電子化學品行業(yè)市場前景及投資研究報告：CMP拋光材料自主可控

電子化學品系列報告之三：CMP拋光材料自主可控不斷提升核心邏輯CMP材料空間廣闊?

晶圓廠擴產(chǎn)疊加新興AI帶動高性能芯片需求，另外先進制程要求拋光步驟次數(shù)增加，半導體材料市場規(guī)模不斷上升，CMP材料空間廣闊。政策扶持+產(chǎn)業(yè)鏈轉(zhuǎn)移+技術(shù)發(fā)展，不斷提升自主可控?

產(chǎn)業(yè)鏈轉(zhuǎn)移：半導體產(chǎn)業(yè)鏈經(jīng)歷了美國誕生、日本壟斷兩大階段，現(xiàn)今伴隨著5G、AI行業(yè)快速發(fā)展與國內(nèi)政策大力扶持，中國有望承接來自日本、韓國的半導體產(chǎn)業(yè)鏈。?

政策博弈：面對美日荷對半導體設(shè)備出口，設(shè)備和材料自主可控愈發(fā)迫切，將進一步推動晶圓廠和國產(chǎn)設(shè)備材料合作，加速。近年來，我國先后發(fā)布了《國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進綱要》《“十四五”數(shù)字經(jīng)濟發(fā)展規(guī)劃》等文件，從產(chǎn)業(yè)規(guī)劃、財稅支持等多個方面為集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展提供了大量政策支持。?

技術(shù)發(fā)展：當前拋光墊市場杜邦公司一家獨大，拋光液市場美企Cabot市占率高達33%，海外巨頭公司占據(jù)先發(fā)優(yōu)勢，技術(shù)封鎖持續(xù)推進，中國企業(yè)逆水行舟，截至2022年，中國大陸成為全球CMP拋光液行業(yè)專利數(shù)量最多的地區(qū)。中國拋光材料企業(yè)積極布局?

鼎龍股份：公司是國內(nèi)唯一一家全制程拋光墊供應(yīng)商，現(xiàn)有武漢本部30萬片拋光墊產(chǎn)能，潛江三期項目建成投產(chǎn)，再補充20萬片拋光墊新品的生產(chǎn)能力，將于2023年下半年逐步放量。仙桃基地預(yù)計2023年9月份建成，拋光液產(chǎn)能有望進一步提升。截至2022年年末，公司擁有已獲得授權(quán)的專利784項，并為后續(xù)海外產(chǎn)品推廣做好專利預(yù)警工作。?

安集科技：公司深耕拋光液研發(fā)，多位核心技術(shù)人員出身行業(yè)龍頭Cabot，近7年公司研發(fā)費用率保持在15%以上。公司擬定增募資不超過2.4億元，用于寧波安集化學機械拋光液建設(shè)項目、安集科技上海金橋生產(chǎn)線自動化項目、安集科技上海金橋生產(chǎn)基地分析檢測能力提升項目及補充流動資金，項目預(yù)計2023年7月建成，新增1.5萬噸化學機械拋光液生產(chǎn)能力。風險提示：半導體行業(yè)景氣不及預(yù)期；行業(yè)競爭加?。恍庐a(chǎn)品研發(fā)不及預(yù)期；不及預(yù)期；下游需求不及預(yù)期等。請務(wù)必閱讀正文后的重要聲明2ⅠCMP廣泛應(yīng)用于硅片、芯片制造與封裝工藝…………3Ⅱ

CMP材料市場規(guī)模持續(xù)增長，空間廣闊……12Ⅲ美日企業(yè)壟斷格局下，中國企業(yè)突出重圍…………21Ⅳ

國內(nèi)企業(yè)積極布局拋光材料…………29Ⅴ

風險提示………………45請務(wù)必閱讀正文后的重要聲明3CMP技術(shù)是集成電路發(fā)展的先決條件?

CMP又稱化學機械平坦技術(shù)，是使用化學腐蝕及機械力對加工過程中的硅晶圓或其它襯底材料進行平坦化處理。CMP設(shè)備包括拋光、清洗、傳送三大模塊，其作業(yè)過程中，拋光頭將晶圓待拋光面壓抵在粗糙的拋光墊上，借助拋光液腐蝕、微粒摩擦、拋光墊摩擦等耦合實現(xiàn)全局平坦化。目前的集成電路元件普遍采用多層立體布線，因此集成電路制造的前道工藝環(huán)節(jié)要進行多次循環(huán)。在此過程中，CMP技術(shù)是集成電路（芯片）制造過程中實現(xiàn)晶圓表面平坦化的關(guān)鍵工藝，是集成電路制造中推進制程技術(shù)節(jié)點升級的重要環(huán)節(jié)。圖表1：CMP拋光模塊與作業(yè)示意圖圖表2：CMP平坦化效果圖（CMOS結(jié)構(gòu)剖面圖）資料：華海清科招股說明書，太平洋證券研究院資料：華海清科招股說明書，太平洋證券研究院請務(wù)必閱讀正文后的重要聲明4CMP廣泛應(yīng)用于硅片、芯片制造與封裝工藝?

晶圓制造主要包括7大流程，分別是擴散、光刻、刻蝕、離子注入、薄膜生長、化學機械拋光（CMP）、金屬化，其中CMP技術(shù)是晶圓制造的必須流程之一，對高精度、高性能晶圓制造至關(guān)重要。集成電路產(chǎn)業(yè)鏈可分為硅片制造、集成電路設(shè)計、集成電路制造、封裝測試等四大領(lǐng)域，除集成電路設(shè)計領(lǐng)域外，其他三大領(lǐng)域均有CMP的應(yīng)用場景。圖表3：CMP廣泛應(yīng)用于硅片、芯片制造與前端封裝工藝硅片制造工藝成型先進封裝工藝制作通孔絕緣層/阻擋層淀積金屬填充背面減薄拉晶硅錠加工拋光清洗CMP鍵合硅錠去頭徑向滾圓定位邊/槽研磨多晶硅熔化接入籽晶旋轉(zhuǎn)拉晶單晶硅錠切片雙面拋光邊緣拋光最終拋光清洗及檢測建立互聯(lián)通道隔斷填充金屬與硅本地通道實現(xiàn)疊層垂直互聯(lián)鍵合表面平坦化晶圓厚度減薄晶圓對準鍵合雙面研磨倒角蝕刻硅錠研磨芯片制造前道工藝光刻薄膜淀積CMP刻蝕離子注入CVD設(shè)備PVD設(shè)備RTP設(shè)備ALD設(shè)備氣相外延爐CMP設(shè)備刷片機涂膠/顯影光刻機等離子體刻蝕等離子去膠機濕法刻蝕設(shè)備等離子去膠機離子注入機資料：華海清科招股說明書，太平洋證券研究院請務(wù)必閱讀正文后的重要聲明5集成電路發(fā)展日新月異，拋光液、拋光墊市場應(yīng)用廣泛?

集成電路作為全球信息產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)與核心，廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備（如智能手機、電視機、計算機等）、通訊、軍事等領(lǐng)域，對經(jīng)濟建設(shè)、社會發(fā)展和國家安全具有重要戰(zhàn)略意義和核心關(guān)鍵作用，是衡量一個國家或地區(qū)現(xiàn)代化程度和綜合實力的重要標志。?

CMP中核心材料為拋光液與拋光墊，上游為研磨顆粒、添加劑、聚氨酯、無紡布等，下游則為晶圓制造廠。隨著新技術(shù)發(fā)展和應(yīng)用領(lǐng)域不斷拓展，全球集成電路行業(yè)市場規(guī)模增長迅猛，帶動晶圓制造需求提升，拋光墊與拋光液市場空間逐漸打開。圖表4：CMP產(chǎn)業(yè)鏈上游原材料CMP材料中游制造下游產(chǎn)品聚氨酯無紡布計算機通訊拋光墊拋光液CMP設(shè)備研磨顆粒表面活性劑穩(wěn)定劑晶圓制造芯片汽車電子工控醫(yī)療氧化劑資料：華經(jīng)情報網(wǎng)，太平洋證券研究院請務(wù)必閱讀正文后的重要聲明6拋光墊與拋光液占比超過八成?

CMP材料根據(jù)功能的不同，主要分為拋光液、拋光墊、拋光后清洗液、調(diào)節(jié)劑等。拋光墊主要作用是儲存和運輸拋光液、去除磨屑和維持穩(wěn)定的拋光環(huán)境等。拋光液在化學機械拋光過程中可使晶圓表面產(chǎn)生一層氧化膜，再由拋光液中的磨粒去除，達到拋光的目的。清洗液主要用于去除殘留在晶圓表面的微塵顆粒、有機物、無機物、金屬離子、氧化物等雜質(zhì)。?

根據(jù)CMP細分拋光材料市場份額，拋光液占比達49%，拋光墊占比33%，合計超過80%。圖表5：CMP細分拋光材料市場份額圖表6：CMP材料介紹拋光液拋光墊調(diào)節(jié)劑清洗劑其他名稱介紹4%CMP拋光墊是CMP環(huán)節(jié)的核心耗材之一，主要作用是儲存和運輸拋光液、去除磨屑和維持穩(wěn)定的拋光環(huán)境等。5%CMP拋光墊9%CMP拋光液是研磨材料和化學添加劑的混合物，在化學機械拋光過程中可使晶圓表面產(chǎn)生一層氧化膜，再由拋光液中的磨粒去除，達到拋光的目的。CMP拋光液CMP清洗液49%清洗液主要用于去除殘留在晶圓表面的微塵顆粒、有機物、無機物、金屬離子、氧化物等雜質(zhì)，滿足集成電路制造對清潔度的極高要求，對晶圓生產(chǎn)的良率起到了重要的作用。33%資料：華經(jīng)產(chǎn)業(yè)研究院，太平洋證券研究院資料：鼎龍股份2022年年報，太平洋證券研究院請務(wù)必閱讀正文后的重要聲明7拋光液工藝復(fù)雜，種類繁多?

拋光液是一種由去離子水、磨料、PH值調(diào)節(jié)劑、氧化劑以及分散劑等添加劑組成的水溶性試劑。在拋光的過程中，拋光液中的氧化劑等成分與硅片表面材料產(chǎn)生化學反應(yīng)，在表面產(chǎn)生一層化學反應(yīng)薄膜，后由拋光液中的磨粒在壓力和摩擦的作用下將其去除，最終實現(xiàn)拋光。圖表7：CMP拋光液的主要成分拋光液主要項目磨料簡介磨料的作用是將工件表面因氧化劑腐蝕而生成的質(zhì)軟薄膜去除。磨料的類型、粒徑和硬度對CMP工藝的影響較大，磨粒的粒徑過大容易增加工件表面的損傷程度，粒徑過小則會導致材料去除率過低；磨料過硬，工件表面就容易被刮傷，但是磨料硬度太小,則材料去除率較低。PH調(diào)節(jié)劑的作用是調(diào)節(jié)拋光液的酸堿度，使得拋光液的酸堿度適合于工件表面化學反應(yīng)的發(fā)生。拋光液按照酸堿度的不同一般可分為堿性和酸性兩種：酸性拋光液常用于金屬材料的拋光，酸性的拋光液有較強的溶解性，容易挑選到合適的氧化劑，并且拋光效率較高，其缺點是會對拋光設(shè)備造成腐蝕，要求設(shè)備有較高的抗腐蝕能力，而且它的選擇性較差，但是可以通過加入抑制劑等添加劑來提高其選擇性；堿性拋光液可用于拋光非金屬材料，堿性拋光液的優(yōu)點是腐蝕性較弱，選擇性較高，其缺點是難于挑選出氧化性強的氧化劑，因而難于保證較高的拋光效率。PH調(diào)節(jié)劑氧化劑的作用是與工件發(fā)生氧化反應(yīng),在工件的表面形成一層柔軟而容易去除的物質(zhì),再依靠磨粒及拋光墊的摩擦將柔軟物質(zhì)去掉,獲得高質(zhì)量的表面。氧化劑抑制劑抑制劑的作用是控制化學作用使工件局部侵蝕且溶解均勻，來提高工件拋光表面凹凸選擇性，并且還可以減緩拋光液對拋光設(shè)備的腐蝕。添加表面活性劑的目的是使磨粒能夠均勻地、穩(wěn)定地懸浮于拋光液中。添加拋光液時，即使對拋光液進行過濾處理，去除其中的大顆粒，也并不能保證磨粒不損壞工件表面，因為磨料也可能在拋光過程中產(chǎn)生聚集。所以有必要在拋光液中添加表面活性劑，提高磨粒的分散性和穩(wěn)定性，避免產(chǎn)生團聚，表面活性劑還能起到潤濕、乳化等作用。表面活性劑資料：華經(jīng)產(chǎn)業(yè)研究院，太平洋證券研究院請務(wù)必閱讀正文后的重要聲明8拋光液工藝復(fù)雜，種類繁多?

拋光液種類繁多，根據(jù)應(yīng)用的不同工藝環(huán)節(jié)，可以將拋光液分為硅拋光液、銅及銅阻擋層拋光液、鎢拋光液、介質(zhì)層拋光液、淺槽隔離（STI）拋光液以及用于先進封裝的硅通孔（TSV）拋光液等。圖表8：CMP拋光液種類繁多產(chǎn)品用途應(yīng)用領(lǐng)域特點廣泛應(yīng)用于130nm及以下技術(shù)節(jié)點邏輯芯片的制造工藝，在存儲芯片制造過程中也有一定的使用在邏輯芯片130-14nm技術(shù)節(jié)點以及3DNAND和DRAM芯片上量產(chǎn)使用銅化學機械拋光液高的銅去除速率，碟型凹陷可調(diào)，低缺陷有優(yōu)異的抗銅腐蝕的能力，可調(diào)的介電材料包括低介電材料和超低介電材料去除速率的能力，拋光后晶圓表面平坦，缺陷少用于集成電路銅互連工藝制程中阻擋層的

在邏輯芯片130-14nm技術(shù)節(jié)點以及阻擋層化學機械拋光液去除和平坦化3DNAND和DRAM芯片上量產(chǎn)使用大量用于存儲芯片制造工藝，在邏輯芯片中僅用于部分工藝段。用于集成電路制造工藝中鎢塞和鎢通孔的平坦化。產(chǎn)品在邏輯芯片、3DNAND和DRAM芯片上

有可調(diào)的鎢去除速率及鎢對介電材料的選擇量產(chǎn)使用

比鎢化學機械拋光液用于集成電路制造工藝中層間電介質(zhì)和金

用于集成電路制造工藝中層間電介質(zhì)和

高去除速率，高平坦化效率、低缺陷和低成本介質(zhì)層化學機械拋光液屬問電介質(zhì)的去除和平坦化金屬電介質(zhì)的去除和平坦化高選擇比硅粗拋系列產(chǎn)品具有高稀釋比，高硅去除速率，高硅對氧化物/氮化物的選擇比。硅精拋液系列具有低缺陷的優(yōu)點。BSI拋光液系列具有理想的硅和二氧化硅去除速率和選擇比。用于單晶硅/多品硅的地光，可用于硅片回收、存儲器工藝和背照式傳感器(BS)工藝用于單晶硅/多晶硅的拋光，主要用于硅晶圓初步加工硅化學機械拋光液淺槽隔離（STI）化學機械拋光液用于集成電路制造工藝中淺槽隔離的拋

采用氧化鈰研磨顆粒，具有高選擇比，高平光

坦化效率，低缺陷率用于集成電路制造工藝中淺槽隔離的拋光用于3D封裝硅通孔（TSV）化

用于TSV工藝的高去除速率的化學機棫拋學機械拋光液

光液系列用于硅對孔的拋光高去除速率、選擇比可調(diào)資料：華經(jīng)產(chǎn)業(yè)研究院，太平洋證券研究院請務(wù)必閱讀正文后的重要聲明9拋光墊通常由聚氨酯制成，屬于易消耗品?

拋光墊一般是由聚氨酯做成，表面包括一定密度的微凸峰與微孔，不僅可以去除硅片表面材料，而且還起到存儲和運輸拋光液、排除拋光過程產(chǎn)物的作用。?

拋光墊具有類似海綿的機械特性和多孔特性，表面有特殊的溝槽，屬于消耗品，其壽命通常只有45-75小時，需要定時整修和更換。拋光墊按材質(zhì)結(jié)構(gòu)可分為：聚合物拋光墊、無紡布拋光墊、帶絨毛結(jié)構(gòu)的無紡布拋光墊、復(fù)合型拋光墊。圖表9：CMP拋光墊的主要種類拋光墊種類簡介聚合物拋光墊的主要成分是發(fā)泡體固化聚氨酯，聚氨酯拋光墊具有抗撕裂強度高、耐磨性強、耐酸堿腐蝕性優(yōu)異的特點，是最常用的拋光墊材料之一。在拋光過程中，聚氨酯拋光墊表面微孔可以軟化和使拋光墊表面粗糙化，并且能夠?qū)⒛チ项w粒保持在拋光液中，可以實現(xiàn)高效的平坦化加工。聚氨酯拋光墊表面的溝槽有利于拋光殘渣的排出。但聚氨酯拋光墊硬度過高，拋光過程中變形小，加工過程中容易劃傷芯片表面。粗拋選用發(fā)泡固化聚氨酯拋光墊。聚合物拋光墊無紡布又稱不織布，由定向的或隨機的纖維構(gòu)成，微觀組織對拋光墊性能產(chǎn)生重要影響。無紡布拋光墊的原材料聚合物棉絮類纖維滲水性能好，容納拋光液的能力強，但是其硬度較低、對材料去除率低，因此會降低拋光片平坦化效率，常用在細拋工藝中。無紡布拋光墊帶絨毛結(jié)構(gòu)的無紡布拋光墊是以無紡布為基體，中間一層為聚合物，表層結(jié)構(gòu)為多孔的絨毛結(jié)構(gòu)，絨毛的長短和均勻性影響拋光效果。當拋光墊受壓時，拋光液進入空洞中，壓力釋放時恢復(fù)原來的形狀，將舊的拋光液和反應(yīng)物排出，并補充新的拋光液。帶絨毛結(jié)構(gòu)的無紡布拋光墊硬度小、壓縮比大、彈性好，在精拋工序中常被采用。帶絨毛結(jié)構(gòu)的無紡布拋光墊復(fù)合型拋光墊采用"上硬下軟"的上下兩層復(fù)合結(jié)構(gòu)，兼顧平坦度和非均勻性要求。復(fù)合型拋光墊含有雙重微孔結(jié)構(gòu)，將目前拋光墊的回彈率大幅降低，減少了拋光墊的凹陷和提高了均勻性，解決了因拋光墊使用過程中易釉化的問題。復(fù)合型拋光墊資料：華經(jīng)產(chǎn)業(yè)研究院，太平洋證券研究院請務(wù)必閱讀正文后的重要聲明10拋光墊通常由聚氨酯制成，屬于易消耗品?

拋光墊主要使拋光液有效均勻分布至整個加工區(qū)域，并可提供新補充的拋光液進行一個拋光液循環(huán)。拋光墊必須對拋光液具有良好的保持性，在加工時可以涵養(yǎng)足夠的拋光液，使CMP中的機械和化學反應(yīng)充分作用。為了保持拋光過程的穩(wěn)定性、均勻性和可重復(fù)性，拋光墊材料的物理性質(zhì)、化學性質(zhì)以及表面形貌等特性，都需要保持穩(wěn)定。圖表10：CMP拋光墊產(chǎn)品圖片圖表11：拋光墊質(zhì)量衡量標準標準基本信息越硬的拋光墊就能允許越高的移除速率和較佳的晶粒內(nèi)均勻性，然而越軟的襯墊卻能允許有較好的晶圓內(nèi)均勻性。高硬度襯墊較易導致晶圓刮傷。襯墊的硬度可以通過改變化學成分或多孔結(jié)構(gòu)控制。硬度拋光墊內(nèi)的多孔細胞吸收研磨漿并將研磨漿轉(zhuǎn)送到晶圓多孔性

表面。有助于拋光液的吸附與流動，也提高了拋光墊的硬度和拋光效率。填充材料可以加到聚合物中以改進機械性質(zhì)，并調(diào)整拋光墊性質(zhì)來符合特殊工藝需求。填充性拋光墊的表面粗糙度會決定有序狀態(tài)的范圍。較平滑的表面形

研磨襯墊表面會有較短的有序態(tài)范圍，這表示有較差的態(tài)結(jié)構(gòu)

形貌選擇性和較少的平坦化研磨效應(yīng)。較粗糙的襯墊表面會有較長的有序態(tài)范圍和較好的平坦化研磨結(jié)果。資料：杜邦官網(wǎng)，太平洋證券研究院資料：《半導體制造技術(shù)導論》，太平洋證券研究院請務(wù)必閱讀正文后的重要聲明11ⅠCMP廣泛應(yīng)用于硅片、芯片制造與封裝工藝…………5Ⅱ

CMP材料市場規(guī)模持續(xù)增長，空間廣闊……12Ⅲ美日企業(yè)壟斷格局下，中國企業(yè)突出重圍…………21Ⅳ

國內(nèi)企業(yè)積極布局拋光材料…………29Ⅴ

風險提示………………45請務(wù)必閱讀正文后的重要聲明12中國晶圓制造規(guī)模增速快于全球?

晶圓代工行業(yè)源于半導體產(chǎn)業(yè)鏈的專業(yè)化分工，主要負責晶圓制造，屬于技術(shù)、資本與人才密集型行業(yè)，需要大量的資本支出和人才投入，具有較高的進入壁壘。根據(jù)IC

Insights的統(tǒng)計，2016-2021年全球晶圓制造市場規(guī)模由652億美元提升至1101億美元，CAGR為11.05%，同期中國晶圓制造市場規(guī)模約由49.05億美元提升至115.65億美元，行業(yè)增速高于全球，達到15.36%。?

據(jù)IDC及芯思想研究院統(tǒng)計，截至2021年，我國6英寸及以下晶圓制造線裝機產(chǎn)能約420萬片等效6英寸晶圓產(chǎn)能，8英寸、12英寸晶圓制造廠裝機產(chǎn)能分別為125萬片/月、131萬片/月，預(yù)計到2024年8英寸、12英寸將達到187與273萬片/月，年均復(fù)合增速分別為14.37%、27.73%。圖表13：中國晶圓制造廠裝機情況圖表12：中國晶圓制造市場規(guī)模增速快于全球全球晶圓制造市場規(guī)模中國晶圓制造市場規(guī)模（億美元）萬片/月8006英寸8英寸12英寸1,40070060050040030020010001,2001,0008006004002000131125273187103117906090100420380292.42024E23020020182019202020212016201720182019202020212022E資料：IC

insights，太平洋證券研究院資料：南大光電公司公告，太平洋證券研究院請務(wù)必閱讀正文后的重要聲明13受益于技術(shù)進步與下游需求拉動，國內(nèi)外半導體材料市場規(guī)模波動上升?

從半導體材料市場構(gòu)成來看，2022年CMP拋光材料占比達到7.2%。受益于5G、人工智能、消費電子、汽車電子等領(lǐng)域的需求拉動，全球半導體材料市場規(guī)模呈現(xiàn)波動向上的態(tài)勢。2016-2022年半導體材料的市場規(guī)模由428.2億美元提升至698億美元，CAGR為8.48%，根據(jù)SEMI預(yù)測，2023年全球半導體材料市場規(guī)模預(yù)計突破700億美元，同比提升0.29%。?

伴隨著國內(nèi)半導體材料廠商技術(shù)水平和研發(fā)能力的提升，中國半導體材料市場規(guī)模提升速度高于全球。2017-2022年國內(nèi)半導體材料市場規(guī)模由524.5億元提升至914.4億元，CAGR達到11.76%，根據(jù)SEMI預(yù)測，2023年市場規(guī)模預(yù)計為1024.3億元，同比提升12.02%。圖表14：2022年半導體材料市場構(gòu)成圖表15：全球半導體材料市場規(guī)模持續(xù)提升圖表16：中國半導體材料市場規(guī)模提升速度高于全球硅片氣體（億美元）800（億元）1,200中國半導體材料市場規(guī)模同比增長（右軸）全球半導體材料市場規(guī)模同比增長（右軸）光掩模光刻膠輔助材料CMP拋光材料濺射靶材20%15%10%5%25%20%15%10%5%濕電子化學品光刻膠13%70060050040030020010001,0008006004002000其他3%33%6%7%4%0%0%7%-5%14%2017

2018

2019

2020

2021

2022

2023E2016

2017

2018

2019

2020

2021

2022

2023E13%資料：研究院，太平洋證券研究院資料：SEMI，太平洋證券研究院資料：SEMI，太平洋證券研究院請務(wù)必閱讀正文后的重要聲明14人工智能高速發(fā)展，帶動高性能芯片需求?

人工智能高速發(fā)展對算力提出高要求，以

ChatGPT

為例，模型參數(shù)量從一代的1.17億個躍升至三代的1750億個，增長約1496倍，對算力需求幾何式增長。當前云端是AI算力的中心，AI芯片需求爆發(fā)式增長。未來隨著技術(shù)成熟，AI芯片的應(yīng)用場景除了在云端及大數(shù)據(jù)中心，也會隨著算力逐漸向邊緣端移動，帶動

AI芯片需求持續(xù)增長。Al芯片主要分為

GPU、FPGA、ASIC三大類，其中

GPU

占據(jù)主導地位。?

中國

AI芯片廠商正在奮起直追，尤其是在

ASIC（專用集成電路）路線上加大投入。目前，國內(nèi)已經(jīng)涌現(xiàn)出寒武紀、昇騰、海光信息、燧原科技等優(yōu)秀

AI芯片廠商，AI算力性能顯著提升，未來有望實現(xiàn)超預(yù)期發(fā)展。新興AI帶動高性能芯片需求，將進一步促進半導體材料增長。圖表17：國內(nèi)AI芯片市場結(jié)構(gòu)（2021年）圖表18：中國AI芯片市場規(guī)模及預(yù)測GPU

NPU

ASIC

FPGAASIC,1%NPU,9.60%FPGA,0.40%（億元）中國人工智能芯片市場規(guī)模同比增長（右軸）1,4001,2001,000800140%120%100%80%60%40%20%0%60040020002020202120222023E

2024E

2025E

2026EGPU,89.00%資料：IDC，太平洋證券研究院資料：，太平洋證券研究院請務(wù)必閱讀正文后的重要聲明15集成電路發(fā)展延續(xù)摩爾定律，CMP拋光步驟需求增加?

CMP技術(shù)是目前唯一能兼顧表面全局和局部平坦化的拋光技術(shù)，伴隨著集成電路線寬變小、層數(shù)增多以及摩爾定律的延續(xù)，對CMP的技術(shù)提出了更高的要求，同時CMP設(shè)備的使用頻率也逐漸提高。?

制程節(jié)點發(fā)展至7nm以下時，芯片制造過程中CMP的應(yīng)用在最初的氧化硅CMP和鎢CMP基礎(chǔ)上新增了包含氮化硅CMP、鰭式多晶硅CMP、鎢金屬柵極CMP等先進CMP技術(shù)，所需的拋光步驟也增加至30余步，大幅刺激了集成電路制造商對CMP設(shè)備的采購和升級需求。存儲芯片由2DNAND向3DNAND技術(shù)變革，也帶動了CMP拋光步驟翻倍式的提升。圖表19：9-11層金屬結(jié)構(gòu)CuCMP的示意圖圖表20：CMP拋光步驟隨邏輯芯片與存儲芯片技術(shù)進步而增加資料：華海清科招股說明書，太平洋證券研究院資料：安集科技招股說明書，太平洋證券研究院請務(wù)必閱讀正文后的重要聲明16自主可控愈發(fā)迫切，國家發(fā)布相關(guān)政策大力支持?

面對美日荷對半導體設(shè)備出口，設(shè)備和材料自主可控愈發(fā)迫切，將進一步推動晶圓廠和國產(chǎn)設(shè)備材料合作，加速。近年來，我國先后發(fā)布了《國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進綱要》《“十四五”數(shù)字經(jīng)濟發(fā)展規(guī)劃》等文件，從產(chǎn)業(yè)規(guī)劃、財稅支持等多個方面為集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展提供了大量政策支持。圖表21：“十四五”期間各省市出臺半導體發(fā)展目標北京：力爭到2025年集成電路產(chǎn)業(yè)實現(xiàn)營收3000億元。遼寧：做大做強集成電路產(chǎn)業(yè)，推動集成電路全產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展。山西：積極引進芯片設(shè)計、封裝和應(yīng)用企業(yè)、打造國際有影響力的第二代及第三代半導體全產(chǎn)業(yè)鏈產(chǎn)業(yè)基地。山東：打造集成電路產(chǎn)業(yè)集群，重點發(fā)展集成電路設(shè)計、晶圓制造、半導體硅片、IC卡芯片等領(lǐng)域，到2022年形成較完整的產(chǎn)業(yè)鏈。寧夏：加快推動數(shù)字產(chǎn)業(yè)化，打造西部電子信息產(chǎn)業(yè)高地。江蘇：全面增強芯片等中間品創(chuàng)新能力，瞄準高端裝備制造、集成電路等重點領(lǐng)域，力爭形成一批具有自主知識產(chǎn)權(quán)的原創(chuàng)性標志性技術(shù)成果。四川：加速吸引國內(nèi)外2-3家全國前十的集成電路設(shè)計龍頭企業(yè)落戶，積極引導和推動省內(nèi)企業(yè)兼并重組，形成5-10家競爭力強，國內(nèi)前列的集成電路設(shè)計企業(yè)。上海：到2025年，推動骨干企業(yè)芯片設(shè)計能力進入3納米及以下，加快形成更具全球競爭力的產(chǎn)業(yè)體系，力爭到2025年形成4000億級規(guī)模。浙江：到2025年，浙江省十大標志性產(chǎn)業(yè)鏈之一的集成電路產(chǎn)業(yè)鏈要突破第三代半導體芯片、專用設(shè)計軟件（電子設(shè)計自動化工具等）、專用設(shè)備和材料等技術(shù)。云南：進一步優(yōu)化集成電路產(chǎn)業(yè)和軟件設(shè)計產(chǎn)業(yè)發(fā)展環(huán)境，深化產(chǎn)業(yè)國際合作，提高產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新能力和發(fā)展質(zhì)量。江西：加快打造集成電路產(chǎn)業(yè)集聚區(qū)，精準引進集成電路先進工藝生產(chǎn)線及行業(yè)龍頭企業(yè)，提升本地芯片設(shè)計和封測等能力。湖南：形成以設(shè)計業(yè)為龍頭的發(fā)展格局，成為全國的功率器件中心、第三代半導體重要基地、集成電路設(shè)計和裝備特色集聚區(qū)。廣東：到2025年，新一代電子信息產(chǎn)業(yè)營收達到6.6萬億元，形成世界級新一代電子信息產(chǎn)業(yè)集群，半導體及集成電路產(chǎn)業(yè)營收突破4000億元，打造我國集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展第三級。資料：各省官網(wǎng)，前瞻產(chǎn)業(yè)研究，太平洋證券研究院請務(wù)必閱讀正文后的重要聲明17政策扶持+產(chǎn)業(yè)鏈轉(zhuǎn)移+技術(shù)發(fā)展，半導體正當時?

縱觀半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展史，1950s貝爾實驗室嘗試開發(fā)首塊集成電路，半導體光刻膠由此誕生，此后根據(jù)摩爾定律，集成電路上可容納的晶體管數(shù)目每隔兩年便會增加一倍，光刻膠產(chǎn)業(yè)不斷推進。在新興終端市場需求配合國家政策扶持下，半導體產(chǎn)業(yè)鏈經(jīng)歷了美國誕生、日本壟斷兩大階段，現(xiàn)今伴隨著5G、AI行業(yè)快速發(fā)展與國內(nèi)政策大力扶持，中國有望承接來自日本、韓國的半導體產(chǎn)業(yè)鏈，有望提升。圖表22：中國有望承接光刻膠產(chǎn)業(yè)鏈轉(zhuǎn)移1950年-1980年1980-2010年2010年-至今（4）1980年，尼康推出了自己的首臺步進式光刻機，1985年尼康正式超過GCA成為當時業(yè)界第一大光刻機供應(yīng)商；（1）1954年，美國柯達公司合成了第一種感光聚合物－聚乙烯醇肉桂酸酯，是最先應(yīng)用在電子工業(yè)上的光刻膠；（7）2016年，日本JSR在中國建設(shè)248nm光刻膠產(chǎn)線；光刻膠行業(yè)發(fā)展（5）1990年，東京應(yīng)化開發(fā)出以KrF準分子激光為曝光源的248nm光刻膠，于1995年實現(xiàn)大規(guī)模商業(yè)化；（2）1958年，柯達公司又開發(fā)出了環(huán)化橡膠－雙疊氮系光刻膠；（8）2020年至今，中國企業(yè)陸續(xù)研發(fā)成功KrF、ArF、ArFi高端光刻膠（3）1980年，IBM突破KrF光刻技術(shù)，之后15年IBM領(lǐng)導并壟斷了KrF光刻膠。（6）2011年，JSR與SEMATECH聯(lián)合開發(fā)出EUV光刻膠，日本光刻膠壟斷地位鞏固。起源于美國，柯達KTFR光刻膠為光刻膠工業(yè)的開創(chuàng)者。1950s貝爾實驗室嘗試開發(fā)首塊集成電路，半導體光刻膠由此誕生，并成為六七十年代半導體工業(yè)的主力體系。日本后來居上，在日本通信產(chǎn)業(yè)省的VLSI項目下，尼康和佳能開始了各自的光刻機研發(fā)任務(wù)，到1980年，尼康推出了自己的首臺步進式光刻機。自此，光刻膠企業(yè)逐漸涌現(xiàn)，占據(jù)行業(yè)壟斷地位伴隨5G、AI行業(yè)快速發(fā)展，中國有望承接來自日本、韓國的半導體產(chǎn)業(yè)鏈資料：華經(jīng)產(chǎn)業(yè)研究院，太平洋證券研究院請務(wù)必閱讀正文后的重要聲明18全球拋光墊市場規(guī)模持續(xù)增長?

受益于3D

NAND以及先進制程工藝的快速發(fā)展，CMP材料需求量大幅提升。?

全球拋光墊市場規(guī)模由2016年的6.5億美元提升至2021年的11.3億美元，2021年同比提升10.78%，CARG為11.69%，同期中國拋光墊市場規(guī)模也在持續(xù)增長，2016-2021年市場規(guī)模由8.1億元提升至13.1億元，復(fù)合增速與全球基本保持一致，CAGR為10.09%。圖表23：全球CMP拋光墊市場規(guī)模圖表24：中國CMP拋光墊市場規(guī)模（億美元）（億元）12108全球拋光墊市場規(guī)模同比增長（右軸）50%40%30%20%10%0%141210830%25%20%15%10%5%中國拋光墊市場規(guī)模同比增長（右軸）66442200%0-10%201620172018201920202021201620172018201920202021資料：Techcet，太平洋證券研究院資料：華經(jīng)產(chǎn)業(yè)研究院，太平洋證券研究院請務(wù)必閱讀正文后的重要聲明19中國拋光液需求提升高于全球?

全球拋光液市場規(guī)模由2016年的11億美元提升至2021年的14.3億美元，2021年同比提升6.72%，CARG為5.39%，同期中國拋光液市場規(guī)模大幅增長，2016-2021年市場規(guī)模由12.3億元提升至22億元，CAGR達到12.28%，復(fù)合增速明顯快于全球。?

伴隨未來集成電路應(yīng)用場景不斷豐富，技術(shù)助力中國大陸晶圓代工行業(yè)市場保持高速增長，中國CMP拋光材料需求未來可期。圖表25：全球CMP拋光液市場規(guī)模圖表26：中國CMP拋光液市場規(guī)模（億美元）（億元）25161412108全球拋光液市場規(guī)模同比增長（右軸）14%12%10%8%25%20%15%10%5%中國拋光液市場規(guī)模同比增長（右軸）20151056%4%2%60%-2%-4%-6%-8%42000%201620172018201920202021201620172018201920202021資料：Techcet，太平洋證券研究院資料：華經(jīng)產(chǎn)業(yè)研究院，太平洋證券研究院請務(wù)必閱讀正文后的重要聲明20ⅠCMP廣泛應(yīng)用于硅片、芯片制造與封裝工藝…………3Ⅱ

CMP材料市場規(guī)模持續(xù)增長，空間廣闊……12Ⅲ美日企業(yè)壟斷格局下，中國企業(yè)突出重圍…………21Ⅳ

國內(nèi)企業(yè)積極布局拋光材料…………29Ⅴ

風險提示………………45請務(wù)必閱讀正文后的重要聲明21拋光材料具有較高的技術(shù)、人才和專利壁壘?

CMP拋光材料具有較高的技術(shù)壁壘，我國由于起步較晚，大量專利掌握在國外巨頭手中。美國和日本等龍頭企業(yè)在進行更新升級的同時，會實行嚴格的專利保護封鎖技術(shù)防止外泄，形成較高的技術(shù)壁壘。?

拋光墊開發(fā)需要結(jié)合有機、高分子、才來科學、粉體技術(shù)、精密加工等學科，技術(shù)難度高。合理的溝槽結(jié)構(gòu)設(shè)計能夠促進拋光液流動和分布，提高拋光效率。表面溝槽形狀、尺寸和傾斜角度都對拋光效果產(chǎn)生影響。目前我國拋光墊專利集中于應(yīng)用領(lǐng)域，側(cè)重研究如何改進拋光墊溝槽設(shè)計以及改善拋光方法和拋光效果，在拋光墊的制作方法及材料方面專利很少。?

拋光液成分的復(fù)雜度較高，開發(fā)周期長，對研發(fā)團隊技術(shù)要求極高，設(shè)計合理的生產(chǎn)方案是重要的技術(shù)壁壘。另外，原材料磨粒依賴進口，核心技術(shù)被海外企業(yè)長期壟斷。圖表27：表面溝槽尺寸對拋光效果的影響圖表28：銅化學機械拋光液優(yōu)化實驗研究方式影響方面具體內(nèi)容拋光液組分優(yōu)化實驗路線拋光工藝參數(shù)優(yōu)化實驗路線加工區(qū)域拋

拋光墊溝槽的尺寸越大，逆向混和區(qū)域越大，拋光液的切向速度差液的切向速度別也相應(yīng)增加。其他添加劑的選擇拋光液流速拋光實驗主盤轉(zhuǎn)速拋光實驗不同壓力拋光實驗過氧化氫單因素實驗拋光液的平均拋光轉(zhuǎn)速增加時，大部分拋光液脫離加工區(qū)域，此時溝槽尺寸的增駐留時間

大會減少拋光液的平均駐留時間。磨粒單因素實驗甘氨酸單因素實驗PH單因素實驗當晶片0.8秒旋轉(zhuǎn)一周時，使用小尺寸的圓環(huán)型溝槽拋光墊拋光時，加工區(qū)域拋光液完全更新的時間為1.6秒;而當溝槽尺寸增大時，拋光液完全更新的時間為2.8秒。新舊拋光液的混和效率混合緩蝕劑拋光實驗正交試驗及矩陣分析不同拋光墊拋光實驗資料：《化學機械拋光中拋光墊表面溝槽的研究》，太平洋證券研究院資料：《銅化學機械拋光液組分優(yōu)化及其作用機理研究》，太平洋證券研究院請務(wù)必閱讀正文后的重要聲明22拋光材料具有較高的客戶壁壘?

拋光墊和拋光液技術(shù)含量高，其產(chǎn)品質(zhì)量、性能指標直接決定了終端產(chǎn)品的品質(zhì)和穩(wěn)定性，屬于下游客戶的關(guān)鍵材料。因此，拋光材料下游客戶實施嚴格的供應(yīng)商認證機制，只有通過嚴格的認證滿足客戶對質(zhì)量標準和性能的要求，才能成為下游客戶的合格供應(yīng)商。下游客戶的供應(yīng)商認證流程通常包括供應(yīng)商初評、產(chǎn)品報價、樣品檢測、小批量試用、穩(wěn)定性檢測、批量生產(chǎn)等多個環(huán)節(jié)，認證流程復(fù)雜，認證要求嚴苛。?

為了保證認證的準確性和真實性，認證通常具有復(fù)雜的流程并且持續(xù)較長時間，這提高了供應(yīng)商的時間成本，進一步提高了行業(yè)壁壘。但是供應(yīng)商一旦通過下游客戶的認證成為其合格供應(yīng)商，就會形成相對穩(wěn)定的合作關(guān)系。圖表29：鼎龍股份拋光墊客戶認證圖表30：下游客戶供應(yīng)商認證流程測試項目測試內(nèi)容供應(yīng)商初評批量生產(chǎn)產(chǎn)品報價樣品檢測初始性能測試：研磨去除率、缺陷率離線測試離線拉松測試：穩(wěn)定性初始性能測試小批量試用穩(wěn)定性檢測小批量測試在線測試大批量測試資料：鼎龍股份公告，太平洋證券研究院資料：安集科技招股說明書，太平洋證券研究院請務(wù)必閱讀正文后的重要聲明23拋光墊：陶氏杜邦一家獨大，市場空間廣闊?

與拋光液相比，拋光墊產(chǎn)品相對單一，產(chǎn)品大致分為硬墊和軟墊兩種，硬墊不同的技術(shù)節(jié)點對于拋光墊的變化較小，由此龍頭公司易保持產(chǎn)品的一致性與穩(wěn)定性，2019年全球拋光墊市場杜邦公司市占率高達79%，行業(yè)呈現(xiàn)一家獨大的格局，其他企業(yè)為Cabot（5%）、ThomasWest（4%）、Fojibo（2%）、JSR（1%）等，基本為美日企業(yè)所壟斷。?

陶氏化學成立于1897年，2009年，陶氏化學收購羅門哈斯，獲得了CMP拋光墊技術(shù)和完善的專利布局；2017年，陶氏和杜邦完成合并；2019年，陶氏杜邦拆分CMP拋光墊業(yè)務(wù)，劃分在新杜邦公司的電子材料業(yè)務(wù)板塊。圖表32：杜邦公司CMP產(chǎn)品覆蓋圖表31：全球拋光墊市場中杜邦占比近八成類別品牌IC1000?Ikonic?介紹用于化學機械平坦化(CMP)的IC1000?系列墊，被認為是行業(yè)標準。專為高級節(jié)點設(shè)計的突破性焊盤平臺。用于化學機械平坦化(CMP)的Optivision?墊系列是杜邦的第二代軟墊，它改進了Politex?墊的性能，旨在降低成本。JSR,1%OPTIVISION?Fojibo,2%其他,9%拋光墊用于化學機械平坦化(CMP)的Optivision?Pro系列拋光墊是杜邦在新平臺上制造的第三代軟墊，可促進高級拋光。用于化學機械平坦化(CMP)的Politex?墊系列用于銅阻擋層、拋光和清潔應(yīng)用，Politex?墊是行業(yè)標準的軟墊。Optivision?ProThomasWest,4%POLITEX?SUBA?杜邦的Suba?拋光墊是化學機械平坦化(CMP)拋光墊，用于庫存拋光、中間拋光和最終拋光。Cabot,Novaplane?鎢拋光

具有高去除率和可調(diào)選擇性，可提供卓越的形貌性能、滿足減少缺陷的要求并提供低擁有成本，以液滿足客戶在鎢CMP拋光方面的需求。5%是一系列先進的電介質(zhì)、氮化物和多晶硅漿料，具有可調(diào)的去除率和選擇性，可以以具有競爭力的成本滿足缺陷減少要求和更嚴格的規(guī)格，用于制造下一代先進的半導體器件。包括銅阻擋層和硅通孔(TSV)拋光液，具有可調(diào)范圍的薄膜選擇性。杜邦是Klebosol?拋光液的獨家供應(yīng)商，Klebosol?是最廣泛用于半導體器件CMP、層間電介質(zhì)、淺溝槽隔離、多晶硅和后金屬拋光的水玻璃膠體二氧化硅產(chǎn)品。二氧化硅顆粒在液體介質(zhì)中生長并保持出色的穩(wěn)定性。Optiplane?Acuplane?拋光液Dow,79%Klebosol?杜邦還提供用于硅晶片拋光和多晶硅CMP的Nanopure?以及用于層間電介質(zhì)的ILD?3000-5000系列拋光液。其他資料：SEMI，太平洋證券研究院資料：公司官網(wǎng)，太平洋證券研究院請務(wù)必閱讀正文后的重要聲明24拋光墊：鼎龍股份攻堅克難，實現(xiàn)拋光墊領(lǐng)域突破?

國內(nèi)鼎龍股份攻堅克難，成為國內(nèi)唯一一家全面掌握拋光墊全流程核心研發(fā)和制造技術(shù)的CMP拋光墊國產(chǎn)供應(yīng)商，實現(xiàn)中國拋光墊領(lǐng)域從零到一的突破。國內(nèi)蘇州觀勝于2017年投入了拋光墊生產(chǎn)項目，股東臺灣智勝在聚氨酯領(lǐng)域已經(jīng)積累了30多年的經(jīng)驗，將聚氨酯應(yīng)用到CMP領(lǐng)域也已經(jīng)有15年的經(jīng)驗，在這一領(lǐng)域已經(jīng)積累了100多項專利技術(shù)。圖表33：國內(nèi)外拋光墊主要生產(chǎn)企業(yè)名稱公司介紹杜邦DuPont

杜邦是化學機械平坦化(CMP)拋光墊、漿料和應(yīng)用專業(yè)知識的全球領(lǐng)導者，服務(wù)于半導體芯片制造行業(yè)和其他先進的基板拋光應(yīng)用，2019年CMP拋光墊產(chǎn)品占全球市場份額75%以上。ThomaswestInc成立于1981年，開始是提供用于硬盤驅(qū)動器(HDD)的拋光、紋理化和擦拭膠帶，2000年推出CMP拋光墊產(chǎn)品。CMP拋光墊系列產(chǎn)品包括PuRa、WestPad。CMCMaterials原名卡博特微電子公司，是一家為半導體制造提供關(guān)鍵材料的全球供應(yīng)商。CMP拋光墊采用先進的聚氨酯化學和工程技術(shù)制造，可提供精確的硬度、孔徑、可壓縮性CMCMaterials和凹槽圖案，以滿足各種CMP應(yīng)用的要求。CMP拋光墊系列產(chǎn)品包括NexPlanar?、MEDEA、Epic?、EpicPower。3M公司創(chuàng)建于1902年，可提供創(chuàng)新、可靠的半導體CMP材料解決方案，包括CMP研磨墊和CMP研磨盤等。3M富士紡FUJIBO

富士紡是半導體產(chǎn)業(yè)鏈重要供貨商，主要開發(fā)高附加價值的研磨材料及CMP制程中使用的拋光墊。POLYPAS?拋光墊專為硅片和各類半導體材料、金屬、玻璃等的超高精度拋光而設(shè)計。JSR利用在石油化學事業(yè)中積累的高分子技術(shù)，開發(fā)用于半導體制造的材料，如光刻膠、化學機械平坦化(CMP)材料等，于2002年開始生產(chǎn)CMP拋光墊，由其位于四日市工廠內(nèi)的子公JSR司ElastomixCo.,Ltd.生產(chǎn)。日本東麗主要提供采用業(yè)界知名的不織布為底布的絨面拋光布以及精密單結(jié)構(gòu)的聚氨脂拋光墊類型，可應(yīng)用于各種精密加工拋光，包括硅片（晶圓），其CMP拋光墊產(chǎn)品于2006年開始出貨。NITTADuPontIncorporated于1983年由工業(yè)皮帶市場的領(lǐng)先公司NITTACorporation和半導體器件工藝拋光墊的頂級制造商RodelInc.（現(xiàn)為杜邦）共同創(chuàng)立，雙方各持50%股份。NITTADuPont生產(chǎn)拋光材料，產(chǎn)品包括用于CMP工藝的拋光墊、拋光液和其他相關(guān)材料。東麗TorayNittaDuPontFNSTech

FNSTechCo.成立于2002年3月，于2013年10月開始半導體CMP拋光墊業(yè)務(wù)。2021年，F(xiàn)NSTech與三星電子合作開發(fā)了CMP拋光墊可重復(fù)再利用技術(shù)。SKC成立于1976年，在存儲介質(zhì)和聚氨酯事業(yè)領(lǐng)域累積的技術(shù)能力，奠定了研發(fā)半導體專業(yè)材料CMP拋光墊和空白光掩膜的基礎(chǔ)，為半導體制造提供CMP拋光墊、CMP拋光液以及空白光掩膜等產(chǎn)品。SKCKPXchemical

成立于1974年7月，生產(chǎn)和供應(yīng)各種國際水平的聚醚多元醇產(chǎn)品，2004年開始進軍電子材料事業(yè)（CMP拋光墊、光刻膠剝離劑等），開發(fā)有聚氨酯制成的CMP拋光墊KONI系列。智勝科技股份有智勝科技股份有限公司創(chuàng)立于2002年，主要從事半導體CMP耗材。集團母公司PVI是做PU原料的專家，基于對PU原料技術(shù)厚實的經(jīng)驗，在2002年成立智勝科技iVT，正式踏入CMP拋光限公司（iVT）

墊制造領(lǐng)域。貝達先進材料公貝達先進材料公司成立于2006年，是三芳化學子公司，應(yīng)用特有的專利技術(shù)，專注研發(fā)、設(shè)計、測試與加工制造高精密度研磨拋光墊，產(chǎn)品應(yīng)用于微電子、顯示器、光學、晶體襯司（三芳化學）底材料與硬盤基版等各種需要精密化學機械研磨拋光(CMP)的產(chǎn)業(yè)。湖北鼎龍控股

成立于2000年，是一家從事集成電路芯片設(shè)計及制程工藝材料、光電顯示材料、打印復(fù)印通用耗材等研發(fā)、生產(chǎn)及服務(wù)的高新技術(shù)企業(yè)，是國內(nèi)CMP拋光墊領(lǐng)先供應(yīng)商。蘇州觀勝半導體蘇州觀勝半導體科技有限公司于2017年07月24日成立，公司經(jīng)營范圍包括：半導體集成電路和芯片相關(guān)材料的生產(chǎn)、技術(shù)研發(fā)、技術(shù)咨詢、技術(shù)服務(wù)和上述同類產(chǎn)品的批發(fā)、進出科技有限公司

口及傭金代理（不含拍賣）等。資料：艾邦半導體網(wǎng)，太平洋證券研究院請務(wù)必閱讀正文后的重要聲明25拋光液：多年被美日企業(yè)壟斷，本土自給率有所提升?

拋光液根據(jù)應(yīng)用需求不同，可分為硅、銅、鎢等各種類型拋光液，配方各有差異，產(chǎn)品品種繁多。2019年，全球拋光液CR5達到67%，市場集中度較高，其中Cabot占比第一，達到33%。其他公司分別為日立（13%）、富士美（10%）、Versum（9%）與中國企業(yè)安集科技（2%）。與拋光墊相比，拋光液市場份額相對分散，中國企業(yè)自給率有望迎來大幅提升。?

從具體產(chǎn)品來看，中國企業(yè)在銅拋光液的競爭對手主要為Fujifilm與Merck等，鎢拋光液的競爭對手是Cabot等，二氧化鈰為基礎(chǔ)的拋光液的競爭對手包括Asahi、Hitachi、Merck和Cabot等。占據(jù)先發(fā)優(yōu)勢的行業(yè)龍頭Cabot產(chǎn)品覆蓋鋁、銅、鎢等金屬拋光液，產(chǎn)品種類齊全。圖表34：安集科技為首的國內(nèi)企業(yè)突破美日企業(yè)壟斷圖表35：全球拋光液企業(yè)區(qū)域分布Cabot日立富士美

Versum安集科技其他德國：BASF、EvonikIndustriesAG等中國大陸：安集科技、上海新陽、上海新安納等日本：日立（Hitachi）、富士美（Fujimi）、AGC等33%33%韓國：AceNanochem、KCTech、DONGJINSEMICHEM、SamsungSDI、Soulbrain等美國：卡博特（Cabot）、VersumMaterials,Inc.、陶氏（Dow）、3M、AppliedMaterial、FerroCorporation等2%9%13%10%資料：SEMI，太平洋證券研究院資料：前瞻產(chǎn)業(yè)研究院，太平洋證券研究院請務(wù)必閱讀正文后的重要聲明26卡博特：全球最大拋光液供應(yīng)商，產(chǎn)品豐富覆蓋齊全?

CabotMicroelectronics卡博特微電子公司成立于1999年，為全球最大的CMP拋光液供應(yīng)商（市占率33%）和第二大CMP拋光墊供應(yīng)商（市占率5%），主要產(chǎn)品覆蓋CMP拋光液、拋光墊、炭黑材料、納米膠等?？ú┨毓境闪⒅跫磳崿F(xiàn)鎢拋光液、電介質(zhì)拋光液等機械拋光液的產(chǎn)業(yè)化，先發(fā)優(yōu)勢明顯，當前產(chǎn)品覆蓋鎢、銅、鋁等金屬拋光液以及介電層拋光液、硅拋光液等，產(chǎn)品豐富覆蓋齊全。?

卡博特客戶覆蓋面廣，收入分散程度高，2022年公司實現(xiàn)來自中國大陸及臺灣、美國、韓國、日本、歐洲收入分別占比為35%、24%、13%、11%、10%。圖表36：全球拋光液市場競爭公司圖表37：行業(yè)龍頭Cabot覆蓋拋光液產(chǎn)品眾多硅拋光液鎢拋光液拋光液品類Cabot現(xiàn)有品牌?

富士美、卡博特、VersumMaterials、安集科技、AceNanochem、上海新安納?

卡博特、VersumMaterials、安集科技、KCTechSEMI-Sperse?W2000V鎢CMP拋光液WINW8900電介質(zhì)/高級電介質(zhì)CMP拋光漿料iDIEL?銅CMP拋光液EPOCH?氧化物拋光液其他金屬（銅、鋁等）拋光液?

安集科技、富士美、VersumMaterialsBarrierCMP拋光漿料Sentinel??

卡博特、VersumMaterials、AceNanochem、Asahi鋁CMP拋光液Novus?SiLECT?硅片拋光液碳化硅晶圓拋光液SiCceed?資料：前瞻產(chǎn)業(yè)研究院，太平洋證券研究院資料：公司官網(wǎng)，太平洋證券研究院請務(wù)必閱讀正文后的重要聲明27拋光液：多年被美日企業(yè)壟斷，本土自給率有所提升?

國內(nèi)從產(chǎn)能布局上看，安集科技、鼎龍股份、上海新陽、萬華化學等企業(yè)正在加速布局CMP拋光液產(chǎn)能建設(shè)。圖表38：國內(nèi)拋光液主要生產(chǎn)企業(yè)名稱公司介紹拋光液布局現(xiàn)有CMP拋光液產(chǎn)能合計13266.38噸，未來公司在寧波建設(shè)寧波安集化學機械拋光液生產(chǎn)線，建成后新增1.5萬噸化學機械拋光液生產(chǎn)能力安集微電子科技(上海)股份有限公司主營業(yè)務(wù)是關(guān)鍵半導體材料的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化。主要產(chǎn)品包括不同系列的化學機械拋光液和光刻膠去除劑，主要應(yīng)用于集成電路制造和先進封裝領(lǐng)域。安集科技湖北鼎龍控股股份有限公司主營業(yè)務(wù)是半導體CMP制程工藝材料、半導體顯示材料、半導體先進封裝武漢本部工廠一期年產(chǎn)5000噸，二期籌備中。仙鼎龍股份

材料。主要產(chǎn)品包括CMP拋光墊、CMP拋光液、CMP清洗液、黃色聚酰亞胺漿料YPI、光敏聚酰亞胺PSPI、面板封裝材料INK、臨時鍵合膠TBA、封裝光刻膠PSPI、底部填充膠Underfill。桃年產(chǎn)2萬噸CMP拋光液項目及研磨粒子配套擴產(chǎn)項目等。萬華化學集團股份有限公司的主營業(yè)務(wù)是聚氨酯、石化、精細化學品及新材料的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售。煙臺經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)內(nèi)建設(shè)大規(guī)模集成電路平坦萬華化學

公司主要產(chǎn)品是異氰酸酯、聚醚多元醇、石化、熱塑性聚氨酯彈性體（TPU）、聚甲基丙烯酸甲酯

化關(guān)鍵材料（拋光墊+拋光液)項目，建成后拋光（PMMA）、水處理膜材料、改性聚丙烯（PP）、聚烯烴彈性體（POE）等。液有望實現(xiàn)1.5-2萬噸/年產(chǎn)能。天津晶嶺成立于2005年，主要從事電子信息、機電一體化、新材料、環(huán)保技術(shù)開發(fā)、咨詢、服務(wù)、

公司有兩千多平米百級千級超凈間，并擁有年產(chǎn)轉(zhuǎn)讓服務(wù)，下設(shè)分支機構(gòu)從事拋光液、研磨液制造。

6000噸的生產(chǎn)線。天津晶嶺力合科創(chuàng)股份有限公司前身為深圳市通產(chǎn)麗星股份有限公司，經(jīng)2019年與力合科創(chuàng)集團有限公司順力合科創(chuàng)

利完成重組后，以“創(chuàng)新鏈產(chǎn)業(yè)鏈融合發(fā)展的領(lǐng)先者”的全新定位，確立了“科技創(chuàng)新服務(wù)+新材料建有目前國內(nèi)先進的專業(yè)超精拋光液生產(chǎn)線，年產(chǎn)2000噸。產(chǎn)業(yè)”雙主業(yè)的經(jīng)營模式，科技創(chuàng)新服務(wù)成為公司主要盈利。上海新陽半導體材料股份有限公司的主營業(yè)務(wù)是集成電路制造及先進封裝用關(guān)鍵工藝材料及配套設(shè)備、環(huán)保型、功能性涂料的研發(fā)、生產(chǎn)、銷售和服務(wù)。公司的主要產(chǎn)品是半導體晶圓制造及先進封裝用電鍍液及添加劑、半導體晶圓制造用清洗劑、半導體封裝用電子化學材料、半導體制造用高端光刻膠產(chǎn)品、半導體配套設(shè)備產(chǎn)品。上海新陽公司已有成熟產(chǎn)品成功進入客戶端實現(xiàn)銷售。資料：公司公告，前瞻產(chǎn)業(yè)研究院，太平洋證券研究院請務(wù)必閱讀正文后的重要聲明28ⅠCMP廣泛應(yīng)用于硅片、芯片制造與封裝工藝…………3Ⅱ

CMP材料市場規(guī)模持續(xù)增長，空間廣闊……12Ⅲ美日企業(yè)壟斷格局下，中國企業(yè)突出重圍…………21Ⅳ

國內(nèi)企業(yè)積極布局拋光材料…………29Ⅴ

風險提示………………45請務(wù)必閱讀正文后的重要聲明29鼎龍股份：2022營收保持高速增長，盈利能力大幅提升?

鼎龍股份是國內(nèi)領(lǐng)先的關(guān)鍵大賽道領(lǐng)域中各類核心“卡”進口替代類創(chuàng)新材料的平臺型公司，主要覆蓋打印機耗材、CMP拋光材料與顯示面板材料三大領(lǐng)域。2022年，公司基礎(chǔ)業(yè)務(wù)打印機耗材上游彩色碳粉、耗材芯片、顯影輥產(chǎn)品的銷售受終端硒鼓產(chǎn)品銷量增長而提升，實現(xiàn)營收21.42億元，同比提升6.43%；CMP拋光墊實現(xiàn)收入4.57億元，同比提升48.70%；4款拋光液產(chǎn)品實現(xiàn)收入1789萬元；顯示材料YPI/PSPI實現(xiàn)營收4758萬元，同比大幅增長439%。?

2022年鼎龍股份盈利能力提升顯著，實現(xiàn)歸母凈利潤3.90億元，同比提升82.61%，主要原因在于高毛利的CMP拋光墊產(chǎn)品收入大幅增長。圖表39：公司2022年營業(yè)收入持續(xù)增長圖表40：公司2022年歸母凈利潤同比大幅提升（億元）營業(yè)收入同比增長（右軸）（億元）5歸母凈利潤同比增長（右軸）3025201510570%60%50%40%30%20%10%0%300%200%4100%30%-100%-200%-300%-400%-500%-600%-700%21020182019202020212022-10%-20%-1-2020182019202020212022資料：Wind，太平洋證券研究院資料：Wind，太平洋證券研究院請務(wù)必閱讀正文后的重要聲明30鼎龍股份：CMP業(yè)務(wù)高速發(fā)展，新增利潤驅(qū)動力產(chǎn)品占比持續(xù)提升?

鼎龍股份是國內(nèi)領(lǐng)先的關(guān)鍵大賽道領(lǐng)域中各類核心“卡”進口替代類創(chuàng)新材料的平臺型公司，目前重點聚焦半導體CMP制程工藝材料、半導體顯示材料與半導體先進封裝材料三個細分板塊。2018-2022年，公司CMP拋光墊材料實現(xiàn)營收由314.89萬元大幅提升至4.57億，營收占比由0.24%提升至16.79%。根據(jù)2022年報披露，公司2022年實現(xiàn)CMP拋光墊收入4.57億元，同比提升48.70%，占比為16.79%。?

伴隨公司在建項目的持續(xù)放量，關(guān)鍵原材料自主化持續(xù)推進，常規(guī)型號原料均實現(xiàn)自研自產(chǎn)，公司拋光墊毛利率逐漸提升，由2018年的16.06%大幅上升至2022年的65.54%，盈利能力顯著提升。圖表41：公司拋光墊收入占比提升至17%（2022年）圖表42：2022年公司拋光墊毛利率提升至65%拋光墊毛利率

打印復(fù)印耗材其他CMP拋光材料打印復(fù)印耗材其他業(yè)務(wù)120%100%80%CMP拋光材料17%其他業(yè)務(wù)4%60%40%20%0%20182019202020212022打印復(fù)印耗材79%-20%-40%資料：Wind，太平洋證券研究院資料：Wind，太平洋證券研究院請務(wù)必閱讀正文后的重要聲明31鼎龍股份：產(chǎn)品矩陣齊全，平臺型公司?公司布局半導體CMP制程工藝材料，半導體顯示材料，半導體先進封裝材料和打印復(fù)印通用耗材四個業(yè)務(wù)領(lǐng)域，覆蓋武漢、潛江、珠海、中山、杭州、寧波、北海等地。圖表43：公司產(chǎn)品產(chǎn)品系列具體分類產(chǎn)品簡介CMP拋光墊CMP拋光液CMP拋光墊是CMP環(huán)節(jié)的核心耗材之一，主要作用是儲存和運輸拋光液、去除磨屑和維持穩(wěn)定的拋光環(huán)境等。CMP拋光液是研磨材料和化學添加劑的混合物，在化學機械拋光過程中可使晶圓表面產(chǎn)生一層氧化膜，再由拋光液中的磨粒去除，達到拋光的目的。清洗液主要用于去除殘留在晶圓表面的微塵顆粒、有機物、無機物、金屬離子、氧化物等雜質(zhì)，滿足集成電路制造對清潔度的極高要求，對晶圓生產(chǎn)的良率起到了重要的作用。半導體CMP制程工藝材料CMP清洗液黃色聚酰亞胺

YPI是生產(chǎn)柔性O(shè)LED顯示屏幕的主材之一，具有優(yōu)良的耐高溫特性、良好的力學性能以及優(yōu)良的耐化學穩(wěn)定性，在OLED面板前段制造工藝中涂布、固化成PI膜（聚漿料

YPI

酰亞胺薄膜），替換剛性屏幕中的玻璃材料，實現(xiàn)屏幕的可彎折性。半導體顯

光敏聚酰亞胺

PSPI是一種高分子感光復(fù)合材料，具有優(yōu)異的熱穩(wěn)定性、良好的機械性能、化學和感光性能等，是AMOLED顯示制程的光刻膠，是除發(fā)光材料外的核心主材，是示材料PSPI面板封裝材料INKAMOLED顯示屏中唯一款同時應(yīng)用在三層制程的材料，在OLED制程中用于平坦層、相素定義層、支撐層三層。INK是柔性顯示面板的封裝材料，在柔性O(shè)LED薄膜封裝工藝中，通過噴墨打印的方式沉積在柔性O(shè)LED器件上，起到隔絕水氧的作用。臨時鍵合膠TBA封裝光刻膠PSPI底部填充膠Underfill臨時鍵合膠作為超薄晶圓減薄、拿持的核心材料，可將器件晶圓臨時固定在承載載體上，從而為超薄器件晶圓提供足夠的機械支撐，防止器件晶圓在后續(xù)工藝制程中發(fā)生翹曲和破片，最后臨時鍵合膠可通過光、熱和力等解鍵合方式完成超薄晶圓的釋放。臨時鍵合膠在先進封裝中的應(yīng)用領(lǐng)域主要是2.5D/3D封裝。封裝光刻膠PSPI是一種光敏性聚酰亞胺材料，兼具光刻膠的圖案化和樹脂薄膜的應(yīng)力緩沖、介電層等功能，主要應(yīng)用于晶圓級封裝（WLP）中的RDL（再布線）工藝中，使用時先涂覆在晶圓表面，再經(jīng)過曝光顯影、固化等工藝，可得到圖案化的薄膜。底部填充膠作為一種重要的集成電路封裝電子膠黏劑，在先進封裝如2.5D、3D封裝中，用于緩解芯片封裝中不同材料之間熱膨脹系數(shù)不匹配帶來的應(yīng)力集中問題，進而提高器件封裝可靠性。半導體先進封裝材料彩色聚合碳粉用于激光打印機里的硒鼓，有黑色、紅色、黃色、藍色四種顏色，具有顯影作用。公司2010年成功研制彩色聚合碳粉，2012年實現(xiàn)彩色聚合碳粉的全自動、產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)，打破了國外壟斷，目前已迭代至第七代低溫定影聚酯碳粉產(chǎn)品。載體是一種內(nèi)核為鐵氧體磁性材料，表面包覆一層高分子樹脂的復(fù)合材料。載體是雙組分顯影劑中重要的成份之一，既要帶電性還要帶磁性，借助載體的磁性，碳粉能更好的附著在顯影器上，得到更好的印刷效果。彩色聚合碳粉載體打印復(fù)印通用耗材通用耗材芯片

通用耗材芯片的主要功能為噴墨打印機及激光打印機耗材產(chǎn)品的識別與控制，具有感應(yīng)、計數(shù)、校準色彩的作用。顯影輥硒鼓硒鼓中重要的核心組成部件，是使光導體上的靜電潛像顯影用的輥，具有顯影作用和傳粉作用，對圖像密度有影響。激光打印機里的耗材，承擔了激光打印機的主要成像功能，按其內(nèi)部感光鼓、磁鼓和墨粉盒的組合方式可分為三類：一體硒鼓、二體硒鼓和三體硒鼓。噴墨打印機中用來存儲打印墨水，并最終完成打印的部件，按墨盒和噴頭的結(jié)構(gòu)設(shè)計可分為一體式墨盒和分體式墨盒，其中再生墨盒多為一體式墨盒，其他通用墨盒多為分體式墨盒。在分體式墨盒中，根據(jù)顏色封裝的情況又可以分為單色墨盒和多色墨盒。墨盒資料：公司年報，太平洋證券研究院請務(wù)必閱讀正文后的重要聲明32鼎龍股份：拋光液部分產(chǎn)品實現(xiàn)規(guī)模化銷售，助力企業(yè)穩(wěn)固龍頭地位?

2018-2021年，我國拋光墊產(chǎn)量自0.33萬片迅速增長至14.69萬片，CAGR為254.4%，2021年，拋光墊需求量為75.11萬片，本土自給率有望提升。?

鼎龍股份作為國內(nèi)唯一一家全制程拋光墊供應(yīng)商，公司現(xiàn)有武漢本部30萬片拋光墊產(chǎn)能，潛江三期拋光墊新品及其核心配套原材料的擴產(chǎn)項目已經(jīng)投產(chǎn)，補充了年產(chǎn)20萬片的拋光墊新品的生產(chǎn)能力，在完成產(chǎn)品送樣測試后，將于今年下半年逐步放量。仙桃基地于2022年6月開工，預(yù)計2023年9月份建成，總投資金額約為7.5-10億元人民幣，拋光液產(chǎn)能有望進一步提升，公司產(chǎn)業(yè)布局有望進一步完善。圖表44：公司2萬噸拋光液項目預(yù)計2023年三季度建設(shè)完成半導體板塊2022年收入項目進度公司現(xiàn)有拋光墊產(chǎn)能30萬片，潛江三期拋光墊新品及其核心配套原材料的擴產(chǎn)項目已建設(shè)完工處于試生產(chǎn)階段，并已經(jīng)送樣給主流客戶測試。收入超4.57億，同比增長48.7%CMP拋光墊武漢本部全自動化年產(chǎn)能5000噸拋光液產(chǎn)線、年產(chǎn)能2000噸清洗液已實現(xiàn)部分產(chǎn)品規(guī)?；?/p>

產(chǎn)線穩(wěn)定供應(yīng)；CMP拋光液及清洗

銷售，銷售收入近1789

仙桃年產(chǎn)1萬噸CMP用清洗液擴產(chǎn)項目、年產(chǎn)2萬噸CMP拋光液擴產(chǎn)項萬元目及研磨粒子配套擴產(chǎn)項目等的產(chǎn)能建設(shè)正加緊進行中，現(xiàn)已完成廠房封頂和產(chǎn)線設(shè)備規(guī)劃，預(yù)計于2023年9月安裝完畢。資料：Wind，太平洋證券研究院請務(wù)必閱讀正文后的重要聲明33鼎龍股份：下游客戶進展順利，多項取得突破?

公司半導體材料業(yè)務(wù)各細分領(lǐng)域不同階段、多種材料新品項目持續(xù)快速發(fā)展，均取得突破。圖表45：鼎龍股份各產(chǎn)品下游客戶進展情況產(chǎn)品系列具體分類客戶進展拋光墊在國內(nèi)大部分主流客戶已成為第一供應(yīng)商，多數(shù)在建、新建晶圓廠在通線之初便采用公司拋光墊作為標準品，形成良好的合作關(guān)系?；谘趸X磨料的拋光液、介電材料拋光液及鎢拋光液產(chǎn)品于2022年在客戶端取得突破，進入采購或批量銷售、逐步放量階段；CMP拋光墊半導體CMP制程工藝材料CMP

拋光液

其余各制程CMP拋光液產(chǎn)品覆蓋全國多家客戶進入關(guān)鍵驗證階段，反饋良好，部分重點產(chǎn)品—如對標國際主流型號的多晶硅拋光液產(chǎn)品、金屬柵極拋光液產(chǎn)品等進入最終導入階段，有望在2023年在下游存儲及邏輯客戶取得新訂單。銅制程CMP后清洗液產(chǎn)品持續(xù)穩(wěn)定獲得客戶訂單，自對準清洗液，激光保護膠清洗液等新領(lǐng)域清洗液產(chǎn)品也取得一定銷售收入；CMP

清洗液

其他制程拋光后清洗液產(chǎn)品部分在客戶端持續(xù)驗證，向先進封裝清洗液領(lǐng)域拓展開發(fā)的系列產(chǎn)品也在匹配客戶需求進行開發(fā)、送樣。黃色聚酰亞胺

國內(nèi)唯一一家擁有千噸級、超潔凈、自動化YPI產(chǎn)線的企業(yè)，是國內(nèi)唯一實現(xiàn)量產(chǎn)出貨的YPI供應(yīng)商?，F(xiàn)已覆蓋國內(nèi)所有主流漿料

YPI

AMOLED客戶形成批量規(guī)模化銷售。半導體顯示

光敏聚酰亞胺材料國內(nèi)唯一一家在下游面板客戶驗證通過，打破國外壟斷，并在2022年第三季度實現(xiàn)批量出貨的企業(yè)。PSPI其他半導體顯示面板封裝材料TFE-INK、低溫光阻材料OC、高折OC、高折INK等其他新產(chǎn)品也在按計劃開發(fā)、驗證中，并持續(xù)與下游面板客戶保新材料臨時鍵合膠TBA持技術(shù)交流。臨時鍵合膠產(chǎn)品已完成國內(nèi)某主流晶圓廠送樣，客戶端驗證已接近尾聲，獲得客戶好評，量產(chǎn)產(chǎn)品導入工作正在進行中先進封裝材

封裝光刻膠目前已完成某大型封裝廠的客戶端送樣，驗證工作穩(wěn)步推進。料PSPI底部填充膠Underfill已經(jīng)完成小試配方開發(fā)，目前正在進行應(yīng)用評價工作，爭取2023年下半年實現(xiàn)客戶端送樣。資料：鼎龍股份年報，太平洋證券研究院請務(wù)必閱讀正文后的重要聲明34鼎龍股份：研發(fā)能力突出，布局海外專利不侵權(quán)報告?

公司研發(fā)能力突出，2022年研發(fā)人員占比23.87%，研發(fā)費用投入約3.16億元，近5年研發(fā)費用基本保持在10%。公司立項開發(fā)多晶硅、金屬銅、金屬鋁、阻擋層、金屬鎢與介電層制程等系列共30余種拋光液產(chǎn)品，2022年已有部分拋光液產(chǎn)品實現(xiàn)規(guī)?；N售。?

鼎龍擁有完善的知識產(chǎn)權(quán)布局。截至2022年年末，公司擁有已獲得授權(quán)的專利784項，并為后續(xù)海外產(chǎn)品推廣做好專利預(yù)警工作，完成柔性顯示基板材料YPI、光敏聚酰亞胺PSPI、面板封裝材料TFE-INK的中國/海外、CMP拋光墊的臺灣專利不侵權(quán)報告。圖表46：公司專利布局圖表47：公司研發(fā)費用率基本保持在10%5004502021年

2022年（項）（億元）40035030025020015010050研發(fā)費用研發(fā)費用率（右軸）3.53.02.52.01.51.00.50.014%12%10%8%06%軟件著外觀設(shè)計專利發(fā)明專利實用新型專利4%布

作圖

權(quán)設(shè)

與計

集成2%0%20182019202020212022電路資料：Wind，太平洋證券研究院資料：Wind，太平洋證券研究院請務(wù)必閱讀正文后的重要聲明35鼎龍股份：盈利預(yù)測?

2022年，公司基礎(chǔ)業(yè)務(wù)打印機耗材實現(xiàn)營收21.42億元，同比提升6.43%；CMP拋光墊實現(xiàn)收入4.57億元，同比提升48.70%；4款拋光液產(chǎn)品實現(xiàn)收入1789萬元；顯示材料YPI/PSPI實現(xiàn)營收4758萬元，同比大幅增長439%。盈利能力提升顯著，實現(xiàn)歸母凈利潤3.90億元，同比提升82.61%。?

公司是國內(nèi)唯一一家全制程拋光墊供應(yīng)商，現(xiàn)有武漢本部30萬片拋光墊產(chǎn)能，潛江三期項目建成投產(chǎn)，再補充20萬片拋光墊新品的生產(chǎn)能力，在完成產(chǎn)品送樣測試后，將于2023年下半年逐步放量。仙桃基地于2022年6月開工，預(yù)計今年9月份建成，拋光液產(chǎn)能有望進一步提升。?

預(yù)計公司2023/2024/2025年歸母凈利潤為5.24億元/6.92億元/9.12億元，當前市值對應(yīng)估值為42.22倍/31.92倍/24.23倍。首次覆蓋，給予“買入”評級。圖表48：盈利預(yù)測年結(jié)日：12月31日20222,721.4815.52%2023E3,275.5820.36%2024E4,058.1823.89%2025E5,139.9126.66%營業(yè)總收入（人民幣

百萬）增長率（%）歸母凈利潤（人民幣

百萬）390.03523.56692.46912.22增長率（%）EPS（元/股）82.66%0.4234.24%0.5632.26%0.7431.74%0.9724.23市盈率（P/E）市凈率（P/B）50.694.7942.224.6731.924.083.49資料：Wind,太平洋證券研究院請務(wù)必閱讀正文后的重要聲明36安集科技：拋光液營收持續(xù)高速增長，盈利水平保持高位?

安集科技是中國拋光液領(lǐng)域領(lǐng)先企業(yè)，主要產(chǎn)品包括CMP拋光液及功能性濕電子化學品，拋光液覆蓋介電材料（二氧化硅、氮化硅）拋光液，鎢拋光液，銅及銅阻擋層拋光液等多個品類，打破了美日企業(yè)對集成電路領(lǐng)域化學機械拋光液的壟斷，位列國內(nèi)半導體材料第一梯隊。2022年公司實現(xiàn)營業(yè)收入10.77億元，同比大幅提升56.82%，近五年保持35.88%的快速增長。?

2022年，公司盈利能力大幅提升，實現(xiàn)歸母凈利潤3.01億元，同比提升140.99%，2018-2022年CAGR接近50%，達到49.97%。圖表49：公司營業(yè)收入持續(xù)大幅增長圖表50：公司盈利能力大幅提升（億元）（億元）營業(yè)收入同比增長（右軸）歸母凈利潤同比增長（右軸）1210870%60%50%40%30%20%10%0%3.53.02.52.01.51.00.50.0160%140%120%100%80%60%40%20%0%64-20%-40%2201620172018201920202021202202016201720182019202020212022資料：Wind，太平洋證券研究院資料：Wind，太平洋證券研究院請務(wù)必閱讀正文后的重要聲明37安集科技：深耕高端半導體領(lǐng)域，涵蓋集成電路“拋光、清洗、沉積”三大工藝?

公司自成立之初就定位為高端半導體材料領(lǐng)域企業(yè)，現(xiàn)成功搭建化學機械拋光液-全品類產(chǎn)品矩陣、功能性濕電子化學品（清洗液、刻蝕液）-領(lǐng)先技術(shù)節(jié)點多產(chǎn)品線布局、電鍍液及其添加劑-實現(xiàn)電鍍高端產(chǎn)品系列國產(chǎn)突破，三大技術(shù)平臺，涵蓋集成電路制造中“拋光、清洗、沉積”三大關(guān)鍵工藝。2022年，公司核心業(yè)務(wù)拋光液實現(xiàn)營收9.51億元，同比提升60.13%，占營業(yè)收入的比重達到88.34%，主營業(yè)務(wù)突出。?

2022年，化學機械拋光液產(chǎn)品毛利率達到58.59%，較2021年提升3.18pct，近7年基本達到55%的毛利率水平，盈利能力保持高位。圖表51：公司2022年拋光液收入占比88%圖表52：公司毛利結(jié)構(gòu)（2022年）圖表53：公司拋光液毛利率約為55%其他化學機械拋光液功能性濕電子化學品化學機械拋光液功能性濕電子化學品功能性濕電子化學品其他化學機械拋光液88%功能性濕電子化學品（2021年以前，光刻膠去除劑）拋光液毛利率功能性濕5%180%160%140%120%100%80%電子化學品12%化學機械拋光液60%40%95%20%0%2016201720182019202020212022資料：Wind，太平洋證券研究院資料：Wind，太平洋證券研究院資料：Wind，太平洋證券研究院請務(wù)必閱讀正文后的重要聲明38安集科技：打造上海寧波雙基地，項目建設(shè)持續(xù)