外殼將MEMS傳感器與ASIC芯片密封了起來，極大地提高了產(chǎn)品抗電磁干擾能力。同時，因為外部聲音經(jīng)過管道改變方向進入MEMS傳感器，可以有效提高產(chǎn)品抗高壓氣流沖擊能力與防止異物進入的能力，提高了產(chǎn)品的可靠性。2、根據(jù)權(quán)利要求1所述的MEMSMIC，其特征在于，由外殼2與線路板共同將MEMS傳感器與ASIC芯片完全密閉地封裝起來。3、根據(jù)權(quán)利要求1所述的MEMSMIC，其特征在于，由外殼1的聲學通路4與線路板的聲學通道5連通，實現(xiàn)將外部聲音傳輸?shù)組EMS傳感器底部后腔。4、根據(jù)權(quán)利要求1所述的MEMSMIC，其特征在于產(chǎn)品采用了兩個外殼的結(jié)構(gòu)設(shè)計，其中一個外殼上有音孔，另一個外殼為全封閉結(jié)構(gòu)。5、根據(jù)權(quán)利要求4所述外殼，外殼1可以在外殼2左側(cè)，也可以在外殼2的右側(cè)。6、根據(jù)權(quán)利要求1所述MEMS傳感器和線路板形成的通道，其特征在于在線路板內(nèi)部形成中空的通道，此通道的一端與MEMS傳感器的底部進音孔相連通，另一端與連接外殼1的進音孔的密閉進音通道相連通。7、根據(jù)權(quán)利要求1所述密閉的聲音傳輸通道，其特征在于此通道的方向可以在任何一個方向上，包括但不限于左向，前向與后向或斜向外殼的角。8、根據(jù)權(quán)利要求1所述的MEMSMIC，其特征在于通過外殼2與線路板的全密封結(jié)構(gòu)，實現(xiàn)更好的抗電磁干擾性能。9、根據(jù)權(quán)利要求1所述，其特征在于通過外殼1的聲音傳輸通道，將外部聲音傳遞到MEMS傳感器底部，提高了抗氣流吹擊與防止異物進入的能力。智建領(lǐng)航者智建領(lǐng)航者MUCN130195說明書1000022010.2 PAGE1一種通過雙外殼設(shè)計完成聲音導向的MEMSMIC（硅麥克風）技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明涉及一種聲電轉(zhuǎn)換裝置，具體而言，特別涉及一種通過雙外殼設(shè)計完成聲音導向的MEMSMIC(硅麥克風)。背景技術(shù)現(xiàn)有技術(shù)的頂部進音的MEMSMIC（也叫前進音硅麥克風），音孔在外殼上，MEMS傳感器與ASIC在線路板上，外殼與線路板形成密閉空腔，音孔與焊盤在此聲電轉(zhuǎn)換裝置的兩個面上，即不在線路板的同側(cè)。MEMS傳感器與ASIC及線路板通過導線形成電連接。聲音從外殼的音孔進入所述外殼與線路板形成密閉腔體而作用在MEMS傳感器振膜上，因為空腔7（前腔V1）的體積遠大于空腔8（后腔V2），后腔體積太小而導致此類產(chǎn)品靈敏度比較低，同時因為音孔直接對外，所以氣流與異物較容易進入MIC內(nèi)部而造成產(chǎn)品失效。詳細如下圖A所示：圖A針對上述產(chǎn)品設(shè)計方式所存在的問題，現(xiàn)有技術(shù)中關(guān)于如何同時解決既使產(chǎn)品有較高的靈敏度等等聲學性能，又能有效解決不抗氣流沖擊及的問題，提高產(chǎn)品抗電磁干擾能力，尤其是，如何實現(xiàn)當音孔在外殼上，與線路板分別在聲電轉(zhuǎn)換裝置的兩個面上時，因為空腔8的體積太小而造成的靈敏度較低的問題，目前尚未提出有效的解決方法。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的主要目的在于提供一種通過雙外殼設(shè)計完成聲音導向的MEMSMIC（硅麥克風），以解決現(xiàn)有技術(shù)中當音孔在外殼上，而MEMS傳感器與ASIC在線路板上，因為空腔8（后腔）的體積太小而造成的靈敏度較低及抗氣流沖擊與異物防護能力差的問題。為了解決上述問題，本發(fā)明采用如下解決方案。所述MEMS傳感器與ASIC芯片放置于線路板上，MEMS傳感器與ASIC芯片及線路板之間通過導線實現(xiàn)電連接。在線路板之上放置有全封閉的外殼2將MEMS傳感器與ASIC芯片封裝起來，在外殼1上有開孔，靠近外殼2放置在線路板上。外殼與線路板由焊錫膏等與線路板密封相連。外殼1的空腔4另一端與所述MEMS傳感器底部與線路板之間的聲音傳遞通道連接。所有連接均密閉無聲音泄露。由此形成將由外殼1進音孔3傳遞進來的聲音，由此通道送至MEMS傳感器底部。采用此類設(shè)計，一是可以顯著提高產(chǎn)品靈敏度，信噪比等等聲學性能。二是因為采用了完全密閉的外殼將MEMS傳感器與ASIC芯片密封了起來，極大地提高了產(chǎn)品抗電磁干擾能力。同時，因為外部聲音經(jīng)過管道改變方向進入MEMS傳感器，可以有效提高產(chǎn)品抗高壓氣流沖擊能力與防止異物進入的能力，提高了產(chǎn)品的可靠性。作為一種優(yōu)先的技術(shù)方案，本方案的密閉通道一端通過外殼1上的音孔與MIC外部連通，所述密閉的聲音傳輸通道4的另一端與MEMS傳感器和線路板形成的中空的通道5連通。進一步的，所述MEMS傳感器和線路板形成的通道，其特征在于在線路板內(nèi)部形成中空的通道，此通道的一端與MEMS傳感器的底部進音孔相連通，另一端與連接外殼進音孔的密閉進音通道相連通。進一步的，所述密閉的聲音傳輸通道4，其特征在于此聲音通道與MEMS傳感器和線路板形成的通道的連接為保證密封性，會使用焊錫膏或膠粘劑或泡棉等密封材料。進一步的，所述密閉的聲音傳輸通道，其特征在于此通道的方向可以在任何一個方向上，包括但不限于左向，前向與后向或斜向外殼的角。進一步的，所述的MEMS傳感器和線路板形成的連通通道，其特征在于，所述MEMS傳感器和線路板形成的連通通道一端與從音孔傳遞下來的聲音傳遞通道密閉相連通，另一端與MEMS傳感器底部進音口密閉相連通。進一步的，所述密閉的聲音傳輸通道，其特征在于此通道可以是方形，三角形，圓形或半圓形，多邊形等等任意形狀的密閉通道。進一步的，所述密閉的聲音傳輸通道，其特征在于此通道的材料可以是金屬或非金屬材料。通過本發(fā)明，使在此結(jié)構(gòu)下的前腔（大）變后腔（?。笄唬ㄐ。┳兦扒唬ù螅?，有效解決了在上述結(jié)構(gòu)下原先結(jié)構(gòu)中后腔體積太小而使產(chǎn)品靈敏度較低的問題，大幅提高了產(chǎn)品的靈敏度與信噪比，同時提高了抗氣流沖擊與防異物的能力及抗電磁干擾能力。附圖說明為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其它的附圖。圖1是本發(fā)明一實施例一種通過雙外殼設(shè)計完成聲音導向的MEMSMIC（硅麥克風）的剖視圖；圖2是本發(fā)明另一實施例一種通過雙外殼設(shè)計完成聲音導向的MEMSMIC（硅麥克風）的剖視圖；具體實施方式下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其它實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。實施例一如圖1所示，本發(fā)明是一種通過雙外殼設(shè)計完成聲音導向的MEMSMIC（硅麥克風）包括外殼1與外殼2、線路板11、MEMS傳感器9與ASIC集成電路8及電路連接線、連接外殼1的音孔3與MEMS傳感器底部后腔6的聲音傳輸通道4與5聲音傳輸通道。外部的聲音，從外殼1上的音孔3進入聲音密閉傳輸通道4與線路板上的聲音傳輸通道5，進入MEMS傳感器9的底部后腔6引起膜片的振動而將聲音信號轉(zhuǎn)換為電信號。其中，外殼1上有音孔，其主要作用是將外部聲音傳遞到MEMS傳感器底部音腔6，這樣就使MEMS傳感器有一個較大的后腔7。其中外殼1上的音孔形狀可以是圓形、方形或其它形狀。其中外殼1的材料可以是金屬或其它非金屬材料。其中外殼2是完全密封的殼。其中，外殼1與外殼2及線路板形成密封，材料可以是泡棉、焊錫膏、膠粘劑等。其中，線路板中的空腔5形狀可以是方形、圓形或扇形等任意形狀，其主要作用是與聲音傳輸通道4共同作用，將聲音從外殼外部傳導進入MEMS傳感器底部后腔6。為解決已有的頂部進音MEMSMIC（硅MIC）因為后腔小而靈敏度難做高的缺點，本發(fā)明利用雙外殼結(jié)構(gòu)設(shè)計的聲音傳導結(jié)構(gòu)，將后腔變大，由此解決了已有MIC的缺點，提高了產(chǎn)品靈敏度等聲學性能，提高了產(chǎn)品抗電磁干擾能力，提高了產(chǎn)品抗氣流吹擊與異物防護能力，提高了產(chǎn)品的可靠性。實施例二與實施例一比較，實施例二（如圖2所示）外殼1在外殼2的另一側(cè)，線路板內(nèi)的聲音傳輸通道5朝向ASIC集成電路側(cè)（如圖2所示）。為解決已有的頂部進音MEMSMIC（硅MIC）因為后腔小而靈敏度難做高的缺點，本發(fā)明利用雙外殼聲音導