rtc校準(zhǔn)方案應(yīng)用指導(dǎo)

客戶服務(wù)電話 客戶服務(wù)傳真 客戶服務(wù)郵箱 Hi3516A描述為例，未有特殊說明，Hi3516D、Hi3518EV200Hi3516A一致未有特殊說明，Hi3518EV201、Hi3516CV200與Hi3518EV200完全一致

Hi3518EV200、Hi3518EV201和Hi3516CV200目前 選擇電 準(zhǔn) 編譯....................... 使 RTC下，計(jì)時(shí)精度較高；隨著溫度升高或降低計(jì)時(shí)偏差逐漸增大。RTC的計(jì)時(shí)精度可以做到很高，且由于溫補(bǔ)電RTC非集成RTC，節(jié)省一些器件成本。Hi3516A/HI3518EV200內(nèi)部，并不能真實(shí)反應(yīng)外接晶體的實(shí)際溫度，實(shí)際校正效=RTC計(jì)時(shí)時(shí)鐘恒定。32K1-11-1FKsTT)21C)*0Ks1-1Ks為-4x10-8/°C240C）/255=0.705882℃，??

2RTCcapacitance/CLSPEC中的負(fù)載電容一致時(shí)，晶體頻Hi3516A/HI3518EV200CL=12.5pF的晶體設(shè)計(jì)，且在32.768K晶體市場(chǎng)中，CL=12.5pF的晶體為市場(chǎng)主流，請(qǐng)選用此規(guī)格晶體。如果想選用其他規(guī)格的晶體，需要按照影響RTC精度的因素選擇匹配電容。resistance/Rs/ESR大，表示晶體越難以驅(qū)動(dòng)。晶體規(guī)格中會(huì)指出Rs的典型值與最大值。Level/DLDriveLevel，并確定此值小于晶體規(guī)格中規(guī)定的最大DriveLevel。?Rs_max?f?VppXINRTC_XINpeaktopeak?CL PierceCL1與CL2CL1CL2CL_SPEC為晶體規(guī)格書中規(guī)定的標(biāo)準(zhǔn)負(fù)載電容，3~5pF代表的PCB板可能引入12.5pF的晶體為例，CL1與CL212.5pF*2-3pF=22pF。因CL1來獲得最接近32.768K的輸出頻率。RTC在固定分頻模式下不進(jìn)行溫度補(bǔ)償。RTC的時(shí)鐘直接采用外部晶體與振蕩電路產(chǎn)頻的分頻系數(shù)可以調(diào)整。本方案與非集成RTC芯片具有類似精度。為：0x81b。0x81b的十進(jìn)制為2075，分頻系數(shù)=327+（2075/3052）晶振的輸出頻率為3276700Hz，若使用默認(rèn)分頻系數(shù)327.68，則分頻后的時(shí)鐘是1.獲取晶體溫度-Ks和拋物線的轉(zhuǎn)T0。只測(cè)量室溫下的晶體頻率輸出值并記錄晶振所處環(huán)境溫度，可以直接使用單點(diǎn)法進(jìn)行校正。如果對(duì)其標(biāo)稱參數(shù)不滿意可以按以下步驟測(cè)量以獲得更真實(shí)的LinuxVI_ADC_CLKRTC測(cè)試時(shí)鐘輸出（0x200F_0000=03b’110）；配置RTC_CLK寄存器為輸出晶體的振蕩時(shí)鐘2.3.RTC（根據(jù)實(shí)際環(huán)境溫度定，例如室溫25℃時(shí)，晶體溫度可能會(huì)高出10℃，可配置取-20°C80°C下測(cè)量到的頻率值，該方法適合于已知晶體型號(hào)的情況下使用，

???RTC頻率測(cè)試復(fù)用管腳(VI_ADC管腳)?使用抗干擾性好的銅軸線引出測(cè)試信號(hào)，RTC輸出頻率通常會(huì)穩(wěn)定在小數(shù)點(diǎn)的后兩位，例如：32767.97xxHz，xx表示跳動(dòng)小數(shù)位，可以忽略；若達(dá)不到穩(wěn)定器的溫度（即晶體溫度RTC輸出頻率；頻率和溫度構(gòu)成一條二次曲線，配置RTCRTCLUTn與T0相關(guān)，寄存器TOT_OFFSETC相關(guān)。動(dòng)，這樣芯片在每次啟動(dòng)時(shí)就會(huì)把曲線配置到RTC中。對(duì)同一批次中一定數(shù)目的晶體進(jìn)行測(cè)量，對(duì)擬合出的曲線進(jìn)行再擬合，然后所有p+性的偏差影響RTC電容與晶體匹配。對(duì)于晶體，晶體手冊(cè)有電容規(guī)格（Loadcapacitance,CL）說明，C`+(C0+C1)/2=CL，其中C`為單板走線電容，C0C1為晶體串聯(lián)電容，CL為晶體電容；晶體和電容匹配是保證RTC精度的前提，電容與晶體不匹配帶來的誤差理論上可以消除，消除后這部分誤差可以認(rèn)為為0。5ppmRTC芯片的做法。次之的做法是取同一批晶體的一條曲線3部分：?T_SENSORT_SENSOR的讀數(shù)可能會(huì)存在差異，差異在5℃左右。?T_sensor實(shí)際測(cè)量的是主芯片溫度，通過減去一個(gè)估計(jì)偏差值，得到晶體?以實(shí)現(xiàn)校正。溫度更新配置的流程如圖4-1所示。配置outside_tempXX(由用戶設(shè)定單板下電時(shí)，RTC電路檢測(cè)到單板下電信號(hào)，自動(dòng)切換到電池供電。使用電池供電DIE_TEMP，此時(shí)認(rèn)為環(huán)境溫度、芯片溫度相同，RTC內(nèi)部寄存器的值不變，使用的校正曲線與上電時(shí)的校正曲線相同。當(dāng)板子重新上電時(shí)，RTC會(huì)重新恢復(fù)到之

rtc_temp_lut_tbl.hRTC目錄中的同名文件。若使用固定分頻模

cdrtcmaketest

insmodhirtc.koinsmodhi_rtc.ko命令插入ko即可，無需傳入?yún)?shù)。

./test–stime./test–g./test–salarm./test–g./test–a感器采集的溫度值，讀取設(shè)置的RTC更新溫度值等。./test–r./test–w<reg>reg取值，請(qǐng)參見《Hi3518EV20X/Hi3516CV200HDIPCameraSoc用戶指南.pdf》3.10節(jié)實(shí)時(shí)時(shí)鐘部分。復(fù)位RTC

./test通過如下命令可設(shè)置溫度補(bǔ)償模式是否打開。ONRTC溫度補(bǔ)償，OFF表示koko后./test–c./test-f<val>值為將要設(shè)置的分頻系數(shù)的10000倍，例如要設(shè)置分頻系數(shù)為327.60，則val=3276000。通過直接敲“./testf”命令可以查看當(dāng)前分頻系數(shù)。分頻系數(shù)可以配置./test–m<mode>Mode和value5-1012

32K左右頻率正弦波，且peaktopeak幅度小于600mV，則可能是因?yàn)镃L1與CL2過大，導(dǎo)致振蕩電路驅(qū)動(dòng)不足，從而幅度偏小，振蕩波形無法通過后200Kpeaktopeak600mV，則可能是因?yàn)镃L1與CL2