后清洗工藝目的原理

太陽(yáng)電池發(fā)電原理、結(jié)構(gòu)與分類(lèi)后清洗工藝原理后清洗工藝目的后清洗工藝定義課程引入課程引入（溫故知新）擴(kuò)散工藝的目的是（）清洗硅片制作p-n結(jié)均勻在硅片襯底中分布摻雜原子做金屬電極ABCD提交單選題1分請(qǐng)問(wèn)在擴(kuò)散虛擬仿真實(shí)訓(xùn)中小氮流量你最終調(diào)試成功的值是多少？作答正常使用主觀題需2.0以上版本雨課堂主觀題1分用四探針對(duì)完成擴(kuò)散的硅片進(jìn)行（）測(cè)試？電阻電導(dǎo)率方塊電阻反射率ABCD提交單選題1分四探針測(cè)試硅片方塊電阻時(shí)，一般采用（）點(diǎn)測(cè)試法。1345ABCD提交單選題1分前清洗工藝仿真實(shí)訓(xùn)采用的設(shè)備有幾個(gè)槽位？5679ABCD提交單選題1分前清洗的目的有哪幾項(xiàng)（多選，少選不給分）制做絨面，提高光的吸收率做p-n結(jié)去除表面的機(jī)械損傷去除硅片的雜質(zhì)和沾污ABCD提交多選題1分后清洗工藝定義速讀教材（3分鐘）P69-71問(wèn)題：1.后清洗（刻蝕）生產(chǎn)的目的是什么？2.PSG是什么？后清洗工藝是晶體硅太陽(yáng)電池制造的第三道工序，目前企業(yè)主要采用濕法刻蝕工藝，因此又稱(chēng)刻蝕工序。后清洗的目的后清洗的目的就是刻蝕多余p-n結(jié)和去除PSG。

擴(kuò)散過(guò)程中，雖然采用背靠背擴(kuò)散，硅片的邊緣將不可避免地?cái)U(kuò)散上磷。p-n結(jié)的正面所收集到的光生電子會(huì)沿著邊緣擴(kuò)散有磷的區(qū)域流到p-n結(jié)的背面，而造成短路。此短路通道等效于降低并聯(lián)電阻。同時(shí)，由于在擴(kuò)散過(guò)程中氧的通入，在硅片表面形成一層二氧化硅，在高溫下POCl3與O2形成的P2O5，部分P原子進(jìn)入Si取代部分晶格上的Si原子形成n型半導(dǎo)體，部分則留在了SiO2中形成PSG(磷硅玻璃)。

非擴(kuò)散面擴(kuò)散面后清洗時(shí)，哪一面朝上呢？后清洗工藝原理濕法刻蝕原理:利用HNO3和HF的混合液體對(duì)擴(kuò)散后硅片下表面和邊緣進(jìn)行腐蝕,去除邊緣的N型硅,使得硅片的上下表面相互絕緣。邊緣刻蝕原理反應(yīng)方程式：3Si+4HNO3+18HF=3H2[SiF6]+4NO2+8H2O等效電路去除磷硅玻璃（PSG）的目的：PSG使硅片在空氣中表面容易受潮，會(huì)導(dǎo)致電流降低和功率衰減。PSG引起的死層大大增加了發(fā)射區(qū)電子的復(fù)合，會(huì)導(dǎo)致少子壽命的降低，進(jìn)而降低了電壓和電流。PSG使得PECVD后產(chǎn)生色差。去PSG原理方程式：

SiO2+4HF=SiF4+2H2OSiF4+2HF=H2[SiF6]SiO2+6HF=H2[SiF6]+2H2O去PSG工序檢驗(yàn)方法：當(dāng)硅片從HF槽出來(lái)時(shí)，觀察其表面是否脫水，如果脫水，則表明磷硅玻璃已去除干凈；如果表面還沾有水珠，則表明磷硅玻璃未被去除干凈，可在HF槽中