200單晶拉速控制

9MDRAM高質(zhì)量大直徑的硅片。國(guó)外很多材料廠家已能夠批量生產(chǎn)Φ200mm200mm200mm19959拉制出了我國(guó)第一根Φ200mmp<100>硅單晶，填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)空工藝的角度分析拉制Φ200mm試驗(yàn)方法在CG-6000450mm60kg量拉制Φ200mmp<100>55L/min，爐內(nèi)2.40～2.93kPa12r/min12r/min55mm/h～30mm/hSOP(系統(tǒng)操作參數(shù))表中的各項(xiàng)中各項(xiàng)參數(shù)的變化。試驗(yàn)分析及爭(zhēng)論單晶的無(wú)位錯(cuò)生長(zhǎng)對(duì)于Φ200mm以下幾個(gè)條件在拉制大直徑單晶的過(guò)程中尤其重要。足夠的穩(wěn)定時(shí)間和標(biāo)準(zhǔn)的縮頸工藝對(duì)于拉制Φ200mm450mm率高(150kW(L=Dctgθ3.5～4.5mm，長(zhǎng)100mm。這樣可以確保排解籽晶引入的位錯(cuò)。熱場(chǎng)的配置熱場(chǎng)配置是拉制無(wú)位錯(cuò)單晶最關(guān)鍵的環(huán)節(jié)，等徑生長(zhǎng)過(guò)程中常常由于晶體中熱應(yīng)力超過(guò)了硅的臨界應(yīng)力而產(chǎn)生位錯(cuò)，晶體中的熱向溫度梯度不引起位錯(cuò)的條件分別是［1］β/b×dT/dZ≤τc/Gbr (1)β/b×dT/dr≤τc/Gbl (2)式中，βbGτcrl由(1)度的減小。(2)我們盡量加強(qiáng)熱場(chǎng)的保溫，同時(shí)用合理的工藝參數(shù)掌握生長(zhǎng)界面的生長(zhǎng)。工藝參數(shù)的選擇的無(wú)位錯(cuò)生長(zhǎng)。在拉制Φ200mm(55～對(duì)于Φ200mm參數(shù)選擇在拉制Φ200mm系統(tǒng)操作參數(shù)(SOP)表的建立(SOP)表實(shí)際上是將以往的拉晶閱歷數(shù)據(jù)編成程序輸入計(jì)算機(jī)進(jìn)展自動(dòng)掌握，它內(nèi)含很多參數(shù)。拉制Φ200mm心設(shè)計(jì)了拉速的設(shè)定值和拉晶過(guò)程中堝升速度值的變化，這兩個(gè)參數(shù)在整個(gè)拉晶過(guò)程是很關(guān)鍵的。下面是所選用的拉速變化曲線和堝升設(shè)定表。1拉速設(shè)定值隨晶體長(zhǎng)度的變化1拉晶過(guò)程中Lc/Ls①：LcLs上表拉速可以在設(shè)定范圍內(nèi)均勻下降，而堝升可以隨著熔體外表積調(diào)整因素的干擾。石英坩堝的選用拉制大直徑單晶的過(guò)程中，除了上述提到的減小熔體溫度的波加了坩堝內(nèi)壁方石英層的形成，這種方石英層的粒子簡(jiǎn)潔脫落進(jìn)入的清潔度要好，由于方石英斑點(diǎn)往往在外表被污染處開(kāi)頭生長(zhǎng)。3結(jié)論通過(guò)分析Φ200mm長(zhǎng)的合理熱場(chǎng)，對(duì)SOP承受全自動(dòng)拉晶技術(shù)拉制出完整的Φ200mmP<100>硅單晶。1引言隨著IT晶硅急劇增長(zhǎng)。單晶硅的提拉速度掌握，是在硅結(jié)晶生長(zhǎng)開(kāi)頭時(shí)，用低速提拉，生長(zhǎng)過(guò)程中勻速提拉的方法制成的。提拉速度的掌握性系統(tǒng)，可到達(dá)很好的速度掌握效果。工藝要求1。提拉掌握系統(tǒng)的驅(qū)動(dòng)電機(jī)轉(zhuǎn)速n經(jīng)減速器、齒輪齒條減速后帶動(dòng)提拉桿上下運(yùn)動(dòng)。依據(jù)硅單晶工藝，V0.2～10.0mm/h號(hào)的線性精度>±2%。驅(qū)動(dòng)電機(jī)的轉(zhuǎn)速變化范圍n0.0833～4.167r/min。在如此低速的狀況下既保證系統(tǒng)具有寬調(diào)速范圍，又時(shí)，提拉桿能保持其最終位置而不上下滑動(dòng)，也就是說(shuō)在整個(gè)調(diào)速范圍內(nèi)，當(dāng)驅(qū)動(dòng)電機(jī)堵轉(zhuǎn)時(shí)，還必需能輸出足夠大的力矩。混合式自調(diào)整模糊掌握器原理與設(shè)計(jì)混合式模糊PIDPD分掌握引入FUZZYFUZZYPID模糊掌握器的穩(wěn)態(tài)性能。FUZZYPID2FUZZYPIDUi掌握器輸出Uf相疊加，作為混合模糊PIDU=Ui+Uf，可使系統(tǒng)成為無(wú)差模糊掌握系統(tǒng)。模糊掌握器的自調(diào)整因子的設(shè)計(jì)設(shè)誤差E、誤差變化ECU{E}={EC}={U}=[-6，+6]，它們的模糊集均為{NB，NM，NS，O，PS，PM，PB}，隸屬函數(shù)承受對(duì)稱三角形，則基于專家學(xué)問(wèn)和閱歷，以及1模糊掌握系統(tǒng)在不同的狀態(tài)下，對(duì)掌握規(guī)章中誤差EEC由下式表示：0≤α0≤αs≤1；α∈[α0，αs]；cEC加權(quán)因子。通過(guò)調(diào)整α值，可以轉(zhuǎn)變對(duì)誤差和誤差變化的不同加權(quán)程度。該掌握規(guī)章的特點(diǎn)式調(diào)