2023年半導(dǎo)體行業(yè)投資策略分析報(bào)告：弱復(fù)蘇周期產(chǎn)品創(chuàng)新

2023年半導(dǎo)體行業(yè)投資策略：步入弱復(fù)蘇周期，周期拐點(diǎn)+產(chǎn)品創(chuàng)新+

共振第一部分

行業(yè)周期性第二部分

中美半導(dǎo)體科技沖突第三部分

主線1：第四部分

主線2：創(chuàng)新/產(chǎn)品周期第五部分

主線3：長坡厚雪1半導(dǎo)體行業(yè)周期：目前仍處于下降周期的中段

從半導(dǎo)體銷售額的角度來看1）從周期的視角來看，前兩輪下行周期持續(xù)時(shí)間來看（2017年7月-2019年6月、2014年4月-2016年5月），下跌周期持續(xù)時(shí)間在2年左右。2）本輪半導(dǎo)體周期上行周期在2021年8月見頂，預(yù)計(jì)周期見底時(shí)間在2023年Q2-Q3。3）周期見頂?shù)脑颍菏謾C(jī)、PC、平板市場下滑，汽車工業(yè)難以彌補(bǔ)下滑70%60%50%40%30%20%10%0%-10%-20%-30%-40%全球半導(dǎo)體銷售額當(dāng)月同比（%）中國半導(dǎo)體銷售額當(dāng)月同比（%）1

臺(tái)積電法說會(huì)：周期見底時(shí)間在2023年上半年臺(tái)積電22Q3法說會(huì)：1）資本開支：下調(diào)2022年資本開支至360億美元附近（原先是接近400-440億美元區(qū)間的下限），其中70%-80%用于先進(jìn)制程、10%用于先進(jìn)封裝、10%用于成熟制程，同時(shí)2023年的資本支出計(jì)劃也將“更小心”。2）產(chǎn)能利用率：鑒于手機(jī)、HPC需求疲軟，7nm制程產(chǎn)能利用率在22Q4-23H1可能出現(xiàn)下降。3）庫存：庫存水位將于3Q22達(dá)到高峰，4Q22庫存水位將下滑，庫存調(diào)整將維持幾個(gè)季度，可能延續(xù)到2023年上半年。臺(tái)積電前幾大前十大客戶營收占比30%25.93%25%20%15%10%5.80%4.39%AMD3.90%

3.77%5%0%2.83%2.54%1.39%

1.38%Marvell

STM1.06%

0.84%ADI英特爾蘋果

聯(lián)發(fā)科高通博通

英偉達(dá)

索尼1

半導(dǎo)體行業(yè)周期：2023年整體處于弱復(fù)蘇

2023年整體半導(dǎo)體周期處于弱復(fù)蘇：站在2023年的視角來看，手機(jī)PC平板半導(dǎo)體低基數(shù)，汽車半導(dǎo)體繼續(xù)穩(wěn)步增長。

股價(jià)調(diào)整幅度較深：2021年7月見頂之后，半導(dǎo)體指數(shù)調(diào)整了1年半，目前調(diào)整幅度40%+

基于整體周期處于弱復(fù)蘇+周期拐點(diǎn)+股價(jià)調(diào)整幅度較深，對(duì)于2023年半導(dǎo)體行業(yè)股價(jià)表現(xiàn)整體比較樂觀。1

半導(dǎo)體行業(yè)周期：弱復(fù)蘇的確定性（制造業(yè)鏈＞地產(chǎn)鏈＞消費(fèi)電子鏈）?

手機(jī)銷量：Strategy

Analytics預(yù)測(cè)2023年全球智能手機(jī)出貨量同比下滑5.3%。?

三星指引：預(yù)計(jì)2022年銷售約

2.6

億部智能手機(jī)，并計(jì)劃在2023年銷售約

2.7

億部。?

預(yù)計(jì)2023年蘋果、三星的手機(jī)出貨量能夠?qū)崿F(xiàn)小幅正增長，其余手機(jī)廠商出貨量同比小幅負(fù)增長。?

建議投資者關(guān)注圣邦股份。1

半導(dǎo)體行業(yè)周期：弱復(fù)蘇的確定性（制造業(yè)鏈＞地產(chǎn)鏈＞消費(fèi)電子鏈）保交房的背景下，房地產(chǎn)竣工面積增速有望回正，帶動(dòng)家電等后地產(chǎn)板塊的需求。建議投資者關(guān)注士蘭微、三安光電。房屋竣工面積:累計(jì)同比50%40%30%20%10%0%-10%-20%-30%1

半導(dǎo)體行業(yè)周期：弱復(fù)蘇的確定性（制造業(yè)鏈＞地產(chǎn)鏈＞消費(fèi)電子鏈）制造業(yè)投資復(fù)蘇的確定性較高，但制造業(yè)涉及的下游細(xì)分行業(yè)很多，仍需依據(jù)細(xì)分下游的景氣度進(jìn)行判斷。建議關(guān)注時(shí)代電氣、東微半導(dǎo)、炬光科技、長光華芯。固定資產(chǎn)投資完成額:制造業(yè):累計(jì)同比50%40%30%20%10%0%-10%-20%-30%-40%第一部分

行業(yè)周期性第二部分

中美半導(dǎo)體科技沖突第三部分

主線1：第四部分

主線2：創(chuàng)新/產(chǎn)品周期第五部分

主線3：長坡厚雪2

美國制裁：短期利空，長期利多10/7

美國升級(jí)半導(dǎo)體制裁：1）加碼制裁存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)鏈：對(duì)128層及以上NAND芯片、18nm及以下DRAM相關(guān)半導(dǎo)體設(shè)備進(jìn)一步管控，市場擔(dān)心長江存儲(chǔ)和合肥長鑫的擴(kuò)產(chǎn)的進(jìn)程受到影響，尤其是長江存儲(chǔ)是不少國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備和材料公司的TOP2客戶。2）人員限制：限制美國人在沒有許可證的情況支持某些位于中國的半導(dǎo)體制造“實(shí)施”開發(fā)或生產(chǎn)集成電路的能力（尤其是先進(jìn)制程）。3）超算/高性能計(jì)算=軍用，保證美國在先進(jìn)制程的領(lǐng)先地位2

美國升級(jí)制裁：應(yīng)對(duì)方案猜想國內(nèi)應(yīng)對(duì)方案猜想：1）短期：長江存儲(chǔ)128層及以上NAND芯片的部分關(guān)鍵設(shè)備仍需從美國進(jìn)口，擴(kuò)產(chǎn)節(jié)奏會(huì)出現(xiàn)放緩。2）長期：?

轉(zhuǎn)做國產(chǎn)設(shè)備材料驗(yàn)證線，推動(dòng)國內(nèi)設(shè)備材料零部件的認(rèn)證，這條路需要多年的時(shí)間?

放棄幻想：制裁時(shí)，與我沒關(guān)系，對(duì)我沒影響，或許還能搶點(diǎn)的市場；制裁中芯時(shí)，我不是中芯，我不做先進(jìn)制程代工，和我沒關(guān)系。第一部分

行業(yè)周期性第二部分

中美半導(dǎo)體科技沖突第三部分

主線1：第四部分

主線2：創(chuàng)新/產(chǎn)品周期第五部分

主線3：長坡厚雪3：國產(chǎn)化步入深水期，關(guān)注半導(dǎo)體設(shè)備、材料、零部件公司?

2021年大陸占全球半導(dǎo)體設(shè)備銷售額中的比例達(dá)到29%，自2017年之后逐年提升。?

上輪半導(dǎo)體設(shè)備下行周期（1Q17-1Q19）：以為代表的大陸晶圓廠逆勢(shì)擴(kuò)張，搶占聯(lián)電等份額。半導(dǎo)體設(shè)備銷售額按區(qū)域分布半導(dǎo)體設(shè)備銷售額同比（%）100%300%250%200%150%100%50%90%80%70%60%50%40%30%20%10%0%7%7%4%11%

12%

13%6%6%

6%8%15%9%16%20%23%26%29%0%-50%-100%2005

2006

2007

2008

2009

2010

2011

2012

2013

2014

2015

2016

2017

2018

2019

2020

2021日本

北美

歐洲

韓國

中國（臺(tái)灣）

中國（大陸）

其他全球大陸3：國產(chǎn)化步入深水期，關(guān)注半導(dǎo)體設(shè)備、材料、零部件公司內(nèi)資晶圓廠未來2-3年的擴(kuò)產(chǎn)邏輯：?

需求端：1）增量：新能源支撐（新能源車+光伏等）；2）存量：成熟制程代工需求從海外晶圓廠轉(zhuǎn)回內(nèi)資晶圓廠（模擬、射頻等）?

供給端：除中芯南方外，擴(kuò)產(chǎn)都是成熟制程?

政策端：3

半導(dǎo)體設(shè)備：關(guān)注國產(chǎn)化率有突破、滲透率仍處于低位的公司?

按照國產(chǎn)化率將半導(dǎo)體設(shè)備分類：1）國產(chǎn)化率比較高：有去膠設(shè)備（屹唐、盛美）、清洗機(jī)（盛美、北方華創(chuàng)、芯源微、至純科技）。2）國產(chǎn)化率有突破：CMP（華海清科）

、刻蝕（中微、北方華創(chuàng)）、CVD（北方華創(chuàng)、拓荊科技）、PVD（北方華創(chuàng)）3）國產(chǎn)化率很低：光刻機(jī)（上海微電子）、涂膠顯影設(shè)備（芯源微）、前道檢測(cè)設(shè)備、離子注入（萬業(yè)企業(yè)旗下的凱世通）關(guān)注刻蝕、PVD、CVD、離子注入環(huán)節(jié)。對(duì)應(yīng)公司北方華創(chuàng)、拓荊科技。國產(chǎn)化率涉及公司是否達(dá)到28nm量產(chǎn)制程去膠設(shè)備清洗設(shè)備刻蝕90%20%屹唐、盛美盛美、北方華創(chuàng)、芯源微、至純科技中微、北方華創(chuàng)是是15%-20%10%-15%10%-15%2%-5%1%-2%＜1%是CMP（拋光設(shè)備）PVD華海清科是北方華創(chuàng)是CVD北方華創(chuàng)、沈陽拓荊上海微電子驗(yàn)證階段檢測(cè)設(shè)備光刻機(jī)否否否是涂膠顯影離子注入＜1%芯源微凱世通小于1%第一部分

行業(yè)周期性第二部分

中美半導(dǎo)體科技沖突第三部分

主線1：第四部分

主線2：創(chuàng)新/產(chǎn)品周期第五部分

主線3：長坡厚雪4

需求邏輯：車載芯片依然是需求最好的方向

制造業(yè)復(fù)蘇對(duì)應(yīng)的芯片中，車載芯片仍然是需求最好的方向。1）新能源車銷量的增長：步入2023年，整體新能源車行業(yè)銷量會(huì)回落到20%-30%，但仍然是不錯(cuò)的增速2）：2020-2021年海外大廠缺芯帶來窗口期，關(guān)注真正有有突破的環(huán)節(jié)，這樣才能實(shí)現(xiàn)公司增速大于新能源車行業(yè)增速3）在中美科技沖突的大背景下，產(chǎn)能仍然重要，IDM模式或代工在內(nèi)資晶圓廠的公司仍然占優(yōu)目前來看，優(yōu)質(zhì)國產(chǎn)IGBT/SiC公司仍然是最好的投資方向。A股上市公司在汽車半導(dǎo)體的國產(chǎn)化進(jìn)程IGBTMCU趨勢(shì)基本確定，中車/比亞迪/斯達(dá)/士蘭微這四家領(lǐng)先目前主要是在娛樂系統(tǒng)、雨刮器、車窗控制等非核心領(lǐng)域，關(guān)注動(dòng)力安全等領(lǐng)域MCU的突破，重點(diǎn)關(guān)注兆易、四維圖新（杰發(fā)科技）21年韋爾/豪威在汽車CIS市占率在30%-40%，公司指引2022年達(dá)到45%以上、2023-2024年達(dá)到60%-70%，其實(shí)是有難度的，索尼也在加速進(jìn)入汽車CIS市場CMOSDRAM君正的DRAM難以進(jìn)入域控制器這個(gè)最大的市場、域控制器配套的DRAM肯定是美光的市場，兆易、紫光國微在進(jìn)入這個(gè)市場4.1

IGBT：純靠汽車IGBT很難實(shí)現(xiàn)長期增長?

車用IGBT行業(yè)國產(chǎn)化率：2022年國產(chǎn)IGBT的量：時(shí)代電氣的IGBT模塊能夠配套70萬臺(tái)車（A級(jí)車為主），斯達(dá)半導(dǎo)能夠配套100萬輛車（其中A級(jí)車40-50萬輛、A00

50-60萬輛），比亞迪能夠配套100萬臺(tái)車（保守估計(jì)）。2022年車用IGBT的國產(chǎn)化率將達(dá)到270/650=42%，已經(jīng)不低了。公司斯達(dá)模式消費(fèi)工業(yè)新能源發(fā)電（光伏、風(fēng)電等）單管批量替代，模組產(chǎn)品待突破車載工業(yè)龍頭、先發(fā)優(yōu)勢(shì)、產(chǎn)品存在質(zhì)量優(yōu)勢(shì)A00/A0龍頭，A級(jí)及以上車型在突破，產(chǎn)能受制于代工廠fabless性價(jià)比優(yōu)勢(shì)待提高車載定制化模組，自產(chǎn)自銷，8寸擴(kuò)產(chǎn)中比亞迪中車IDMIDM芯片性價(jià)比不高，低端市場推出光伏產(chǎn)品，待驗(yàn)證大功率產(chǎn)品上量，無中小功率產(chǎn)

大功率光伏、風(fēng)電產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)明顯，無中小功率產(chǎn)品A級(jí)及以上車型放量快品IDM優(yōu)勢(shì)，份額在中低端產(chǎn)品逐年提升產(chǎn)能優(yōu)勢(shì)明顯，但進(jìn)入車規(guī)市場較晚士蘭微宏微IDM產(chǎn)能、性價(jià)比優(yōu)勢(shì)明顯單管批量替代，模組產(chǎn)品待突破工業(yè)定制化，性價(jià)比優(yōu)勢(shì)，份額持續(xù)提升，當(dāng)前受制于產(chǎn)能fabless單管批量替代，模組產(chǎn)品待突破？預(yù)測(cè)未來頭部玩家士蘭微斯達(dá)/士蘭微/宏微中車/比亞迪/斯達(dá)/士蘭微4.1

IGBT：長期增長需要拓展光伏/風(fēng)電/電網(wǎng)發(fā)力?

光伏+風(fēng)電+電網(wǎng)也有110億+的市場，而這些領(lǐng)域IGBT模塊的國產(chǎn)化率很低。?

光伏：追求轉(zhuǎn)化效率，目前主流采用的是英飛凌IGBT7.0芯片，國內(nèi)國內(nèi)廠商推出小功率IGBT單管產(chǎn)品、但是在大功率的IGBT模塊產(chǎn)品為空白。?

風(fēng)電、電網(wǎng)：高壓IGBT模塊為主。根據(jù)相關(guān)調(diào)研總結(jié)，2025年國內(nèi)IGBT市場空間?

新能源車：170億?

光伏：80億?

風(fēng)電：20億?

工控：80億?

變頻家電：60億?

軌交：15億?

電網(wǎng)：10億4.1

IGBT：推薦時(shí)代電氣1）IDM模式2）車載IGBT放量：目前在A級(jí)及以上車型進(jìn)展最順利，同時(shí)公司是國內(nèi)第一家實(shí)現(xiàn)出海的IGBT公司。3）拓展光伏/風(fēng)電/電網(wǎng)IGBT：電網(wǎng)風(fēng)電等高壓應(yīng)用領(lǐng)域優(yōu)勢(shì)大，光伏模塊產(chǎn)品需要觀察進(jìn)度4）SiC：自研芯片且有明確的產(chǎn)能規(guī)劃5）不受制裁影響：IGBT最先進(jìn)的制程在90nm，公司是國資、老板不是美國人7）新能源電驅(qū)進(jìn)展順利4.2SiC：提高續(xù)航里程，降低散熱成本、無源器件使用量?

目前車上能夠應(yīng)用SiC的部分主要是主驅(qū)逆變器、車載OBC等，其中主驅(qū)逆變價(jià)值量占比在80%左右。?

以主驅(qū)逆變?yōu)槔琒iC上車的優(yōu)勢(shì)：1）轉(zhuǎn)換效率高：續(xù)航里程提高5%-10%，且高壓、市區(qū)模式轉(zhuǎn)換效率提升幅度更大2）導(dǎo)熱性好：降低散熱成本3）功率密度高：主驅(qū)逆變器可以得更小，實(shí)現(xiàn)輕量化4）高頻：減少電容、電感等被動(dòng)元件的使用，簡化電路設(shè)計(jì)5）零百加速：比亞迪漢、EF7縮小到3.9S4.2

SiC：新能源車SiC滲透邏輯總結(jié)SiC方案轉(zhuǎn)換效率優(yōu)勢(shì)凸顯、加速SiC滲透800V高壓平臺(tái)解決的問題1：充電速度高端車解決問題2：續(xù)航里程焦慮/降低電池成本附帶提升動(dòng)力性能所有零部件耐壓等級(jí)提升，短期成本增加SiC成本降到2.5倍，相比IGBT具有成本優(yōu)勢(shì)短期無法承受耐壓等級(jí)提升帶來的成本增加，不會(huì)上800V平臺(tái)，等待后面技術(shù)成熟、成本下降中低端車4.2

SiC：成本結(jié)構(gòu)?

SiC成本結(jié)構(gòu)：襯底占比47%、外延占比23%、器件占比19%。?

Si成本結(jié)構(gòu)：襯底占比6%、外延占比5%、器件占比80%。?

SiC貴在襯底、外延，襯底是SiC產(chǎn)業(yè)鏈價(jià)值量最大的環(huán)節(jié)，未來成本下降的大頭主要是襯底。4.2SiC：商業(yè)模式和關(guān)注公司?

SiC目前的商業(yè)模式分為IDM和專業(yè)化分工模式，兩種商業(yè)模式的核心都在于襯底能力的掌握?

IDM（從硅片到器件）：國外代表廠商Wolfspeed，國內(nèi)代表廠商是三安，Wolfspeed的核心優(yōu)勢(shì)也是襯底、然后往器件端滲透?

專業(yè)化分工：結(jié)合之前的產(chǎn)業(yè)鏈價(jià)值分布，關(guān)注襯底環(huán)節(jié)，國內(nèi)領(lǐng)先的廠商包括天科合達(dá)、天岳先進(jìn)。第一部分

行業(yè)周期性第二部分

中美半導(dǎo)體科技沖突第三部分

主線1：第四部分

主線2：創(chuàng)新/產(chǎn)品周期第五部分

主線3：長坡厚雪5

模擬芯片：與數(shù)字芯片的區(qū)別1）難度高低：模擬芯片入門難，數(shù)字芯片進(jìn)階難2）工藝制程：模擬芯片采用成熟制程，仍大量使用um級(jí)工藝，數(shù)字芯片追求先進(jìn)制程。3）生命周期：模擬芯片生命周期長，2020年ADI50%的營收來自于十年以上的產(chǎn)品。4）產(chǎn)品種類：應(yīng)用下游分散、單個(gè)下游市場空間小、產(chǎn)品種類多，所以市場通常會(huì)關(guān)注國內(nèi)模擬芯片公司的產(chǎn)品種類。5

模擬芯片：下游分散且產(chǎn)品料號(hào)多?

市場份額：TI和ADI排名前兩位、但對(duì)比數(shù)字芯片的寡頭壟斷、模擬芯片龍頭市場份額占比并不高，主要原因是下游應(yīng)用領(lǐng)域的分