電子元器件工藝信息調(diào)查表

版權(quán)所有，請勿傳播1/5電子元器件工藝信息調(diào)查表迪普申請人填寫元器件廠家器件名稱POE變壓器器件型號供應(yīng)商填寫如下所有內(nèi)容填表人職務(wù)審核人職務(wù)批準人職務(wù)填表人電話郵箱其他廠家填寫內(nèi)容填寫要求用于焊接/壓接的引腳或者端子材料SMD、THT、壓接器件引腳或者端子引腳/端子基材磷青銅參考附表2‘基體材料要求’表面鍍層材料成分SnAgCu參考附表3‘外鍍層材料要求’。1.表面鍍層不允許選用銀(Ag)和亮錫（brightTin）2.如果外鍍層不滿足上述要求，根據(jù)J-STD-002C提供可焊接性測試報告，根據(jù)JESD22A121提供錫須測試報告平均厚度6.2(微米)制作工藝熱鋟阻擋層/中間層材料成分Ni參考附表4‘中間鍍層材料要求’。平均厚度2.1(微米)BGA封裝封裝信息封裝尺寸封裝尺寸，公差滿足JEDEC95DesignGuide設(shè)計要求焊球排數(shù)焊球間距焊球成份無鉛參考附表1‘BGA焊球成份和表面鍍層要求’。如果焊球成份不滿足要求，參考IPC-9701和IPC-9702提供相應(yīng)的可靠性測試報告有鉛BGA側(cè)焊盤信息焊盤直徑表面處理連接器非引腳部分材料接觸點基體材料連接器類填寫該項；BGA形式的連接器需要填寫該項和BGA封裝項。表面鍍層材料成分平均厚度(微米)制作工藝塑膠殼體基體材料顏色金屬殼體表面鍍層材料成分平均厚度(微米)制作工藝阻擋層/中間層材料成分平均厚度(微米)元器件包裝及存儲表貼器件Reel優(yōu)選卷帶包裝和盤式包裝插裝器件優(yōu)選卷帶包裝和管式包裝壓接器件不可選用散裝存儲周期出廠到可焊接的正常存儲期限(12)月一般器件通常2年，至少1年；壓敏和熱敏電阻通常1年，最少半年。潮敏等級3不推薦4、5級，不允許6級靜電等級門限電壓門限電壓100V及以下不允許；參考MIL-STD-883Method3015.7靜電包材靜電敏感器件的包材必須是防靜電材料防潮包裝潮敏大于2級必須使用防潮包裝組裝工藝焊接方式迴流焊回流焊，波峰焊，壓接，手工補焊，中的一種或多種器件重量3.20g(±5%)正常焊接受熱次數(shù)4表貼器件需要承受雙面回流+1次手工返修，4次受熱插件能承受1次波峰焊焊+1次手工返修，3次受熱?；亓骱钙骷?shù)本體承溫最高溫度245參見J-STD-020D的表4-1和表4-2停留時間20~40能否無鉛回流加工可以能否機器貼裝可以異形器件已設(shè)計吸嘴位置，包裝滿足機貼要求波峰焊器件參數(shù)能否無鉛波峰焊加工插件引腳在260+/-5℃的焊錫槽中至少停留10秒，封裝本體在190的環(huán)境下至少停留10秒。插件能否通孔回流焊插件可否耐回流焊的高溫，無鉛回流焊260℃，10秒可靠性測試報告/錫須測試報告列出報告附件的名稱即可以下表格適用于含有硅芯片的器件，不相關(guān)器件免填器件識別器件標識器件上的標識，包括描述和使用的代碼Die標識Die上用于識別器件的標記版本器件的版本信息Die片工藝信息生產(chǎn)地Die片的生產(chǎn)國家或者地區(qū)Die片基材基材材料，（如SOI，Si，GaAs，epi等）Die片尺寸格式X*Y*Z封裝工藝信息封裝地芯片封裝的國家或者地區(qū)Die-to-package的連接信息引線鍵合鍵合材料鍵合線的材料鍵合方式鍵合線和鍵合點的加工方式尺寸鍵合點的尺寸，也是鍵合線的直徑倒裝芯片焊凸材料倒裝芯片焊凸的材質(zhì)焊凸尺寸焊凸的直徑熱阻（ja）結(jié)到環(huán)境之間的熱阻電性能測試電性能測試地進行電性能測試的國家或者地區(qū)電性能測試報告缺陷覆蓋率測試方法和測試覆蓋百分比可靠性測試報告參見JESD47D（包括HTOL，LTOL等）附表-引腳/端子材料要求BGA類要求BGA焊球成份和焊盤表面處理要求引腳/端子類型優(yōu)選可選不推薦面陣列器件焊球有鉛材料Sn63Pb37Sn10Pb90，Sn62Pb36Ag2無鉛材料SAC305、SAC405SnAgCu（Ag含量3~4%，Cu含量0.5~1%）其他無鉛成份暫不推薦BGA焊盤表面處理方式OSP電鍍Ni/AuENIG非BGA類要求基體材料要求引腳/端子類型優(yōu)選可選不推薦表貼器件引腳純銅銅合金（銅錫，銅鋅，銅鎳，磷青銅，鈹銅等）42號合金，Kovar插裝器件引腳純銅銅合金（銅錫，銅鋅，銅鎳，磷青銅，鈹銅等）鐵及42號合金等Kovar片式電阻電容內(nèi)電級AgPb，AgPt純銅，鎳壓接器件引腳鈹銅磷青銅外鍍層材料要求優(yōu)選級別鍍層種類鍍層成份厚度要求優(yōu)選鍍層SnPb合金Sn≥60%；Pb≥3%電鍍工藝：最薄≥5.1um，平均≥7.6um電鍍+熱熔：最薄≥2.5um，平均≥7.6um熱浸工藝：平均≥5.1um金（Au）Au99.8%，底層為Ni閃金：0.08~0.2um；化學鎳金0.05~0.2um;其他工藝：0.25~0.8um錫（Sn）純錫（暗錫），底層為Ni電鍍工藝：最薄≥5.1um，平均≥7.6um電鍍+熱熔：最薄≥2.5um，平均≥7.6um熱浸工藝：平均≥5.1um；化學鍍層≥0.5umSnAgCu最薄≥5.1umPd底層為NiPd厚度≥0.075umPdAu底層為NiPd厚度≥0.075um；0.1um≥Au厚度≥0.02um可選鍍層SnCuCu含量小于1%熱浸工藝≥3um禁選鍍層純銀（Ag）、亮錫（BrightTin）中間層材料要求基體材料可焊性鍍層中間層要求材料厚度純銅，銅合金（銅錫，同鎳等）SnPb合金Ni或者不要中間層1.5um~7.6um金（Au）Ni1.5um~7.6umPdPdAuSnCuSnAgCu銅合金（銅鋅，磷青銅，鈹銅等），鐵，2號合金等PdNi2.5um~7.6umPdAuSnCuSnAgCu金（Au）純錫（Sn）純銅，