現(xiàn)代催化劑表征技術(shù)智慧樹知到課后章節(jié)答案2023年下浙江工業(yè)大學(xué)

現(xiàn)代催化劑表征技術(shù)智慧樹知到課后章節(jié)答案2023年下浙江工業(yè)大學(xué)浙江工業(yè)大學(xué)

第一章測(cè)試

在催化發(fā)展歷史上，發(fā)明多于發(fā)現(xiàn)，技術(shù)大于科學(xué)，指的是催化理論的發(fā)展總是優(yōu)先于工業(yè)催化劑的開發(fā)。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:錯(cuò)

著名科學(xué)家（）于1925年首先提出了活性中心理論，認(rèn)為催化劑表面是不均勻的，只有具有特定結(jié)構(gòu)的催化劑表面位置才具有催化性能。

A:蘭格繆爾

B:阿倫尼烏斯

C:泰勒

D:勒夏特列

答案:泰勒

下面關(guān)于催化劑特征的描述，不正確的是（）。

A:催化劑在反應(yīng)前后,其化學(xué)性質(zhì)和物理性質(zhì)皆不變

B:催化劑不能實(shí)現(xiàn)熱力學(xué)上不可能進(jìn)行的反應(yīng)

C:催化劑不能改變平衡常數(shù)

D:催化劑只能縮短反應(yīng)達(dá)到平衡的時(shí)間,而不能改變平衡狀態(tài)

答案:催化劑在反應(yīng)前后,其化學(xué)性質(zhì)和物理性質(zhì)皆不變

催化劑表征技術(shù)的發(fā)展方向?yàn)椋ǎ?/p>

A:逐漸從宏觀尺度向納米尺度，甚至原子尺度發(fā)展

B:逐漸從空間分辨向時(shí)間分辨的方向發(fā)展

C:逐漸從靜態(tài)的表征技術(shù)向原位動(dòng)態(tài)的表征技術(shù)發(fā)展

D:逐漸從工業(yè)催化體系向模型催化體系發(fā)展

答案:逐漸從宏觀尺度向納米尺度，甚至原子尺度發(fā)展

;逐漸從靜態(tài)的表征技術(shù)向原位動(dòng)態(tài)的表征技術(shù)發(fā)展

可以研究催化劑的孔結(jié)構(gòu)的表征技術(shù)有（）

A:氮?dú)馕?/p>

B:XRD

C:IR

D:TEM

答案:氮?dú)馕?/p>

;XRD

;TEM

第二章測(cè)試

Langmuir吸附是（）

A:單分子層吸附

B:既有單分子層吸附又有多分子層吸附

C:多分子層吸附

答案:單分子層吸附

物理吸附是吸附劑和吸附質(zhì)之間靠分子間作用力發(fā)生吸附作用；化學(xué)吸附是吸附劑和吸附質(zhì)之間形成（）發(fā)生吸附作用。

A:分子引力

B:離子鍵

C:范德華力

D:化學(xué)鍵

答案:化學(xué)鍵

以下的說法中符合Langmuir吸附理論基本假定的是（）。

A:固體表面是均勻的，各處的吸附能力相同

B:吸附熱與吸附的位置和覆蓋度有關(guān)

C:吸附分子層可以是單分子層或多分子層

D:被吸附分子間有作用，互相影響

答案:固體表面是均勻的，各處的吸附能力相同

下面關(guān)于BET公式中C值描述正確的是（）。

A:常數(shù)“C”是一個(gè)指示吸附劑－吸附質(zhì)相互作用程度的經(jīng)驗(yàn)常數(shù)

B:C值也可以是負(fù)值

C:

D:活性炭，分子篩的C值一般都大于200

答案:常數(shù)“C”是一個(gè)指示吸附劑－吸附質(zhì)相互作用程度的經(jīng)驗(yàn)常數(shù)

;

;活性炭，分子篩的C值一般都大于200

采用吸附支數(shù)據(jù)以BJH模型分析催化劑的孔徑分布時(shí)，需要注意3.9nm左右的假孔現(xiàn)象。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:錯(cuò)

第三章測(cè)試

金屬分散度的定義為（）

A:表面活性金屬原子占催化劑中總原子數(shù)的百分比

B:表面活性金屬原子占載體中金屬總原子數(shù)的百分比

C:表面活性金屬原子占催化劑中活性金屬總原子數(shù)的百分比

D:活性金屬原子占催化劑中總原子數(shù)的百分比

答案:表面活性金屬原子占催化劑中活性金屬總原子數(shù)的百分比

在催化劑吸附了探針分子的程序升溫脫附實(shí)驗(yàn)中，脫附峰的溫度代表了以下哪個(gè)參數(shù)。（）

A:探針分子與催化劑表面的作用力大小

B:催化劑表面的活性物種的還原能力

C:催化劑表面活性物種的數(shù)量

D:探針分子的沸點(diǎn)

答案:探針分子與催化劑表面的作用力大小

催化劑的程序升溫還原實(shí)驗(yàn)裝置由哪幾個(gè)部分組成？

（）

A:氣體凈化與切換系統(tǒng)

B:取樣與進(jìn)樣單元

C:反應(yīng)和控溫單元

D:分析測(cè)量單元

答案:氣體凈化與切換系統(tǒng)

;反應(yīng)和控溫單元

;分析測(cè)量單元

從程序升溫實(shí)驗(yàn)的數(shù)據(jù)圖中，可以得到的信息有？（）

A:吸附物種的強(qiáng)度

B:吸附物種的數(shù)目

C:脫附反應(yīng)級(jí)數(shù)

D:活性位的數(shù)目

答案:吸附物種的強(qiáng)度

;吸附物種的數(shù)目

;脫附反應(yīng)級(jí)數(shù)

;活性位的數(shù)目

采用化學(xué)吸附的方法測(cè)得的金屬分散度一定比TEM測(cè)的金屬分散度準(zhǔn)確。（）

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:錯(cuò)

第四章測(cè)試

紅外光譜是（）

A:吸收光譜B:原子光譜C:電子光譜

D:分子光譜

答案:分子光譜

采用吡啶吸附的紅外光譜可以研究固體酸表面的酸中心類型，通過實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)H型的ZSM-5分子篩表面在1540cm-1波數(shù)處有譜峰，說明它

（）

A:既有L酸也有B酸

B:無法判斷

C:有L酸

D:有B酸

答案:有B酸

采用紅外光譜可以測(cè)定氧化鋁表面羥基的種類。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:對(duì)

紅外光譜還可以研究吸附分子之間的相互作用。通過CO吸附態(tài)的紅外吸收帶的化學(xué)位移，可以考察其它分子在吸附時(shí)或在金屬組元之間發(fā)生的電子轉(zhuǎn)移過程。以下說法錯(cuò)誤的是：（）

A:

B:C:

D:

答案:

當(dāng)用紅外光激發(fā)分子振動(dòng)能級(jí)躍遷時(shí)，化學(xué)鍵越強(qiáng)，則（）

A:吸收光子的頻率越大

B:吸收光子的波數(shù)越大

C:吸收光子的數(shù)目越多

D:吸收光子的能量越大

E:吸收光子的波長越長

答案:吸收光子的頻率越大

;吸收光子的波數(shù)越大

;吸收光子的能量越大

第五章測(cè)試

面心立方點(diǎn)陣的消光條件是晶面指數(shù)。（）

A:全奇

B:全偶

C:奇偶混雜

D:其余選項(xiàng)都是

答案:奇偶混雜

一束X射線照射到晶體表面上能否產(chǎn)生衍射取決于。（）

A:晶體形狀

B:是否滿足衍射強(qiáng)度I0

C:是否滿足布拉格條件

D:A+B

答案:A+B

產(chǎn)生系統(tǒng)消光的因素有。（）

A:滑移面

B:螺旋軸

C:帶心點(diǎn)陣

D:平移

答案:滑移面

;螺旋軸

;帶心點(diǎn)陣

XRD衍射技術(shù)可以用來解析催化劑的哪些信息？（）

A:尺寸

B:晶胞參數(shù)

C:物相

D:元素分布

答案:尺寸

;晶胞參數(shù)

;物相

XRD圖顯示某個(gè)衍射峰相對(duì)強(qiáng)度增加，表明樣品晶粒暴露該晶面增多。

（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:錯(cuò)

第六章測(cè)試

下列電磁透鏡不屬于透射電鏡成像系統(tǒng)的是（）。

A:中間鏡

B:聚光鏡

C:物鏡

D:投影鏡

答案:聚光鏡

二次電子產(chǎn)生于樣品表層多少納米的深度范圍？（）

A:1-5納米

B:10-50納米

C:0.5-1納米

D:5-10納米

答案:5-10納米

EDX的優(yōu)點(diǎn)包括。（）

A:可以同時(shí)探測(cè)不同能量的X射線能譜

B:操作簡(jiǎn)單

C:接收信號(hào)角度大

D:定量能力強(qiáng)

答案:可以同時(shí)探測(cè)不同能量的X射線能譜

;操作簡(jiǎn)單

;接收信號(hào)角度大

特征X射線產(chǎn)生于樣品表層約多少深度范圍？（）

A:50微米

B:10微米

C:1微米

D:100微米

答案:1微米

Be產(chǎn)生的特征X射線波長太長，無法進(jìn)行檢測(cè)。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:錯(cuò)

第七章測(cè)試

XPS技術(shù)可以用來表征催化劑的以下幾個(gè)特征：（）

A:元素的配位環(huán)境B:物相結(jié)構(gòu)

C:元素的價(jià)態(tài)

D:元素含量

答案:元素的配位環(huán)境;元素的價(jià)態(tài)

;元素含量

處理XPS數(shù)據(jù)時(shí)首先要進(jìn)行荷電校正。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:對(duì)

發(fā)生震激過程時(shí)，會(huì)在主峰的低結(jié)合能側(cè)約幾個(gè)eV的能量位置產(chǎn)生震激峰。（）

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:錯(cuò)

下面哪種不是Ag原子的光電子能量次峰？（）

A:AgMNN

B:Ag4p

C:Ag4s

D:Ag3p

答案:AgMNN

下面關(guān)于X射線衛(wèi)星峰的表述錯(cuò)誤的是？（）

A:X射線家族中其他X射線也同樣能激發(fā)出光電子

B:X射線衛(wèi)星峰產(chǎn)生的原因是X射線光源不是單色化的

C:其他X射線激發(fā)出的光電子往往動(dòng)能較低

D:衛(wèi)星峰離光電子主峰的距離和譜峰的強(qiáng)度因陽極材料的不同而異

答案:其他X射線激發(fā)出的光電子往往動(dòng)能較低

第八章測(cè)試

不可以表示負(fù)載型金屬催化劑的分散情況的參數(shù)是（）

A:比表面積

B:晶粒尺寸

C:金屬分散度

D:活性金屬比表面積

答案:比表面積

下列表征技術(shù)可以得到反應(yīng)動(dòng)力學(xué)信息的是（）

A:氮?dú)馕锢砦?/p>

B:XRD

C:TPSR

D:XPS

答案:TPSR

下列可以與程序升溫技術(shù)聯(lián)用表征催化劑表面信息的有（）