鈣鈦礦行業(yè)深度報(bào)告：鈣鈦礦漸行漸近產(chǎn)業(yè)化已經(jīng)拉開(kāi)序幕

索引索引內(nèi)容目錄一、鈣鈦礦電池：第三代太陽(yáng)能電池，產(chǎn)業(yè)化進(jìn)行時(shí) 4現(xiàn)有技術(shù)進(jìn)入瓶頸期，鈣鈦礦有望成為下一代光伏電池 4鈣鈦礦電池主流結(jié)構(gòu)為平面反式結(jié)構(gòu) 6二、鈣鈦礦產(chǎn)業(yè)化漸行漸近，但仍存在挑戰(zhàn) 7鈣鈦礦轉(zhuǎn)換效率高，且效率提升速度更快 7鈣鈦礦原材料易得且制造產(chǎn)業(yè)鏈明顯縮短 10穩(wěn)定性、大面積制備與環(huán)境污染為目前主要挑戰(zhàn) 13三、量產(chǎn)化步驟基本確定，技術(shù)路線多重多樣 16量產(chǎn)化鈣鈦礦制備步驟基本確定 16鈣鈦礦薄膜制備方法多樣，狹縫涂布為目前主流 16電子傳輸層適合RPD，空穴傳輸層適合PVD 18電極層主要使用TCO玻璃，F(xiàn)TO經(jīng)濟(jì)性更強(qiáng) 20鈣鈦礦電池需四次激光刻蝕，起分片效果 20封裝對(duì)穩(wěn)定性至關(guān)重要，通常采用POE材料 21疊層電池最具有產(chǎn)業(yè)化潛力，二端四端各有千秋 22四、鈣鈦礦電池產(chǎn)業(yè)化進(jìn)展已經(jīng)開(kāi)始，25年有望實(shí)現(xiàn)GW級(jí)量產(chǎn) 25學(xué)術(shù)界與產(chǎn)業(yè)界均有較大進(jìn)展，鈣鈦礦產(chǎn)業(yè)化已經(jīng)拉開(kāi)序幕 25鈣鈦礦企業(yè)處在0-1過(guò)程，目前百家爭(zhēng)鳴 26鈣鈦礦制備設(shè)備有望受益 28五、相關(guān)標(biāo)的及投資建議 30協(xié)鑫科技 30京山輕機(jī) 30曼恩斯特 31帝爾激光 31六、風(fēng)險(xiǎn)提示 33圖表目錄圖1：太陽(yáng)能電池發(fā)展歷程及其優(yōu)缺點(diǎn) 4圖2：不同光伏技術(shù)指標(biāo)太陽(yáng)能電池的成本與太陽(yáng)能電池轉(zhuǎn)換效率關(guān)系 5圖3：鈣鈦礦晶體結(jié)構(gòu)示意圖 5圖4：鈣鈦礦晶體結(jié)構(gòu)示意圖 5圖5：介孔結(jié)構(gòu)鈣鈦礦電池示意圖 6圖6：鈣鈦礦電池轉(zhuǎn)化效率提升速度快 8圖7：多結(jié)疊層電池可以吸收更多波長(zhǎng)的光 10圖8：鈣鈦礦太陽(yáng)能電池產(chǎn)業(yè)鏈顯著縮短 圖9：鈣鈦礦太陽(yáng)能電池單位原材料投入顯著低于晶硅類(lèi) 12圖10：鈣鈦礦太陽(yáng)能電池可低溫溶液制備 12圖鈣鈦礦太陽(yáng)能電池組件單瓦能耗僅為晶硅的1/10 12圖12：晶硅組件的制造成本結(jié)構(gòu) 13圖13：鈣鈦礦組建的制造成本結(jié)構(gòu) 13圖14：鈣鈦礦在水氧條件下腐蝕前后紫外吸收測(cè)試顯示其效率快速下降 13圖15：紫外光照下??????2和氧氣相互作用機(jī)理示意圖 14圖16：各種涂層技術(shù)制備的PSCs在隨面積增大效率均有所降低 15圖17：晶硅太陽(yáng)能電池的焊帶中鉛含量較高，光伏焊帶示意圖 15圖18：鈣鈦礦電池組件生產(chǎn)流 16圖19：鈣鈦礦薄膜制備工藝 17圖20：狹縫涂布技術(shù)原理 18圖21：PVD三種路線原理圖 19圖22：ALD原理示意圖 19圖23：鈣鈦礦電池中的激光刻蝕 21圖24：鈣鈦礦電池的兩種封裝方式 21圖25：鈣鈦礦/硅疊層電池各種結(jié)構(gòu)圖 23圖26：集成一體化鈣鈦礦晶硅疊層電池示意圖 23圖27：機(jī)械堆疊鈣鈦礦晶硅疊層電池示意圖 23圖28：全鈣鈦礦疊層的中間連接層結(jié)構(gòu) 24圖29：正反向硅基異質(zhì)結(jié)鈣鈦礦疊層電池結(jié)構(gòu) 24圖30：疊層鈣鈦礦電池的結(jié)構(gòu)類(lèi)型 24圖31：2009-2020年P(guān)SCs專(zhuān)利申請(qǐng)量提升迅速 25圖32：鈣鈦礦太陽(yáng)能電池的大部分專(zhuān)利申請(qǐng)都來(lái)自中國(guó) 25圖33：鈣鈦礦太陽(yáng)能電池制備過(guò)程較晶硅類(lèi)大幅簡(jiǎn)化 26圖34：鈣鈦礦太陽(yáng)能電池生產(chǎn)的主要設(shè)備為鈣鈦礦印刷設(shè)備及真空鍍膜設(shè)備 26圖35：鈣鈦礦電池生產(chǎn)用PVD設(shè)備 29圖36：鈣鈦礦電池生產(chǎn)用涂布設(shè)備 29圖37：曼恩斯特核心產(chǎn)品——涂布模頭、智能涂布設(shè)備等 31圖38：曼恩斯特泛半導(dǎo)體業(yè)務(wù)涂布技術(shù)解決方案 31表1：鈣鈦礦電池結(jié)構(gòu)、作用及特點(diǎn) 6表2：鈣鈦礦電池和晶硅電池對(duì)比 7表3：鈣鈦礦太陽(yáng)能電池實(shí)驗(yàn)室轉(zhuǎn)換效率發(fā)展歷程 8表4：不同類(lèi)型鈣鈦礦電池最新轉(zhuǎn)換效率 9表5：鈣鈦礦太陽(yáng)能電池穩(wěn)定性的進(jìn)展 14表6：鈣鈦礦層主流制備方法對(duì)比（按原理分類(lèi)） 16表7：鈣鈦礦大面積制備方法對(duì)比（按設(shè)備分類(lèi)） 17表8：部分鈣鈦礦企業(yè)進(jìn)展 27表9：鈣鈦礦電池組件100MW生產(chǎn)線設(shè)備 27表10：?jiǎn)谓Y(jié)鈣鈦礦太陽(yáng)能電池產(chǎn)業(yè)化進(jìn)展 28表鈣鈦礦/HJT疊層電池所需設(shè)備 28表12：京山輕機(jī)鈣鈦礦及疊層電池組件主要產(chǎn)品 3013PERC、XBC、TOPCon、HJT、鈣鈦礦以及激光轉(zhuǎn)印設(shè)備.32一、鈣鈦礦電池：第三代太陽(yáng)能電池，產(chǎn)業(yè)化進(jìn)行時(shí)現(xiàn)有技術(shù)進(jìn)入瓶頸期，鈣鈦礦有望成為下一代光伏電池太陽(yáng)能電池是指可以有效吸收太陽(yáng)能，并將其轉(zhuǎn)化為電能的半導(dǎo)體部件。截止目前，太陽(yáng)能電池經(jīng)歷了三次迭代：第一代，包括單晶硅、多晶硅在內(nèi)的硅基太陽(yáng)能電池。該電池發(fā)展成熟，應(yīng)用廣泛，但必須使用高純硅，造價(jià)高，制備過(guò)程成本高，產(chǎn)業(yè)化運(yùn)用受到制約，PERC量產(chǎn)轉(zhuǎn)化效率達(dá)到23.1%，TOPCon量產(chǎn)效率目前達(dá)到25.3%以上，HJT達(dá)到255第二代（d，砷化鎵As，銅銦鎵硒化合物在內(nèi)的薄膜太陽(yáng)能電池。較晶硅電池，薄膜電池能容忍較高的缺陷密度，制作成本相對(duì)低，易產(chǎn)量化，但其原料部分元素地球儲(chǔ)量少且嚴(yán)重污染環(huán)境，碲化鎘電池量產(chǎn)轉(zhuǎn)化效率達(dá)到16.6%；第三代，包括染料敏化電池、鈣鈦礦電池、量子點(diǎn)太陽(yáng)能在內(nèi)的新型太陽(yáng)能電池。制備工藝簡(jiǎn)單，成本低，原料地球儲(chǔ)量大且轉(zhuǎn)化效率高，但仍處于初級(jí)階段，穩(wěn)定性較弱。圖1：太陽(yáng)能電池發(fā)展歷程及其優(yōu)缺點(diǎn)資料來(lái)源：粉體網(wǎng)，PERC電池進(jìn)入瓶頸期，需要增加修飾層來(lái)進(jìn)步。例如目前的晶硅電池N型技術(shù)中TOPCon便是在晶硅的基礎(chǔ)上增加更多的修飾層，以達(dá)到增加轉(zhuǎn)換效率的目的。而硅基、薄膜太陽(yáng)能電池具較高的載流子遷移率，但材料的吸光性能差，消光系數(shù)低,需要采取極薄半導(dǎo)體吸收層來(lái)彌補(bǔ)不足;如圖2所示，第三代太陽(yáng)能電池兼顧效率與成本，極具發(fā)展前景。第三代電池技術(shù)中，有機(jī)太陽(yáng)能電池雖具有很好的吸光性能,但載流子遷移率極低，染料敏化太陽(yáng)能電池雖在彌補(bǔ)硅基太陽(yáng)能電池、薄膜太陽(yáng)能電池和有機(jī)太陽(yáng)能電池的各自不足方面取得了顯著的成效，但仍面臨吸收層厚度至少要在10μm以上、難以克服的光漂白現(xiàn)象以及穩(wěn)定性差等問(wèn)題。而相對(duì)來(lái)說(shuō)，鈣鈦礦電池性能優(yōu)良，具有諸多優(yōu)勢(shì)，是太陽(yáng)能電池極具發(fā)展前景的下一代。圖2：不同光伏技術(shù)指標(biāo)太陽(yáng)能電池的成本與太陽(yáng)能電池轉(zhuǎn)換效率關(guān)系資料來(lái)源：CNKI_鈣鈦礦太陽(yáng)能電池:光伏領(lǐng)域的新希望_魏靜等，注：Ⅰ:硅片技術(shù)(第一代電池);Ⅱ:薄膜技術(shù)(第二代電池);Ⅲ:高效薄膜技術(shù)(第三代電池)鈣鈦礦材料是具有????????型結(jié)構(gòu)的一類(lèi)晶體材料，一般為立方體或八面體結(jié)構(gòu)。鈦礦其實(shí)是指具有????????型的化學(xué)組成的化合物。其中A（A=????2+，????+，????2+，????2+，??+，????2+，????2+等）是大半徑的陽(yáng)離子，B（B=????4+,????4+????4+????3+,????5+等）是小半徑的陽(yáng)離子，X（X=???,?????,????????,??2?等）為陰離子。??????3鈣鈦礦結(jié)構(gòu)中，其中BX,,形成,A體組成的中心形成立方體，晶體結(jié)構(gòu)穩(wěn)定。目前正在產(chǎn)業(yè)化的鈣鈦礦單結(jié)電池中，A位BX圖3：鈣鈦礦晶體結(jié)構(gòu)示意圖 圖4：鈣鈦礦晶體結(jié)構(gòu)示意圖 資料來(lái)源：CNKI_鈣鈦礦太陽(yáng)能電池中電子傳輸材料的研究進(jìn)展_丁雄傑，西部證券研發(fā)中心

資料來(lái)源：CNKI_鈣鈦礦太陽(yáng)能電池中電子傳輸材料的研究進(jìn)展_丁雄傑，西部證券研發(fā)中心典型的??????有機(jī)無(wú)機(jī)鈣鈦礦材料中（圖4，AB????2+，????2+是鹵素離子，如?????,????????，占據(jù)面心。離子半徑較恰當(dāng)，尺寸較小的有機(jī)離子可以調(diào)節(jié)無(wú)機(jī)離子之間的空隙，無(wú)機(jī)鹵化金屬就可以構(gòu)成連續(xù)的八面體骨架，形成較為規(guī)整的近似于立方體的晶體。由于堆疊緊密所得的三維連續(xù)結(jié)構(gòu)擁有較窄的帶隙。這種有機(jī)-無(wú)機(jī)雜化的方式與傳統(tǒng)的雜化材料不同的是在分子尺度的復(fù)合，因此能夠結(jié)合有機(jī)材料和無(wú)機(jī)材料各自性能上的優(yōu)勢(shì)。最常用的純碘的鈣鈦礦材料（??3，帶隙約為1.55eV800nm機(jī)基團(tuán)的存在使材料能有溶于常見(jiàn)的有機(jī)溶劑，性質(zhì)可通過(guò)改變有機(jī)離子尺寸而調(diào)節(jié)，因此有機(jī)-無(wú)機(jī)鈣鈦礦材料非常適合作為太陽(yáng)能電池的吸光層。鈣鈦礦電池主流結(jié)構(gòu)為平面反式結(jié)構(gòu)鈣鈦礦太陽(yáng)能電池（PSCs）以鈣鈦礦材料為吸光材料，其結(jié)構(gòu)有介孔和平面兩種。介孔結(jié)構(gòu)鈣鈦礦電池以致密??????2為電子傳輸材料,介孔??????2為框架,在其表面生長(zhǎng)????3????3??????3后,沉積p型半導(dǎo)體材料作為空穴傳輸層。圖5：介孔結(jié)構(gòu)鈣鈦礦電池示意圖資料來(lái)源：CNKI_鈣鈦礦太陽(yáng)能電池中電子傳輸材料的研究進(jìn)展_丁雄傑等，單結(jié)鈣鈦礦電池主要有三種結(jié)構(gòu)，分為正式介孔、正式平面和反式平面結(jié)構(gòu)，反式平面結(jié)構(gòu)優(yōu)勢(shì)較大。根據(jù)是否有介孔層，可將鈣鈦礦電池分為平面和介孔結(jié)構(gòu)，介孔層既可以作為支架輔助鈣鈦礦生長(zhǎng)，又可以加快載流子的傳輸，但其尺寸不易控制，成本較高。平面結(jié)構(gòu)中根據(jù)電子傳輸層和空穴傳輸層的位置相反分為正式和反式結(jié)構(gòu)，其中，反式結(jié)構(gòu)的鈣鈦礦電池制備簡(jiǎn)單、成本低，并且無(wú)需高溫?zé)Y(jié)，是目前的主流結(jié)構(gòu)。表1：鈣鈦礦電池結(jié)構(gòu)、作用及特點(diǎn)功能層 作用 材料類(lèi)型 代表材料功能層 作用 材料類(lèi)型 代表材料鈣鈦礦光層 吸收光、光轉(zhuǎn)換電子傳層 傳輸電并阻空穴自由電子通過(guò)ETL轉(zhuǎn)移到陰極HTL

有機(jī)無(wú)雜化 CH3NH3Pbl3、HC(NH2)Pbl3、CH3NH3Snl3、全無(wú)機(jī) CsPbBr3、CsPblxBr3-x、KPbl3等有機(jī)材料 富勒烯其衍物、二酰胺萘二酰新型小子材料 TPE-PDI4、TDTP等無(wú)機(jī)材料 氧化鈦氧化、五化二等導(dǎo)電聚合材料PEDOT:PSS、聚[雙(4-苯基)(2,4,6-三甲基苯基)胺](PTAA)、共軛聚電解質(zhì)(CPE)、聚合電解質(zhì)空穴傳輸層

極 有機(jī)小子材料 、DFH、、NPB等無(wú)機(jī)材料 氧化鎳銅基料等貴金屬 金、銀銅等電極層 透光、電、接外

導(dǎo)電玻璃 ITO、FTO、AZO碳材料 石墨、黑、納米及復(fù)材料資料來(lái)源：王耀武等《有機(jī)電子傳輸材料在反式鈣鈦礦太陽(yáng)能電池中的研究現(xiàn)狀》、楊喆淇《基于界面維度調(diào)控的高效反式鈣鈦礦太陽(yáng)能電池》，二、鈣鈦礦產(chǎn)業(yè)化漸行漸近，但仍存在挑戰(zhàn)鈣鈦礦太陽(yáng)能電池（PSCs）屬于第三代高效薄膜電池，憑借轉(zhuǎn)換效率高和制作成本低同時(shí)，鈣鈦礦太陽(yáng)能電池在產(chǎn)業(yè)化道路面臨的發(fā)電效率不穩(wěn)定、大面積制備難、環(huán)境污染風(fēng)險(xiǎn)大的問(wèn)題也在解決當(dāng)中。2.1鈣鈦礦轉(zhuǎn)換效率高，且效率提升速度更快pn232--40%3結(jié)及以上鈣鈦礦疊層電池的理論轉(zhuǎn)換效率更是能達(dá)到50%左右。鈣鈦礦電池光電理論轉(zhuǎn)化效率明顯高于晶硅類(lèi)太陽(yáng)能電池。單結(jié)鈣鈦礦太陽(yáng)能電池當(dāng)前25.7%31%/效率可突破40%，高于單結(jié)晶體硅太陽(yáng)能電池理論極限效率29.43%。如果摻雜新型材料，疊層鈣鈦礦電池的轉(zhuǎn)換效率最高能達(dá)到的50%，是目前晶硅電池的2倍左右。由此可見(jiàn)鈣鈦礦太陽(yáng)能電池的效率提升空間非常大。Shockley-Queisser1.34eV33.7%，通常認(rèn)為吸光層材料的最優(yōu)帶隙為1.3-1.5eV此效率越高。目前最常用的鈣鈦礦材料??????????3和??????????3的禁帶寬度為1.5-1.6eV，非常接近于最優(yōu)帶隙，其理論最大光電轉(zhuǎn)化效率均處于30%表2：鈣鈦礦電池和晶硅電池對(duì)比項(xiàng)目鈣鈦礦電池晶硅電池單結(jié)最高效率25.7%26.1%理論極限效率31%29.4%器件厚度500nm>150um吸光范圍350~800nm400~1200nm禁帶寬度~1.4eV，且可調(diào)1.1eV弱光效應(yīng)強(qiáng)，陰雨天等低光照環(huán)境正常工作弱，陰雨天及低光照環(huán)境基本不工作柔性易制備為柔性電池難以制備為柔性電池資料來(lái)源：《超長(zhǎng)穩(wěn)定的混合陽(yáng)離子鈣鈦礦太陽(yáng)能電池性能優(yōu)化研究》，《應(yīng)用案例—鈣鈦礦太陽(yáng)能電池》，鈣鈦礦效率提升速度比晶硅更快。20093.8%，2017SangSeok22.1%，2018JunHongNoh24.35%，2022年蔚山先進(jìn)QD-SnO2形成了連續(xù)、薄和共形的SnO2層，基于雙層電子傳輸層將效率提升到了25.7%。而晶硅電池效率在1989年達(dá)到22.8%后，之后近四十年沒(méi)有很大的突破。20093.8%25.7%核心原因是鈣鈦礦電池材料的可設(shè)計(jì)性強(qiáng)。光伏應(yīng)用中的鈣鈦礦材料是人工設(shè)計(jì)的晶體材料，選擇靈活，可以通過(guò)人工設(shè)計(jì)不斷尋找性能更好、成本更低的材料，不斷改進(jìn)設(shè)計(jì)從而提升電池性能。而晶硅材料只能提純、結(jié)構(gòu)不能改變。因此，鈣鈦礦太陽(yáng)能電池與晶硅電池的競(jìng)爭(zhēng)，是成千上萬(wàn)種鈣鈦礦材料和一種晶硅材料的競(jìng)爭(zhēng)。圖6：鈣鈦礦電池轉(zhuǎn)化效率提升速度快資料來(lái)源：NERL，表3：鈣鈦礦太陽(yáng)能電池實(shí)驗(yàn)室轉(zhuǎn)換效率發(fā)展歷程時(shí)間研發(fā)團(tuán)隊(duì)電池類(lèi)型轉(zhuǎn)換效率2009日本科學(xué)家Miyasaka單結(jié)鈣鈦礦太陽(yáng)能電池3.80%韓國(guó)成館學(xué)Nam-GyuPark課題單結(jié)鈣礦太能電池 6.50%組2012Lee課題組牛津大學(xué)HenrySnaith單結(jié)鈣鈦礦太陽(yáng)能電池15.40%2015韓國(guó)化學(xué)技術(shù)研究所以及成均館大學(xué)2012Lee課題組牛津大學(xué)HenrySnaith單結(jié)鈣鈦礦太陽(yáng)能電池15.40%2015韓國(guó)化學(xué)技術(shù)研究所以及成均館大學(xué)單結(jié)鈣鈦礦太陽(yáng)能電池17.90%2016瑞士洛桑聯(lián)邦理工學(xué)院(EPFL)單結(jié)鈣鈦礦太陽(yáng)能電池19.60%2017韓國(guó)蔚山國(guó)立科技研究所單結(jié)鈣鈦礦太陽(yáng)能電池22.10%2018 中國(guó)科院半體研所研員經(jīng)單結(jié)鈣礦太能電池 23.70%碧課題組2018牛津光伏(OxfordPV)硅/鈣鈦礦疊層太陽(yáng)能電池27.30%2018牛津光伏(OxfordPV)硅/鈣鈦礦疊層太陽(yáng)能電池28.00%2019.4韓國(guó)化學(xué)技術(shù)研究所(KRICT)單結(jié)鈣鈦礦太陽(yáng)能電池24.20%2019.8韓國(guó)化學(xué)技術(shù)研究所、麻省理工單結(jié)鈣鈦礦太陽(yáng)能電池25.20%2020.1美國(guó)能源部國(guó)家可再生能源實(shí)驗(yàn)室全鈣鈦礦疊層電池23.10%2020.1亥姆霍茲中心(HZB)硅/鈣鈦礦疊層太陽(yáng)能電池29.15%2020.9香港城市大學(xué)、華盛頓大學(xué)單結(jié)鈣鈦礦太陽(yáng)能電池25.50%2020.12牛津光伏(OxfordPV)硅/鈣鈦礦疊層太陽(yáng)能電池29.52%2021.1韓國(guó)蔚山國(guó)家科學(xué)技術(shù)研究所(UNIST)單結(jié)鈣鈦礦太陽(yáng)能電池25.50%2021.11亥姆霍茲中心(HZB)硅/鈣鈦礦疊層太陽(yáng)能電池29.80%2022.2加拿大多倫多大學(xué)EdwardH.全鈣鈦礦疊層電池26.40%Sargent教授2022.6南京大學(xué)譚海仁教授課題組全鈣位礦疊層電池28.00%2022.6普林斯頓大學(xué)研究人員大面積鈣鈦礦疊層電池21.70%2022.7 洛桑聯(lián)理工院(EPFL)和瑞士子硅/鈣鈦礦疊太陽(yáng)電池 31.30%與微技術(shù)中心(CSEM)2022.8中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體所單結(jié)鈣鈦礦太陽(yáng)能電池25.60%

單結(jié)鈣礦太能電池 10.00%2022.9 美國(guó)國(guó)可再能源驗(yàn)室凱隊(duì)反式鈣礦太能電池 25.37%及其合作團(tuán)隊(duì)托萊多大學(xué)鄢炎發(fā)團(tuán)隊(duì)研究組池2023.3中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所單結(jié)鈣鈦礦太陽(yáng)能電池26.00%2023.3江蘇大學(xué)陳承&研究組池2023.3中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所單結(jié)鈣鈦礦太陽(yáng)能電池26.00%2023.3江蘇大學(xué)陳承&程明氧化鎳鈣鈦礦太陽(yáng)能電池反式器件24.00%

22.28%時(shí)間研發(fā)團(tuán)隊(duì)電池類(lèi)型轉(zhuǎn)換效率2023.3北卡黃勁松團(tuán)隊(duì)錫鉛混合鈣鈦礦太陽(yáng)能電池23.70%2023.4KAUST光伏實(shí)驗(yàn)室鈣鈦礦/硅串聯(lián)太陽(yáng)能電池33.20%2023.5中國(guó)科2院半導(dǎo)體研究所單結(jié)鈣鈦礦太陽(yáng)能電池26.10%2023.5KAUST光伏實(shí)驗(yàn)室鈣鈦礦/硅疊層太陽(yáng)電池33.70%2023.6 南京大學(xué)&仁光電 鈣鈦礦/鈣鈦疊層陽(yáng)能池認(rèn)效率）資料來(lái)源：3060，光伏大數(shù)據(jù)前沿，PV-Tech，鈣鈦礦太陽(yáng)能電池等公眾號(hào)，

29.10%鈣鈦礦可以與HJT、TOPCon等晶硅電池組成疊層電池。硅的帶隙為1.12eV，典型的甲胺鉛碘(????????????????????)鈣鈦礦帶隙為1.55eV，當(dāng)用?????部分取代???調(diào)節(jié)鈣鈦礦吸收層的帶隙至1.7eV時(shí)，預(yù)期可以獲得35%的效率，極限效率可達(dá)60%。目前鈣鈦礦/晶硅疊層電池實(shí)驗(yàn)室效率達(dá)到了29.8%。TOPCon與鈣鈦礦疊層是另一種鈣鈦礦/硅疊層電池路線。目前國(guó)際上基于隧穿氧化硅鈍化解除(TOPCon)底電池的鈣鈦礦/晶體硅疊層太陽(yáng)電池的最高效率是28.2%，該器件采用了與產(chǎn)業(yè)化相兼容的黑硅納米絨面和TOPCon結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)。不同材料的鈣鈦礦也可組成疊層電池。通過(guò)調(diào)整鹵素占比可以獲得不同組分鈣鈦礦材料，對(duì)應(yīng)鈣鈦礦材料的帶隙和能級(jí)分布也各不相同，還可實(shí)現(xiàn)帶隙連續(xù)調(diào)控，這決定了鈣鈦礦可以廣泛應(yīng)用在發(fā)光、光伏、光探等各個(gè)領(lǐng)域。鈣鈦礦/鈣鈦礦疊層電池的效率比鈣鈦礦/晶硅疊層電池稍低，但也有經(jīng)認(rèn)證的產(chǎn)品達(dá)到60%的極限效率。目前鈣鈦礦/鈣鈦礦疊28%。表4：不同類(lèi)型鈣鈦礦電池最新轉(zhuǎn)換效率電池類(lèi)型轉(zhuǎn)換效率研發(fā)團(tuán)隊(duì)時(shí)間正式電池25.70%韓國(guó)蔚山國(guó)家科學(xué)技術(shù)研究所（UNIST）2021.12反式電池25.37%朱凱、托萊多大學(xué)鄢炎發(fā)團(tuán)隊(duì)2022.9鈣鈦礦-晶硅疊層電池32.50%德國(guó)柏林亥姆霍茲研究中心（HZB）2022.12鈣鈦礦-鈣鈦礦疊層電池28%南京大學(xué)譚海仁團(tuán)隊(duì)2021.12鈣鈦礦-CIGS疊層電池24.20%德國(guó)柏林亥姆霍茲研究中心（HZB）2020柔性電池23.35%香港城市大學(xué)朱宗龍團(tuán)隊(duì)&中科大楊上峰團(tuán)隊(duì)2022.11資料來(lái)源：NREL，日本電氣安全環(huán)境研究所，福建省計(jì)量科學(xué)研究院，相比晶硅電池，鈣鈦礦電池除效率優(yōu)勢(shì)外，還更輕薄，能透光，柔性好，短波長(zhǎng)范圍內(nèi)吸光能力強(qiáng)。鈣鈦礦和其它類(lèi)型太陽(yáng)能電池集成以后可以捕捉和轉(zhuǎn)換更寬光譜范圍的太陽(yáng)光。通過(guò)疊層的鈣鈦礦，太陽(yáng)能光譜被分成連續(xù)的若干部分，波長(zhǎng)最短的光被最外邊的寬帶隙材料電池吸收利用，波長(zhǎng)較長(zhǎng)的光能透射進(jìn)去讓較窄能帶隙材料電池吸收利用，最大限度將光能轉(zhuǎn)化為電能，從而提升電池轉(zhuǎn)換效率。圖7：多結(jié)疊層電池可以吸收更多波長(zhǎng)的光資料來(lái)源：魏靜等《鈣鈦礦太陽(yáng)能電池:光伏領(lǐng)域的新希望》，近年來(lái)鈣鈦礦產(chǎn)業(yè)化效率呈現(xiàn)逐步上升趨勢(shì)。2019年協(xié)鑫光電實(shí)現(xiàn)1241.16????2面積15.31%的效率，同年纖納光電300????2尺寸的鈣鈦礦組件實(shí)現(xiàn)14.3%2019100????218%20213500????215.5%2022年極電光能300????2大尺寸組件實(shí)現(xiàn)18.2%的效率，同年協(xié)鑫光電尺寸為1m*2m的組件下線，在工藝和產(chǎn)能穩(wěn)定后，預(yù)計(jì)量產(chǎn)組件效率將超18%。超30%)研發(fā)端針對(duì)鈣鈦礦電池的研發(fā)投入逐年增加，隨著鈣鈦礦可設(shè)計(jì)性晶體配方以及工藝逐步優(yōu)化，產(chǎn)業(yè)化效率將穩(wěn)步提升。根據(jù)CPIA預(yù)測(cè)，玻璃基中試組件最高轉(zhuǎn)換效率(>900????2202319.3%、202520%、203022%。鈣鈦礦原材料易得且制造產(chǎn)業(yè)鏈明顯縮短生產(chǎn)過(guò)程：鈣鈦礦電池生產(chǎn)過(guò)程較晶硅電池更加經(jīng)濟(jì)，產(chǎn)業(yè)鏈明顯縮短，原材料到組件僅需45分鐘。鈣鈦礦電池組件制備可由單一工廠完成，而晶硅電池生產(chǎn)中，硅料、硅片、電池片和組件四個(gè)環(huán)節(jié)須在不同工廠加工完成，鈣鈦礦較之生產(chǎn)過(guò)程更加集中、經(jīng)濟(jì)。45化工原料在單一工廠內(nèi)加工成為組件，產(chǎn)業(yè)鏈顯著縮短，價(jià)值高度集中。根據(jù)纖納光電、1GW晶硅電池在四個(gè)不同工廠內(nèi)分別加工硅料、硅片、電池、組件，此過(guò)程需要至少耗時(shí)3天，晶硅的硅料、硅片、電池、組件全部加起來(lái)，需要大約11.6億元的投資規(guī)模，而鈣鈦礦實(shí)現(xiàn)1GW產(chǎn)能需要的投資金額約為5億元左右，是晶硅的1/2左右，比起投資更高的第二代GaAs薄膜太陽(yáng)能電池，成本更是只有1/10。圖8：鈣鈦礦太陽(yáng)能電池產(chǎn)業(yè)鏈顯著縮短資料來(lái)源：頭豹研究院《2022年中國(guó)鈣鈦礦電池行業(yè)概覽》，1GW5100MWW1W0.71制備成本：鈣鈦礦制備條件溫和，有效降低成本。電池核心材料復(fù)合鈣鈦礦材料可通過(guò),,原料：PSCs原材料純度要求低且十分易得，用量亦低于晶硅類(lèi)。鈣鈦礦太陽(yáng)能電池的原材料均為基礎(chǔ)化工材料，不含稀有元素。晶硅類(lèi)太陽(yáng)能電池對(duì)硅料純度要求需達(dá)99.9999%率在20%以上的太陽(yáng)能電池，95%純度的鈣鈦礦即可滿(mǎn)足生產(chǎn)使用需求，原材料更加易501000PSCs硅料價(jià)格的持續(xù)上漲使得下游電池和組件廠商利潤(rùn)承壓均出現(xiàn)一定程度的下滑。而PSCs液的配制不涉及任何復(fù)雜工藝，對(duì)純度要求不高，后續(xù)組件對(duì)加工環(huán)境要求也不高，組件生產(chǎn)過(guò)程不需要晶硅電池的千度左右的加工溫度，在生產(chǎn)過(guò)程中的能耗比較低，多數(shù)環(huán)節(jié)也不需要真空環(huán)境。目前，鈣鈦礦組件成本結(jié)構(gòu)占比最多的是電極材料，達(dá)圖9：鈣鈦礦太陽(yáng)能電池單位原材料投入顯著低于晶硅類(lèi)資料來(lái)源：索比光伏網(wǎng)，PSCs可低溫溶液制備，單瓦能耗僅為晶硅的1/10。鈣鈦礦太陽(yáng)能電池只需通過(guò)簡(jiǎn)單的旋涂、噴涂、刮涂等溶液工藝實(shí)現(xiàn)成膜，整個(gè)生產(chǎn)過(guò)程溫度不超過(guò)150℃，較晶硅材17001約為1.52KWh，而每瓦鈣鈦礦組件的生產(chǎn)能耗僅為0.12KWh，單瓦能耗僅占晶硅的1/10。圖10：鈣鈦礦太陽(yáng)能電池可低溫溶液制備 圖鈣鈦礦太陽(yáng)能電池組件單瓦能耗僅為晶硅的1/100

1700

最高工藝溫度(℃)

10

1.52

單瓦能耗(KWh)1500.12晶硅 鈣鈦礦1500.12

晶硅 鈣鈦礦心

資料來(lái)源：北極星太陽(yáng)能光伏網(wǎng)，索比光伏網(wǎng)，PSCs組件單W成本約0.5元，僅為晶硅極限成本的50%。在鈣鈦礦單片組件成本結(jié)構(gòu)中，鈣鈦礦占比約5%，玻璃及其他封裝材料占比32%，電極材料占比37%，理論總成本約為0.5-0.6元，僅為晶硅極限成本的50%。圖12：晶硅組件的制造成本結(jié)構(gòu) 圖13：鈣鈦礦組建的制造成本結(jié)構(gòu)鈣鈦礦2.60%3.90%7.10% 2.60%EVA背板5%3%9%人工成本2.60%3.90%7.10% 2.60%EVA背板5%3%9%人工成本固定資產(chǎn)折鋁邊框32%舊9.00%玻璃14%能源動(dòng)力焊帶5.20%8.40%61.20%接線盒電極材料其他37%玻璃及其他封裝材料資料來(lái)源：美能光伏， 資料來(lái)源：智研咨詢(xún)，穩(wěn)定性、大面積制備與環(huán)境污染為目前主要挑戰(zhàn)穩(wěn)定性差是制約鈣鈦礦電池產(chǎn)業(yè)化的重要因素。以傳統(tǒng)的甲胺鉛碘為例，鈣鈦礦電池制備過(guò)程中，????3????3??????3材料在存在如下反應(yīng)：正向反應(yīng)為合成，逆向反應(yīng)為分解反應(yīng)，????3????3??????3潮濕空氣中極不穩(wěn)定,易水解退色,分解后的甲胺易揮發(fā)，而光照條件更會(huì)加快分解進(jìn)程,導(dǎo)致電池效率快速退化。圖14：鈣鈦礦在水氧條件下腐蝕前后紫外吸收測(cè)試顯示其效率快速下降資料來(lái)源：CNKI_高效率鈣鈦礦型太陽(yáng)能電池的化學(xué)穩(wěn)定性及其研究進(jìn)展_郭旭東，T80（80%）400025鈣鈦礦電池多采用氧化鈦?zhàn)鲋旅軐踊蚣{米多孔載體層，這種結(jié)構(gòu)導(dǎo)致其穩(wěn)定性對(duì)紫外光照較為敏感。圖15：紫外光照下??????2和氧氣相互作用機(jī)理示意圖資料來(lái)源：CNKI_高效率鈣鈦礦型太陽(yáng)能電池的化學(xué)穩(wěn)定性及其研究進(jìn)展_郭旭東，由于鈣鈦礦材料的可設(shè)計(jì)性，研發(fā)人員提出了各種應(yīng)對(duì)方案解決穩(wěn)定性問(wèn)題。針對(duì)熱穩(wěn)定性和化學(xué)穩(wěn)定性，發(fā)展了全無(wú)機(jī)鈣鈦礦材料；針對(duì)水和高濕度不穩(wěn)定性，引進(jìn)了長(zhǎng)鏈有機(jī)分子，發(fā)展了二維鈣鈦礦材料等；常用的鋰鹽摻雜的Spiro空穴傳輸層的穩(wěn)定性比鈣鈦礦層還要低，因此提出了采用高穩(wěn)定的無(wú)機(jī)材料替代有機(jī)功能層材料的解決方案；為應(yīng)對(duì)擴(kuò)散和離子遷移，提出了發(fā)展表面阻擋層、封裝、“零維”鈣鈦礦材料等方案。表5：鈣鈦礦太陽(yáng)能電池穩(wěn)定性的進(jìn)展時(shí)間工作環(huán)境連續(xù)工作時(shí)長(zhǎng)(小時(shí))衰減情況備注2016年標(biāo)準(zhǔn)光源12000無(wú)衰減巴掌大小的鈣鈦礦組件2019年70℃1800衰減低于5%沒(méi)有任何晶硅能做到2020年85℃，85%RH2000無(wú)衰減-2020年晶硅IEC612159000無(wú)衰減沒(méi)有任何晶硅能做到資料來(lái)源：能源嚴(yán)究院，目前PSCs大面積模塊的效率仍遠(yuǎn)低于小面積，是制約產(chǎn)業(yè)化的另一難題。小面積電池與大面積模塊之間存在顯著的效率差距的原因主要有：（1）溶液處理法下大面積薄膜的覆蓋率、均勻性、平整度控制難度更高；（2）尺寸增大時(shí)，鈣鈦礦層的缺陷也增加，對(duì)光誘導(dǎo)載流子的提取和傳輸產(chǎn)生負(fù)面影響；（3）透明電極的電阻隨面積增大而近似線性增加，使電池的串聯(lián)電阻增加，性能下降。高質(zhì)量均勻大面積薄膜的制備方法有待突破。溶液旋涂法是實(shí)驗(yàn)室制備PSCs的常用方法，雖然操作簡(jiǎn)單、成膜速度快、重復(fù)性好，但無(wú)法滿(mǎn)足鈣鈦礦太陽(yáng)能電池大規(guī)模工業(yè)化生產(chǎn)所需要的大面積、低成本等制造要求。目前常用制備大面積鈣鈦礦生產(chǎn)工藝主要有刮涂法、狹縫涂布法、噴涂印刷、氣相輔助沉積技術(shù)法等。目前大面積鈣鈦礦太陽(yáng)能電池的光電轉(zhuǎn)換效率與旋涂法相比仍存在差距。圖16：各種涂層技術(shù)制備的PSCs在隨面積增大效率均有所降低資料來(lái)源：ADVANCEDSCIENCENEWS，北深研究，含鉛鈣鈦礦存在環(huán)境污染風(fēng)險(xiǎn)，也是產(chǎn)業(yè)化待解決的問(wèn)題。在典型的有機(jī)金屬鹵化物鈣鈦礦電池中含有鉛元素，而鉛元素一旦泄露會(huì)產(chǎn)生嚴(yán)重的環(huán)境污染問(wèn)題，因此鉛元素在國(guó)際許多國(guó)家和地區(qū)都被列為禁止使用的材料，與此同時(shí)，含鉛鈣鈦礦電池的回收也是重要的研究課題。研究者們?cè)谂ο驘o(wú)鉛化鈣鈦礦探索，但相應(yīng)會(huì)帶來(lái)電池轉(zhuǎn)換效率的降低。但較晶硅行業(yè)用鉛量來(lái)說(shuō)，鈣鈦礦太陽(yáng)能電池用鉛量實(shí)際更低。雖然硅片不含鉛，但晶1821/10RoHS0.1%0.01%圖17：晶硅太陽(yáng)能電池的焊帶中鉛含量較高，光伏焊帶示意圖資料來(lái)源：索比光伏網(wǎng)，協(xié)鑫光電調(diào)研，三、量產(chǎn)化步驟基本確定，技術(shù)路線多重多樣量產(chǎn)化鈣鈦礦制備步驟基本確定隨著鈣鈦礦逐步進(jìn)入量產(chǎn)化，盡管鈣鈦礦電池還處于產(chǎn)業(yè)化比較早期階段，諸多技術(shù)工藝細(xì)節(jié)尚未定型，但目前單結(jié)鈣鈦礦制備流程基本確定，其中激光切割步驟和結(jié)晶步驟為核心步驟，激光切割設(shè)備方面目前主流廠商均可以覆蓋，而結(jié)晶環(huán)節(jié)來(lái)看，由于其原理是各家企業(yè)的核心競(jìng)爭(zhēng)力所在，基本采用定制零部件，廠商自行組裝的步驟，例如如何結(jié)晶甲醚使其保持穩(wěn)定，甲胺的摻雜比例等。圖18：鈣鈦礦電池組件生產(chǎn)流資料來(lái)源：協(xié)鑫光電調(diào)研，鈣鈦礦薄膜制備方法多樣，狹縫涂布為目前主流各個(gè)膜層的制作對(duì)于鈣鈦礦效率起到?jīng)Q定性作用。在鈣鈦礦電池中，不管是傳輸層還是鈣鈦礦層都是薄膜制備，因此工藝選擇對(duì)其形成膜層的性質(zhì)起到關(guān)鍵作用，例如良好的鈣鈦礦層顯示出結(jié)晶顆粒大，層間晶界較少的狀態(tài)。干法與濕法工藝多種多樣，各有優(yōu)劣勢(shì)。由于目前理論上鈣鈦礦各層材料均有多重選擇，因此其基本都可以使用干法或是濕法工藝進(jìn)行制作，而在近年逐步商業(yè)化的過(guò)程中，不僅成型后材料的穩(wěn)定性與均勻性需要納入考慮，經(jīng)濟(jì)性也成為重要的考量因素。從目前產(chǎn)業(yè)的實(shí)踐來(lái)看，干法可以獲得質(zhì)量更優(yōu)的鈣鈦礦層，而濕法工藝經(jīng)濟(jì)性更強(qiáng)。表6：鈣鈦礦層主流制備方法對(duì)比（按原理分類(lèi)）制備過(guò)程 優(yōu)勢(shì) 劣勢(shì)制備過(guò)程 優(yōu)勢(shì) 劣勢(shì)一步溶液沉積法

PbX2（XI、、Br）CH3NH3X（XI、之間按一定的比例混合溶解在高沸點(diǎn)的非極性溶劑中組成前驅(qū)體的混合溶液，常用的溶劑為Ｎ,N-二甲基甲酰胺（（S（B

簡(jiǎn)單便捷，可以低溫處理，有利于產(chǎn)業(yè)化的發(fā)展。

鈣鈦礦形貌對(duì)反溶劑滴加時(shí)機(jī)和吹氣條件敏感，制備的鈣鈦礦薄膜形貌變化較大，性能難以控制，重復(fù)性差，晶粒尺寸小，覆蓋率低。PbI2TiO2

成膜質(zhì)量控制相對(duì)更難，容易受工作兩步溶液沉積法

PbI2PbI2CH3NH3I溶液

復(fù)性好，器件的遲滯效應(yīng)較?。辉黾逾}鈦礦薄膜的結(jié)晶度，生成致密的高質(zhì)量晶體。

環(huán)境影響，同時(shí)對(duì)基底要求較高，只能在平整的玻璃上制備，不能在硅片的絨面上制備氣相輔助溶液法

TiO21PbI2CH3NH3I150PbI2反量高。應(yīng)，之后對(duì)基片退火處理形成完整鈣鈦礦薄膜。

靠近基片的部分PbI2不能完全反應(yīng)，增加的串聯(lián)電阻影響器件的性能。雙源蒸法 分別把CH3NH3I與PbI2放入不蒸發(fā)源，控兩種材此法制的薄平整勻，面無(wú)

在高級(jí)別的低真空狀態(tài)下成膜，制作TiO2

針孔，晶體致密均勻，尺寸接近毫

方法較復(fù)雜，對(duì)設(shè)備的精密程度要求制備過(guò)程優(yōu)勢(shì)劣勢(shì)資料來(lái)源：西部證券研發(fā)中心礦薄膜，然后在氮?dú)夥諊M(jìn)行熱處理，完全轉(zhuǎn)化為鈣鈦礦晶體。資料來(lái)源：西部證券研發(fā)中心米級(jí)。較高。資料來(lái)源：利博科技libra，亞太光伏，西部證券研發(fā)中心圖19：鈣鈦礦薄膜制備工藝資料來(lái)源：CNKI_一步溶液法制備有機(jī)金屬鹵化物鈣鈦礦薄膜的研究進(jìn)展_張林星，表7：鈣鈦礦大面積制備方法對(duì)比（按設(shè)備分類(lèi)）制備方法優(yōu)點(diǎn)缺點(diǎn)刮刀涂布法易于大面積制備，無(wú)需復(fù)雜設(shè)備溶液利用率低，敞開(kāi)環(huán)境相愛(ài)溶液均一性差狹縫涂布法易于大面積制備，成產(chǎn)效率較高對(duì)設(shè)備精確度要求較高絲網(wǎng)印刷法易于大面積制備。涂覆過(guò)程簡(jiǎn)單溶液利用率低，對(duì)絲網(wǎng)精度要求較高噴涂法易于大面積制備，噴涂過(guò)程簡(jiǎn)單溶液利用率低，可重復(fù)性較差軟膜法可大面積制備，無(wú)需溶液材料利用率低，生產(chǎn)效率低氣相沉積法薄膜質(zhì)量較高，可精準(zhǔn)調(diào)控生產(chǎn)效率低，成本高資料來(lái)源：《鈣鈦礦太陽(yáng)能電池穩(wěn)定性研究進(jìn)展及模組產(chǎn)業(yè)化趨勢(shì)》，濕法工藝中多采用兩步溶液沉積法，狹縫涂布為主流。其中濕法工藝（溶液法）主要包括一步溶液沉積法和兩步溶液沉積法，干法工藝則包括氣相輔助溶液法，雙源蒸鍍法等。濕法工藝中的兩步溶液沉積法相對(duì)經(jīng)濟(jì)性更高，而干法工藝質(zhì)量相對(duì)更好，但設(shè)備價(jià)格較為昂貴，同時(shí)材料利用率低。而從設(shè)備工藝分類(lèi)角度來(lái)看，目前主要采用狹縫涂布方法，其基本原理為涂布膠液由存儲(chǔ)器通過(guò)供給管路壓送到噴嘴處，并使膠液由噴嘴處噴出，從而轉(zhuǎn)移到涂布的基材上。其優(yōu)勢(shì)在于1）可以通過(guò)控制系統(tǒng)進(jìn)行狹縫寬度、移動(dòng)速度和輸液速度的調(diào)整，達(dá)到更精細(xì)化控制的目的。2）溶液密封在儲(chǔ)液罐中，溶液利用率高。3）減少操作人員的影響。圖20：狹縫涂布技術(shù)原理資料來(lái)源：德滬涂膜公眾號(hào)，蒸鍍膜層可控性較高，2T疊層需要蒸鍍配合。物理氣相沉積法主要分為真空蒸發(fā)鍍膜、真空濺射鍍膜、真空離子鍍膜。在鈣鈦礦層制備中，主流使用方法為蒸發(fā)鍍膜，簡(jiǎn)稱(chēng)蒸鍍法。從價(jià)格來(lái)看，假設(shè)考慮相同產(chǎn)能，由于涂布設(shè)備采用濕法鍍膜速度更快，因此會(huì)蒸鍍法可以比較精確的控制膜厚，膜層致密性、均勻性也較好，適合大面積制作鈣鈦礦層。2）干法對(duì)基底兼容性高，可以做絨面，這一點(diǎn)適合直接在晶硅表面制作的2T結(jié)構(gòu)鈣鈦礦電子傳輸層適合RPD，空穴傳輸層適合PVD根據(jù)膜層使用的材料，制備透明導(dǎo)電薄膜、空穴傳輸層、電子傳輸層、電極可使用PVD&RPD鍍膜設(shè)備。部分企業(yè)鈣鈦礦電池包含陽(yáng)極緩沖層、陰極緩沖層設(shè)計(jì)亦可使用鍍膜設(shè)備。PVD&RPD設(shè)備技術(shù)相對(duì)成熟，在HJT已有應(yīng)用。PVD設(shè)備：采用直流磁控濺射的方式，氬氣離子在電場(chǎng)與磁場(chǎng)引導(dǎo)下達(dá)到靶材上，將靶材原子分子濺射到襯底以制備透明氧化物導(dǎo)電薄膜，可以采用自上朝下或自下朝上的沉積結(jié)構(gòu)。設(shè)備價(jià)格便宜，鍍膜膜厚均勻易控制，工藝穩(wěn)定可控，重復(fù)性較好，靶材壽命較長(zhǎng)，適合連續(xù)生產(chǎn)，但離子轟擊可能對(duì)其他膜層造成損傷。RPD設(shè)備：使用等離子體經(jīng)磁場(chǎng)偏轉(zhuǎn)后轟擊到靶材上，等離子束將靶材原子分子轟擊出來(lái)，升華后沉積到樣品上形成透明導(dǎo)電薄膜。RPD工藝具有低離子體轟擊損傷、低沉積溫度、高解離率、具有大面積沉積和高鍍膜速率。目前RPD設(shè)備售價(jià)相對(duì)較高。圖21：PVD三種路線原理圖資料來(lái)源：鈣鈦光電公眾號(hào)，主流企業(yè)目前嘗試的是用原料靶材真空鍍膜的方式制備，包括協(xié)鑫光電、極電光能、眾能光電等企業(yè)均選用這一工藝路線。RPD直接上方膜層的沉積制備(即平面反式結(jié)構(gòu)中的電子傳輸層，或平面正式結(jié)構(gòu)中的空穴傳輸層)，以降低傳輸層制備對(duì)已沉積完成的鈣鈦礦膜層的損傷。但目前也存在另外的解決ALDALD的晶格缺陷和成分均勻性問(wèn)題，實(shí)現(xiàn)原子級(jí)的精確度和無(wú)孔隙薄膜，同樣存在產(chǎn)業(yè)化潛力。圖22：ALD原理示意圖資料來(lái)源：鈣鈦光電公眾號(hào)，電極層主要使用TCO玻璃，F(xiàn)TO經(jīng)濟(jì)性更強(qiáng)TCO玻璃目前主要采用PVD制備，F(xiàn)TO經(jīng)濟(jì)性更強(qiáng)。鈣鈦礦的透明導(dǎo)電基底作為其他材料的載體，光線由此射入，將收集到的光電子傳送至外電路。目前一般采用氧化銦錫導(dǎo)電玻璃（ITO），而未來(lái)有可能替換方案為氟摻雜的氧化錫導(dǎo)電玻璃（FTO）或是摻雜鋁的氧化鋅（AZ。從經(jīng)濟(jì)性與導(dǎo)電性對(duì)比來(lái)看，盡管FO的導(dǎo)電性相對(duì)較差，但FTOAZOFTO更強(qiáng)，但目前其大規(guī)模鍍膜制備仍存在問(wèn)題。目前玻璃主要采用PVD底電極目前產(chǎn)業(yè)化完備，基本可直接購(gòu)買(mǎi)使用，但相對(duì)光伏玻璃成本較高。由于HJT電池等已有技術(shù)需求TCO玻璃，目前底電極材料中的TCO玻璃已經(jīng)具有完備的產(chǎn)業(yè)化基礎(chǔ)，鈣鈦礦企業(yè)基本可以直接購(gòu)買(mǎi)使用，但相對(duì)晶硅電池使用的普通光伏玻璃而言其價(jià)格昂貴，以目前的26元/平方米的價(jià)格而言，TCO玻璃的價(jià)格在50元/平方米以上。后續(xù)仍需繼續(xù)降本，例如HJT中的三疊層降銦方案等。頂電極基本采用TCO材料，目前產(chǎn)業(yè)化主要使用PVD或是蒸鍍。實(shí)驗(yàn)室中為了追求效率常會(huì)使用金或是銀等方案進(jìn)行頂電極的制備，不具備大規(guī)模量產(chǎn)化的基礎(chǔ)，因此目前產(chǎn)業(yè)中多采用PVD或是蒸鍍的方法將TCO制作成頂電極。鈣鈦礦電池需四次激光刻蝕，起分片效果激光工藝涉及到整個(gè)鈣鈦礦薄膜電池的制備流程，起分片效果。加工精度高、適用薄膜材料的激光是實(shí)現(xiàn)電路連接的關(guān)鍵，是整個(gè)鈣鈦礦電池制備的必備環(huán)節(jié)。鈣鈦礦電池需3P1P410~20。在P1-P3從而可以形成阻斷電流導(dǎo)通的單獨(dú)模塊，起分片效果，以實(shí)現(xiàn)增大電壓和串聯(lián)電池的目標(biāo)。高質(zhì)量薄膜的加工是鈣鈦礦電池的重要特性，激光工藝關(guān)系到薄膜的損傷缺陷以及被切面的平整光滑程度，這類(lèi)因素會(huì)共同影響電池的效率和壽命。因此，精密激光設(shè)備P1激光刻蝕：在透明導(dǎo)電電極TCO沉積后，和電荷傳輸層沉積前，進(jìn)行激光刻蝕，以形成彼此獨(dú)立的條形導(dǎo)電電極；P2激光刻蝕：在第二電荷傳輸層沉積后，底電極沉積之前，進(jìn)行激光刻蝕，去除HTL//ETLTCOP3激光刻蝕：去除相鄰電池的底電極L（空穴層）/鈣鈦礦層TL（電子層，留下TCO層，從而實(shí)現(xiàn)分離效果；P4清邊：去除薄膜的邊緣區(qū)域，利用激光劃線劃分出區(qū)域后進(jìn)行清除。圖23：鈣鈦礦電池中的激光刻蝕資料來(lái)源：光遠(yuǎn)股份公眾號(hào)，封裝對(duì)穩(wěn)定性至關(guān)重要，通常采用POE材料為了避免外部環(huán)境因素和分解泄漏等導(dǎo)致鈣鈦礦結(jié)構(gòu)或其它功能層被破壞，封裝是一種最有效的解決方法。常見(jiàn)的封裝方式大致可分為兩類(lèi)：一種是完全覆蓋封裝，通常在模塊頂部制備封裝層；另一種是邊緣封裝，在模塊周?chē)胖妹芊鈩?。?duì)于完全覆蓋封裝，既可以使用聚合物作為封裝材料，也可以采用原子沉積法制備隔絕水氧的薄膜，其優(yōu)勢(shì)在于保護(hù)效果更好，但是對(duì)鈣鈦礦層以及其它功能層影響較大，并且由于其直接接觸鈣鈦礦功能層，所以對(duì)其透光率有較高要求。邊緣封裝優(yōu)勢(shì)在于可以減少對(duì)接觸層的影響，降低封裝材料與鈣鈦礦發(fā)生副反應(yīng)的可能性，同時(shí)對(duì)材料透光率的要求較低，但封裝效果會(huì)相應(yīng)降低。為了進(jìn)一步增加阻水效果，可以在邊緣封裝過(guò)程中加入干燥劑。封裝設(shè)圖24：鈣鈦礦電池的兩種封裝方式資料來(lái)源：鈣鈦礦光伏電池封裝材料于工藝研究進(jìn)展，鈣鈦礦太陽(yáng)能電池封裝材料和工藝需要滿(mǎn)足以下要求：（1）化學(xué)惰性，在封裝過(guò)程中可以和鈣鈦礦器件直接接觸，且不會(huì)對(duì)鈣鈦礦材料、傳輸層材料或者器件結(jié)構(gòu)造成破壞；（2）（）低耐熱性，封裝過(guò)程需要在低溫下（通常小于150℃）（4）成本低、易于加工、POE而非POE一是膠膜的水汽透過(guò)率較高，晶硅可以接受的水汽透過(guò)率鈣鈦礦不能接受；二是疊層電池最具有產(chǎn)業(yè)化潛力，二端四端各有千秋疊層電池通過(guò)將寬帶隙電池與窄帶隙電池串聯(lián)，能更加合理地利用全光譜范圍內(nèi)的光子，減少能量損失，是突破單結(jié)電池效率極限的重要方法。硅電池帶隙為1.1eV，非常適合作疊層電池底電池，鈣鈦礦具有諸多優(yōu)點(diǎn)，是制造頂電池的最佳候選材料。兩端鈣鈦礦/晶硅疊層電池有鈣鈦礦/HJT疊層和鈣鈦礦/TOPCon疊層電池兩類(lèi)。目前鈣鈦礦/晶硅疊層電池實(shí)驗(yàn)室效率達(dá)29.8%，是目前疊層電池的主流。疊層電池結(jié)構(gòu)分為：兩端鈣鈦礦/晶硅疊層電池；三端鈣鈦礦/晶硅疊層電池；四端鈣鈦礦/晶硅疊層電池。2015MITMailoa13.7%PCEPERC、TOPCon和HJT其中由于HJT表層結(jié)構(gòu)為T(mén)CO三端疊層電池：受限于低帶隙電池過(guò)小的四端疊層電池：其可分立的設(shè)計(jì)上下兩個(gè)組件，通過(guò)機(jī)械疊層組合在一起。該工藝對(duì)于底電池沒(méi)有要求，與各個(gè)技術(shù)路線均可結(jié)合。四端工藝相對(duì)兩端工藝更加簡(jiǎn)單，并且避免了電流匹配對(duì)性能的限制，因此更有可能實(shí)現(xiàn)高PCEPCE46%45.7%PCE。圖25：鈣鈦礦/硅疊層電池各種結(jié)構(gòu)圖資料來(lái)源：CNKI_高性能鈣鈦礦太陽(yáng)能電池及鈣鈦礦/硅四端疊層電池研究_龐商政,圖26：集成一體化鈣鈦礦晶硅疊層電池示意圖 圖27：機(jī)械堆疊鈣鈦礦晶硅疊層電池示意圖 資料來(lái)源：CNKI_鈣鈦礦/晶硅疊層太陽(yáng)能電池的制備及其性能研究_李春靜，

資料來(lái)源：CNKI_鈣鈦礦/晶硅疊層太陽(yáng)能電池的制備及其性能研究_李春靜，西部證券研發(fā)中心鈣鈦礦的帶隙可調(diào)節(jié)賦予其制作疊層電池的特性，疊層后效率提升較大。鈣鈦礦疊層結(jié)構(gòu)可以增加光伏電池的光譜響應(yīng)范圍，提升光電轉(zhuǎn)換效率，理論效率可達(dá)43%，量產(chǎn)效率可達(dá)35%。目前產(chǎn)業(yè)化方向主要集中于硅基鈣鈦礦疊層和全鈣鈦礦疊層。1.7-1.9eV的寬帶隙頂電池、互聯(lián)層和1.1-1.3eV的窄帶隙底電池堆疊而成，理論效率可以達(dá)到39%，開(kāi)發(fā)高性能隧穿結(jié)和高效率窄帶隙子電池是核心。全鈣鈦礦疊層電池?zé)o需晶硅材料，隨著量產(chǎn)技術(shù)成熟可以實(shí)現(xiàn)有效降本。但窄帶隙底電池化學(xué)穩(wěn)定性較差，在保持高短路電流密度時(shí)無(wú)法同時(shí)實(shí)現(xiàn)高開(kāi)路電壓和高填充因子，限制了全鈣鈦礦疊層電池效率。圖28：全鈣鈦礦疊層的中間連接層結(jié)構(gòu) 圖29：正反向硅基異質(zhì)結(jié)鈣鈦礦疊層電池結(jié)構(gòu) 資料來(lái)源：《鈣鈦礦太陽(yáng)能電池的功能層優(yōu)化研究》， 資料來(lái)源：《高效晶硅異質(zhì)結(jié)電池及其與鈣鈦礦疊層電池研究》，目前看，鈣鈦礦與晶硅疊層是鈣鈦礦實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)化路徑的最優(yōu)解，目前技術(shù)條件下二端和四端疊層各有優(yōu)劣。對(duì)于單結(jié)電池，其量產(chǎn)轉(zhuǎn)換效率上限有限，目前認(rèn)為其效率上限約處于21%左右，再向上提升與晶硅電池一樣需要增加修飾層結(jié)構(gòu)，但增加修飾層后制備難度與良率水平等問(wèn)題又會(huì)再次出現(xiàn)，因此與目前效率普遍超過(guò)25%的N型晶硅電池比較不具備性?xún)r(jià)比，但對(duì)于疊層晶硅鈣鈦礦疊層電池而言，其轉(zhuǎn)換效率將會(huì)輕松突破目前的組件效率，達(dá)到26%以上，盡管其成本有所增加，但在考慮其對(duì)于BOS成本的攤薄之后仍具有很強(qiáng)的性?xún)r(jià)比。雙結(jié)鈣鈦礦疊層電池按照連接方式不同分為兩端和四端疊層。四端疊層電池由機(jī)械堆疊并聯(lián)而成，兩塊子電池僅在光學(xué)上有聯(lián)系，電路相互獨(dú)立。兩端疊層由在硅電池上直接沉積鈣鈦礦電池制成，通過(guò)復(fù)合層或隧道結(jié)將兩個(gè)子電池串聯(lián)，需兼具電流匹配和光學(xué)設(shè)計(jì)。圖30：疊層鈣鈦礦電池的結(jié)構(gòu)類(lèi)型資料來(lái)源：《全鈣鈦礦疊層太陽(yáng)能電池的制備和優(yōu)化》，四、鈣鈦礦電池產(chǎn)業(yè)化進(jìn)展已經(jīng)開(kāi)始，25年有望實(shí)現(xiàn)GW級(jí)量產(chǎn)學(xué)術(shù)界與產(chǎn)業(yè)界均有較大進(jìn)展，鈣鈦礦產(chǎn)業(yè)化已經(jīng)拉開(kāi)序幕學(xué)術(shù)方面，鈣鈦礦太陽(yáng)能電池專(zhuān)利申請(qǐng)量高速增長(zhǎng)，68%來(lái)自中國(guó)。截至2019年12月，中國(guó)的鈣鈦礦太陽(yáng)能電池專(zhuān)利申請(qǐng)總量高達(dá)2282個(gè)，屬于第一集團(tuán)，遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于專(zhuān)利申請(qǐng)總量在200-300件之間的日本、韓國(guó)和美國(guó)。圖31：2009-2020年P(guān)SCs專(zhuān)利申請(qǐng)量提升迅速 圖32：鈣鈦礦太陽(yáng)能電池的大部分專(zhuān)利申請(qǐng)都來(lái)自中國(guó)12001000800600

2500200015000

2009 2011 2013 2015 2017 2019

中國(guó) 韓國(guó) 歐洲 英國(guó) 加拿大 巴西資料來(lái)源：高技術(shù)通訊， 資料來(lái)源：高技術(shù)通訊，產(chǎn)業(yè)化已經(jīng)拉開(kāi)序幕，當(dāng)前處于設(shè)備工藝驗(yàn)證階段。鈣鈦礦太陽(yáng)能電池的組件生產(chǎn)流程：沉積透明導(dǎo)電層（TO、沉積電子傳輸層（EL、沉積鈣鈦礦層、沉積空穴傳輸層（TL圖33：鈣鈦礦太陽(yáng)能電池制備過(guò)程較晶硅類(lèi)大幅簡(jiǎn)化資料來(lái)源：捷佳偉創(chuàng)、邁為股份、京山輕機(jī)、帝爾激光等公司財(cái)務(wù)報(bào)告、德滬涂布公眾號(hào)，PSCs生產(chǎn)過(guò)程與晶硅唯一相同的環(huán)節(jié)是封裝。鈣鈦礦組件的生產(chǎn)過(guò)程中，除了鈣鈦礦PVDHJTPSCs圖34：鈣鈦礦太陽(yáng)能電池生產(chǎn)的主要設(shè)備為鈣鈦礦印刷設(shè)備及真空鍍膜設(shè)備資料來(lái)源：利博科技libra，亞太光伏，鈣鈦礦企業(yè)處在0-1過(guò)程，目前百家爭(zhēng)鳴產(chǎn)業(yè)方面，鈣鈦礦設(shè)備訂單先行，廠商交付順利。PSCs主要設(shè)備廠商邁為股份、晟成光伏、捷佳偉創(chuàng)、杰普特、德滬涂膜均已收獲設(shè)備訂單，部分廠商已經(jīng)順利交付量產(chǎn)。生產(chǎn)領(lǐng)域重要玩家融資過(guò)億元，中試線逐步建設(shè)。根據(jù)CPIA，截止2023年2月底，國(guó)內(nèi)已有協(xié)鑫光電、纖納光電和極電光能等3條百兆瓦以上產(chǎn)能鈣鈦礦產(chǎn)線投產(chǎn)。其中，100MW150MW時(shí)間 企業(yè)進(jìn)展表8：部分鈣鈦礦企業(yè)進(jìn)展時(shí)間 企業(yè)進(jìn)展2022年2月 占地約250畝，裝機(jī)量12兆，纖納能源劃總資6000元左右全球個(gè)鈣礦光地電站開(kāi)建設(shè)。2022年4月 極電光與大市人政府智科技在北大舉行大冶能項(xiàng)目簽暨長(zhǎng)新能揭牌式。大冶能源目裝規(guī)模達(dá)2.8GW，總資金約120元。極光能為該目提更色、更效、低成的鈣礦伏組件品。2022年5月 仁爍光預(yù)計(jì)半年動(dòng)150MW鈣鈦礦伏組量產(chǎn)建設(shè)目尺寸1.2*0.6m，效率達(dá)20%以。2022年7月 全球鈣礦光產(chǎn)業(yè)領(lǐng)軍業(yè)納光電浙江州正宣布球批鈣鈦商用件α發(fā)貨數(shù)共5000片，用省內(nèi)商業(yè)分布鈣鈦電站。2022年8月 長(zhǎng)城集與江錫山濟(jì)技開(kāi)區(qū)簽約略合，宣極電能球總部鈣鈦創(chuàng)業(yè)業(yè)基項(xiàng)計(jì)劃建全球條級(jí)鈣鈦礦伏組及BIPV產(chǎn)品生線，預(yù)年產(chǎn)達(dá)25億元。2023年2月 仁爍光全球條全鈦礦層伏組件發(fā)線式投，組尺為30*40cm2，10MW研發(fā)試已全線通。司150MW鈣鈦礦太陽(yáng)能電池量產(chǎn)線正在建設(shè)，預(yù)計(jì)2023年第四季度投產(chǎn)，若調(diào)試結(jié)果符合預(yù)期，仁爍光能將進(jìn)行GW級(jí)的產(chǎn)能規(guī)劃。2023年2月 無(wú)限光自主發(fā)的100.53mm2鈣鈦礦陽(yáng)能池最光電換率達(dá)到24.67%。2023年7月 大正微全球個(gè)百瓦柔鈣礦組件產(chǎn)基正式地廈海。資料來(lái)源：各公司官網(wǎng)，單結(jié)鈣鈦礦電池參與者眾多，2021年以來(lái)產(chǎn)業(yè)化進(jìn)展加速。2021已有小規(guī)模中試線建成，協(xié)鑫納米最先于2017年建成10MW中試線，批量生產(chǎn)45cm*65cm201820212021年，協(xié)鑫光電建成100MW①萬(wàn)度光能投建200MW級(jí)可印刷介觀鈣鈦礦太陽(yáng)能電池大試線；②華能清能院大面積模組中試實(shí)驗(yàn)線投產(chǎn)，3月首片下線；③大正微納建成10MW柔性鈣鈦礦中試線；④年中協(xié)鑫光電建成首條100MW級(jí)1m*2m量產(chǎn)線；⑤10pre-A150MW202292025表9：鈣鈦礦電池組件100MW生產(chǎn)線設(shè)備設(shè)備 應(yīng)用環(huán)節(jié) 生產(chǎn)廠商設(shè)備 應(yīng)用環(huán)節(jié) 生產(chǎn)廠商PVD（物理相沉）設(shè)備 陽(yáng)極緩層，極緩層，極

捷佳偉創(chuàng)、邁為股份、京山輕機(jī)、鈞石能源、理想萬(wàn)里暉等涂布設(shè)備 鈣鈦礦布 上海德、捷偉創(chuàng)眾能電等激光設(shè)備 激光P1激光P2激光P3激P4

帝爾激光、大族激光、德龍激光、海目星、杰普特、邁為股份等封裝設(shè)備 組件封裝 奧特維金辰份、斯邁百年代等資料來(lái)源：協(xié)鑫光電調(diào)研，各公司官網(wǎng)，2022年，纖納光電建成100MW100MW6月無(wú)限光能宣布完成數(shù)千萬(wàn)元天使輪融資，預(yù)計(jì)三季度完成試驗(yàn)線建設(shè)；③金昌鑫磊鑫半1GW時(shí)間 公司名稱(chēng) 相關(guān)進(jìn)展表10：?jiǎn)谓Y(jié)鈣鈦礦太陽(yáng)能電池產(chǎn)業(yè)化進(jìn)展時(shí)間 公司名稱(chēng) 相關(guān)進(jìn)展2023年1月28日 協(xié)鑫光電 新型鈣礦件BIPV光伏玻過(guò)3C認(rèn)證2023年1月6日 纖納光電 α組件過(guò)全首個(gè)IEC61215和IEC61730穩(wěn)定性全系認(rèn)證2022年12月8日 極電光能 全球已產(chǎn)且能最的150MW鈣鈦礦伏生線正投產(chǎn)運(yùn)行，同時(shí)具備BIPV產(chǎn)品和標(biāo)準(zhǔn)組件的生產(chǎn)能力2022年10月日 極電光能 756cm2大尺寸鈣礦光組件效率到18.2%2022年6月7日 協(xié)鑫光電 1m×2m鈣鈦組件利通冰測(cè)試，面積件在劣氣象下的耐受能力得到有效驗(yàn)證2021年10月27日 協(xié)鑫光電 建成全首條100MW大面鈣礦光伏件中線2021年8月6日 大正微納 首套柔鈣鈦膜切備投使，即將入柔鈣鈦薄膜太陽(yáng)能電池小規(guī)模量產(chǎn)資料來(lái)源：艾邦智造、艾邦光伏網(wǎng)、國(guó)際太陽(yáng)能光伏網(wǎng)等、目前，鈣鈦礦/晶硅疊層電池處于研發(fā)中試階段，參與公司較少。杭蕭鋼構(gòu)正在籌劃100MW20229~102023年2月前完成產(chǎn)線的全部鋪設(shè)，預(yù)計(jì)于2023年5月前實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)轉(zhuǎn)換效率達(dá)到28%，在2023年的上半年逐漸實(shí)現(xiàn)達(dá)產(chǎn)，產(chǎn)線兼容166和182尺寸硅片，度電成本3毛，成本下降空間大。鈣鈦礦制備設(shè)備有望受益鈣鈦礦/HJT疊層電池所需設(shè)備主要有RPD，PVD，ALD等。表11：鈣鈦礦/HJT疊層電池所需設(shè)備工藝 材料 設(shè)備工藝 材料 設(shè)備TCO

ICO,IWO,ITO RPDITO,IZO PVD緩沖層15~20nm RPD/ALD電子傳層 LiForMgF/C60,PCBM EvaporationSlot-Die鈣鈦礦~500nm

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EvaporationSlot-Diecoating電洞傳輸層15~20nm穿隧層15~20nm資料來(lái)源：捷佳偉創(chuàng)，

NiO,CuO PVDSpiro-TTB CoatingICO,ITO RPD/PVDpnc-SiOx/nnc-SiOx CVD產(chǎn)線設(shè)備類(lèi)型主要為鍍膜設(shè)備、涂布設(shè)備、激光設(shè)備、封裝設(shè)備，其中鍍膜設(shè)備價(jià)值量過(guò)半，激光設(shè)備確定性需求強(qiáng)，封裝設(shè)備與晶硅電池相比差別不大。（一）鍍膜設(shè)備主要涉及PVD及RPD設(shè)備，其中RPD設(shè)備比傳統(tǒng)的PVD設(shè)備優(yōu)勢(shì)在于可以減少對(duì)鈣鈦礦電池的轟擊損害，有利于提高轉(zhuǎn)換效率和良率。相應(yīng)的設(shè)備企業(yè)有捷佳偉創(chuàng)、邁為股份、20227RPDRPD20215月京（二）100MW/三激光設(shè)備的公司包括大族激光、邁為股份、德龍激光、杰普特、帝爾激光、眾能光電等。圖35：鈣鈦礦電池生產(chǎn)用PVD設(shè)備 圖36：鈣鈦礦電池生產(chǎn)用涂布設(shè)備 資料來(lái)源：協(xié)鑫光電調(diào)研， 資料來(lái)源：協(xié)鑫光電調(diào)研，五、相關(guān)標(biāo)的及投資建議協(xié)鑫科技20191m2m100公司的技術(shù)團(tuán)隊(duì)，以瑞士EPFL博士范斌為帶頭人，是國(guó)內(nèi)最早從事鈣鈦礦組件生產(chǎn)線開(kāi)發(fā)的團(tuán)隊(duì)之一。目前團(tuán)隊(duì)擁有一百五十余名員工，其中研發(fā)人員八十余名，一半以上擁有博士碩士學(xué)歷，部分為海外歸國(guó)人才，具有較強(qiáng)的研發(fā)能力。研發(fā)團(tuán)隊(duì)擁有鈣鈦礦太陽(yáng)能電池的核心技術(shù)，目前有61項(xiàng)專(zhuān)利獲得授權(quán)，其中發(fā)明專(zhuān)利17項(xiàng)，實(shí)用新型專(zhuān)444512設(shè)計(jì)、關(guān)鍵工藝等重要方面。同時(shí)團(tuán)隊(duì)在ChemSusChem、ACSAppl..&Interfaces、J.ChemA等SCI公司作為目前最大尺寸鈣鈦礦電池記錄的保持者，投建的全球首條100MW202121×2m16%20171045cm65c