aw8737scsr高效率低噪聲超低失真恒定大音量第七代類音樂功放

AW8737S是專為提升智能機整體音質(zhì)而開K類音樂功放。采用效率高達以上的喇叭。AW8737S采用獨特的防破音技術(shù)，AW8737STDD-Noise抑制EMITDD-Noise和EMI干擾的產(chǎn)生。0.4mmpitch1.6mm×1.68mmCSP-14封裝。4.7uFPulse AW8737SCSRTOP

AW8737SCSRDCB DCBAA12341234

AW8737S引腳分布俯視圖及器件標識輸出 C1PC1NPulse A1 C1P C2PA2VOPA1VON 3000片/R:Tape&CS:-0.3Vto-0.3Vto-40℃to-65℃to注21VV0V無輸入VDD=3.0Vto0VDD=3.6V,SHDN1℃℃℃℃VDD=3.0VtoVVDDVVDDVDD=3.0Vto%空載1VDD=4.2V,無輸入,η%VDD=3.0VtoVDD=3.0Vto1WWWW1WW2WWWWWWWWWWVDD=4.2V,f=20Hzto20kHz,inputacgrounded，AV=8V/VVDD=4.2V,f=20Hzto20kHz,inputacgrounded,12V/VVDD=4.2V,f=20Hzto20kHz,inputacgrounded,16V/V%%VDD=3.0Vto2VDD=3.0Vto2VDD=3.0VtoVDD=3.0VtosAW8737S6所示，需要在兩個輸出各接一個低通濾波器將

.效值Vo_rms，如下圖所示：VoVo

(Vo_rms)2

0 0.20.40.6 1.21.41.6

0.20.40.6

1.41.6 0

增益V/V增益V/V8642 50 10K 頻率(Hz

2050

10K

50

21

1

2

2

0

---PSRRPSRR-----

PSRRPSRR10K10K K93%K-Chargepump80%，AW8737S0.6W，0.8W，1W1.2W0.5W及以上pitch1.6mm×1.68mmCSP-14封裝，額定的工作溫度范圍為-40℃至85℃。恒定，功率等級分別為1.2W，1W，0.8W，0.6W。來不變的震撼的高品質(zhì)音樂享受。傳統(tǒng)的NCN功能如下圖8所示。 AW8737S采用艾為獨特的第二代防破音（NCN）技術(shù)，輸出信號不受電源軌的限制，在電池電壓下池電壓下降，AW8737S

效率可達100%。K-chargepump電荷泵的效率是輸出功率和輸入功率的比值，即POUTPOUT*100%

VOUT*IOUTVIN*M*IOUT

關(guān)的損耗和IC靜態(tài)電流損耗，實際的效率也高達93%。+使輸出電壓PVDD為輸入電壓VDD1.5倍。++10++++11Φ1FlyingC 4.7uF+C 4.7uF+++12Φ2Flying源電流限制在350mA。軟啟動時間為1.2ms。K-chargepump電荷泵架構(gòu)集成了限流控制環(huán)路，在正常工作中，當負載過重或者某種情況使電荷泵流過很大電流時，限流控制環(huán)路控制電荷泵的最大輸出電流能力，電源限流在2A。K類音響功放VDD的倍數(shù)，而是由過壓控制環(huán)路使PVDD6.05V，遲滯電壓為50mV左右。GPIO線脈沖控制技術(shù)在控制管腳內(nèi)部加入了Deglitch技術(shù)，可以有效消除毛刺信號的影響，如圖13所示。

13Deglitch控芯片送入脈沖后，將狀態(tài)鎖存，不再接收誤送的脈沖信號，如圖14所示。14拉高并保持高電平，有兩個上升沿，AW8737S2……依次類推，AW8737S4種工作模式，最多可以送入4個上升沿，上升沿的數(shù)目不允許超過4個。模式2模式315SHDN先拉低，拉低時間（1ms）TOFF后，芯片關(guān)斷，內(nèi)部寄存器復(fù)位，再送入需要的脈沖就可以了，如圖16所示。16RNS(RFTDDNoiseGSMTDMA：TimeDivisionMultipleAccess(時分多址)時隙分享技術(shù)。時分多址把時間長為0.577ms。GSM制式的手機，RF功率放大器每隔4.615ms（217Hz）就會有一次訊號傳輸，訊號傳輸時會產(chǎn)生RF217Hz的射頻包絡(luò)信號。217Hz的電源波動會通過傳導(dǎo)耦合到音頻訊號通路中，其中包括了217Hz噪聲和217Hz的諧波噪聲信號。RF217Hz的頻率從電池中抽取電流，由于電池有一定的內(nèi)阻，會在電源上引功率放大器的PSRR。PSRR20log(voutac完全不受電源波動的影響。實際情況中，由于工藝偏差等因素影響，放大器會有一定的失配，PSRR一般0.5mV，基本可以滿足應(yīng)用需求。但在實際應(yīng)用中，PSRR為-60dB甚至-80dBTDDNoise問題，這PSRR24倍放大倍數(shù)情況下，1%PSRR弱化到-46dB左右，10%的的輸入走線、輸出走線類似于天線的作用，尤其容易受到RF輻射的影響。RF天線并屏蔽；保持音頻訊號通路上各器件地的完整性；在敏感結(jié)點增加到地的小電容旁路RFTDDNoise。為此，AW8737S在芯片內(nèi)部采用了特有的動信號不會受到天線RF輻射的影響，從而避免了由于天線RF輻射引起的TDDNoise。 18RFLC濾波器來恢復(fù)模擬音頻信號。LC濾波器增加了成本和PCB布板面積，同時增加了功耗，降低了THD+N等性能。AW8737SDLC濾波器。在無輸入信號的空閑狀輸入信號后，輸出的占空比發(fā)生變化，VOPVON的占空比變小，輸出的差分值在喇大地降低EMI干擾，完全滿足FCCCLASSB規(guī)范要求。AW8737S的輸入端為差分放大器結(jié)構(gòu)，可以采用單端輸入接法和差分輸入接法，兩種接法的放大倍AW8737S集成了一部分輸入電阻，可以通過改變外置輸入電阻的阻值對放大倍數(shù)進行調(diào)節(jié)，其中，內(nèi)置輸入電阻Rini16.6kΩ。以外置Rine輸入電阻=3kΩ為例，放大倍數(shù)的計算如下：

Rine

16.3V/V3kΩ16.6kΩHf(3dB) H

2π

Cin217Hz噪聲，并且較小的電容有利于減小薦使用容差10%或者更好的電容。f(3dB) (Hz) (Hz) 2π19.6kΩfL(3dB)

2π

)2

Lf(3dB) (Hz) (Hz)L2

)2

2π2.54kΩ2值要盡量小。AW8737S的應(yīng)用中，有兩個VDD管腳，分別是A3和B3，推薦使用低去耦電容在布局上應(yīng)盡可能的靠近芯片的VDD放置。如果希望更好地濾除低頻噪聲，則需要根據(jù)具體應(yīng)用的高頻干擾，這個電容要盡量緊靠A3，B3管腳放置。Flying電容用于在電源和電荷泵負載之間傳遞能量，F(xiàn)lying電容的值直接影響電荷泵的負載調(diào)整率和需要選用10V耐壓的電容。EMI敏感設(shè)備時，建議使用磁珠、電容，磁珠、電容緊靠芯片19出電容不宜太大，推薦使用1nF的陶瓷電容。Top Bottom為了充分發(fā)揮AW8737S的性能，PCB的布局布線必須要仔細考慮，設(shè)計過程應(yīng)該遵循以下原則：2、FlyingCF1，CF2AW8737S