埋層硅外延片-編制說明-送審稿

1《埋層硅外延片》埋層硅外延工藝是IC芯片工藝中一道必不可少的工序，通過[2022]17號(hào)）的要求，由南京國(guó)盛電子有限公司負(fù)責(zé)《埋層硅外延片》的編制，項(xiàng)目計(jì)中航微電子、臺(tái)積電中國(guó)等多家知名高端半導(dǎo)體企業(yè)對(duì)埋層硅外延片加工的質(zhì)量體系認(rèn)2022年6月，南京國(guó)盛電子有限公司接到《埋層硅外延片》國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)正式下達(dá)計(jì)劃后，組建了由南京國(guó)盛電子有限公司、南京盛鑫半導(dǎo)體材料有限公司、**、**、***等公2023年2月，由全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)材料分會(huì)主持在江蘇省徐2據(jù)徐州會(huì)議的要求，編制組對(duì)討論稿進(jìn)行了修改及相關(guān)內(nèi)容的補(bǔ)充和完善，于2023年62023年6月，編制組將征求意見稿發(fā)函浙江金瑞泓科技股份有限公司、中環(huán)領(lǐng)先半開《埋層硅外延片》標(biāo)準(zhǔn)第二次工作會(huì)議（預(yù)審共有上海晶盟硅材料有限公司、杭州包括收集和整理相關(guān)文獻(xiàn)資料，制備不同規(guī)格的樣品，2）根據(jù)國(guó)內(nèi)埋層硅外延片生產(chǎn)企業(yè)的具體情況，力本標(biāo)準(zhǔn)結(jié)合我國(guó)行業(yè)內(nèi)埋層硅外延片的實(shí)際生產(chǎn)和使用情況，考慮埋層硅外延片的發(fā)埋層硅外延片的關(guān)鍵評(píng)判指標(biāo)，具體有：埋層硅外延片外延前的質(zhì)量要求、埋層硅外33.1.2、埋層硅外延片按按直徑尺寸分為有埋層電路的硅片經(jīng)硅外延工藝后，在其正表面上形表1埋層片襯底質(zhì)量要求NPB表2埋層片表面質(zhì)量要求4）；錯(cuò)、位錯(cuò)等微觀缺陷）表3圖形漂移率和圖形畸變率d——外延層上圖形寬度與襯底上圖形寬度的偏離5埋層硅外延片外延層的電阻率和允許偏差、厚度及厚延層縱向電阻率分布、正/背面質(zhì)量、內(nèi)部缺陷、幾何參數(shù)、埋層硅外延片目前尚無相應(yīng)的國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)和行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，本標(biāo)準(zhǔn)是新制定的國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)，主本標(biāo)準(zhǔn)與國(guó)家現(xiàn)行法律、法規(guī)和相關(guān)強(qiáng)制性標(biāo)準(zhǔn)不本標(biāo)準(zhǔn)根據(jù)目前國(guó)內(nèi)埋層硅外延片的實(shí)際生產(chǎn)現(xiàn)狀和訂貨合同情況制定，考慮