半導體器件試題

第一 半導體器1NP（2N（3、PN（當外加反向電壓增加時，PN0，PN6、二極管是根據(jù)PN結(jié)的單向?qū)щ娦灾瞥傻?，因此二極管也含有單向?qū)щ娦?7、二極管的電流-電壓關(guān)系特性可大概理解為反向偏置導通，正向偏置截止 91012、普通來說，硅二極管的死區(qū)電壓不大于鍺二極管的死區(qū)電壓 13、如果二極管的正、反向電阻都很大，則該二極管內(nèi)部斷路 14、二極管的正極電位為-20V，負極電位為，則二極管處在零偏 1516、二極管的正極電位是-20V，1718、穩(wěn)壓二極管工作在正常的反向擊穿狀態(tài)時，切斷外加電壓后，PN結(jié)仍處在反向擊穿狀 19、當工作電流超出最大穩(wěn)定電流時，穩(wěn)壓二極管將不起穩(wěn)壓作用，但并不損壞 20、三極管相稱于兩個反向連接的二極管，因此基極斷開后還能夠作為二極管使用。 2122、三極管由兩個PN構(gòu)造成，因此能用兩個二極管反向連接起來充當三極管使用 2324、NPN型和PNP型三極管的區(qū)別是摻入雜質(zhì)元素不同 25ICEO26、發(fā)射結(jié)處在正向偏置的三極管，一定是工作在放大區(qū) 27、當三極管的兩個PN結(jié)都處在反偏時，三極管處在截止狀態(tài) 28、當三極管的發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏時，三極管處在飽和狀態(tài) 29、三極管處在飽和狀態(tài)時，它的集電極電流將隨基極電流的增加而增加 30、NPN型三極管各電極對地的電位分別為：UC=9V，UB=，UE=0V，則該三極管的工作狀態(tài) 1、在本征半導體中加入元素可形成N型半導體，加 幾價元素可形成P型半導體A.五價B.四價C.2、PN結(jié)加正向電壓時，空間電荷區(qū) A.變窄B.基本不變C.3、溫度升高時，二極管的反向飽和電流 A.增大B.不變C.4、點接觸型二極管較合用于 5、面接觸型二極管比較合用于 6、隨著正向電流的增大，普通二極管的直流電阻和交流電阻（ 7R*10R*100R2，兩者相比（A、 B、 8、當溫度升高后，二極管的正向電壓（A、增 B、減C、不變戲 D、無法擬9、如果二極管的正反電阻都很小功率二極管的性能好壞時，應(yīng)把歐姆檔撥到（A、正 B、已被擊C、內(nèi)部斷 D、無法擬10、用萬用表歐姆檔測量小功率晶體二極管的特性好壞是應(yīng)把歐姆檔撥到 A、R×100或 B、C、 D、都能AO11、下題圖1－1所示電路中，設(shè)DAO題圖A、 B、C、 D、12、下題圖1－2所示電路中，當E=10V時，UD=;若E=20V時，則UD應(yīng)是 RRD題圖A、 B、略C、仍 D、略13A、正向?qū)˙、反向截止CBC A、PNP型鍺 B、NPN型鍺C、PNP型硅 D、NPN型硅 A、 B、 C、 D、 17、當晶體三極管的兩個PN結(jié)都正偏時，則晶體三極管處在 A、截止狀態(tài) B、放大狀C、飽和狀態(tài) D、擊穿狀18、當晶體管的發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏時，則晶體管處在 A、放大狀 B、飽和狀C、截止狀 D、擊穿狀19、當環(huán)境溫度升高時，晶體三極管的反向電流將 A、增 B、減C、不 D、無法擬 21、三極管處在飽和狀態(tài)時，它的集電極電流將 C、與基極電流變化無關(guān)，只決定于EC和RC22、如題圖1－3所示為三極管輸出特性，該管在Uce=6v,Ic=3mA處的電流放大倍數(shù)β A、 B、D、C、D、23PN（ 24PN（ A、NPN B、PNP 1（

題圖45V，1－5 1－為抱負二極管D DO

題圖

51－7Uim>E，DRD EE1－1－71－9UD＝，5～15mA1－8DZ1DZ25V10V，1－10 1－UO1UO21－IZmax＝25mA。UI10V、15V、35VUOUI