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秘密▲5年全志科技版權(quán)所有,侵權(quán)必究Copyright?201Copyright?2019byAllwinner.AllrightsreservedPagePAGE1ofNUMPAGES20AllwinnerT507車載方案軟硬件穩(wěn)定性檢查Checklist文檔版本F01文檔類型FAQ文檔發(fā)布日期2020-1-15版權(quán)版權(quán)所有?珠海全志科技股份有限公司2019-2020。保留一切權(quán)利。非經(jīng)本公司書面許可,任何單位和個(gè)人不得擅自摘抄、復(fù)制本文檔內(nèi)容的部分或全部,并不得以任何形式傳播。商標(biāo)聲明、、Allwinnertech、Allwinner、全志和其他全志商標(biāo)均為珠海全志科技股份有限公司的商標(biāo)。本文檔提及的其他所有商標(biāo)或注冊商標(biāo),由各自的所有人擁有。注意您購買的產(chǎn)品、服務(wù)或特性等應(yīng)受全志公司合同和條款的約束,本文檔中描述的全部或部分產(chǎn)品、服務(wù)或特性可能不在您的購買或使用范圍之內(nèi)。除非合同另有約定,全志對本文檔內(nèi)容不做任何明示或默示的聲明或保證。由于產(chǎn)品版本升級或其他原因,本文檔內(nèi)容會不定期進(jìn)行更新。除非另有約定,本文檔僅作為使用指導(dǎo),本文檔中的所有陳述、信息和建議不構(gòu)成任何明示或暗示的擔(dān)保。本文檔中所提供的數(shù)據(jù)在不同的測試環(huán)境下可能存在一定的偏差,因其使用而導(dǎo)致的設(shè)計(jì)、開發(fā)錯(cuò)誤,或可能遭致的意外、疏忽、侵權(quán)及其造成的損失(包括但不限于直接的、間接的、后果性的或附帶性的損失),全志不做任何明示或默示的聲明或保證。請您謹(jǐn)慎決定是否使用。本文檔中提到的第三方技術(shù),除全志明確表示已獲得合法授權(quán)且轉(zhuǎn)授權(quán)予您使用外,您需要自行向權(quán)利人獲取合法授權(quán),同樣,如您需在全志交付的軟件或產(chǎn)品上集成第三方技術(shù)(如Sony、DTS、杜比、AVS、MPEGLA等)時(shí),也請您自行向權(quán)利人獲取合法授權(quán)。全志不為您的未授權(quán)行為或前述集成行為支付任何許可費(fèi)用或提供任何技術(shù)支持,也不承擔(dān)任何保證責(zé)任。請您自行為其后續(xù)使用行為負(fù)責(zé)。前言概述本文檔提供T507車載方案軟硬件穩(wěn)定性checklist檢查項(xiàng)本文用于指導(dǎo)客戶端在方案開發(fā)階段自主檢查硬件設(shè)計(jì)、軟件設(shè)計(jì)相關(guān)的穩(wěn)定性因素用于用于指導(dǎo)客戶端在產(chǎn)線發(fā)生穩(wěn)定性問題后,自行排查不穩(wěn)定性因素讀者對象本文檔主要適用于以下工程師:硬件工程人員軟件工程人員產(chǎn)線QA工程人員修訂記錄版本修改人時(shí)間備注V1.0AWA10862020/1/15增添常規(guī)硬件檢查章節(jié)目錄TOC\o"1-3"\h\u27641版權(quán) 2248前言 323154目錄 4150531.常規(guī)硬件檢查 5288832.VDD_CPU靜態(tài)負(fù)載下電壓檢測 7125903.VDD_CPU動態(tài)負(fù)載電壓檢測 8209344.DDR類問題檢查 9287265.產(chǎn)品穩(wěn)定性實(shí)驗(yàn) 11 常規(guī)硬件檢查典型測試場景:主界面檢查項(xiàng)目測試結(jié)果備注15V總電源檢查系統(tǒng)工作的功耗NA5V電壓&紋波&跌落NA2電源檢查PMU各路DCDC/LDO推薦電壓精度&紋波&噪聲電壓&紋波&噪聲&電壓跌落VCC-IO3.3V±10%&≤5%&≤10%VDD-CPU0.88V~1.10V&≤10%&NADC值需要考V-F表VDD-SYS0.96V±3%&≤5%&≤10%VCC-DRAM1.5V±5%&≤6%&≤10%DDR31.35V(1.283V~1.45V)&≤6%&≤10%DDR3L1.2V(1.14V~1.26V)&≤6%&≤10%LPDDR3&DDR41.1V(1.06V~1.17V)&≤6%&≤10%LPDDR4VPP-DRAM2.5V(2.35V~2.75V)&≤6%&≤10%僅限D(zhuǎn)DR4AVCC&VCC-PLL&VDD18-DRAM1.8V±2%&≤1%&≤1.5%其它外設(shè)電源具體電源標(biāo)準(zhǔn)請參考外設(shè)需求本項(xiàng)只填寫異常外設(shè)電壓5原理圖檢查《T507硬件設(shè)計(jì)指南V1_0》自檢是否通過?列出沒有通過的設(shè)計(jì)點(diǎn)并評估風(fēng)險(xiǎn)。使用的DDR原理圖模板是否是官方發(fā)布最新版本批量量產(chǎn)前需要確認(rèn)模板是否已經(jīng)調(diào)試驗(yàn)證,達(dá)到T/S狀態(tài)6PCB檢查《T507_PCB
Design_Checklist_V1.x》自檢是否通過?列出沒有通過的設(shè)計(jì)點(diǎn)并評估風(fēng)險(xiǎn)。使用的DDRPCB模板是否是官方發(fā)布最新版本批量量產(chǎn)前需要確認(rèn)模板是否已經(jīng)調(diào)試驗(yàn)證,達(dá)到T/S狀態(tài)VDD-CPU電源走線是否滿足設(shè)計(jì)要求VDD-SYS電源走線是否滿足設(shè)計(jì)要求VCC-DRAM電源走線是否滿足設(shè)計(jì)要求7重要元件檢查DDR型號是否屬于AVL支持列表中的型號?如果不在支持列表,請寫出具體型號。FLASH型號是否屬于AVL支持列表中的型號?如果不在支持列表,請寫出具體型號注意:跌落電壓不得低于上述各電源要求的最低電壓,CPU的最低工作電壓為V-F表配置的各檔位電壓值;2.以上電壓測量推薦的典型測量場景為主界面,如遇到系統(tǒng)穩(wěn)定性問題時(shí),需要在具體發(fā)生的場景測試異常樣機(jī)的各路電源的靜態(tài)電壓值,以及樣機(jī)從正常狀態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)楫惓顟B(tài)的動態(tài)過程電壓測量值,動態(tài)過程正常主要是為了觀察電壓是否有過沖、跌落等異常電源波形; VDD_CPU靜態(tài)負(fù)載下電壓檢測典型測試場景:Uboot階段輕載VDD_CPU電壓輸出系統(tǒng)啟動到Ubootshell后,測試CPU電壓。電壓預(yù)期測試結(jié)果cpu電壓vdd_cpu=1.0v VDD_CPU動態(tài)負(fù)載電壓檢測典型應(yīng)用場景:播放1080p高清碼流在超級終端輸入下列命令定頻后測試VDD_CPU電壓,定頻的具體操作方法:/*設(shè)置CPU頻率調(diào)節(jié)策略到用戶模式*/echouserspace>/sys/devices/system/cpu/cpu0/cpufreq/scaling_governor/*設(shè)置CPU測試頻率,如1008000=1008MHz*/echo1008000>/sys/devices/system/cpu/cpu0/cpufreq/scaling_setspeed/*查看設(shè)置CPU頻率操作是否生效*/cat/sys/devices/system/cpu/cpu0/cpufreq/cpuinfo_cur_freq步驟設(shè)置頻率預(yù)期cpu電壓實(shí)測cpu電壓14080000.82V28160000.88V310080000.94V412000001.02V514160001.10V注:動態(tài)負(fù)載:指CPU運(yùn)算負(fù)載存在大幅度波動,變化較為劇烈;DDR類問題檢查 步驟檢查內(nèi)容檢查結(jié)果備注1DDR驅(qū)動版本是否為SDK發(fā)布時(shí)版本?2DDR的配置參數(shù)是否與所使用的DDR模板相對應(yīng)?3如果是自行設(shè)計(jì)的DDR模板,或者是非正規(guī)物料,DRAM配置參數(shù)是否有做優(yōu)化適配?4Memtest穩(wěn)定性測試是否通過?測試頻率是多少?測試樣機(jī)和測試時(shí)間是多少?5DDR當(dāng)前量產(chǎn)工作頻率MHz?故障現(xiàn)象?6DDR降低頻率后是否正常MHz?正常?測試說明:1.優(yōu)先確認(rèn)測試固件的ddr驅(qū)動版本號是否最新,驅(qū)動版本號對應(yīng)的ddrpara參數(shù)是否匹配2.使用全志原廠提供的dragonHD工具進(jìn)行老化測試3.以上兩種方式均無問題,基本可以排除焊接問題(顆粒焊接正常與否)4.系統(tǒng)運(yùn)行異常情況下,如果對DDR進(jìn)行降頻復(fù)測不復(fù)現(xiàn)問題,則懷疑DDR可能存在性能問題,可在老化測試過程中增加memtester測試,通過memtester檢查是否存在DDR異常報(bào)錯(cuò)。5.系統(tǒng)休眠喚醒存在異常,則需要打開CRC校驗(yàn)測試。6.硬件可以通過確認(rèn)DRAM眼圖測試結(jié)果,確認(rèn)硬件是否異常。7.DDR供電紋波測試(VDD_DRAM為例),注意:需要選擇靠近管腳的電容,示波器表筆接地最小環(huán)路,選擇交流耦合,測試得波形的峰-峰值為紋波值。示例如下所示:1).跌落測試(VDD_DRAM為例)注意:示波器表筆下降沿觸發(fā)2).用示
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