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第二章固體結(jié)構(gòu)(SolidStructure)AFM照片上海交大材料科學(xué)基礎(chǔ)introduction※
1晶體學(xué)基礎(chǔ)(BasisFundamentalsofcrystallography)
晶體結(jié)構(gòu)的基本特征:原子(或分子、離子)在三維空間呈周期性重復(fù)排列(periodicrepeatedarray),即存在長(zhǎng)程有序(long-rangeorder)性能上兩大特點(diǎn):固定的熔點(diǎn)(meltingpoint),各向異性(anisotropy)上海交大材料科學(xué)基礎(chǔ)introduction一、晶體的空間點(diǎn)陣(Spacelattice)1.
空間點(diǎn)陣的概念將晶體中原子或原子團(tuán)抽象為純幾何點(diǎn)(陣點(diǎn)latticepoint),即可得到一個(gè)由無(wú)數(shù)幾何點(diǎn)在三維空間排列成規(guī)則的陣列—空間點(diǎn)陣(spacelattice)特征:每個(gè)陣點(diǎn)在空間分布必須具有完全相同的周?chē)h(huán)境(surrounding)2.晶胞(Unitecells)
代表性的基本單元(最小平行六面體)smallrepeatentities選取晶胞的原則:
Ⅰ)選取的平行六面體應(yīng)與宏觀晶體具有同樣的對(duì)稱(chēng)性;Ⅱ)平行六面體內(nèi)的棱和角相等的數(shù)目應(yīng)最多;Ⅲ)當(dāng)平行六面體的棱角存在直角時(shí),直角的數(shù)目應(yīng)最多;Ⅳ)在滿(mǎn)足上條件,晶胞應(yīng)具有最小的體積。
上海交大材料科學(xué)基礎(chǔ)introduction簡(jiǎn)單晶胞(初級(jí)晶胞):只有在平行六面體每個(gè)頂角上有一陣點(diǎn)復(fù)雜晶胞:除在頂角外,在體心、面心或底心上有陣點(diǎn)上海交大材料科學(xué)基礎(chǔ)introduction
3.晶系與布拉菲點(diǎn)陣(CrystalSystemandBravaisLattice)七個(gè)晶系,14個(gè)布拉菲點(diǎn)陣晶系布拉菲點(diǎn)陣晶系布拉菲點(diǎn)陣三斜Triclinica≠b≠c,α≠β≠γ單斜Monoclinica≠b≠c,α=γ=90o≠β正交a≠b≠c,α=β=γ=90o簡(jiǎn)單三斜簡(jiǎn)單單斜底心單斜簡(jiǎn)單正交底心正交體心正交面心正交六方Hexagonala1=a2=a3≠c,α=β=90o,γ=120o菱方Rhombohedrala=b=c,α=β=γ≠90o四方(正方)Tetragonala=b≠c,α=β=γ=90o立方Cubica=b=c,α=β=γ=90o簡(jiǎn)單六方簡(jiǎn)單菱方簡(jiǎn)單四方體心四方簡(jiǎn)單立方體心立方面心立方上海交大材料科學(xué)基礎(chǔ)introduction底心單斜簡(jiǎn)單三斜簡(jiǎn)單單斜上海交大材料科學(xué)基礎(chǔ)introduction底心正交簡(jiǎn)單正交面心正交體心正交上海交大材料科學(xué)基礎(chǔ)introduction簡(jiǎn)單菱方簡(jiǎn)單六方簡(jiǎn)單四方體心四方上海交大材料科學(xué)基礎(chǔ)introduction簡(jiǎn)單立方體心立方面心立方上海交大材料科學(xué)基礎(chǔ)introduction4.晶體結(jié)構(gòu)與空間點(diǎn)陣
上海交大材料科學(xué)基礎(chǔ)introduction二、晶向指數(shù)和晶面指數(shù)(MillerIndicesofCrystallographicDirectionandPlanes)1.陣點(diǎn)坐標(biāo)晶向族<uvw>:具有等同性能的晶向歸并而成;(x1,y1,z1),(x2,y2,z2)二點(diǎn)連線的晶向指數(shù):[x2-x1,y2-y1,z2-z1]*指數(shù)看特征,正負(fù)看走向
求法:1)
確定坐標(biāo)系2)
過(guò)坐標(biāo)原點(diǎn),作直線與待求晶向平行;3)
在該直線上任取一點(diǎn),并確定該點(diǎn)的坐標(biāo)(x,y,z)4)
將此值化成最小整數(shù)u,v,w并加以方括號(hào)[uvw]即是。(代表一組互相平行,方向一致的晶向)2.晶向指數(shù)(Orientationindex)上海交大材料科學(xué)基礎(chǔ)introduction晶面族{hkl}中的晶面數(shù):a)hkl三個(gè)數(shù)不等,且都≠0,則此晶面族中有b)hkl有兩個(gè)數(shù)字相等且都≠0,則有,如{112}c)hkl三個(gè)數(shù)相等,則有,d)hkl
有一個(gè)為0,應(yīng)除以2,則有
有二個(gè)為0,應(yīng)除以22,則有
求法:1)
在所求晶面外取晶胞的某一頂點(diǎn)為原點(diǎn)o,三棱邊為三坐標(biāo)軸x,y,z2)
以棱邊長(zhǎng)a為單位,量出待定晶面在三個(gè)坐標(biāo)軸上的截距;3)
取截距之倒數(shù),并化為最小整數(shù)h,k,l并加以圓括號(hào)(hkl)即是。3.晶面指數(shù)(IndicesofCrystallographicPlane)上海交大材料科學(xué)基礎(chǔ)introduction4.六方晶系指數(shù)(Indicesofhexagonalcrystalsystemorhexagonalindices)
三坐標(biāo)系四軸坐標(biāo)系a1,a2,ca1,a2,a3,c120°
120°
120°
(hkil)i=-(h+k)[uvtw]t=-(u+v)上海交大材料科學(xué)基礎(chǔ)introduction上海交大材料科學(xué)基礎(chǔ)introduction5.晶帶(Crystalzone)
所有相交于某一晶向直線或平行于此直線的晶面構(gòu)成一個(gè)“晶帶”(crystalzone)此直線稱(chēng)為晶帶軸(crystalzoneaxis),所有的這些晶面都稱(chēng)為共帶面。晶帶軸[uvw]與該晶帶的晶面(hkl)之間存在以下關(guān)系
hu+kv+lw=0————晶帶定律
凡滿(mǎn)足此關(guān)系的晶面都屬于以[uvw]為晶帶軸的晶帶則三個(gè)晶面同屬一個(gè)晶帶
上海交大材料科學(xué)基礎(chǔ)introduction6.晶面間距(Interplanarcrystalspacing)兩相鄰近平行晶面間的垂直距離—晶面間距,用dhkl表示從原點(diǎn)作(hkl)晶面的法線,則法線被最近的(hkl)面所交截的距離即是上海交大材料科學(xué)基礎(chǔ)introduction上述公式僅適用于簡(jiǎn)單晶胞,對(duì)于復(fù)雜晶胞則要考慮附加面的影響
fcc當(dāng)(hkl)不為全奇、偶數(shù)時(shí),有附加面:
通常低指數(shù)的晶面間距較大,而高指數(shù)的晶面間距則較小bcc當(dāng)h+k+l=奇數(shù)時(shí),有附加面:
六方晶系
立方晶系:如{0001}面
上海交大材料科學(xué)基礎(chǔ)introduction三、晶體的對(duì)稱(chēng)性
crystallinesymmetrysymmetrizationof
crystals對(duì)稱(chēng)性——晶體的基本性質(zhì)
對(duì)稱(chēng)元素(symmetryelements)
宏觀對(duì)稱(chēng)性元素
點(diǎn)群(pointgroup)—晶體中所有點(diǎn)對(duì)稱(chēng)元素的集合根據(jù)晶體外形對(duì)稱(chēng)性,共有32種點(diǎn)群空間群(spacegroup)—晶體中原子組合所有可能方式根據(jù)宏觀、微觀對(duì)稱(chēng)元素在三維空間的組合,可能存在230種空間群(分屬于32種點(diǎn)群)
微觀對(duì)稱(chēng)性上海交大材料科學(xué)基礎(chǔ)introduction四、極射投影Stereographicprojection
極射投影原理(principle)
參考球,極點(diǎn)、極射面、大圖、基圖
Wulff網(wǎng)(wullfnet)經(jīng)線、緯線、2o等分沿赤道線沿基圓讀數(shù)只有兩極點(diǎn)位于吳氏經(jīng)線或赤道上才能正確度量晶面、晶向間夾角標(biāo)準(zhǔn)投影:以某個(gè)晶面//投影面作出極射投影圖。(001)倒易點(diǎn)陣(reciprocallattice)上海交大材料科學(xué)基礎(chǔ)introduction※2金屬的晶體結(jié)構(gòu)(CrystalStructureofMetals)
體心立方點(diǎn)陣面心立方點(diǎn)陣密排六方點(diǎn)陣上海交大材料科學(xué)基礎(chǔ)introduction表2.5三種典型金屬結(jié)構(gòu)的晶體學(xué)特點(diǎn)
上海交大材料科學(xué)基礎(chǔ)introduction晶胞中的原子數(shù)(Numberofatomsinunitcell)
點(diǎn)陣常數(shù)(latticeparameter)a,c原子半徑(atomicradius)R配位數(shù)(coordinationnumber)N致密度(Efficiencyofspacefilling)
軸比(axialratio)c/a上海交大材料科學(xué)基礎(chǔ)introduction堆垛(Stacking)密排結(jié)構(gòu)(close-packedcrystalstructure)最密排面(close-packedplaneofatoms)fcc{111}ABCABCABC······hcp{0001}ABABABAB······上海交大材料科
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