集成電路制造工藝與工程應(yīng)用-工藝制程整合P課件

三.工藝制程整合①亞微米工藝制程整合(雙阱+LOCOS+Polycide+Al)②深亞微米工藝制程整合(雙阱+STI+Salicide+Al)③納米工藝制程整合(雙阱+S∏+Salicide+CuHH<N98三.工藝制程整合1集成電路制造工藝與工程應(yīng)用-工藝制程整合P課件2襯底制備襯底選材。選用P型晶圓材料裸片做為襯底,電阻率為8~12ohm/cm,晶向?yàn)?lt;100>2清洗。利用化學(xué)和物理的方法清除襯底自然氧化硅的同時(shí)將晶圓表面的雜質(zhì)塵粒、有機(jī)物和金屬離子3.生長(zhǎng)初始氧化硅。利用爐管熱氧化生長(zhǎng)一層二氧化硅薄膜,它是干氧氧化法Psub4晶圓刻號(hào)。用激光在晶圓底部凹口附近刻出晶圓的編碼5.清洗。清除激光刻號(hào)時(shí)留在晶圓表面的塵埃和顆粒第零層光刻處理。通過(guò)微影將第零層掩膜版上的圖形轉(zhuǎn)移到晶圓上,形成第零層的光刻膠圖案7.第零層刻蝕處理8去光刻膠HH<N98去除初始氧化層。襯底制備3雙阱工藝清洗2生長(zhǎng)隔離氧化硅。利用爐管熱氧化生長(zhǎng)一層二氧化硅薄膜,它是干氧氧化法。3.PW光刻處理。通過(guò)微影技術(shù)將PW掩膜版上的圖形轉(zhuǎn)移到晶圓上,形成PW的光刻膠圖案,非PW區(qū)域保留光刻膠。4量測(cè)PW套刻。收集曝光之后的PW與第零層的套刻數(shù)據(jù),檢查PW與第零層是否對(duì)準(zhǔn),是否符合產(chǎn)品規(guī)5.檢查顯影后曝光的圖PW離子注去光刻膠。利用干法刻蝕和濕法刻蝕去除光刻膠HH<N98雙阱工藝4雙阱工藝NW光刻處理量測(cè)NW套刻,收集曝光之后的NW與第零層的套刻數(shù)據(jù)檢查顯影后曝光的圖形去光刻膠。通過(guò)干法刻蝕和濕法刻蝕去除光刻膠清7.NW和PW阱推進(jìn)和退火。一如H908雙阱工藝5有源區(qū)工藝去除隔離氧化層3.生長(zhǎng)前置氧化層4淀積SlN4層AA光刻處理量測(cè)AA光刻的關(guān)鍵尺寸(CD)。收集刻蝕后的AA關(guān)鍵尺一寸數(shù)據(jù),檢查A關(guān)鍵尺寸是否符合產(chǎn)品規(guī)。8量測(cè)AA套刻,收集曝光之后的A與第零層的套刻數(shù)據(jù)。9檢查顯影后曝光的圖形<9∞8P-sub有源區(qū)工藝6有源區(qū)工藝AA干法刻蝕2去光刻膠。通過(guò)干法刻蝕和濕法刻蝕去除光刻膠量測(cè)A刻蝕關(guān)鍵尺寸。收集刻蝕后的AA關(guān)鍵尺寸數(shù)據(jù),檢查AA關(guān)鍵尺寸是否符合產(chǎn)品規(guī)。檢査刻蝕后的圖形。如果有重大缺陷,將不可能返工,要進(jìn)行5.去除氧化層<9∞87有源區(qū)工藝7L0cS隔離工藝清洗2生長(zhǎng)LOCOS場(chǎng)氧濕法刻蝕去除S2N44濕法刻蝕去除前置氧化層∠∠∠L0cS隔離工藝8閾值電壓離子注入工藝清洗2生長(zhǎng)犧牲層氧化硅3.PMOS閾值電壓調(diào)節(jié)(VTP)離子注入光刻處理。4量測(cè)VTP套刻,收集曝光之后的VTP與AA的套刻數(shù)據(jù)5.檢查顯影后曝光的圖形6VTP離子注入7.去光刻膠HH<N98閾值電壓離子注入工藝9閾值電壓離子注入工藝1.NMOS閾值電壓調(diào)節(jié)(VTN)離子注入光刻處理2.量測(cè)VTN套刻,收集曝光之后的ⅥTN與AA的套刻數(shù)據(jù)3.檢查顯影后曝光的圖形VTN離子注入5.去光刻膠。通過(guò)干法刻蝕和濕法刻蝕去除光刻膠清洗。7.VTN和V「P退火激活。濕法刻蝕去除犧牲層氧化硅。w國(guó)10閾值電壓離子注入工藝10集成電路制造工藝與工程應(yīng)用-工藝制程整合P課件11集成電路制造工藝與工程應(yīng)用-工藝制程整合P課件12集成電路制造工藝與工程應(yīng)用-工藝制程整合P課件13集成電路制造工藝與工程應(yīng)用-工藝制程整合P課件14集成電路制造工藝與工程應(yīng)用-工藝制程整合P課件15集成電路制造工藝與工程應(yīng)用-工藝制程整合P課件16集成電路制造工藝與工程應(yīng)用-工藝制程整合P課件17集成電路制造工藝與工程應(yīng)用-工藝制程整合P課件18集成電路制造工藝與工程應(yīng)用-工藝制程整合P課件19集成電路制造工藝與工程應(yīng)用-工藝制程整合P課件20集成電路制造工藝與工程應(yīng)用-工藝制程整合P課件21集成電路制造工藝與工程應(yīng)用-工藝制程整合P課件22集成電路制造工藝與工程應(yīng)用-工藝制程整合P課件23集成電路制造工藝與工程應(yīng)用-工藝制程整合P課件24集成電路制造工藝與工程應(yīng)用-工藝制程整合P課件25集成電路制造工藝與工程應(yīng)用-工藝制程整合P課件26集成電路制造工藝與工程應(yīng)用-工藝制程整合P課件27集成電路制造工藝與工程應(yīng)用-工藝制程整合P課件28集成電路制造工藝與工程應(yīng)用-工藝制程整合P課件29集成電路制造工藝與工程應(yīng)用-工藝制程整合P課件30集成電路制造工藝與工程應(yīng)用-工藝制程整合P課件31集成電路制造工藝與工程應(yīng)用-工藝制程整合P課件32集成電路制造工藝與工程應(yīng)用-工藝制程整合P課件33集成電路制造工藝與工程應(yīng)用-工藝制程整合P課件34集成電路制造工藝與工程應(yīng)用-工藝制程整合P課件35集成電路制造工藝與工程應(yīng)用-工藝制程整合P課件36集成電路制造工藝與工程應(yīng)用-工藝制程整合P課件37集成電路制造工藝與工程應(yīng)用-工藝制程整合P課件38集成電路制造工藝與工程應(yīng)用-工藝制程整合P課件39集成電路制造工藝與工程應(yīng)用-工藝制程整合P課件40集成電路制造工藝與工程應(yīng)用-工藝制程整合P課件41集成電路制造工藝與工程應(yīng)用-工藝制程整合P課件42集成電路制造工藝與工程應(yīng)用-工藝制程整合P課件43集成電路制造工藝與工程應(yīng)用-工藝制程整合P課件44集成電路制造工藝與工程應(yīng)用-工藝制程整合P課件45集成電路制造工藝與工程應(yīng)用-工藝制程整合P課件46集成電路制造工藝與工程應(yīng)用-工藝制程整合P課件47集成電路制造工藝與工程應(yīng)用-工藝制程整合P課件48集成電路制造工藝與工程應(yīng)用-工藝制程整合P課件49集成電路制造工藝與工程應(yīng)用-工藝制程整合P課件50集成電路制造工藝與工程應(yīng)用-工藝制程整合P課件51集成電路制造工藝與工程應(yīng)用-工藝制程整合P課件52集成電路制造工藝與工程應(yīng)用-工藝制程整合P課件53集成電路制造工藝與工程應(yīng)用-工藝制程整合P課件54集成電路制造工藝與工程應(yīng)用-工藝制程整合P課件55集成電路制造工藝與工程應(yīng)用-工藝制程整合P課件56集成電路制造工藝與工程應(yīng)用-工藝制程整合P課件57集成電路制造工藝與工程應(yīng)用-工藝制程整合P課件58集成電路制造工藝與工程應(yīng)用-工藝制程整合P課件59集成電路制造工藝與工程應(yīng)用-工藝制程整合P課件60集成電路制造工藝與工程應(yīng)用-工藝制程整合P課件61集成電路制造工藝與工程應(yīng)用-工藝制程整合P課件62集成電路制造工藝與工程應(yīng)用-工藝制程整合P課件63集成電路制造工藝與工程應(yīng)用-工藝制程整合P課件64集成電路制造工藝與工程應(yīng)用-工藝制程整合P課件65集成電路制造工藝與工程應(yīng)用-工藝制程整合P課件66集成電路制造工藝與工程應(yīng)用-工藝制程整合P課件67集成電路制造工藝與工程應(yīng)用-工藝制程整合P課件68集成電路制造工藝與工程應(yīng)用-工藝制程整合P課件69集成電路制造工藝與工程應(yīng)用-工藝制程整合P課件70集成電路制造工藝與工程應(yīng)用-工藝制程整合P課件71集成電路制造工藝與工程應(yīng)用-工藝制程整合P課件72集成電路制造工藝與工程應(yīng)用-工藝制程整合P課件73集成電路制造工藝與工程應(yīng)用-工藝制程整合P課件74集成電路制造工藝與工程應(yīng)用-工藝制程整合P課件75集成電路制造工藝與工程應(yīng)用-工藝制程整合P課件76集成電路制造工藝與工程應(yīng)用-工藝制程整合P課件77集成電路制造工藝與工程應(yīng)用-工藝制程整合P課件78集成電路制造工藝與工程應(yīng)用-工藝制程整合P課件79集成電路制造工藝與工程應(yīng)用-工藝制程整合P課件80集成電路制造工藝與工程應(yīng)用-工藝制程整合P課件81集成電路制造工藝與工程應(yīng)用-工藝制程整合P課件82集成電路制造工藝與工程應(yīng)用-工藝制程整合P課件83集成電路制造工藝與工程應(yīng)用-工藝制程整合P課件84集成電路制造工藝與工程應(yīng)