北方華創(chuàng)-市場前景及投資研究報告-開創(chuàng)啟程領跑未來

證券研究報告北方華創(chuàng)（002371.SZ）：開創(chuàng)芯啟程，領跑芯未來股票投資評級：買入|維持2023年10月6日北方華創(chuàng)·業(yè)務版圖半導體裝備精密元器件真空裝備電源模塊PowerSupplyModule等離子體刻蝕設備石墨純化設備GraphitepurificationFurnaceEtch物理氣相沉積設備

?

集成電路IC；晶體器件Crystal

Device化學氣相沉積工藝設備PVDCVD/CVI

Furnace?

先進封裝；?

先進陶瓷；?

金屬熱處理；?

碳材；連續(xù)高溫設備Continuoushigh-temperatureFurnace化學氣相沉積設備精密電阻器?

功率半導體；CVDPrecisionResistor?

化合物半導體；長晶爐設備微波組件Microwave

Module燒結工藝設備SinteringFurnacePVT?

硅基微型顯?

真空電子元示；器件；氧化擴散設備鉭電容器TantalumCapacitor先進熱處理工藝設備Heat

TreatmentFurnaceFurnace?

半導體顯示?

復合集流體及照明；行業(yè)；濕法設備針焊工藝設備BrazingFurnace?

科研領域；?

氫能行業(yè)；WET紫外線固化爐?

新能源光伏；

平臺型企業(yè)物理氣相沉積工藝設備?

新能源光伏；UV

CurePVD

Furnace?

平板顯示及?

磁性材料行智能自動化；業(yè)；移載傳輸設備單晶爐設備SingleCrystalGrowingFurnaceIndexer?

襯底材料；?

客戶服務；?

備品備件?

鋰電池極片電池制造釹鐵硼晶界擴散工藝設備NdFeB

grainboundarydiffusionprocessequipment輔助設備AncillaryEquipment鋰離子電池極片制造設備Li-ionBatteryElectrode氣體測量控制GasMeasuring

ControlManufacturingEquipment2資料：公司官網(wǎng)，中郵證券研究所投資要點?

平臺化布局半導體工藝裝備+真空及鋰電裝備+精密電子元器件，跨入“百億級”發(fā)展新階段。公司由七星電子與北方微電子戰(zhàn)略重組成立，作為國內(nèi)主流高端電子工藝裝備供應商與重要高精密電子元器件生產(chǎn)基地，在半導體工藝裝備領域，公司覆蓋刻蝕、薄膜、清洗、熱處理、晶體生長等核心工藝裝備，廣泛應用于邏輯器件與存儲器件等工藝制造過程，助力半導體。在真空及鋰電裝備領域，公司研發(fā)的晶體生長設備等為新材料、新工藝、新能源等綠色制造賦能。在精密電子元器件領域，公司研發(fā)的石英晶體器件等產(chǎn)品推動元器件向小型化、輕量化、高精密方向發(fā)展。隨著電子工藝裝備的持續(xù)突破，2022年公司跨入“百億級”營收發(fā)展新階段。?

加碼研發(fā)擴大工藝覆蓋范圍，長效激勵構筑堅實人才基礎。以全球晶圓廠設備分類占比23%/22%的薄膜/刻蝕設備為例，刻蝕裝備方面，公司發(fā)布了雙頻耦合CCP介質(zhì)刻蝕機，實現(xiàn)硅刻蝕、金屬刻蝕、介質(zhì)刻蝕工藝全覆蓋。薄膜裝備方面，公司的銅互聯(lián)薄膜/鋁薄膜/鎢薄膜/硬掩膜/介質(zhì)膜/TSV薄膜/背面金屬沉積等二十余款產(chǎn)品成為國內(nèi)主流芯片廠的優(yōu)選機臺。同時公司在立式爐/臥式爐/外延/清洗裝備方面不斷擴大工藝覆蓋范圍。另外，2018/2019/2022年三期股權激勵計劃的實施彰顯公司長期發(fā)展信心，構筑堅實人才基礎。?

國內(nèi)未來255.1萬片/月（折合12吋）待擴產(chǎn)，疊加以及先進封裝等驅(qū)動，平臺型公司大有可為。公司在手訂單充足，2023年1-5月新增訂單相較去年同期增長超過30%，其中以集成電路設備訂單為主；考慮到國內(nèi)未來255.1萬片/月（折合12吋）待擴產(chǎn)，疊加因素，公司有望憑借刻蝕、薄膜、清洗、熱處理、晶體生長等核心工藝裝備的平臺化布局獲得可觀訂單，支撐未來業(yè)績增長。隨著以TSV技術為代表的先進封裝成為芯片集成的重要途徑，公司憑借在TSV制作環(huán)節(jié)的產(chǎn)品布局如PSE

V300等有望獲得更多訂單。盈利預測和財務指標項目\年度2022A14,688.11

20,664.59

26,695.46

34,475.0251.68

40.69

29.18

29.143,355.06

4,852.10

6,293.85

7,990.132023E2024E2025E?

盈利預測：我們預計公司2023/2024/2025年分別實現(xiàn)收入207/267/345億元，實現(xiàn)歸母凈利

潤

分

別

為

38/51/66

億

元

，

當

前

股

價

對

應2023-2025年PE分別為33倍、25倍、19倍，維持“買入”評級。營業(yè)收入(百萬元)增長率(%)EBITDA(百萬元)歸屬母公司凈利潤(百萬元)

2,352.73

3,827.63

5,098.97

6,570.91增長率(%)118.374.4462.697.2233.219.6228.8712.4019.463.64EPS(元/股)市盈率（P/E）市凈率（P/B）EV/EBITDA?

風險提示：外部環(huán)境不確定性風險；技術迭代54.356.4833.415.4425.084.47風險；人力資源風險；下游擴產(chǎn)不及預期風險。33.6124.5218.4213.96資料：公司公告，中郵證券研究所3平臺化布局半導體工藝裝備+真空及鋰電裝備+精密電子元器件，跨入“百億級”發(fā)展新階段一二加碼研發(fā)擴大工藝覆蓋范圍，長效激勵構筑堅實人才基礎目錄國內(nèi)未來255.1萬片/月（折合12吋）待擴產(chǎn)，三四以及先進封裝等驅(qū)動訂單增長盈利預測4一平臺化布局半導體工藝裝備+真空及鋰電裝備+精密電子元器件，跨入“百億級”發(fā)展新階段5發(fā)展歷程2019.122020.32018.82018.4完成首次股票期權激勵計劃授予登記北方華創(chuàng)非公開發(fā)行股票上市，國家集成電路基金、北京電控和京國瑞基金參與本次認購北方華創(chuàng)完成2019年股票期權與限制性股票激勵計劃股票期權授予登記完成在美國加利福尼亞州設立NAURAResearch

Inc.（北方華創(chuàng)美國硅谷研究院）2022.122019.12020.3銷售收入首次突破百億元2018.1北方華創(chuàng)微電子獲得國家級企業(yè)技術中心資質(zhì)北方華創(chuàng)收購北廣科技射頻應用技術相關資產(chǎn)正式簽約完成對美國Akrion

Systems

LLC公司收購20182019202020222017201620152012201020012016.82015.102012.92010.3北京電控整合原國營700廠、706廠、707廠、718廠、797廠、798廠的優(yōu)質(zhì)2001.92017.2七星電子與北方微電子戰(zhàn)略重組七星電子更名為北方華創(chuàng)科技集團股份有限公司，推出全新品牌“北方華創(chuàng)”（NAURA）七星電子完成上市之后第一次再融資七星電子與北方微電子重組之旅開啟七星電子在深圳證券交易所上市資產(chǎn)和業(yè)務，以七星集團為主發(fā)起人設立七星電子2016.9北方微電子由北京電控聯(lián)合七星集團、清華大學、北京大學、中科院微電子所和中科院光電技術研究所共同出資設立2001.10北方微電子更名為北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司北方華創(chuàng)真空北方華創(chuàng)微電子真空設備半導體裝備北方華創(chuàng)新能源七星華創(chuàng)精密電子新能源鋰電設備電子元器件資料：公司官網(wǎng)，中郵證券研究所6股權結構圖表1：公司股權結構（截至2023年6月30日）國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金二期國家香港中央結算有限公司北京京國瑞國企改革發(fā)展基金（有限合伙）國聯(lián)安基金七星集團北京電控集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金諾安基金華夏基金興全基金其他33.62%9.43%6.42%4.32%1.52%1.24%1.17%1.15%0.93%0.84%39.36%北方華創(chuàng)科技集團股份有限公司14%100%100%100%100%100%91.18%10%5.26%4%北京飛行博達電子有限公司北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司北京七星華創(chuàng)精密電子科技有限責任公司北京北方華創(chuàng)真空技術有限公司廣州中科同芯半導體技術合伙企業(yè)（有限合伙）長江先進存儲產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新中心有限責任公司芯鏈融創(chuàng)集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展（北京）有限公司北京七星華創(chuàng)集成電路裝備有限公司北京諾華資本投資管理有限公司2.08%1.3%0.18%SEVEN

STAR

ELECTRONICSINCORPORATED北京京國管股權投資基金（有限合伙）上海集成電路裝備材料產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新中心有限公司北京七星華創(chuàng)微電子有限責任公司資料：Wind，中郵證券研究所7電子工藝裝備持續(xù)突破，跨入“百億級”發(fā)展新階段?

作為國內(nèi)主流高端電子工藝裝備供應商以及重要的高精密電子元器件生產(chǎn)基地，公司的主要產(chǎn)品為電子工藝裝備（主要包括半導體裝備、真空裝備和新能源鋰電設備）和電子元器件（主要包括電阻、電容、晶體器件、模塊電源、微波組件等）。?

半導體行業(yè)周期波動下，憑借強勁的產(chǎn)品實力，公司業(yè)績穩(wěn)健增長，2022年實現(xiàn)營收146.88億元，正式跨入“百億級”發(fā)展新階段。根據(jù)公司5月31日披露的投資者關系活動記錄表，公司在手訂單充足，2023年1-5月新增訂單相較去年同期增長超過30%，其中以集成電路設備訂單為主，支撐公司未來業(yè)績增長。圖表2：2018-2023H1公司各業(yè)務營收（億元）圖表3：2018-2023H1公司各業(yè)務營收占比16014012010080146.88100%13%90%80%70%60%50%40%30%20%10%0%19%80%18%82%18%82%21%79%24%76%25.7496.8384.2717.1510.5987%60.5611.6560120.8440.588.4733.247.884079.4973.4948.692031.9125.21020182019202020212022

2023H1電子工藝裝備電子元件其他業(yè)務電子工藝裝備電子元件其他業(yè)務

總計資料：Wind，中郵證券研究所資料：Wind，中郵證券研究所8毛利率區(qū)間波動相對穩(wěn)健，持續(xù)擴充研發(fā)?

毛利率區(qū)間波動相對穩(wěn)?。浩渌麡I(yè)務占比極低，公司綜合毛利率主要受電子工藝裝備與電子元件影響。近年來，隨著公司新產(chǎn)品的推出以及產(chǎn)品力優(yōu)勢，整體毛利率在35%-45%區(qū)間波動。?

規(guī)模效應不斷凸顯：2018-2023H1，公司的銷售/管理/財務費用率基本呈下降趨勢，規(guī)模效應不斷凸顯。?

研發(fā)方面：公司2022年研發(fā)資金投入35.66億元，申請專利900余件，獲得授權專利600余件，研發(fā)人員2,929人，占比29.27%，研發(fā)資金投入與申請專利數(shù)連續(xù)三年實現(xiàn)穩(wěn)步增長。公司將保持高強度的研發(fā)投入力度，加快新產(chǎn)品開發(fā)和新技術預研。圖表4：2018-2023H1公司各主營業(yè)務毛利率圖表5：2018-2023H1公司相關費用率16%11%6%85%75%65%55%45%35%25%15%5%80%13%13%13%72%49%73%53%70%69%61%67%60%11%66%11%10%44%42%41%38%41%39%38%37%38%35%35%33%1%29%-4%20182019202020212022

2023H1銷售費用率研發(fā)費用率管理費用率財務費用率綜合電子工藝裝備電子元件其他業(yè)務資料：Wind，中郵證券研究所資料：Wind，中郵證券研究所9規(guī)模效應持續(xù)凸顯，盈利能力不斷增強?

受益于公司半導體設備業(yè)務市場占有率的穩(wěn)步提升及經(jīng)營效率的不斷提高，公司歸母凈利潤和扣非歸母凈利潤保持穩(wěn)健增長，2023H1公司實現(xiàn)歸母凈利潤/扣非歸母凈利潤17.99/16.09億元，分別同比增長149%/138%。圖表6：2018-2023H1公司歸母、扣非后歸母凈利潤（億元）以及各自增長率（%）252015105350%300%250%200%150%100%50%23.5321.06309%17.9916.09181%74%161%149%137%86%10.77101%8.07138%118%32%3.095.372.341.970%-8%0.760.700-50%201820192020202120222023H1歸屬母公司股東的凈利潤扣非后歸屬母公司股東的凈利潤歸母同比(%)扣非歸母同比(%)資料：Wind，中郵證券研究所10二加碼研發(fā)擴大工藝覆蓋范圍，長效激勵構筑堅實人才基礎11刻蝕技術概覽介質(zhì)刻蝕氧化硅、氮化硅、二氧化鉿、光刻膠一般使用電容耦合等離子體刻蝕機（CCP）49%按照刻硅刻蝕單晶硅、多晶硅、硅化物蝕48%一般使用電感耦合等離子體刻蝕機（ICP）材料分金屬刻蝕類鋁、鎢各向同性各向異性3%干法刻蝕90%一種物理干法加工工藝，利用高能氬離子束以大約1至3keV的能量照射在材料表面上優(yōu)：由于是垂直輻射，因此在垂直墻壁上的磨損非常?。ǜ吒飨虍愋裕╇x子束刻蝕（Ion

BeamEtching，IBE）按劣：由于其選擇性較低且蝕刻速率較慢，這種工藝在當前的半導體制造中很少使用照刻一種絕對化學刻蝕工藝，也稱為化學干法刻蝕（Chemical

dry

etch）優(yōu)：不會導致晶圓表面的離子損傷局限：由于蝕刻氣體中的活性粒子可自由移動，蝕刻過程是各向同性的，因此該方法適用于去除整個薄膜層（例如，清除經(jīng)過熱氧化后的背面）蝕等離子刻蝕（Plasma

etch）刻蝕技術工藝分非常精確控制選擇性、蝕刻輪廓、蝕刻速率、均勻性和可重復性的化學物理蝕刻工藝優(yōu)：可實現(xiàn)各向同性和各向異性的蝕刻輪廓，構建各種薄膜的最重要工藝之一劣：選擇性并不是非常高，因為物理蝕刻過程也會發(fā)生。此外，離子的加速會對晶圓表面造成損傷，需要進行熱退火來修復類反應離子蝕刻（Reactiveion

etching，RIE）5[μm]技術【nm】濕法刻蝕干法刻蝕特定方向（各向異性）等離子體（陽離子、自由基）物理+化學技術進步化學刻蝕所有方向（各向同性）刻蝕方向使用的材料反應方式精細圖案濕法刻蝕10%液體溶液化學所需設備昂貴目標選擇問題吞吐量問題電解刻蝕快速度慢資料：寬禁帶半導體技術創(chuàng)新聯(lián)盟微信號，SJT錦雅電子微信號，IMECAS硅光子微信號，馭勢資本，知乎，芯ONE微信號，中郵證券研究所12干法蝕刻（dry

etch）工藝主要表征蝕刻速率

(etchrate)均勻性

(uniformity)ER=high/timeP-substrate單位時間內(nèi)去除蝕刻材料的深度或厚度選擇比

(selectivity)S=ER1/ER2衡量蝕刻關鍵尺寸（CD）均勻性，一般用CD的full

map表征，公式為：U=(Max-Min)/2*AVGhigh1high2P-substrate終點探測

(end

point)不同蝕刻材料的蝕刻速率比值PerturbationIndicatingEndpoint關鍵尺寸

(critical

dimension)CDP-substrateTime在蝕刻過程中時刻檢測光強的變化，當某一特定光強發(fā)生明顯上升或下降時終止蝕刻，以此標志某一層film蝕刻的完成蝕刻完成后特定區(qū)域圖形尺寸大?。喊雽w材料與工藝微信號，芯ONE微信號，中郵證券研究所資料13刻蝕設備：硅刻蝕、金屬刻蝕、介質(zhì)刻蝕工藝全覆蓋圖表7：公司等離子體刻蝕設備部分匯總（晶圓尺寸、適用材料與工藝）刻蝕機類別多晶硅刻蝕機金屬刻蝕機型號晶圓尺寸6/8吋兼容6/8吋兼容6/8吋兼容6/8吋兼容12吋適用材料適用工藝NMC

508C/GNMC

508MNMC

508RIENMC

508GtNMC

612MNMC

612GNMC

612CNMC

612DPSEV300硅多晶硅刻蝕、硅刻蝕、多晶硅柵極刻蝕、淺槽隔離刻蝕等頂層金屬刻蝕、中間層金屬刻蝕等鋁、氮化鈦、鉬、鎢、氧化銦錫等介質(zhì)刻蝕機氧化硅、氮化硅、氮氧化硅鈍化層、硬掩膜、接觸孔、導線孔、側襯、自對準、回刻等刻蝕深硅刻蝕深槽刻蝕機硅氮化鈦金屬硬掩膜刻蝕機金屬刻蝕機金屬鋁、硅、氧化物、鉬、氧化銦錫硅TiN

HM刻蝕、高K值介質(zhì)刻蝕、W/Ti/Ta等金屬及其化合物刻蝕多晶硅刻蝕、介質(zhì)刻蝕、Al/Mo/ITO等金屬刻蝕多晶硅柵極刻蝕、淺槽隔離刻蝕、側墻刻蝕淺溝槽隔離刻蝕、柵極刻蝕、側墻刻蝕、雙重圖形曝光2.5D&3D

TSV刻蝕、深槽隔離/電容刻蝕、MEMS刻蝕掩膜刻蝕、Spacer、有機物刻蝕、大馬士革刻蝕等深槽刻蝕、深孔刻蝕、扇出型封裝硅載體刻蝕、露銅刻蝕等深硅刻蝕12吋硅刻蝕機12吋硅刻蝕機12吋硅深硅刻蝕機8/12吋兼容12吋硅、氧化硅、氮化硅氧化硅、氮化硅、PI等有機物、玻璃等硅、氧化硅、氮化硅硅、SOI、SOG封裝鈍化層刻蝕機深硅刻蝕機PSEV300DiHSE

P3008/12吋兼容8吋及以下深硅刻蝕機HSE

M200380mm

Frame等離子體切割刻蝕機HSE

D300硅深硅等離子切割及以下去膠機ACE

i3008/12吋兼容8/12吋兼容光刻膠干法去膠微波等離子體表面處理系統(tǒng)BMDP300PR,PI,PBO,

BCB等等離子體表面處理、殘渣去除、金屬離子去除氮化鎵、氧化硅/氧化鈦、砷化鎵、磷化鎵、高精度刻蝕機多功能刻蝕機高密度刻蝕機芯片刻蝕機GSE

V200GSEC200GDEC2008吋及以下8吋及以下8吋及以下多種材料刻蝕工藝多種材料刻蝕工藝鋁鎵銦磷、氮化硅、鎢化鈦等硅、氧化硅、氮化硅、氮化鎵、砷化鎵、磷化銦、鈮酸鋰、金屬、有機物等碳化硅、氮化硅、鋁鈧氮、鉬、鋁氮、鋯鈦酸鉛、氧化鋁、氮化鎵等碳化硅通孔刻蝕、碳化硅柵槽刻蝕、鉬-鋁氮電極刻蝕等電極、深槽隔離、DBR、紅黃光、鈍化層、金屬阻擋層等刻蝕ELEDE?G380A/G380D2、4、6

吋及特殊尺寸氮化鎵、氧化硅/氧化鈦、砷化鎵、磷化鎵、鋁鎵銦磷、氮化硅、鎢化鈦、有機物等2、4、6

吋及特殊尺寸PSS刻蝕機ELEDE?

380F藍寶石，氧化硅等納米級/圖形化PSS刻蝕、復合襯底刻蝕資料：公司官網(wǎng)，中郵證券研究所14刻蝕設備：新工藝不斷突破?

刻蝕裝備方面，面向12吋邏輯、存儲、功率、先進封裝等客戶，公司已完成數(shù)百道工藝的量產(chǎn)驗證，ICP刻蝕產(chǎn)品出貨累計超過2000腔；采用高密度、低損傷設計的12吋等離子去膠機已在多家客戶完成工藝驗證并量產(chǎn)；金屬刻蝕設備憑借穩(wěn)定的量產(chǎn)性能成為國內(nèi)主流客戶的優(yōu)選機臺；迭代升級的高深寬比TSV刻蝕設備通過客戶端工藝驗證，支撐Chiplet工藝應用；應用于提升芯片良率的12吋CCP晶邊刻蝕機已進入多家生產(chǎn)線驗證；精準針對客戶需求，發(fā)布了雙頻耦合CCP介質(zhì)刻蝕機。實現(xiàn)了在硅刻蝕、金屬刻蝕、介質(zhì)刻蝕工藝的全覆蓋，具有對硅、深硅、金屬、介質(zhì)、化合物半導體等多種材料的刻蝕能力。2023年6月30日：公司12吋深硅刻蝕機銷售突破百腔，助力CHIPLET

TSV工藝發(fā)展?

以TSV（Through

Silicon

Via，硅通孔）技術為代表的先進封裝成為芯片集成的重要途徑。?

公司于2020年前瞻性推出的12吋先進封裝領域PSE

V300，成為國內(nèi)TSV量產(chǎn)生產(chǎn)線主力機臺。?

經(jīng)過三年的迭代更新，PSEV300已從最初的2.5D/3D封裝領域，逐漸應用至功率器件、圖像傳感器及微機電系統(tǒng)等眾多領域。2023年7月1日：公司發(fā)布國產(chǎn)12吋晶邊刻蝕機，打造良率提升專業(yè)解決方案?

晶邊刻蝕機作為業(yè)界提升良率的有力保障，其重要性日益凸顯。近日，公司正式發(fā)布應用于晶邊刻蝕（Bevel

Etch）工藝的12吋等離子體刻蝕機AccuraBE，實現(xiàn)國產(chǎn)晶邊干法刻蝕設備“零”的突破。?

AccuraBE剛發(fā)布上市，憑借優(yōu)秀的工藝均勻性等斬獲邏輯及存儲器領域頭部客戶多個訂單，通過工藝調(diào)試，進入量產(chǎn)階段。2023年7月1日：北方華創(chuàng)發(fā)布12吋去膠機，實現(xiàn)去膠工藝全覆蓋?

去膠工藝作為刻蝕工藝的一種，光刻膠在完成圖形復制和傳遞作用后能否去除干凈直接影響到后續(xù)工藝是否能夠進行，甚至關系到器件的性能。2023年6月，北方華創(chuàng)正式發(fā)布12吋去膠機ACE

i300，開拓12吋刻蝕領域全新版圖。?

ACE

i300主要用于12吋存儲、邏輯、圖像傳感器等，實現(xiàn)刻蝕后去膠（post

etch

strip）、離子注入后去膠（post

implantstrip）、去殘膠（descum）、表面處理（surface

treatment）等去膠工藝全覆蓋。多項關鍵工藝指標達到先進水平。資料：公司官網(wǎng)，公司公告，中郵證券研究所15刻蝕設備：應用領域廣泛，性能優(yōu)異圖表8：公司等離子體刻蝕設備部分匯總（應用領域與設備特點）刻蝕機類別型號應用領域設備特點集成電路、化合物半導體、功率半導體、科研多晶硅刻蝕機NMC508C/G良好的形貌控制能力；多腔室集群設備，可全自動并行工藝，易維護高刻蝕速率、高刻蝕均勻性、低顆粒/缺陷；性能穩(wěn)定、產(chǎn)能高、客戶擁有成本低集成電路、化合物半導體、功率半導體、硅基微型顯示、科研良好的鋁線形貌控制能力；多腔室集群設備，含金屬腔和去膠腔組合，金屬刻蝕機介質(zhì)刻蝕機NMC508MNMC508RIE可全自動并行工藝，PM維護周期長集成電路、化合物半導體、功率半導體、科研高刻蝕速率和均勻性；易維護、性能穩(wěn)定、產(chǎn)能高、客戶擁有成本低；多腔室集群設備，全自動并行工藝多腔室集群設備，可全自動并行工藝深槽刻蝕機NMC508GtNMC612M集成電路、功率半導體集成電路溝槽頂部圓化能力，優(yōu)秀的形貌控制、低顆粒/缺陷氮化鈦金屬硬掩膜刻蝕機先進的線寬、形貌、均勻性控制能力；高產(chǎn)能，工藝穩(wěn)定，低缺陷；減少等離子體誘導損傷集成電路、功率半導體、硅基微型顯示多腔室集群設備（Cluster

Tool）（全自動化的，能夠進行串行或并行工藝處理）；包含工藝模塊和傳輸模塊，可從12吋硅片傳輸盒（FOUP）中連續(xù)自動取片并在所指定的工藝腔室里完成所設定的工藝金屬刻蝕機NMC612G硅刻蝕機硅刻蝕機NMC612CNMC612D集成電路、功率半導體集成電路已在客戶端穩(wěn)定量產(chǎn)超過十年豐富的工藝調(diào)試手段、較高的刻蝕均勻性以及量產(chǎn)穩(wěn)定性量產(chǎn)穩(wěn)定性較高集成電路、先進封裝、功率半導體、圖像傳感器、微機電系統(tǒng)兼具Bosch/Non-Bosch工藝，針對Bosch循環(huán)工藝方式采用專業(yè)先進的快速響應硬件配置及軟件流程控制，結合先進的工藝技術，可實現(xiàn)超高深寬比下良好的工藝性能，配置多腔平臺，滿足大產(chǎn)能量產(chǎn)使用需求深硅刻蝕機PSE

V300封裝鈍化層刻蝕機深硅刻蝕機PSE

V300DiHSE

P300HSE

M200HSE

D300ACEi300先進封裝先進封裝易維護、性能穩(wěn)定、客戶擁有成本低；高刻蝕速率、高刻蝕均一性能力，低顆粒；多腔室集群設備采用Cluster結構布局，減小占地，提升產(chǎn)能；自動化地上下料及自動工藝深硅刻蝕機微機電系統(tǒng)、科研先進封裝配置高密度雙立體等離子體源，低頻脈沖下電極系統(tǒng)，可實現(xiàn)高速、高深寬比、高均勻性及極小側壁粗糙度易維護、性能穩(wěn)定、客戶擁有成本低；高刻蝕速率、高刻蝕均一性和角度控制能力、低顆?？刂频刃阅軆?yōu)勢高去膠速率、高均勻性、低等離子體損傷、低缺陷；多腔室集群設備等離子體切割刻蝕機去膠機集成電路、功率半導體易維護、性能穩(wěn)定、客戶擁有成本低微波等離子體表面處理系統(tǒng)低損傷、高刻蝕速率、高刻蝕均勻性、高親水性、兼容大翹曲及可刻蝕不同材質(zhì)晶圓等性能優(yōu)勢；模塊化設計，可全自動并行作業(yè)BMD

P300先進封裝高精度刻蝕機多功能刻蝕機GSE

V200GSE

C200GDE

C200化合物半導體、Micro

LED、科研化合物半導體、硅基微型顯示、科研化合物半導體、科研優(yōu)異的刻蝕均勻性，良好的顆?？刂颇芰?，寬闊的工藝窗口及精確的形貌控制能力；多腔室集群設備等離子體刻蝕機，刻蝕速率高、均勻性好、顆?？刂颇芰姟⒁拙S護、性能穩(wěn)定、具有快速導產(chǎn)能力多腔室集群設備，全自動并行工藝處理；適用于強鍵合材料刻蝕高密度等離子體刻蝕機ELEDE?芯片刻蝕機半導體照明、Mini

LED、Micro

LED半導體照明、Mini

LED、Micro

LED等離子體刻蝕機；配置單/雙反應腔、托盤式、多片Tray

inTrayout全自動作業(yè)覆蓋藍綠、紅黃芯片刻蝕全流程G380A/G380DPSS刻蝕機ELEDE?

380F覆蓋PSS、NPSS、CPSS刻蝕工藝資料：公司官網(wǎng)，中郵證券研究所16薄膜設備技術概覽圖表9：薄膜沉積設備技術分類與對比低壓型LPCVD常壓型熱蒸發(fā)沉積APCVD化學氣相沉積先進薄膜沉積設備物理氣相沉積金屬有機化合物型CVDPVD等離子體濺射沉積MOCVD等離子體增強型原子層沉積PECVDALD熱原子層沉積TALD等離子體增強原子層沉積

PEALD空間原子層沉積SALD電化學原子層沉積ECALD大氣壓原子層沉積AP-ALD流床式原子層沉積PVD技術CVD技術ALD技術?

沉積速率較快；?

沉積速率較慢（納米/

分鐘）；?

原子層級的薄膜厚度；?

薄膜厚度較厚，對于納米級的膜厚精度控制差；?

鍍膜具有單一方向性；?

厚度均勻性差；?

沉積速率一般（微米

/分鐘）；優(yōu)勢與劣勢?

中等的薄膜厚度（依賴于反應循環(huán)次數(shù)）；?

鍍膜具有單一方向性；?大面積薄膜厚度均勻性好；?

階梯覆蓋率最好；?

薄膜致密無針孔?

階梯覆蓋率一般?

階梯覆蓋率差?

PERC

電池背面鈍化層；?

PERC

電池背面鈍化層、PERC

電池減反層；?

TOPCon

電池接觸鈍化層、減反層；?

TOPCon

電池隧穿層、

接觸鈍化層、減反層；?

柔性電子介質(zhì)層、柔性電子封裝層；?

半導體高

k

介質(zhì)層、金屬柵極、金屬互聯(lián)阻擋層、多重曝光技術，在半導體領域

28nm

及以下先進制程、存儲器件中的3D

NAND典型應用中舉足輕重?

HJT光伏電池透明電極；主要應用柔性電子金屬化、觸碰面板透明電極；HJT電池接觸鈍化層；???柔性電子介質(zhì)層、柔性電子封裝層；?

半導體金屬化?

半導體介質(zhì)層（低介電常數(shù)）、半導體封裝層資料：微導納米招股說明書，中郵證券研究所17薄膜設備：PVD、CVD、ALD全覆蓋?

薄膜裝備方面，公司突破了物理氣相沉積、化學氣相沉積和原子層沉積等多項核心關鍵技術，銅互聯(lián)薄膜沉積、鋁薄膜沉積、鎢薄膜沉積、硬掩膜沉積、介質(zhì)膜沉積、TSV

薄膜沉積、背面金屬沉積等二十余款產(chǎn)品成為國內(nèi)主流芯片廠的優(yōu)選機臺，廣泛應用于集成電路、功率器件、先進封裝等領域，累計出貨超3000腔，支撐了國內(nèi)主流客戶的量產(chǎn)應用。圖表10：公司物理氣相沉積設備部分匯總型號晶圓尺寸適用材料適用工藝應用領域eVictorPVDAl集成電路、功率半導體、硅基微型顯示金屬鋁薄膜PVD8吋PVD12吋鋁、氮化鉭、氮化鈦、鈦Al

Pad、鋁線、熱鋁eVictorSeries鈦、氮化鈦、高溫鋁、鎳、鎳釩、銀正面電極工藝、背面金

集成電路、功率半導體、科8吋8/12吋12吋屬化工藝研領域、化合物半導體PolarisSeries銅、鈦、氮化鈦、鉭、氮化鉭硅通孔PVD2.5D/3D

TSV沉積先進封裝PolarisSeries12吋背面金屬PVD8/12吋通用PVD8吋PVD鋁、鎳釩、銀、鈦背面金屬化工藝功率半導體、先進封裝先進封裝、硅基微型顯示PolarisSeries銅、鈦、氮化鈦、鉭、氮化鉭、鎢化鈦、金、鋁等

UBM金屬濺射、重布線晶圓級先進封裝中的8/12吋兼容6/8

吋PolarisSeries銀、鎢化鈦、金、鉑、鈦、化合物半導體、半導體照明、硅基微型顯示、科研領域倒裝工藝、金屬電極等ITO電流擴展層氮化鈦、鋁等iTopsSeriesPVDITO

濺射系統(tǒng)PVDAlN

濺射系統(tǒng)2/4/6吋2/4/6吋銦錫氧化物半導體照明iTopsSeries氮化鋁氮化鋁緩沖層濺射半導體照明18資料：公司官網(wǎng)，公司公告，中郵證券研究所薄膜設備：PVD、CVD、ALD全覆蓋?

公司自主開發(fā)的臥式PECVD已成功進入海外市場，為多家國際先進光伏制造廠提供解決方案。硅外延設備在感應加熱高溫控制技術、氣流場、溫度場模擬仿真技術等方面取得了重大的突破，達成了優(yōu)秀的外延工藝結果，獲得多家國內(nèi)主流生產(chǎn)線批量采購。面向LED領域介質(zhì)膜沉積的PECVD設備，憑借優(yōu)秀的工藝性能和產(chǎn)能優(yōu)勢，已成為LED客戶擴產(chǎn)優(yōu)選設備。面向化合物半導體領域，碳化硅外延設備的各項技術指標也均已達到行業(yè)先進水平，批量機臺已在各大主流廠商實現(xiàn)穩(wěn)定量產(chǎn)。圖表11：公司化學氣相沉積設備部分匯總型號晶圓尺寸適用材料適用工藝應用領域氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、非晶硅、非掩膜層沉積、鈍化層沉積、絕緣層沉積集成電路、化合物半導體、功率半導體、EPEE

i2006/8吋兼容晶碳、PSG、BPSGLED、硅基微顯、科研PECVD氧化硅圖形化襯底層、鈍化保護層、絕緣層、掩摸層沉積EPEE

i8008吋及以下氧化硅、氮化硅、氮氧化硅化合物半導體、半導體照明、科研EPEE

550Esther

E320REsther

E320AEris

E120R8吋及以下6/8吋兼容5/6/8吋6/8吋氧化硅、氮化硅、氮氧化硅保護層、掩膜層、電流阻擋層體硅外延、埋層外延、選擇性外延N&P常壓硅外延半導體顯示及照明、科研領域集成電路、功率半導體、襯底材料、科研功率半導體、襯底材料、科研硅單片LPCVD硅單片LPCVD單片APCVD單片APCVD多片CVD硅埋層外延、選擇性外延

、多晶外延N&P常壓硅外延集成電路、功率半導體、襯底材料、科研功率半導體、襯底材料、科研Eris

E120A5/6/8吋12吋硅Hesper

E230ASES

Series硅N&P常壓硅外延功率半導體、襯底材料、科研4/5/6/8吋4/6吋硅N&P硅外延功率半導體、襯底材料、科研CVDMARSiCE115HORICL200碳化硅N&P碳化硅外延化合物半導體、襯底材料、科研化合物半導體、襯底材料、科研臥式LPCVD4/6/8吋硅、碳化硅、硅基氮化鎵硅、碳化硅、硅基氮化鎵裝片量：1300~2860（單槽雙插）片/管；單機臺管數(shù)：5、6、10、12

管/系統(tǒng)；溫度范圍：600~1000℃156mm~230mm氧化硅、多晶硅、摻磷多晶硅、摻硼多晶硅管式LPCVD管式PECVDHORISL12HORISP12新能源光伏裝片量：432~780

片/舟；單機臺管數(shù)：5、6、10、12

管/系統(tǒng)；溫度范圍：150～650℃156mm~230mm氮化硅、氧化硅、氧化鋁、Poly、新能源光伏摻雜、退火等19資料：公司官網(wǎng)，公司公告，中郵證券研究所熱處理設備概覽圖表12：熱處理設備分類氧化：一種添加工藝，是將硅片放入高溫爐中，加入氧氣與之反應，在晶圓表立式爐臥式爐氧化爐擴散爐面形成二氧化硅。按設擴散：通過分子熱運動使物質(zhì)由高濃度區(qū)移向低濃度區(qū)，利用擴散工藝可以在熱處理設備按備工

硅襯底中摻雜特定的摻雜物，從而改變半導體的導電率，但與離子注入相比擴形藝

散摻雜不能獨立控制摻雜物濃度和結深，因此現(xiàn)在應用越來越少。態(tài)快速退火RTP退火：一種加熱過程，通過加熱使晶圓產(chǎn)生特定的物理和化學變化，并在晶圓表面增加或移除少量物質(zhì)。2021年全球熱處理競爭格局柵極堆疊設備設備市場規(guī)模占比應用材料Kokusai東京電子屹唐股份維易科44%19%19%5%圖表半導體熱工藝未來的發(fā)展方向：芯片性能對熱預算、溫度的敏感度要求越來越高1)芯片尺寸縮小要求更低的工藝溫度及更快的升降溫速率的立式爐設備；2)先進的工藝需求更先進的溫度場控制技術；3)在更高溫下，對零部件選材及金屬離子污染控制提出更高要求；4)爐管式化學氣相沉積薄膜工藝向原子層沉積薄膜工藝發(fā)展。4%ASM3%25SCREEN北方華創(chuàng)其他2%20151051%2%2.475.156.838.876.918.896.688.82柵極堆疊設備氧化/擴散爐快速熱處理5.527.199.489.376.410201920202021E2022E2023E2024E2025E資料：華經(jīng)產(chǎn)業(yè)研究院，知乎，中郵證券研究所20立式爐設備：累計出貨超過500臺?

立式爐裝備方面，公司的中溫氧化/退火爐、高溫氧化/退火爐、低溫合金爐，低壓化學氣相沉積爐、批式原子層沉積爐均已成為國內(nèi)主流客戶的量產(chǎn)設備，并持續(xù)獲得重復訂單，累計出貨超過500臺，憑借優(yōu)異的量產(chǎn)穩(wěn)定性獲邏輯、存儲、功率、封裝、襯底材料等領域主流客戶的認可。圖表14：公司氧化擴散設備部分匯總型號晶圓尺寸適用材料適用工藝應用領域單片減壓原位濕法氧化系統(tǒng)低溫退火爐Hesper

TO230R12吋二氧化硅濕法氧化、減壓Spike集成電路、功率半導體、襯底材料、科研領域低溫常/低壓工藝、合金、金屬/非金屬退火、THEORIS

A30212吋硅集成電路、先進封裝、功率半導體、硅基微型顯示薄片退火PI固化爐LPCVD高溫氧化硅爐LPCVD非摻雜多晶硅爐LPCVD氮化硅爐高溫氧化爐THEORIS

A302CTHEORIS

HO302DTHEORIS

PY302UTHEORIS

SN302DTHEORIS

X302HTHEORIS

X302PTENESIS

X308P12吋12吋12吋12吋12吋12吋12吋硅硅硅硅硅硅硅PI膠固化集成電路、

功率半導體集成電路、功率半導體、

硅基微型顯示集成電路、功率半導體、襯底材料集成電路、功率半導體二氧化硅低壓化學氣相淀積多晶硅薄膜低壓化學氣相沉積氮化硅低壓化學氣相沉積高溫干/濕氧氧化、DCE/摻氮氧化、高溫退火干氧/濕氧氧化、DCE/摻氮氧化、退火干氧/濕氧氧化、DCE氧化先進集成電路、功率半導體、襯底材料集成電路、功率半導體、襯底材料集成電路中溫氧化爐大產(chǎn)能中溫氧化爐集成電路、功率半導體、化合物半導體、硅基微型顯示、科研低溫退火爐FLOURIS

A2018吋硅、碳化硅氮氣退火、合金中溫氧化爐高溫氧化爐FLOURIS

X201PFLOURIS

X201HBooster

SWA8吋8吋硅、碳化硅硅、碳化硅-干氧/濕氧氧化、DCE氧化、退火高/中溫氧化、退火集成電路、功率半導體、化合物半導體、科研領域集成電路、功率半導體、

化合物半導體、襯底材料、科研集成電路單片退火系統(tǒng)12吋Sub40nmBEOL

單片退火先進封裝立式PI固化爐SiC高溫退火爐SUMERIS

AP302CVERIC

A6151A8/12吋兼容4/6吋兼容硅、玻璃PI固化、烘烤去濕等先進封裝碳化硅、氮化鋁注入后激活、Ar退火、Ar/H?退火、溝槽平滑化合物半導體，襯底材料，科研干氧氧化

、濕氧、Ar/N?

退火、NO/N?O

退火、H?

退火、DCE清洗SiC高溫氧化爐擴散/氧化系統(tǒng)擴散系統(tǒng)VERIC

O6151AHORIC

D200HORIS

D124/6吋兼容4/6/8吋碳化硅化合物半導體、襯底材料、科研化合物半導體、襯底材料、科研硅、碳化硅、硅基氮化鎵磷擴散、硼擴散、氧化、退火、合金晶圓尺寸：156mm~230mm工藝種類：低壓磷/硼擴散、常/低壓退火/氧化、常壓退火/氧化、H?退火新能源光伏21資料：公司官網(wǎng)，公司公告，中郵證券研究所臥式爐管設備：主要用于光伏領域，主流客戶全覆蓋圖表15：公司新能源光伏應用領域裝備匯總化學氣相沉積設備氧化擴散設備長晶爐設備半導體裝備HORIS

L12管式LPCVDHORIS

P12管式PECVDNVT-HG單晶生長爐HORIS

D12擴散系統(tǒng)氣體測量控制CS230CS200CS100數(shù)字式質(zhì)量流量計/質(zhì)量流量控制器QL氣路系統(tǒng)PC100壓力控制器數(shù)字式質(zhì)量流量計/數(shù)字式質(zhì)量流量計/質(zhì)量流量控制器質(zhì)量流量控制器?

臥式爐管設備方面，公司主要為光伏客戶提供氧化擴散、等離子體化學氣相沉積、低壓化學氣相沉積三大技術平臺基礎上的硼擴、磷擴、氧化退火、正/背膜氮化硅沉積、多晶硅沉積、多晶硅摻雜、隧穿氧化層沉積、異質(zhì)結非晶硅薄膜沉積等20余款工藝設備，適用于PERC、TOPCon、HJT等多種技術路線工藝應用，實現(xiàn)主流客戶全覆蓋。真空裝備單晶爐NVT-HG2200-V1單晶爐22資料：公司官網(wǎng)，公司公告，中郵證券研究所外延設備概覽?

外延設備在超越摩爾定律（技術節(jié)點涵蓋180nm到7nm）時代有著巨大的市場機會，隨著應用范圍的擴大，硅市場以及包括砷化鎵（GaAs）、氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）和磷化銦（InP）等襯底在內(nèi)的其他市場正在以顯著的復合年增長率增長，由于這些材料的選擇具有嚴格的質(zhì)量要求，需使用MOCVD、MBE和HTCVD等外延設備生長超純薄膜和納米結構。CVD8%5%3%圖表16：外延設備市場規(guī)模預測（單位：百萬美元）及驅(qū)動力2020年全球外延設備市場份額MOCVD金屬有機化學氣相沉積Ⅲ-Ⅴ化合物半導體MOCVD外延設備MBE分子束外延設備EPI39%SiHTCVDHTCVD高溫化學氣相沉積12%11%3%SiC

HTCVD碳化硅功率和高端射頻行業(yè)的CVD、MBE按外延材料分：3%GaN402；GaAs214SiC239；Si

154InP75市場規(guī)模3%3%其他

7按設備分：MOCVD和HTCVD：650；MBE：42按外延材料分：GaN

259；GaAs157；SiC133；Si

94；InP

47資料：Yole，物聯(lián)網(wǎng)世界，中郵證券研究所23外延設備：外延工藝設備全覆蓋，累計出貨近1000腔?

制造先進芯片需要近乎完美的晶體材料，外延設備是生長晶體材料的關鍵設備，廣泛應用于集成電路、功率器件、硅材料、第三代半導體等領域。?

作為中國外延工藝裝備技術的開拓者，公司早在2010年就啟動外延裝備的研發(fā)工作，經(jīng)過十余年的技術沉淀與創(chuàng)新突破，產(chǎn)品主要有SiC外延爐、硅基GaN外延爐、6/8吋多片硅外延爐，8吋單片硅外延爐，12吋單片硅外延爐等20余款量產(chǎn)設備，已發(fā)布20余款量產(chǎn)型外延設備，累計出貨近1000腔。圖表18：4-12吋單片/多片外延設備圖示圖表17：公司外延工藝一覽表從2012年硅外延設備成功進入客戶端至今，具備多種材料外延生長技術能力：包括單晶硅、多晶硅、碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、磷化銦（InP）等，覆蓋集成電路、功率器件、射頻、半導體照明等領域應用需求。實現(xiàn)4吋到12吋全覆蓋：包括8吋及以下的單片及多片大產(chǎn)能硅外延設備、12吋硅外延設備、4/6/8吋碳化硅外延設備、8吋及以下單片及多片大產(chǎn)能硅基氮化鎵外延設備。資料：公司官網(wǎng)，中郵證券研究所24外延設備：持續(xù)創(chuàng)新多區(qū)控溫技術等關鍵技術?

8吋硅外延設備：打破了行業(yè)的競爭格局，成為行業(yè)內(nèi)主流Baseline（基準）產(chǎn)品，問世至今幾乎斬獲國內(nèi)市場全部訂單。?

12吋常壓硅外延設備：突破了一系列關鍵技術，獲得了市場的廣泛認可：在功率器件領域，截至當前已在客戶端連續(xù)量產(chǎn)超過20萬片；在硅材料領域，已在多家客戶端實現(xiàn)穩(wěn)定量產(chǎn)，各項關鍵指標達到國際主流水平。?

碳化硅外延產(chǎn)品：目前產(chǎn)品已實現(xiàn)近200臺的銷售，占據(jù)市場半壁江山。面向8吋碳化硅市場，公司前瞻性開發(fā)的6/8吋兼容多片碳化硅外延設備將投入市場，將大幅降低客戶運營成本。?

關鍵技術：通過持續(xù)創(chuàng)新，突破并優(yōu)化了氣流場、加熱場、氣路系統(tǒng)、溫度控制、壓力控制、運動系統(tǒng)等一系列關鍵技術，并可針對客戶需求進行定制化研發(fā)。圖表19：公司外延設備關鍵技術關鍵技術作用多區(qū)控溫技術可提升外延層的結晶質(zhì)量，優(yōu)化外延層的摻雜分布，滿足多種不同的技術要求可降低晶體雜質(zhì)與缺陷，提升器件層的晶體質(zhì)量，提升器件性能高溫潔凈腔室技術實現(xiàn)單向?qū)恿?，無反流湍流，可拓寬外延工藝窗口，提高外延界面質(zhì)量，實現(xiàn)外延膜層的可控和器件的高性能多區(qū)水平氣流場設計常壓與減壓下的加熱場與氣流場的仿真技術提升了工藝腔室的設計效率，為解決具體問題提供了理論支持資料：公司官網(wǎng)，中郵證券研究所25清洗設備概覽圖表20：清洗設備在半導體芯片制造流程的應用及分類中國清洗設備企業(yè)相關技術芯片設計盛美上海電路設計CAD工藝設計光罩制作光罩多晶硅拉晶切割研磨拋光清洗?

14-130?

28-130?

28-130?

5/7材料清洗單晶硅片刻蝕氧化光刻單晶硅片制造北方華創(chuàng)晶圓制造過程中清洗包含：擴散前清洗刻蝕后清洗離子注入后清洗去膠清洗成膜前/后清洗機械拋光后清洗等刻蝕?

14?

14濺射晶圓制造清洗離子注入光阻去除WAT測試晶圓點測至純科技保護層拋光后清洗芯源微封裝打磨切割封裝過程中清洗包含：TSV清洗?28-130?14芯片封裝?

已具備技術(nm)?

在研技術(nm)UBM/RDL清洗芯片測試IC測試

老化檢驗鍵合清洗等客戶干法清洗占總清洗步驟數(shù)量約10%單片清洗設備

74.57%槽式清洗設備

18.09%批發(fā)螺旋噴淋清洗設備0.43%洗刷器

6.82%?

單片清洗設備在40nm以下的制程中的應用將更加廣泛，未來占比有望逐步上升。?

90nm/20nm的芯片清洗工藝約90道/215道。隨著芯片進入16nm以及7nm以下，清洗工藝的道數(shù)將會加速增長。按清洗介質(zhì)清洗設備濕法清洗占總清洗步驟數(shù)量的90+%?

未來5年清洗設備有望率先實現(xiàn)全面國產(chǎn)化。資料：盛美上海招股說明書，研究院，半導體產(chǎn)業(yè)縱橫，華經(jīng)產(chǎn)業(yè)研究院，知乎，中郵證券研究所2019年全球半導體清洗設備細分市場占比26清洗設備：單片+槽式，主要用于12吋集成電路領域?

清洗裝備方面，公司擁有單片清洗、槽式清洗兩大技術平臺，主要應用于12吋集成電路領域。單片清洗機覆蓋Al/Cu制程全部工藝，是國內(nèi)主流廠商后道制程的優(yōu)選機臺；槽式清洗機已覆蓋RCA、Gate、PR

strip、磷酸、Recycle等工藝制程，并在多家客戶端實現(xiàn)量產(chǎn)，屢獲重復訂單。圖表21：公司清洗裝備部分匯總型號圖示晶圓尺寸適用材料適用工藝應用領域后段

Cu/Al制程刻蝕后、Al

Pad、背面清洗、背面刻蝕，后段控擋片回收單晶硅、多晶硅、氧化硅、氮化硅、介質(zhì)膜、金屬膜集成電路、先進封裝、功率半導體、硅基微顯示單片清洗設備槽式清洗設備槽式清洗設備SC308012吋光阻、單晶硅、多晶硅、爐前、刻蝕/拋光后清洗、光阻、Pinnacle300集成電路、功率半導體、襯底材料、硅基微顯示12吋8吋氧化硅、氮化硅、金屬膜、

金屬氧化物、氮化物去除、控擋金屬氧化物片回收光阻、單晶硅、氧化硅、氮化硅、介質(zhì)膜、金屬膜、氮化鈦、硅化物Pinnacle200預清洗、去膠清洗、氮化硅、Co、

集成電路、功率半導體、襯Ti去除、Recycle清洗底材料、硅基微型顯示預清洗、去膠清洗、氮化硅去除、硅，碳化硅，硅基氮化鎵

金屬去除(Co,Ti)、Recycle清洗、拋光后清洗、Epi

前全自動槽式清洗機GAMASeries集成電路、襯底材料、化合物半導體、功率半導體6/8吋8/12吋立式/臥式管舟清洗機BpureSeries石英管/舟、石英板、點火炮、基集成電路、功率半導體、化合物半導體、科研領域石英、碳化硅座等零部件浸泡式清洗EGCSeries面板尺寸：適應

G4.5～

G10.5面板產(chǎn)線的Panel

規(guī)格邊緣光檢缺陷率：＜0.01%TFT-LCD

生產(chǎn)過程中對磨邊后的液晶面板進行清洗面板清洗機27資料：公司官網(wǎng)，公司公告，中郵證券研究所半導體設備全部品類零部件整體市場情況占半導體設備市場比例分類國際主要企業(yè)國內(nèi)主要企業(yè)國產(chǎn)化率技術突破難度金屬類：京鼎精密、

金屬類：富創(chuàng)精密、靖江先鋒、作為應用最廣，市場份額最大的零部件類別，具體品類繁多，主要產(chǎn)品技術已實現(xiàn)突破和，應用于高制程設備的產(chǎn)品技術突破難度仍較高品類繁多，國內(nèi)已出現(xiàn)發(fā)行人等進入國際半導體設備廠商的供應商，整體國產(chǎn)化率相對較高，但高端產(chǎn)品國產(chǎn)化率較低Ferrortec等托倫斯、江豐電子（少量產(chǎn)品）等機械類12%6%非金屬類：Ferrotec、Hana、中國臺灣新鶴、美國杜邦等非金屬類：菲利華（石英零部件）、神工股份（硅部件）等對于核心模塊（射頻電源等），

國內(nèi)企業(yè)尚未進入國際半導體設備廠商，少量應用于國內(nèi)半導體設備廠商，主要應用于光伏、LED

等泛半導體設備，國產(chǎn)化率低，高端產(chǎn)品尚未國產(chǎn)化AdvancedEnergy、

英杰電氣、北方華創(chuàng)（旗下的設備中作為控制工藝制程的核心電氣類MKS等北廣科技）等部件，技術突破難度較高京鼎精密、BrooksAutomation、品類較為繁多，國內(nèi)已出現(xiàn)發(fā)行人等進入國際半導體設備廠商的供應商，大多富創(chuàng)精密、華卓精科（雙工機品類繁多，部分產(chǎn)品已實現(xiàn)技術突破，但產(chǎn)品穩(wěn)定性和一致性與國外有差距，技術難度適中機電一體類8%9%1%Rorze、

ASML（自

臺）、新松機器人（機械手）、

品類國內(nèi)廠

商主要供應國內(nèi)半導體設備產(chǎn)雙工機臺和浸液系統(tǒng)）等京儀自動化（溫控系統(tǒng)）等廠商，整體國產(chǎn)化率不高，功能復雜的高端產(chǎn)品未國產(chǎn)化品類較為繁多，少數(shù)企業(yè)通過自研或收購部分產(chǎn)品已進入國際半導體設備廠商，整體國產(chǎn)化率處于中等水平，大部分品類的高端產(chǎn)品未國產(chǎn)化氣體/液體/真空系統(tǒng)類富創(chuàng)精密、萬業(yè)企業(yè)（收購的Compart

System）、新萊應材、沈陽科儀、北京中科儀等品類繁多，部分產(chǎn)品已實現(xiàn)技術突破，但產(chǎn)品穩(wěn)定性和一致性與國外有差距，技術難度適中超科林、Edwards、Ebara、MKS等國內(nèi)企業(yè)通過收購進入國際半導體設備廠商，國內(nèi)企業(yè)自研產(chǎn)品僅少量用于國內(nèi)半導體設備廠商，由于產(chǎn)品成本占比較低，國內(nèi)企業(yè)主要以采購進口產(chǎn)品為主，國產(chǎn)化率低，高端產(chǎn)品尚未國產(chǎn)化北方華創(chuàng)（旗下的七星流量計）、萬業(yè)企業(yè)（收購的Compart

System）等儀器儀表類對測量的精準度要求極高，國產(chǎn)化率低，技術突破難度較高MKS、Horiba等對光學性能要求極高，鑒于光刻北京國望光學科技有限公

司、

國內(nèi)企業(yè)尚未進入國際半導體設備廠商，

設備國際市場高度壟斷，高端產(chǎn)Zeiss、Cymer、光學類8%長春國科精密光學技術有限公司等已少量應用于國內(nèi)光刻設備，國產(chǎn)化率品一家獨大，國內(nèi)光刻設備尚在發(fā)展，相應配套光學零部件國產(chǎn)化率低，技術突破難度較高ASML較低，高端產(chǎn)品尚未國產(chǎn)化資料：富創(chuàng)精密招股說明書，芯謀研究，中郵證券研究所28公司電子元器件：射頻+流量計兩大類布局圖表22：公司旗下北廣科技與七星流量計的產(chǎn)品布局電視發(fā)射設備流量控制電視發(fā)射設備主要包括模擬電視發(fā)射機、數(shù)字電視發(fā)射機和轉發(fā)器三種，產(chǎn)品系列化、模塊化設計，涵蓋10W-10kW大中小各個功率等級CS系列質(zhì)量流量控制器&流量計：CS系列產(chǎn)品采用了國際領先的技術,申報并獲得66項國家專利,其中PCT2項,發(fā)明專利24項。D07系列質(zhì)量流量控制器&流量計：質(zhì)量流量控制器(MFC)質(zhì)量流量計(MFM)屬于一種工業(yè)自動化儀表，

D07系列MFC/MFM為模擬量程，具有不因溫度和壓力的波動而失準、重復性好、自動測量控制、工作壓力范圍寬等特點。中短波廣播發(fā)射設備DS系列質(zhì)量流量控制器：DS系列MFC是壓力式數(shù)字型產(chǎn)品，為氣體質(zhì)量流量的控制、測量提供了高準確度及高可靠性。在SW發(fā)射機產(chǎn)品領域，北廣科技擁有30/50/100/150/300/500kw系列發(fā)射機，可工作頻率范圍：3.2MHz～22MHz（3.9MHz～26.1MHz可選）壓力控制PC系列壓力控制器產(chǎn)品是基于CS系列產(chǎn)品先進技術研發(fā)的，其各項技術指標均嚴格按照SEMI標準，具有精度高，響應快，重復性好，使用便捷，易于通訊，擴展性和可兼容性強等優(yōu)點。調(diào)頻廣播發(fā)射設備主要包括調(diào)頻立體聲發(fā)射機和CDR數(shù)字音頻廣播發(fā)射機，產(chǎn)品系列化、模塊化設計，涵蓋10W-20kW大中小各個功率等級，冷卻方式包括風冷和液冷顯示儀&積算儀流量顯示儀和積算儀用于為氣體質(zhì)量流量控制器

(MFC)和質(zhì)量流量計(MFM)

提供工作電源、操作控制、流量設定和流量數(shù)字顯示和累計流量等，分為單通道及多通道，具有多個通道的流量顯示儀可以配多個MFC/MFM，它們可以相互獨立地工作。功率源產(chǎn)品近幾年為國內(nèi)外科研機構提供了大量的固態(tài)功率源產(chǎn)品，包括整機、功率放大器、等，已經(jīng)應用于全球多個國家和地區(qū)的粒閥門管件磁流體密封傳動裝置氣路系統(tǒng)子、同步輻射光源等大型試驗設備資料：北廣科技官網(wǎng)，七星流量計官網(wǎng)，中郵證券研究所29多次股權激勵：長效激勵構筑堅實人才基礎?

通過多期股權激勵計劃的實施，有效增強了核心管理團隊和技術團隊的責任感和獲得感，激發(fā)了積極性和創(chuàng)造性，相較前兩次股權激勵，2022年股權激勵的規(guī)模更大，人員覆蓋范圍更廣。2023年上半年公司完成了2022年股票期權激勵計劃預留部分的授予。圖表23：公司歷次股權激勵計劃2018年股權激勵2019年股權激勵2022年股權激勵450萬份股票期權，行權價格69.2元/股；

1310萬份股票期權，450萬份股票期權，行權價格35.36元/股授予價格450萬份第一類限制性股票，授予價格34.6

首次1050萬份，預留260萬份，元/股授予價格160.22元/股限制性股票：公司董事及高管9人（71萬份）子公司高管及業(yè)務負責人79人（379萬份）股票期權：股票期權：核心技術人員777人（960.3萬份）管理骨干63人（89.7萬份）預留部分（260萬份）授予對象

核心技術人員275人（360.25萬份）管理骨干66人（89.75萬份）股票期權：核心技術人員284人（358.45萬份）管理骨干72人（91.55萬份）當年營收增長率不低于可比公司（全球半導體設備廠商銷售額TOP5）算術平均增長率；當年研發(fā)投入營收占比不低于可比公司算術平均比例；以2017年為基數(shù)：以2018年為基數(shù)：當年營收基于2017年年均復合增長率

當年收入基于2018年年均復合增長率≥25%、EOE≥12%，研發(fā)支出占營收

≥25%、EOE≥12%，且上述指標都≥對標比例不低于8%，且上述指標都≥對標

企業(yè)75分位；行權條件預計攤銷當年專利申請數(shù)量≥500件；企業(yè)75分位；當年專利申請不低于200件。當年研發(fā)支出占總營收比例不低于8%；當年2020年專利申請不低于200件。三年內(nèi)EOE算術平均值不低于16%；三年內(nèi)利潤率算術平均值不低于8%。2018-2022：0.18/0.36/0.28/0.15/0.05億元2020-2024：3.0/3.5/1.9/0.8/0.1億元2022-2026：3.1/5.7/4.4/2.6/1.4億元資料：公司公告，中郵證券研究所30三國內(nèi)未來255.1萬片/月（折合12吋）待擴產(chǎn)，以及先進封裝等驅(qū)動訂單增長31半導體設備市場規(guī)模：預計2030年1400億美元銷售額?

據(jù)WSTS統(tǒng)計，預計到2030年，全球半導體市場規(guī)模有望達到萬億美元。半導體設備的市場景氣度與半導體市場規(guī)模高度相關。根據(jù)SEMI統(tǒng)計，全球半導體設備銷售規(guī)模從2010年395億美元增長到2022年1074億美元，預計到2030年全球半導體設備銷售額將增長至1,400億美元。圖表24：全球半導體設備銷售額及增長率情況150050%40%30%20%10%0%1400中國大陸中國臺灣韓國5%6%13501200105090075060045030015002022年全球半導體設備銷售情況26%25%8%10%北美10741026日本20%歐洲870其他地區(qū)712645598566435412395369375

365316-10%-20%-30%2010

2011

2012

2013

2014

2015

2016

2017

2018

2019

2020

2021

2022

2023E2030E銷售額（億美元）增長率（%）資料：SEMI，中國國家發(fā)展和改革委員會，金融界，富創(chuàng)精密招股說明書，中郵證券研究所322023E全球晶圓廠設備支出840億美元，2024年復蘇?

美國加州時間2023年9月12日，SEMI在其最新的季度《世界晶圓廠預測報告》World

Fab

Forecast中宣布，源于芯片需求疲軟以及消費和移動設備庫存增加，預計2023年全球晶圓廠設備支出將同比下降15%，從2022年的995億美元的歷史新高降至840億美元，2024年將同比反彈15%至970億美元。?

從全球芯片投資Capex看亦如此，由于2021到2022年全球集成電路投資過熱和2023年全球經(jīng)濟不景氣，2023年全球芯片投資Capex同比2022年降低23%，預計2024年開始復蘇。?

2024年晶圓廠設備支出的復蘇將在一定程度上受到2023年半導體庫存調(diào)整結束以及高性能計算（HPC）和存儲器領域?qū)Π雽w需求增強的推動。圖表25：全球芯片生產(chǎn)總投資Capex及增速圖表26：全球晶圓廠設備支出及增長率情況1800165015001350120010509007506004503001,7601,682

20%

150050%1,6041,5241,51115%1,363135042%99540%30%20%10%0%1,38010%

120010509%6%9705%9138401%0%90075016%64315%9%-10%

600450-20%

300150-23%-10%-20%150-15%0-30%02021

2022

2023F

2024F

2025F

2026F

2027F2020

2021

2022

2023E

2024F全球晶圓廠設備支出（億美元）

增速（%）全球芯片生產(chǎn)總投資（億美元）增速（%）資料：SEMI

2Q23，中微公司，中郵證券研究所資料：SEMI

3Q23，中郵證券研究所33半導體設備擴張：應用與地區(qū)分析?

Foundry繼續(xù)引領半導體行業(yè)擴張：?

SEMI預計Foundry將在2023年引領半導體擴張，投資490億美元，增長1%。隨著對前沿和成熟工藝節(jié)點的投資持續(xù)，2024年支出將增長5%，達到515億美元。?

預計2024年Memory支出將強勁回升，在2023年下降46%后，將增長65%，達到270億美元。?

預計2023年MPU投資保持平穩(wěn)，2024年增長16%至90億美元。圖表27：按部分應用拆分晶圓廠設備規(guī)模預測（億美元）（不完全統(tǒng)計）100080060040020009012178MPU60150110DRAMNAND515490Foundry/Logic2023F2024F資料：SEMI，中郵證券研究所圖表28：2024F全球各地區(qū)晶圓廠設?

中國臺灣地區(qū)繼續(xù)引領設備支出：SEMI預計2024年，中國臺灣將保持全球晶圓廠設備支出的全球領先地位，投資230億美元，同比增長4%。預計韓國將位居第二，2024年的投資估計為220億美元，比2023年增長41%，反映出存儲器領域的復蘇。備市場支出占比預期中國臺灣3%7%24%韓國8%?

由于出口預計將在尖端技術和外國投資方面的支出，中國大陸美洲2024F全球預計2024年，中國大陸將以200億美元的支出位居全球設備支出的第三位，比2023年的水平有所下降。預計中國大陸foundry和晶圓廠設備支出14%970億美元歐洲和中東地區(qū)

IDM將繼續(xù)投資于成熟工藝節(jié)點。23%?

預計2024年美洲/歐洲和中東地區(qū)/日本/東南亞晶圓廠投資額分別達140/80/70/30億美元。日本21%東南亞資料：SEMI，中郵證券研究所34全球晶圓廠設備分類占比：薄膜/刻蝕占比23%/22%圖表30：2022年全球薄膜設備分類市場規(guī)模（百萬美元）及占比（%）總薄膜設備市場規(guī)模：22,790百萬美元圖表29：2022年全球晶圓廠設備分類市場占比14%8%原子層沉積3,116爐管CVD3%3%1,9204%23%5%17%3%鍍銅

1,20532%等離子體CVD7,27722%物理濺射4,9508%外延1,8698%總市場規(guī)模：100,6