第一章電力半導(dǎo)體器件

第1章電力半導(dǎo)體器件

1.1電力半導(dǎo)體器件種類與特點(diǎn)1.2功率二極管1.3功率晶體管1.4功率場(chǎng)效應(yīng)管1.5絕緣柵極雙極型晶體管1.6晶閘管1.7晶閘管的派生器件1.8主要電力半導(dǎo)體器件特性比較1.1電力半導(dǎo)體器件種類與特點(diǎn)1.1.1半導(dǎo)體器件分類從功率等級(jí)來分類有微功率器件、小功率器件、大功率器件等等制造資料分類有鍺管、硅管等等從導(dǎo)電機(jī)理分類有雙極型器件、單極型器件、混合型器件等等從控制方式來分類可分為不可控器件、半可控器件和全可控器件三類器件

1.1.2電力半導(dǎo)體器件運(yùn)用特點(diǎn)電力半導(dǎo)體器件穩(wěn)態(tài)時(shí)通常任務(wù)在飽和導(dǎo)通與截止兩種任務(wù)形狀。飽和導(dǎo)通時(shí)，器件壓降很小，而截止時(shí)它的漏電流小得可以忽略，這樣在飽和導(dǎo)通與截止兩種任務(wù)形狀下的損耗都很小，器件近似于理想的開關(guān)但需求指出的是，電力半導(dǎo)體器件在開關(guān)形狀轉(zhuǎn)換過程時(shí)并不是瞬時(shí)完成的〔所需時(shí)間稱開關(guān)時(shí)間〕，而是要經(jīng)過一個(gè)轉(zhuǎn)換過程〔稱開關(guān)過程〕圖1-1：簡(jiǎn)單的bjt電路例如，圖1-1所示電路中，當(dāng)任務(wù)在飽和導(dǎo)通形狀時(shí)管壓降，，的管耗，截止的漏電流，即截止時(shí)的管耗。假設(shè)任務(wù)在線性放大形狀時(shí)，設(shè)，那么的管耗。從運(yùn)用角度出發(fā)，主要可從以下五個(gè)方面調(diào)查電力半導(dǎo)體器件的性能特點(diǎn)：導(dǎo)通壓降運(yùn)轉(zhuǎn)頻率器件容量耐沖擊才干可靠性此外，諸如控制功率、可串并聯(lián)運(yùn)轉(zhuǎn)的難易程度、價(jià)錢等等也是選擇電力半導(dǎo)體器件應(yīng)思索的因數(shù)。1.1.3電力半導(dǎo)體器件開展程度在整流管類中，快速恢復(fù)二極管將有較大的開展在高壓直流輸電中，晶閘管〔光控晶閘管〕將有很好的開展機(jī)遇。在功率晶體管類中，以IGBT開展最為迅速1.2功率二極管

1.2.1二極管任務(wù)原理與伏安特性它具單導(dǎo)游電性當(dāng)外加正向電壓〔P區(qū)加正、N區(qū)加負(fù)〕時(shí)，PN結(jié)導(dǎo)通，構(gòu)成電流二極管外加反向偏壓〔P區(qū)加負(fù)、N區(qū)加正〕時(shí),所以反向電流非常小.二極管的伏安特性如圖1-3所示。圖1-2二極管耗盡層與少數(shù)載流子濃度分布圖1-3二極管伏安特性1.2.2功率二極管開關(guān)特性關(guān)斷過程的三個(gè)時(shí)間段。反相恢復(fù)時(shí)間，反相恢復(fù)電流。研討二極管關(guān)斷過程的電路二極管關(guān)斷過程的波形功率二極管開通時(shí)間很短，普通可以忽略不計(jì)，但二極管的關(guān)斷過程較復(fù)雜，對(duì)電路的影響不能忽視。1.3功率晶體管圖1-6BJT內(nèi)部構(gòu)造與元件符號(hào)〔a〕BJT內(nèi)部構(gòu)造；〔b〕元件符號(hào)BJT是一種雙極型半導(dǎo)體器件，即其內(nèi)部電流由電子和空穴兩種載流子構(gòu)成。根本構(gòu)造有NPN和PNP兩種。為了提高BJT耐壓，普通采用NPvN三重分散構(gòu)造〔圖1-6〕。圖1-7集電極耐壓與單位發(fā)射面積電流密度關(guān)系功率晶體管BJT普通是指殼溫為25℃時(shí)功耗大于1W的晶體管1.3.2任務(wù)原理及輸出特性圖1-8BJT三種根本電路〔a〕共發(fā)射極電路〔b〕共基極電路〔c〕共集電極電路系數(shù)是共基極電路的電流放大倍數(shù)，亦稱電流傳輸比β稱為共射極電路的電流放大倍數(shù)。假設(shè)接近于1，那么β的數(shù)值會(huì)很大,它反映了BJT的放大才干，就是用較小的基極電流IB可以控制大的集電極電流ICBJT共發(fā)射極電路的輸出特性圖1-10BJT共發(fā)射極電路的輸出特性◤該圖表示集電極電流IC與集射極電壓UCE的關(guān)系，其參變量為IB，特性上的四個(gè)區(qū)域反映了BJT的四種任務(wù)形狀。◢◤在晶體管關(guān)斷形狀時(shí)，基極電流IB＝0，集電極發(fā)射極間電壓即使很高，但發(fā)射結(jié)與集電結(jié)均處于反向偏置，即UBE≤0，UBC<0，發(fā)射結(jié)不注入電子，僅有很少的漏電流流過，在特性上對(duì)應(yīng)于截止區(qū)〔I區(qū)〕，相當(dāng)于處于關(guān)斷形狀的開關(guān)。◢◤當(dāng)發(fā)射結(jié)處于正向偏置而集電結(jié)仍為反向偏置時(shí)，即UBE>0，UBC<0，隨著IB添加，集電極電流IC線性增大，晶體管呈放大形狀，特性上對(duì)應(yīng)線性放大區(qū)〔II區(qū)〕。◢◤當(dāng)基極電流IB>〔IC/β〕時(shí)，晶體管就充分飽和了。這時(shí)發(fā)射結(jié)和集電結(jié)都是正向偏置，即UBE>0，UBC>0，電流增益和導(dǎo)通壓降UCE均到達(dá)最小值，BJT進(jìn)入飽和區(qū)〔IV區(qū)〕。BJT任務(wù)在飽和區(qū)，相當(dāng)于處于導(dǎo)通形狀的開關(guān)。◢

BJT的開關(guān)特性圖1-11BJT的開關(guān)特性◤當(dāng)基極回路輸入一幅值為UP〔UP>>UBB〕的正脈沖信號(hào)時(shí)，基極電流立刻上升到，在IB的作用下，發(fā)射結(jié)逐漸由反偏變?yōu)檎?，BJT由截止形狀變?yōu)閷?dǎo)通形狀，集電極電流IC上升到負(fù)載電阻壓降。集電極電流IC上升到負(fù)載電阻壓降，集電結(jié)變?yōu)榱闫踔琳?，集電極與發(fā)射極之間的壓降UCE≈0，BJT任務(wù)在飽和形狀，BJT相當(dāng)于閉合的開關(guān)。◢◤當(dāng)基極輸入脈沖為負(fù)或零時(shí)，BJT的發(fā)時(shí)結(jié)和集電結(jié)都處于反向偏置，集電極電流逐漸下降到IC＝ICEO≈0，因此負(fù)載電阻RL上的壓降可以忽略不計(jì)，集電極與發(fā)射極之間的壓降UCE≈UCC，即BJT任務(wù)在截止形狀，BJT相當(dāng)于一斷開的開關(guān)◢BJT的開關(guān)特性圖1-11BJT的開關(guān)特性◤圖1-11b〕中的ton叫開通時(shí)間，它表示BJT由截止形狀過渡到導(dǎo)通形狀所需求的時(shí)間。它由延遲時(shí)間td和上升時(shí)間tr-兩部分組成，ton=td+tr。◢◤td為延遲時(shí)間，表示從參與驅(qū)動(dòng)脈沖，到集電極電流上升到0.1ICsa所需求的時(shí)間tr為上升時(shí)間，表示集電極電流從0.1ICsa上升到0.9ICsa所需求的時(shí)間。◢◤toff叫關(guān)斷時(shí)間，表示BJT由導(dǎo)通形狀過渡到截止形狀所需求的時(shí)間。它由存貯時(shí)間ts和下降時(shí)間tf組成，toff=ts+tf。◢◤ts為存貯時(shí)間，表示輸入脈沖由正跳變到零時(shí)辰開場(chǎng)，直到集電極電流下降到0.9ICsa所需求的時(shí)間。◢◤tf為下降時(shí)間，表示集電極電流從0.9ICsa下降到0.1ICsa所需求的時(shí)間。◢圖1-12功率晶體管的開關(guān)損耗1.3.4BJT的二次擊穿圖1-13二次擊穿實(shí)驗(yàn)曲線圖1-14二次擊穿臨界限反偏二次擊穿觸發(fā)功率零偏二次擊穿觸發(fā)功率正偏二次擊穿觸發(fā)功率◤在二次擊穿景象中，當(dāng)?shù)谝淮窝┍罁舸┖?，從電流上升到ISB，再到觸發(fā)產(chǎn)生二次擊穿的時(shí)間延遲，稱為觸發(fā)時(shí)間。意味著BJT任務(wù)點(diǎn)進(jìn)入一次擊穿區(qū)時(shí)，并不立刻產(chǎn)生二次擊穿，而要有一個(gè)觸發(fā)時(shí)間。當(dāng)加在BJT上的能量超越臨界值〔觸發(fā)能量〕時(shí)，才產(chǎn)生二次擊穿，也就是說二次擊穿需求能量。◢

〔二〕BJT的平安任務(wù)區(qū)〔SOA〕◤BJT任務(wù)的平安范圍由圖1-15所示的幾條曲線限定：①集電極最大允許直流電流線ICM，由集電極允許接受的最大電流決議；②集電極允許最高電壓UCE0，由雪崩擊穿決議；③集電極直流功率耗散線PCM，由熱阻決議；④二次擊穿臨界限PSB，由二次擊穿觸發(fā)功率決議。◢

圖1-15BJT的平安任務(wù)區(qū)圖1-16不同任務(wù)形狀下BJT的平安任務(wù)區(qū)〔a〕正向偏置平安任務(wù)區(qū)；〔b〕反向偏置平安任務(wù)區(qū)◤從圖1-16可以看出BJT的反向偏置平安任務(wù)區(qū)比正偏時(shí)大得多◢◤可以在元件關(guān)斷瞬間，想方法使元件真正置于反偏任務(wù)形狀，即對(duì)BJT基極驅(qū)動(dòng)電路，在元件截止時(shí)，施加負(fù)的基射極電壓。來利用反偏平安任務(wù)區(qū)的特性◢1.3.5達(dá)林頓BJT與BJT模塊圖1-17達(dá)林頓BJT的等效電路達(dá)林頓BJT有以下特點(diǎn)：1共射極電流增益值大

圖1-18BJT模塊的等效電路BJT模塊除了有上述達(dá)林頓BJT的特點(diǎn)外，還有如下優(yōu)點(diǎn)：1〕

它是能量高度集中的組合器件，大大減少了變換器的體積；2〕

有電絕緣且傳熱好的固定底座，安裝運(yùn)用很方便；3〕

內(nèi)含續(xù)流二極管減少了線路電感，降低了器件關(guān)斷時(shí)電流變化率呵斥的過電壓。2飽和壓降UCEsa較高3關(guān)斷速度減慢 ts=ts1+ts2 1.4功率場(chǎng)效應(yīng)管1.4.1概述◤功率場(chǎng)效應(yīng)管，即功率MOSFET(MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor)是一種單極型的電壓控制器件，有驅(qū)動(dòng)功率小、任務(wù)速度高、無二次擊穿、平安任務(wù)區(qū)寬等顯著優(yōu)點(diǎn)。◢◤在中小功率的高性能開關(guān)電源、斬波器、逆變器中，功率場(chǎng)效應(yīng)管成為雙極型晶體管的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手，并得到了越來越廣泛的運(yùn)用。◢

圖1-19功率場(chǎng)效應(yīng)管構(gòu)造圖〔a〕“T〞MOSFET；〔b〕“V〞－MOSFET1.4.2MOSFET的根本特性1；轉(zhuǎn)移特性圖1-20N溝道型MOSFET的轉(zhuǎn)移特性◤只需UGS大于門檻電壓UGS〔th〕才有漏極電流ID流過，在ID較大時(shí)，ID和UGS近似為線性關(guān)系，亦即跨導(dǎo)gFS為常數(shù)：◤UGS＝10V之后，MOSFET的ID由外電路限制了。因此任務(wù)在開關(guān)形狀的MOSFET正向驅(qū)動(dòng)電壓Ug≈10V。◢〔二〕輸出特性◤輸出特性可以分為三個(gè)區(qū)域:可調(diào)電阻區(qū)I，飽和區(qū)II和雪崩區(qū)III◢圖1-21功率MOSFET輸出特性1.4.2MOSFET的根本特性〔三〕MOSFET的電容圖1-22MOSFET各端點(diǎn)之間的電容◤MOSFET各極之間的結(jié)電容由其物理構(gòu)造所決議，金屬氧化膜的柵極構(gòu)造決議了柵漏之間的結(jié)電容Cgd和柵源之間的結(jié)電容Cgs，MOSFET的PN結(jié)構(gòu)成了漏源間的結(jié)電容Cds。◢◤圖1-22表示了MOSFET的輸入電容Ciss、輸出電容Coss和反向傳輸電容Crss與結(jié)電容之間的關(guān)系。◢〔四〕開關(guān)特性圖1-23開關(guān)特性測(cè)試電路與波形td(on)：開通延遲時(shí)間tr：上升時(shí)間td(off)：關(guān)斷延遲時(shí)間，tf：下降時(shí)間1.4.3MOSFET平安任務(wù)區(qū)圖1-24MTM4N50的平安任務(wù)區(qū)〔a〕最大額定開關(guān)平安任務(wù)區(qū)；〔b〕最大額定正偏平安任務(wù)區(qū)◤由于電流具有隨溫度上升而下降的負(fù)反響效應(yīng)，因此MOSFET中不存在電流集中和二次擊穿的限制問題，它有較好的平安任務(wù)區(qū)〔SOA〕◢◤圖1-24是型號(hào)為MTM4N50(500V,4A)的MOSFET的平安任務(wù)區(qū)，它分最大額定開關(guān)平安任務(wù)區(qū)和最大額定正向偏置平安任務(wù)區(qū)兩種。◢◤最大額定開關(guān)平安任務(wù)區(qū)是負(fù)載線可跨越而不會(huì)招致MOSFET損壞的界限，根本的限制是峰值電流IDM和擊穿電壓U(BR)DSS，這個(gè)平安任務(wù)區(qū)只適用于器件開關(guān)時(shí)間小于1μs的開通和關(guān)斷過程◢◤在其他任務(wù)條件下，運(yùn)用正向偏置平安任務(wù)區(qū)。正向偏置平安任務(wù)區(qū)受功率損耗的限制，而結(jié)溫是隨功率損耗的變化而變化，圖1-29b〕表示的是溫度為25℃時(shí)的正向偏置平安任務(wù)區(qū)。◢◤在任一溫度下，某一任務(wù)電壓的允許電流可經(jīng)過以下等式算出：1．4．4MOSFET的根本參數(shù)〔一〕漏極額定電流ID和峰值電流IDM〔二〕通態(tài)電阻rDS(ON〔三〕閥值電壓UGS(th)〔四〕漏源擊穿電壓U(BR)DSS〔五〕最大結(jié)溫TJM〔六〕最大耗散功率PD〔七〕熱阻

TC+PD<TJM1.5絕緣柵極雙極型晶體管(IGBT)1.5.1IGBT的構(gòu)造與任務(wù)原理圖1-25IGBT的構(gòu)造剖面圖圖1-26IGBT簡(jiǎn)化等效電路及信號(hào)◤絕緣柵極雙極型晶體管簡(jiǎn)稱IGBT,它將功率MOSFET與BJT的優(yōu)點(diǎn)集于一身，既具有輸入阻抗高、速度快、熱穩(wěn)定性好、驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單等優(yōu)點(diǎn)，又具有通態(tài)壓降低、耐壓高和接受電流大等優(yōu)點(diǎn)◢◤由構(gòu)造圖可以看出，IGBT相當(dāng)于一個(gè)由MOSFET驅(qū)動(dòng)的厚基區(qū)BJT，其簡(jiǎn)化等效電路如圖1-26所示，圖中電阻Rdr是厚基區(qū)BJT基區(qū)內(nèi)的擴(kuò)展電阻。◢◤IGBT是以BJT為主導(dǎo)元件，MOSFET為驅(qū)動(dòng)元件的達(dá)林頓構(gòu)造器件，圖示器件是N溝道IGBT，MOSFET為N溝道型，BJT為PNP型。◢1.5.2IGBT的根本特性伏安特性轉(zhuǎn)移特性◤IGBT的伏安特性是指以柵極電壓UGE為參變量時(shí)，集電極電流IC與集電極電壓UCE之間的關(guān)系曲線◢◤IGBT的伏安特性與BJT的輸出特性類似，也可分為飽和區(qū)I、放大區(qū)II和擊穿區(qū)III三部分◢◤IGBT作為開關(guān)器件穩(wěn)態(tài)時(shí)主要任務(wù)在飽和導(dǎo)通區(qū)◢◤IGBT的轉(zhuǎn)移特性是指集電極輸出電流IC與柵極電壓之間的關(guān)系曲線。◢◤它與MOSFET的轉(zhuǎn)移特性一樣，當(dāng)柵極電壓UGE小于開啟電壓UGE(th)時(shí)，IGBT處于關(guān)斷形狀。在IGBT導(dǎo)通后的大部分集電極電流范圍內(nèi)，IC與UGE呈線性關(guān)系。◢1.5.2IGBT的根本特性IGBT的開關(guān)特性的測(cè)試電路IGBT的開關(guān)特性的開關(guān)特性曲線◤IGBT的開關(guān)特性如圖1-35所示。由圖可知IGBT的開關(guān)特性與功率MOSFET根本一樣。◢◤td(on)+tr=ton叫開通時(shí)間，td(off)+tf=toff叫關(guān)斷時(shí)間◢

IGBT的正偏平安任務(wù)區(qū)和反偏平安任務(wù)區(qū)◤IGBT開通時(shí)的正向偏置平安任務(wù)區(qū)FBSOA是由最大集電極電流ICM、最大集射極電壓UCEM、最大功耗三條邊境極限曲線包圍而成的，◢◤IGBT的反向偏置平安任務(wù)區(qū)RBSOA如圖1-29b)所示。它根本上是一矩形：2倍的額定集電極電流〔2IC〕和額定集射級(jí)電壓〔UCE〕所圍成的矩形。◢1.6晶閘管圖1-31晶閘管的雙三極管模型〔一〕晶閘管的構(gòu)造〔二〕晶閘管的雙三極管模型1〕無信號(hào)下的電路任務(wù)形狀在無信號(hào)形狀下，電路電流很小，因此可近似地以為電路處于斷態(tài)〔T1、T2相應(yīng)地處于截止形狀〕，更確切地應(yīng)稱為正向阻斷形狀。2〕有信號(hào)下的電路任務(wù)形狀在UAK>0的情況下，假設(shè)參與幅值足夠大的電流ig，且滿足，就可以使電路從斷態(tài)轉(zhuǎn)換到通態(tài)。經(jīng)過上述分析可知晶閘管有如下特性：〔1〕晶閘管導(dǎo)通的條件是：陽(yáng)陰極間必需加正向電壓，控制極施加正的控制極電流；〔2〕晶閘管具有正向阻斷的才干；〔3〕元件在正壓時(shí)是可控的，在反壓時(shí)那么完全處于斷態(tài)，也就是說它具有單導(dǎo)游電性質(zhì)。〔4〕元件觸發(fā)導(dǎo)通后，控制極失去作用，即元件的可控性是不可逆的。1.6.2晶閘管的伏安特性與參數(shù)圖1-32晶閘管的伏安特性〔a〕〔b〕◤它的反向特性見圖1-32a)、b〕的第三象限，它與普通二極管的反向特性類似，具有很好的反向阻斷才干，此時(shí)只需很小的漏電流〔假設(shè)干微安到幾十毫安〕經(jīng)過元件。當(dāng)反向電壓添加到-UBR時(shí)，漏電流急劇添加，特性曲線開場(chǎng)彎曲，稱UBR為反向轉(zhuǎn)機(jī)電壓。假設(shè)進(jìn)一步增大反向電壓，就會(huì)使晶閘管擊穿。◢◤晶閘管的正向特性見圖1-32a〕、b〕的第一象限。當(dāng)門極沒有正向電壓，即門極電流ig=0時(shí)，正向流過晶閘管的漏電流也很微小，晶閘管具有正向阻斷才干。只需正向電壓低于正向轉(zhuǎn)機(jī)電壓UBF，晶閘管就處于斷態(tài)，一旦正向電壓到達(dá)UBF，那么電流忽然添加，端電壓很快下降，晶閘管處于通態(tài)，見圖1-32a〕所示。◢晶閘管的一些主要參數(shù)〔一〕晶閘管的電壓定額：1．?dāng)鄳B(tài)反復(fù)峰值電壓Udrm2．反向反復(fù)峰值電壓Urrm3．額定電壓值4．通態(tài)〔峰值〕電壓UTm〔二〕晶閘管的電壓定額：1．通態(tài)平均電流ITa2．維持電流IH3．擎住電流ILH4．?dāng)鄳B(tài)反復(fù)峰值電流Idrm及反向反復(fù)峰值電流Irrm〔三〕晶閘管的門極參數(shù)定額1．門極觸發(fā)電流Igt2．門極觸發(fā)電壓Ugt〔四〕動(dòng)態(tài)參數(shù)和結(jié)溫1.斷態(tài)電壓臨界上升率du/dt2.通態(tài)電流臨界上升率di/dt3.額定結(jié)溫TJM1.6.3晶閘管的開關(guān)過渡過程圖1-34晶閘管元件的開經(jīng)過程〔一〕晶閘管的開經(jīng)過程：1.延遲時(shí)間td〔由ig=0.1Igt到UAK=0.9Ea的時(shí)間間隔〕。2．上升時(shí)間tr〔由UAK=0.9Ea到UAK=0.1Ea的這段時(shí)間間隔〕3．分散時(shí)間ts〔由UAK=0.1Ea到UAK=UT(av)的這段時(shí)間間隔〕圖1-35晶閘管元件的關(guān)斷過程〔a〕關(guān)斷晶閘管元件的原理電路；〔b〕關(guān)斷過程〔二〕晶閘管的關(guān)斷過程1．反向恢復(fù)時(shí)間trr2．控制極的恢復(fù)時(shí)間tgr晶閘管的串并聯(lián)圖1-39晶閘管的串聯(lián)運(yùn)轉(zhuǎn)〔a〕晶閘管串聯(lián)后的反向電壓；〔b〕晶閘管串聯(lián)均壓電路通常選均壓電阻為：均壓電阻Rj的功率可按下式計(jì)算：元件串聯(lián)時(shí)，必需降低電壓的額定值作用，普通取晶閘管的額定電壓為：圖1-40晶閘管并聯(lián)運(yùn)轉(zhuǎn)〔a〕晶閘管并聯(lián)時(shí)的電流分配；〔b〕串聯(lián)電阻法均流〔c〕串聯(lián)互感法均流；〔d〕三個(gè)晶閘管并聯(lián)的串聯(lián)互感法均流◤用串聯(lián)電阻法均流雖然簡(jiǎn)單，但因電阻上有損耗，并且對(duì)于動(dòng)態(tài)均流不起作用，故只在小功率的場(chǎng)所下適用◢◤采用均流電抗器均流，其優(yōu)點(diǎn)是損耗小，電感還有限制電流上升率的作用，但均流電抗器只能起動(dòng)態(tài)均流的作用。◢

1.7晶閘管的派生器件1.7.1雙向晶閘管圖1-41雙向晶閘管內(nèi)部構(gòu)造圖1-42雙向晶閘管的伏安特性1.7.3光控晶閘管圖1-46光控晶閘管符號(hào)及等效電路1.7.2可關(guān)斷晶閘管圖1-44GTO的構(gòu)造與符號(hào)圖中：A--陽(yáng)極；K--陰極；G--控制級(jí)1.8主要電力半導(dǎo)體器件特性比較1.8.1晶閘管與BJT的性能比較工程晶閘管BJT最高耐壓額定電流12000V4000A1200V600A開通時(shí)間≤幾微秒幾微秒〔1〕關(guān)斷時(shí)間幾十至幾百微秒幾微秒〔2〕正向壓降1～2V0.1~0.7V〔單管〕0.8~2.1V〔達(dá)林頓管〕漏電流幾毫安以下幾百微安以下開關(guān)方法及所需能量開通：控制極觸發(fā)電流〔功率為幾瓦以下〕關(guān)斷：陰極加負(fù)電壓〔3〕、〔4〕開通：基極流過電流〔功率為幾瓦以下〕關(guān)斷：基極電流消逝〔5〕關(guān)斷時(shí)的維護(hù)用緩沖電路抑制反峰電壓及du/dt用緩沖電路將電壓電流限制在平安任務(wù)區(qū)浪涌沖擊10倍的額定電流〔反復(fù)性〕20倍的額定電流〔非反復(fù)性〕二倍的額定電流〔非反復(fù)