GB/T 42973-2023半導(dǎo)體集成電路數(shù)字模擬(DA)轉(zhuǎn)換器

ICS31200

CCSL.56

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T42973—2023

半導(dǎo)體集成電路

數(shù)字模擬DA轉(zhuǎn)換器

()

Semiconductorinteratedcircuits—Diital-analoDAconverter

ggg()

2023-09-07發(fā)布2024-01-01實(shí)施

國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局發(fā)布

國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T42973—2023

目次

前言

…………………………Ⅰ

范圍

1………………………1

規(guī)范性引用文件

2…………………………1

術(shù)語(yǔ)和定義

3………………2

分類(lèi)

4………………………2

概述

4.1…………………2

奈奎斯特率轉(zhuǎn)換器

4.2DA……………2

過(guò)采樣轉(zhuǎn)換器

4.3DA…………………2

技術(shù)要求

5…………………3

溫度

5.1…………………3

電特性

5.2………………3

封裝特性

5.3……………4

其他指標(biāo)

5.4……………4

電特性測(cè)試方法

6…………………………4

一般說(shuō)明

6.1……………4

靜態(tài)特性

6.2……………5

動(dòng)態(tài)特性

6.3……………14

檢驗(yàn)規(guī)則

7…………………25

一般要求

7.1……………25

檢驗(yàn)分類(lèi)

7.2……………25

質(zhì)量評(píng)定類(lèi)別

7.3………………………25

抽樣方案

7.4……………25

檢驗(yàn)批構(gòu)成

7.5…………………………26

鑒定檢驗(yàn)

7.6……………26

質(zhì)量一致性檢驗(yàn)

7.7……………………26

篩選

7.8…………………29

標(biāo)志

8………………………30

包裝運(yùn)輸貯存

9、、…………………………30

包裝

9.1…………………30

運(yùn)輸

9.2…………………30

貯存

9.3…………………30

GB/T42973—2023

前言

本文件按照標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第部分標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則的規(guī)定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

請(qǐng)注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專(zhuān)利本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識(shí)別專(zhuān)利的責(zé)任

。。

本文件由中華人民共和國(guó)工業(yè)和信息化部提出

。

本文件由全國(guó)半導(dǎo)體器件標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)歸口

(SAC/TC78)。

本文件起草單位中國(guó)電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究院成都華微電子科技股份有限公司成都振芯科技股

:、、

份有限公司中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第五十八研究所中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第二十四研究所四川翊

、、、

晟芯科信息技術(shù)有限公司北京芯可鑒科技有限公司中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所三旗惠州電子科技

、、、()

有限公司杭州萬(wàn)高科技股份有限公司

、。

本文件主要起草人李錕張馳李大剛王會(huì)影張濤雷郎成劉顯軍鐘明琛李文昌李海龍

:、、、、、、、、、、

林玲隋春娟

、。

Ⅰ

GB/T42973—2023

半導(dǎo)體集成電路

數(shù)字模擬DA轉(zhuǎn)換器

()

1范圍

本文件規(guī)定了數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器以下簡(jiǎn)稱(chēng)轉(zhuǎn)換器或的分類(lèi)技術(shù)要求測(cè)試方法

(DA)(DADAC)、、、

檢驗(yàn)規(guī)則標(biāo)志包裝運(yùn)輸和貯存

、、、。

本文件適用于采用半導(dǎo)體集成電路工藝設(shè)計(jì)制造的轉(zhuǎn)換器

DA。

2規(guī)范性引用文件

下列文件中的內(nèi)容通過(guò)文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款其中注日期的引用文

。,

件僅該日期對(duì)應(yīng)的版本適用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于

,;,()

本文件

。

半導(dǎo)體器件第部分分立器件和集成電路總規(guī)范

GB/T4589.1—200610:

半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第部分外部目檢

GB/T4937.3—20123:

半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第部分強(qiáng)加速穩(wěn)態(tài)濕熱試驗(yàn)

GB/T4937.4—20124:

(HAST)

半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第部分快速溫度變化雙液槽法

GB/T4937.11—201811:

半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第部分鹽霧

GB/T4937.13—201813:

半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第部分引出端強(qiáng)度引線牢固

GB/T4937.14—201814:(

性

)

半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第部分通孔安裝器件的耐焊

GB/T4937.15—201815:

接熱

半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第部分可焊性

GB/T4937.21—201821:

半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第部分高溫工作壽命

GB/T4937.2323:

半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第部分靜電放電敏感度測(cè)試

GB/T4937.2626:(ESD)

人體模型

(HBM)

半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第部分靜電放電敏感度測(cè)試

GB/T4937.2727:(ESD)

機(jī)器模型

(MM)

集成電路術(shù)語(yǔ)

GB/T9178

半導(dǎo)體器件集成電路第部分