光伏產(chǎn)業(yè)鏈名詞解釋大全

光伏產(chǎn)業(yè)鏈名詞解釋大全1、普通名詞光伏效應、光伏物體由于吸收光子而產(chǎn)生電動勢的現(xiàn)象，是當物體受光照時，物體內(nèi)部的電荷分布狀態(tài)發(fā)生變化而產(chǎn)生電動勢和電流的一種效應，全稱光生伏特效應光伏發(fā)電利用光生伏特效應，將太陽光能直接轉(zhuǎn)化為電能的發(fā)電技術(shù)瓦（W）、千瓦（KW）、兆瓦（MW）、吉瓦GW）、太瓦（TW）電的功率單位，為衡量光伏電站發(fā)電能力的單位。1TW=1,000GW=1,000,000MW=1,000,000,000kW=1,000,000,000,000W千瓦時（KWh）電的能量單位，lKWh的電能即為一度電裝機容量太陽能電池經(jīng)過串聯(lián)后進行封裝保護可形成大面積的太陽電池組件，再配合上功率控制器等部件就形成了光伏發(fā)電裝置。這種裝置的發(fā)電功率就是裝機容量容配比光伏電站的組件容量與逆變器容量之比平均轉(zhuǎn)換效率平均光電轉(zhuǎn)換效率，是衡量太陽能電池將光能轉(zhuǎn)換為電能能力的指標平準化度電成本LevelizedCostofEnergy縮寫為LCOE,簡稱度電成本，是對項目生命周期內(nèi)的成本和發(fā)電量先進行平準化，再計算得到的發(fā)電成本，即生命周期內(nèi)的成本現(xiàn)值/生命周期內(nèi)發(fā)電量現(xiàn)值平價上網(wǎng)包括發(fā)電側(cè)平價與用戶側(cè)平價兩層含義：發(fā)電側(cè)平價是指光伏發(fā)電即使按照傳統(tǒng)能源的上網(wǎng)電價收購（無補貼）也能實現(xiàn)合理利潤；用戶側(cè)平價是指光伏發(fā)電成本低于售電價格，根據(jù)用戶類型及其購電成本的不同，又可分為工商業(yè)、居民用戶側(cè)平價標桿上網(wǎng)電價、上網(wǎng)電價國家發(fā)改委制定電網(wǎng)公司對集中式光伏電站并網(wǎng)發(fā)電電量的收購價格（含稅）發(fā)電設(shè)備利用小時數(shù)指發(fā)電機組在1年內(nèi)平均的滿負荷運行時間；在每年的8760h中，發(fā)電設(shè)備利用小時半導體材料導電能力介于導體和絕緣體之間的材料"雙反"調(diào)查對來自某一個（或幾個）國家或地區(qū)的同一種產(chǎn)品同時進行反傾銷和反補貼調(diào)查光伏發(fā)電領(lǐng)跑者計劃是指中國國家能源局2015年起實施的光伏扶持計劃，旨在促進光伏發(fā)電技術(shù)進步、產(chǎn)業(yè)升級和成本下降。領(lǐng)跑者先進技術(shù)產(chǎn)品要求達到規(guī)定的技術(shù)先進性指標等要求高純晶硅純度大于99.9999999%的高純度單質(zhì)金屬硅2、多晶硅、硅料多晶硅、硅料單質(zhì)硅的一種形態(tài)，由具有一定尺寸的硅晶粒組成的多晶體，各個硅晶粒的晶體取向不同，多晶硅是光伏電池與半導體設(shè)備的主要原材料根據(jù)純度，多晶硅可分為太陽能級（光伏級）多晶硅與電子級（半導體級）多晶硅單晶硅片用料用于單晶硅拉制并生產(chǎn)單晶硅片的多晶硅產(chǎn)品多晶硅片用料指指用于多晶鑄錠并生產(chǎn)多晶硅片的多晶硅產(chǎn)品工業(yè)硅粉、硅粉由硅礦石和碳質(zhì)還原劑在礦熱爐內(nèi)冶煉成的產(chǎn)品，主要成分為硅元素是多晶硅的主要原材料三氯氫硅、TCS由工業(yè)硅粉與氯化氫合成而得的硅化合物，能在1100OC左右被氫還原為單質(zhì)硅，是本公司生產(chǎn)多晶硅的中間品，化學式為SiHCl3，英文名稱Trichlorosilane四氯化硅、TET、STC三氯氫硅合成及三氯氫硅還原等多晶硅生產(chǎn)過程中的副產(chǎn)物，可以通過冷氫化工藝制備三氯氫硅，化學式為SiCl4，英文名稱SiliconTetrachloride二氯二氫硅、DCS三氯氫硅合成、冷氫化、三氯氫硅還原等多晶硅生產(chǎn)過程中的副產(chǎn)物，可以與四氯化硅在催化劑條件下反歧化生成三氯化硅，化學式為SiH2Cl2，英文名稱Dichlorosilane西門子法西門子法為生產(chǎn)多晶硅的原有工藝，是以氫氣還原高純度三氯氫硅，在加熱到1,1001左右的硅芯上沉積多晶硅的生產(chǎn)工藝改良西門子法目前國內(nèi)外最主流及最成熟的多晶硅生產(chǎn)工藝，又稱“閉環(huán)西門子法”其主要是在西門子法基礎(chǔ)上增加了尾氣回收和四氯化硅氫化工藝，實現(xiàn)了生產(chǎn)過程的閉路循環(huán)，避免副產(chǎn)品直接排放污染環(huán)境，并實現(xiàn)原料的循環(huán)利用，有效降低了生產(chǎn)成本硅烷流化床法多晶硅生產(chǎn)工藝之一。硅烷流化床法是以四氯化硅、氫氣、氯化氫和工業(yè)硅為原料在流化床內(nèi)（沸騰床）高溫高壓下生成三氯氫硅，將三氯氫硅再進一步歧化加氫反應生成二氯二氫硅，繼而生成硅烷氣。制得的硅烷氣通入加有小顆粒硅粉的流化床反應爐內(nèi)進行連續(xù)熱分解反應，生成粒狀多晶硅產(chǎn)品3、硅片環(huán)節(jié)碳基復合材料以碳纖維為增強體，以碳或碳化硅等為基體，以化學氣相沉積或液相浸漬等工藝形成的復合材料，主要包括碳/碳復合材料產(chǎn)品（碳纖維增強基體碳）、碳/陶復合材料產(chǎn)品（碳纖維增強碳化硅）等碳纖維含碳量在90%以上的高強度高模量纖維，用腈綸、瀝青或粘膠纖維等原料，經(jīng)高溫氧化碳化而成碳纖維預制體（氈體、毛坯）以碳纖維為原材料，通過碳纖維成網(wǎng)、織布、布網(wǎng)復合成型等技術(shù)所形成的坯體碳/碳（C/C）復合材料由碳纖維及其織物增強碳基體所形成的高性能復合材料等靜壓石墨采用等靜壓成型方式生產(chǎn)的石墨材料粉末冶金材料用粉末冶金工藝制得的多孔、半致密或全致密材料（包括制品）CVD、化學氣相沉積指利用氣態(tài)物質(zhì)在高溫下通過化學反應生產(chǎn)固態(tài)物質(zhì)的一種工藝方法，是制備碳基復合材料的一種方法直拉法（CZ法）直拉法又稱為切克勞斯基法，它是1918年由切克勞斯基（Czochralski）建立起來的一種晶體生長方法，簡稱CZ法。CZ法的特點是在一個直筒型的熱系統(tǒng)中，用石墨電阻加熱，將裝在高純度石英坩堝中的多晶硅料熔化，然后將籽晶插入熔體表面進行熔接，同時轉(zhuǎn)動籽晶，再反轉(zhuǎn)坩堝，籽晶緩慢向上提升，經(jīng)過引晶、放肩、轉(zhuǎn)肩、等徑生長、收尾等過程，生長出單晶棒區(qū)熔法（FZ法）垂直懸浮區(qū)熔法，將一段棒狀材料（如半導體材料、金屬等）垂直固定，用高頻感應等方法加熱使其一段區(qū)域熔化，熔體靠表面張力支撐懸浮。豎直移動棒狀材料或加熱器，使熔區(qū)移動，在熔區(qū)移動過的區(qū)域材料冷卻而生成為單晶體。通過區(qū)熔法，可以獲取高純度的單晶單晶硅生長爐在真空狀態(tài)和惰性氣體保護下，通過石墨電阻加熱器將多晶硅原料加熱熔化，然后用直拉法生長單晶的設(shè)備，也稱"單晶生長爐"或"單晶爐"區(qū)熔爐一種高純單晶硅棒生長設(shè)備，用于懸浮區(qū)熔提純與單晶生長，也稱"硅單晶區(qū)熔爐"、"區(qū)熔硅單晶爐"單晶硅棒多晶硅原料熔化后，用直拉法或區(qū)熔法從熔體中生長出的棒狀單晶硅半導體單晶硅滾圓機將半導體硅單晶棒進行外圓、槽口磨削，最終加工出滿足一定尺寸精度和表面粗糙度要求的半導體硅圓棒的全自動一體加工設(shè)備半導體單晶硅截斷機將半導體硅單晶棒進行頭尾截斷、體部截斷、截取樣片，最終截斷出滿足一定尺寸精度和表面粗糙度要求的半導體硅段料的全自動一體加工設(shè)備硅片拋光機使用拋光液通過化學反應和機械作用對硅片表面進行拋光的設(shè)備硅片研磨機使用磨料，對切割后的硅片表面進行機械式研磨的設(shè)備單晶硅棒切磨復合加工一體機將硅單晶棒切除四周邊皮，再將弧面和平面進行磨削，最終加工出滿足一定尺寸精度和表面粗糙度要求的方棒的全自動切磨一體復合加工設(shè)備。晶棒單線截斷機采用金剛線切割的方式對硅單晶棒進行截斷加工，可用于切頭尾，切樣片以及等長批量截斷切割的加工設(shè)備多晶硅鑄錠爐在真空狀態(tài)和惰性氣體保護下，通過石墨電阻加熱器將多晶硅原料加熱熔化，然后在受嚴格控制的溫度場中用定向凝固法生長多晶硅錠的設(shè)備多晶硅錠多晶硅原料熔化后，用定向凝固法生長出的錠狀多晶硅多晶硅塊倒角磨面加工一體機將多晶硅塊四面粗精磨削處理，最終加工出滿足一定尺寸精度和表面粗糙度要求的方棒的全自動倒角磨面一體復合加工設(shè)備多晶硅塊研磨一體機將多晶硅塊的平面進行磨削，對硅塊的4個棱角進行倒角的復合加工設(shè)備硅塊單線截斷機采用金剛線切割技術(shù)進行多晶硅塊去頭尾，同時實現(xiàn)40塊多晶硅塊的全自動加工設(shè)備。金剛線將金剛石顆粒嵌入到鋼線表面的切割線金剛石線切割晶片技術(shù)將金剛石采用粘接和電鍍的方式固定在直拉鋼線上對硅棒進行高速往返切削得到硅片的一種切割技術(shù)硅片由單晶硅棒或多晶硅錠切割形成的方片或八角形片晶硅晶體硅材料，包括多晶硅、單晶硅等單晶硅整塊硅晶體中的硅原子按周期性排列的單晶硅，是用高純度多晶硅為原料，主要通過直拉法和區(qū)熔法取得P型單晶硅在單晶硅生產(chǎn)過程中摻入三價元素（如硼），使之取代硅原子，形成P型單晶硅N型單晶硅在單晶硅生產(chǎn)過程中摻入五價元素（如磷），使之取代硅原子，形成N型單晶硅拋光片對切割研磨后再經(jīng)過拋光獲得的硅片4、電池片環(huán)節(jié)電池、電池片、太陽能電池、太陽能電池片、光伏電池、光伏電池片利用"光生伏特效應"原理將太陽能轉(zhuǎn)化為電能的半導體器件晶硅太陽能電池制作太陽能電池主要是以半導體材料為基礎(chǔ)，其工作原理是利用光電材料吸收光能后發(fā)生光電轉(zhuǎn)換反應，根據(jù)所用材料的不同，分為單晶太陽能電池和多晶太陽能電池。單晶太陽能電池建立在高質(zhì)量單晶硅材料和加工處理工藝基礎(chǔ)上，一般采用表面織構(gòu)化、發(fā)射區(qū)鈍化、分區(qū)摻雜等技術(shù)開發(fā)的一種太陽能電池多晶太陽能電池采用太陽能級多晶硅材料，制造工藝與單晶硅太陽電池類似，目前的光電轉(zhuǎn)換效率和生產(chǎn)成本都略低于單晶太陽能電池電池轉(zhuǎn)換效率太陽能電池的最佳輸出功率與投射到其表面上的太陽輻射功率之比SE技術(shù)SelectiveEmitter技術(shù)，選擇性發(fā)射極技術(shù)，一種提高電池效率的技術(shù)。通過在電極接觸區(qū)域進行高濃度摻雜，光吸收區(qū)域進行低濃度摻雜，從而影響電池的導電特性。電池分重擴區(qū)和輕擴區(qū)，重擴區(qū)用于和金屬電極接觸，輕擴區(qū)通過提升方塊電阻降低表面復合速率。鈍化接觸技術(shù)在電池背面制備一層超薄的可隧穿的氧化層和一層高摻雜的多晶硅薄層，二者共同形成了鈍化接觸結(jié)構(gòu)，為硅片的背面提供了良好的表面鈍化，從而實現(xiàn)背面整面鈍化，且無需開孔接觸，可大幅提升N型電池轉(zhuǎn)換效率，是N型電池重要發(fā)展方向MWTMetalWrapThrough，金屬繞通背接觸電池。一種應用于晶體硅的髙效太陽能電池技術(shù)PVDPhysicalVaporDeposition物理氣相沉積CVDChemicalVaporDeposition化學汽相沉積LPCVDLowPressureChemicalVaporDeposition低壓化學汽相沉積光伏絲網(wǎng)印刷制作太陽能電池工藝段中的一種方法，例如使?jié){料（銀漿、鋁漿等）通過刮刀壓力透過已制好柵線圖形的網(wǎng)膜漏印在已擴散過的硅片上形成上、下電極，加熱后使?jié){料中有機溶劑揮發(fā)，形成太陽能電池電極。EL測試用于檢測太陽能電池組件的缺陷、隱裂、碎片、虛焊、斷柵以及不同轉(zhuǎn)換效率單片電池異?，F(xiàn)象。PL測試電池片PL測試是通過光致發(fā)光無損檢測方式，相對于EL的差別在于非接觸檢測避免對電池片造成損傷，可以更簡單地自動化集成，無需對電池片進行復雜定位，占地面積更小PECVD等離子體增強化學氣相沉積法(PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition),該法是借助微波或射頻等使含有薄膜組成原子的氣體電離，在局部形成等離子體，等離子體化學活性很強，在基片上沉積出所期望的薄膜，從而形成介質(zhì)層、含P型或N型摻雜物的薄層，進而形成PN結(jié)或形成降低表面反射率和提髙硅片表面鈍化效果的薄層，提升電池的光電轉(zhuǎn)換率。PECVD按實現(xiàn)方式不同，分為管式PECVD、板式(線式流程)PECVD和集群式PECVD管式PECVD上下料機用于鍍膜工藝段上下料環(huán)節(jié)的自動化設(shè)備，主要作用是將花籃中的硅片自動轉(zhuǎn)載至石墨舟中，傳送至管式PECVD生產(chǎn)工藝設(shè)備中，完成后將石墨舟中的硅片自動裝卸至花籃并輸出。板式PECVD上下料機用于鍍膜工藝段上下料環(huán)節(jié)的自動化設(shè)備，主要作用是將花籃中的硅片自動轉(zhuǎn)載至石墨框中，傳送至板式PECVD生產(chǎn)工藝設(shè)備中，完成后將石墨框中的硅片自動裝卸至花籃并輸出。擴散自動化上下料機用于擴散工藝段上下料環(huán)節(jié)的自動化設(shè)備，主要作用是將花籃中的硅片自動轉(zhuǎn)載至石英舟，校準定位后自動送至擴散爐內(nèi)進行制結(jié)，制結(jié)完成后將石英舟中的硅片自動轉(zhuǎn)載至花籃并輸出。刻蝕上下料機用于刻蝕工藝段上下料環(huán)節(jié)的自動化設(shè)備，主要作用是將花籃中的硅片自動排放到上料端，在下料端再把制程后的硅片自動轉(zhuǎn)載至花籃并輸出。裝盒機用于槽式制絨工藝裝花籃，主要作用是將堆疊的硅片自動轉(zhuǎn)載至花籃并輸出。BSF一種太陽能電池技術(shù)，即鋁背場電池(AluminiumBackSurfaceField)，為改善太陽能電池的效率，在p-n結(jié)制備完成后，在硅片的背光面沉積一層鋁膜，制備P+層，稱為鋁背場電池。PERC電池PassivatedEmitterandRearContact,鈍化發(fā)射極及背接觸電池，一種高效晶硅太陽能電池結(jié)構(gòu)，針對全鋁背場太陽能電池在背表面的載流子復合較髙的缺點，使用AL203膜或SiNX在背表面構(gòu)成鈍化層,并激光開膜使得鋁背場與硅襯底實現(xiàn)有效的接觸。PERTPassivatedEmitterandRearTotally—DiffusedCell,鈍化發(fā)射極背面全擴散電池，一種髙效晶硅太陽能電池結(jié)構(gòu)。這種電池系在PERC太陽能電池基礎(chǔ)上，為了能夠進一步降低PERC電池背面金半接觸電阻，對背面接觸區(qū)域進行背面全擴散。TOPCONTunnelOxidePassivatedContact,遂穿氧化鈍化電池技術(shù)，是在電池片的背面上覆蓋一層厚度在2nm以下的超薄氧化硅層，再覆蓋一層摻雜的多晶硅或非晶硅層，然后經(jīng)過高溫退火形成高摻雜多晶硅（n+）背接觸的一項光伏電池技術(shù)。該技術(shù)可改善電池表面鈍化又可促進多數(shù)載流子傳輸，進而提升電池的開路電壓和填充因子，進一步提升光電轉(zhuǎn)換效率。HJT電池技術(shù)Hetero-junctionwithintrinsicThinTayer，本征薄膜異質(zhì)結(jié)電池，一種高效晶硅太陽能電池結(jié)構(gòu)，利用晶體硅基板和非晶硅薄膜制成的混合型太陽能電池，即在P型氫化非晶硅和N型氫化非晶硅與N型硅襯底之間增加一層非摻雜（本征）氫化非晶硅薄膜oHJT電池具有工藝溫度低、鈍化效果好、開路電壓高、雙面發(fā)電等優(yōu)點。iBCInterdigitatedBackContact,全背電極接觸晶硅光伏電池，是將太陽能電池的正負兩極金屬接觸均移到電池片背面的技術(shù)HBC交叉指式背接觸異質(zhì)結(jié)太陽電池，正面無電極遮擋，采用a-Si:H作為雙面鈍化層，同時具備IBC電池和SHJ（異質(zhì)結(jié)）電池的優(yōu)勢，能夠取得更高的開路電壓和更高的短路電流，從而達到更高的光電轉(zhuǎn)換效率。疊層電池不同類型疊加結(jié)構(gòu)的太陽能電池。166mm電池采用硅片M6（硅片長度166mm，最大對角線長度223mm）生產(chǎn)的電池，比常規(guī)M2（硅片長度156.75mm，最大對角線長度211mm）的面積大12.21%，因此也稱166大尺寸電池、166大面積電池。182mm電池采用硅片M10（硅片長度182mm）生產(chǎn)的電池210mm電池采用硅片M12（硅片長度210mm，最大對角線長度295mm）生產(chǎn)的電池，比常規(guī)M2（硅片長度156.75mm，最大對角線長度211mm）的面積大80.5%，因此也稱210mm大尺寸電或210mm大面積電池。太陽能電池量產(chǎn)平均轉(zhuǎn)換效率太陽能電池受到光照時的最大輸出功率與照射到電池上的入射光功率的比值，是衡量電池質(zhì)量和技術(shù)水平的重要參數(shù)，轉(zhuǎn)換效率越高，電池片的單片輸出功率越高，單片功率越高的電池可以封裝形成功率越高的光伏組件。太陽能電池研發(fā)最高轉(zhuǎn)換效率研發(fā)實驗中所測試電池的最高平均轉(zhuǎn)換效率。黑硅通過刻蝕技術(shù)，一方面在常規(guī)硅片表面制絨的基礎(chǔ)上形成納米級的小絨面，從而加大陷光的效果，降低反射率，增加對光的吸收；另一方面，通過二次刻蝕來降低表面復合，從而將常規(guī)電池的轉(zhuǎn)換效率絕對值提高薄膜電池通過濺射法、PECVD法、LPCVD法等方法，在玻璃、金屬或其他材料上制成特殊薄膜，經(jīng)過不同的電池工藝過程制得單結(jié)和疊層太陽能電池的一種太陽能電池。5、組件環(huán)節(jié)組件太陽能組件，由若干個太陽能發(fā)電單元通過串并聯(lián)的方式組成。其功能是將功率較小的太陽能發(fā)電單元放大成為可以單獨使用的光電器件，通常功率較大，可以單獨使用為各類蓄電池充電，也可以多片串聯(lián)或并聯(lián)使用，作為離網(wǎng)或并網(wǎng)太陽能供電系統(tǒng)的發(fā)電單元疊瓦組件將相鄰太陽能電池部分區(qū)域重疊、互聯(lián)以消除片間距的一種組件技術(shù)疊瓦疊瓦組件系電池片切分后相互之間通過導電膠粘接交疊密排設(shè)計的先進技術(shù)組件，其獨特的電池片連接技術(shù)取代了傳統(tǒng)技術(shù)中的焊帶，從而增加電池片有效發(fā)電面積雙面組件對入射到正面以及背面的光線都能加以利用，產(chǎn)生光能的組件稱為雙面組件，通常雙面組件的背面功率是正面功率的60%以上雙面雙玻組件采用雙面電池、雙面玻璃制備的組件。超薄雙玻組件由蓋板為W2.0mm的光伏減反玻璃，背板為W2.0mm的超薄鍍膜玻璃,中間復合太陽能電池片組成復合層，電池片之間由導線串、并聯(lián)匯集引線端的整體構(gòu)件，該組件不需要加裝鋁邊框固定。多柵電池組件電池采用多主柵設(shè)計的組件，電池主柵數(shù)量多于5根，比如6主柵，9主柵，12主柵均可稱為多主柵疊加半片技術(shù)在原有的技術(shù)基礎(chǔ)上疊加了電池切半的半片技術(shù)半片疊焊將已經(jīng)切半的相鄰太陽能電池部分區(qū)域重疊、互聯(lián)以消除片間距的一種組件技術(shù)多主柵電池主柵數(shù)量多于5根，比如6主柵，9主柵，12主柵均可稱為多主柵拼片一種新的組件技術(shù)，采用柔性焊帶減少電池的片間距長期光致衰減（LID）長時間光照導致的電池、組件輸出功率的衰減疊片機將單晶硅、多晶硅太陽能電池片使用激光切割技術(shù)按照柵線設(shè)計要求進行劃片，通過印刷方式進行導電膠涂覆，再經(jīng)過裂片機構(gòu)將電池片分裂，最后采用疊瓦方式將分裂的電池條串聯(lián)焊接的全自動化設(shè)備疊瓦焊接機疊瓦焊接機將整片電池片切成合理小片后，每小片之間疊加排布，用柔性導電膠無焊帶互連，大大減小組件線損，減小組件熱斑影響，更充分利用組件面積，大幅提高組件輸出功率6、其它逆變器太陽能光伏發(fā)電系統(tǒng)中的關(guān)鍵設(shè)備之一，其作用是將太陽能電池發(fā)出的直流電轉(zhuǎn)化為符合電網(wǎng)電能質(zhì)量要求的交流電組串式逆變器組串式逆變器是對幾組（一般為1-4組）光伏組串進行單獨的最大功率峰值跟蹤，再經(jīng)過逆變以后并入交流電網(wǎng)，一臺組串式逆變器可以有多個最大功率峰值跟蹤模塊，功率相對較小，主要應用于分布式發(fā)電系統(tǒng)，在集中式光伏發(fā)電系統(tǒng)亦應用EVA膠膜由乙烯-醋酸乙烯酯共聚物通過擠出流涎、壓延等熔融加工方法獲得的膠膜白色EVA用于電池片背面封裝的白色EVA膠膜，增加反射率POE、POE膠膜由聚烯烴彈性體通過擠出流涎、壓延等熔融加工方法獲得的膠膜，廣泛用于光伏組件的封裝KPF型背板采用氟皮膜技術(shù)生產(chǎn)的復合型光伏電池背板，中間為PET基膜，外側(cè)通過膠粘劑與PVDF薄膜復合在一起，內(nèi)側(cè)直接與氟皮膜相粘背膜/背板一種位于太陽能電池組件背面的光伏封裝材料，在戶外環(huán)境下保護太陽能電池組件抵抗光濕熱等環(huán)境影響因素對EVA膠膜、電池片等材料的侵蝕，起耐候絕緣保護作用。由于其位于光伏組件背面的最外層，直接與外部環(huán)境大面積接觸，需具備優(yōu)異的耐高低溫、耐紫外輻照、耐環(huán)境老化和水汽阻隔、電氣絕緣等性能，以滿足太陽能電池組件25年的使用壽命光伏導電銀漿、導電銀漿晶體硅太陽能電池電極用銀漿料，是制備太陽能電池金屬電極的關(guān)鍵材料光伏支架光伏發(fā)電系統(tǒng)中用來安裝、支撐、固定光伏組件的特殊功能支架，包括跟蹤支架和固定支架跟蹤支架、跟蹤系統(tǒng)、跟蹤器通過機械、電氣、電子電路及程序的聯(lián)合作用，實時調(diào)整太陽能組件平面相對入射太陽光的空間角度以增加太陽光投射到太陽能組件上的輻照量而提高發(fā)電量的設(shè)備BIPVBuildingIntegratedPhotostatic，即光伏建筑一體化，與建筑物同時設(shè)計、同時施工、同時安裝并與建筑物形成完美結(jié)合的光伏發(fā)電系統(tǒng)，既發(fā)揮建筑材料的功能（如遮風、擋雨、隔熱等），又發(fā)揮發(fā)電的功能，使建筑物成為綠色建筑逆跟蹤支架運行方向與太陽運行方向逆向的一種跟蹤算法。非跟蹤太陽最佳輻射角，旨在當太陽高度角比較低時避免太陽能電池板的遮擋問題耐候性材料對如光照、冷熱、風雨、細菌等造成的綜合破壞的耐受能力漁光互補漁業(yè)養(yǎng)殖與光伏發(fā)電相結(jié)合，在魚塘上方架設(shè)光伏板陣列，光伏板下方水域可