微電子工藝學(xué)A智慧樹知到課后章節(jié)答案2023年下上海大學(xué)

微電子工藝學(xué)A智慧樹知到課后章節(jié)答案2023年下上海大學(xué)上海大學(xué)

第一章測試

世界上第一個集成電路制造所用的襯底是（）。

A:多晶硅

B:硅單晶

C:金襯底

D:鍺單晶

答案:鍺單晶

麒麟980芯片采用的工藝水平是（）。

A:10nm

B:5nm

C:7nm

D:9nm

答案:7nm

發(fā)明集成電路的公司有（）。

A:英特爾

B:英偉達(dá)

C:仙童半導(dǎo)體

D:德州儀器

答案:仙童半導(dǎo)體

;德州儀器

微電子產(chǎn)業(yè)的特點有()。

A:商品壽命短

B:制造環(huán)境要求高

C:對材料及產(chǎn)品可靠性要求高

D:技術(shù)含量高，人才需要大

答案:商品壽命短

;制造環(huán)境要求高

;對材料及產(chǎn)品可靠性要求高

;技術(shù)含量高，人才需要大

摩爾定律會一直發(fā)展下去。（）

A:對B:錯

答案:錯

集成電路制造所需的單晶硅純度在11－12個9。（）

A:錯B:對

答案:對

第二章測試

如下選項那個不是離子注入工藝過程中，減少溝道效應(yīng)的措施（）。

A:增加注入劑量

B:表面預(yù)非晶化

C:表面用掩膜

D:增加注入能量

答案:增加注入能量

下列哪個雜質(zhì)允許在硅中存在的？()

A:Na

B:C

C:O

D:Cu

答案:Cu

硅的四種摻雜方式有以下幾種？（）

A:離子注入

B:原位摻雜

C:擴散摻雜法

D:中子嬗變摻雜

答案:離子注入

;原位摻雜

;擴散摻雜法

;中子嬗變摻雜

金剛石結(jié)構(gòu)的立方晶胞空間利用率為34%。（）

A:錯B:對

答案:錯

硅的解理面為（110）面。（）

A:對B:錯

答案:錯

第三章測試

金剛石結(jié)構(gòu)的立方晶胞空間利用率為74%。（）

A:錯B:對

答案:對

硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項？（）

A:精餾

B:硅烷熱分解

C:固體吸附法

D:制備硅烷

答案:精餾

目前制備SOI材料的主流技術(shù)有幾種？（）

A:智能剝離法

B:鍵合再減薄技術(shù)

C:注氧隔離法

答案:智能剝離法

;鍵合再減薄技術(shù)

;注氧隔離法

物理提純法制備多晶硅過程中，硅參加了化學(xué)反應(yīng)。（）

A:錯B:對

答案:對

第四章測試

如下哪個選項不是半導(dǎo)體器件制備過程中的主要污染物？()

A:金屬離子

B:化學(xué)物質(zhì)

C:融解的氧氣

D:細(xì)菌

答案:融解的氧氣

下面哪個選項不是集成電路工藝用化學(xué)氣體質(zhì)量的指標(biāo)？（）

A:微粒

B:純度

C:濃度

D:金屬離

答案:濃度

美國聯(lián)邦標(biāo)準(zhǔn)209E按一立方英尺中存在的顆粒大小和密度定義空氣凈化標(biāo)準(zhǔn)。()

A:錯B:對

答案:對

美國用離子交換法制取95%純水。（）

A:錯B:對

答案:對

第五章測試

硅暴露在空氣中，則在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）

A:25nm

B:20nm

C:30nm

D:10nm

答案:25nm

濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。

A:80度

B:90度

C:95度

D:75度

答案:95度

消除鳥嘴效應(yīng)的方法有（）。

A:退火

B:高壓氧化工藝

C:在氧化前，將窗口處的硅腐蝕掉深度，再進行局部氧化

D:選擇合適的掩蔽膜

答案:高壓氧化工藝

;在氧化前，將窗口處的硅腐蝕掉深度，再進行局部氧化

鳥嘴效應(yīng)造成的不良影響有（）。

A:電容增加

B:電阻增大

C:有效柵寬變窄

D:電流減少

答案:電容增加

;有效柵寬變窄

重?fù)诫s的硅要比輕摻雜的氧化速度快。（）

A:對B:錯

答案:對

晶向（111）硅單晶氧化速率將比（100）稍慢。（）

A:錯B:對

答案:錯

第六章測試

擴散工藝用于形成（）。

A:深結(jié)和淺結(jié)

B:淺結(jié)

C:深結(jié)

D:深結(jié)或淺結(jié)

答案:深結(jié)

摻雜的濃度范圍為（）。

A:

B:

C:

D:

答案:

下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子？（）

A:P

B:Au

C:Ag

D:Cu

答案:Au

;Ag

;Cu

填隙擴散的特點有（）。

A:填隙型雜質(zhì)擴散很快

B:對硅摻雜水平無直接貢獻

C:對硅摻雜水平有直接貢獻

D:填隙型雜質(zhì)擴散很慢

答案:填隙型雜質(zhì)擴散很快

;對硅摻雜水平無直接貢獻

空位擴散是替位型雜質(zhì)的主要擴散機制之一。（）

A:錯B:對

答案:對

只有存在空位擴散時，才能發(fā)生推填隙擴散。（）

A:對B:錯

答案:對

第七章測試

當(dāng)許多損傷區(qū)連在一起時就會形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。

A:損傷劑量

B:摻雜劑量

C:臨界劑量

D:最低摻雜劑量

答案:臨界劑量

摻雜后退火時間一般在（）。

A:60~90分鐘

B:100~120分鐘

C:10~20分鐘

D:30~60分鐘

答案:30~60分鐘

注入損傷與注入離子的以下哪個參數(shù)無關(guān)?（）

A:質(zhì)量

B:溫度

C:劑量

D:能量

答案:溫度

摻雜后，退火的目的是（）。

A:加大損傷

B:提高摻雜均勻性

C:實現(xiàn)電激活

D:修復(fù)損傷

答案:提高摻雜均勻性

;實現(xiàn)電激活

;修復(fù)損傷

低劑量離子注入不會產(chǎn)生損傷。（）

A:錯B:對

答案:錯

如果注入離子的半徑較小，它沿著敞開的晶體方向注入時，溝道效應(yīng)更加顯著。（）

A:錯B:對

答案:對

第八章測試

常壓的硅外延方法有（）：

A:二氯氫硅烷法

B:硅烷熱分解法

C:四氯化硅氫還原法

D:三氯氫硅氫還原法

答案:二氯氫硅烷法

;硅烷熱分解法

;四氯化硅氫還原法

;三氯氫硅氫還原法

物理氣相沉積方法有（）。

A:等離子體增強化學(xué)氣相沉積

B:熱蒸發(fā)

C:磁控濺射

D:電子束蒸發(fā)

答案:熱蒸發(fā)

;磁控濺射

;電子束蒸發(fā)

化學(xué)氣相沉積是在超高真空條件下進行反應(yīng)。()

A:錯B:對

答案:錯

分子束外延制備薄膜主要是在襯底上發(fā)生化學(xué)反應(yīng)。（）

A:對B:錯

答案:對

蒸發(fā)最大的缺點是不能產(chǎn)生均勻的臺階覆蓋，但是可以比較容易的調(diào)整淀積合金的組分。（）

A:錯B:對

答案:錯

第九章測試

刻蝕工藝可以和以下哪個工藝結(jié)合來實現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移?()

A:離子注入

B:氧化

C:光刻

D:拋光

答案:光刻

下列選項哪個不是干法刻蝕優(yōu)點？（）

A:設(shè)備便宜

B:好的側(cè)面控制

C:好的CD控制

D:化學(xué)品使用低

答案:設(shè)備便宜

刻蝕參數(shù)有：（）。

A:刻蝕偏差

B:選擇比

C:均勻性

D:刻蝕速率

答案:刻蝕偏差

;選擇比

;均勻性

;刻蝕速率

刻蝕過程中聚合物形成的來源有：（）。

A:刻蝕溶液

B:光刻膠

C:Si襯底

D:刻蝕氣體中的碳和其它物質(zhì)組成的化合物

答案:光刻膠

;刻蝕氣體中的碳和其它物質(zhì)組成的化合物

干法刻蝕工藝中不存在化學(xué)反應(yīng)。()

A:對B:錯

答案:錯

第十章測試

進行光刻工藝前的清洗步驟是（）。

A:堿溶液清洗

B:HF結(jié)尾的清洗工藝

C:去離子水沖洗

D:有機溶液清洗

答案:HF結(jié)尾的清洗工藝

光刻工藝的設(shè)備核心是（）。

A:對準(zhǔn)和曝光

B:光刻機

C:光刻膠

D:掩膜版

答案:對準(zhǔn)和曝光

光刻工藝的特點包括：（）

A:決定特征尺寸的關(guān)鍵工藝

B:光刻工藝過程復(fù)雜

C:光刻與芯片的價格和性能密切相關(guān)

D:復(fù)印圖像和化學(xué)作用相結(jié)合的綜合性技術(shù)

答案:決定特征尺寸的關(guān)鍵工藝

;光刻與芯片的價格和性能密切相關(guān)

;復(fù)印圖像和化學(xué)作用相結(jié)合的綜合性技術(shù)

光刻工藝對準(zhǔn)誤差包括：（）。

A:轉(zhuǎn)動

B:上下偏移

C:套準(zhǔn)誤差

D:X或Y方向的平移

答案:轉(zhuǎn)動

;X或Y方向的平移

曝光波長越短約好。（）

A:對B:錯

答案:對

第十一章測試

新的平坦化方法有哪幾個？（）

A:電化學(xué)機械平坦化技術(shù)

B:固結(jié)磨料CMP技術(shù)

C:無磨粒CMP技術(shù)

D:無應(yīng)力拋光技術(shù)

答案:電化學(xué)機械平坦化技術(shù)

;固結(jié)磨料CMP技術(shù)

;無磨粒CMP技術(shù)

;無應(yīng)力拋光技術(shù)

CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。

A:臺板

B:拋光液

C:拋光墊

D:夾持設(shè)備

答案:拋光液

;拋光墊

;夾持設(shè)備

化學(xué)機械拋光液的主要成分不包括的是哪個？（）

A:還原劑

B:磨料

C:分散劑

D:腐蝕介質(zhì)

答案:還原劑

化學(xué)機械拋光是一種全局性的拋光技術(shù)。（）

A:對B:錯

答案:對

沒有化學(xué)機械拋光，就不可能生產(chǎn)甚大規(guī)模集成電路芯片。（）

A:錯B:對

答案:對

第十二章測試

最早使用的金屬化材料是（）。

A:鋁

B:銅

C:鐵

D:金

答案:鋁

進行溝槽填充常用的金屬材料是（）。

A:鋁

B:金

C:鎢

D:銅

答案:鎢

金屬化中可選用的金屬材料有（）。

A:金

B:銀

C:銅

D:鋁

答案:金

;銀

;銅

;鋁

互連工藝中AL的制備可選用（）。

A:MBE

B:電鍍

C:CVD

D:PVD

答案:CVD

;PVD

互連工藝中鋁和硅可以互溶。（）

A:錯B:對

答案:對

第十三章測試

封裝工藝中，銀漿固化的溫度為()。

A:190度

B:180度

C:157度

D:175度

答案:175度

下面哪道工序主要是針對晶圓切割之后在顯微鏡下進行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？()

A:二光檢查

B:一光檢查

C:四光檢查

D:三光檢查

答案:二光檢查

影響封裝芯片特性的溫度有（）。

A:物理的脆弱度

B:熱敏感度

C:熱的產(chǎn)生

D:集成度

答案:物理的脆弱度

;熱敏感度

;熱的產(chǎn)生

;集成度

芯片粘接的工藝過程包括（）。

A:烘烤

B:銀漿固化

C:點銀漿

D:芯片粘接

答案:銀漿固化

;點銀漿

;芯片粘接

三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無各種廢品。（）

A:錯B:對

答案:對

去溢料的方法主要有弱酸浸泡和高壓水沖洗。（）

A:錯B:對

答案:對

第十四章測試

集成電路制造中所涉及的器件主要是（）。

A:電阻

B:放大器

C:CMOS晶體管

D:二極管

答案:CMOS晶體管

下面哪個不是單電子晶體管的特點？（）

A:制備工藝簡單

B:功耗小

C:中間的柵極為一量子點

D:工作原理是基于庫倫阻塞效應(yīng)

答案:制備工藝簡單

IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。

A:特征線寬等有關(guān)尺寸縮小α倍,單元電路的功耗下降α2倍,

B:特征線寬等有關(guān)尺寸縮小α倍,電路速度可增加α倍,

C:特征線寬等有關(guān)尺寸縮小α倍,而單位芯片面積的功耗不變

D:特征線寬等有關(guān)尺寸縮小α倍,集成度提高α倍

答案:特征線寬等有關(guān)尺寸縮小α倍,單元電路的功耗下降α2倍,

;特征線寬等有關(guān)尺寸縮小α倍,電路速度可增加α倍,

;特征線寬等有關(guān)尺寸縮小α倍,而單位芯片面積的功耗不變

CE定律發(fā)展面臨的問題（）。

A:電源電壓標(biāo)準(zhǔn)的改變會帶