光伏電鍍銅技術(shù)市場分析

光伏電鍍銅技術(shù)市場分析1.N型電池加速滲透，電鍍銅技術(shù)或助力“去銀“降本1.1.長期看好HJT，降低銀耗迫在眉睫N型電池滲透加速，預(yù)計(jì)至2025年市占率接近半成。根據(jù)PVinfolink，預(yù)計(jì)至2025年，以HJT和TOPCon為代表的N型電池市占率將接近50%，而在2022年N型電池的市占率預(yù)計(jì)不超過10%。根據(jù)SMM統(tǒng)計(jì)（截至2022年11月），至2023年底Topcon電池產(chǎn)能預(yù)計(jì)達(dá)305.9GW（年新增產(chǎn)能將達(dá)到228.5GW）；2023年HJT新增規(guī)劃投產(chǎn)為61.8GW，若按照規(guī)劃全部達(dá)產(chǎn)后，2023年HJT產(chǎn)能將達(dá)到101.2GW。N型電池效率優(yōu)勢明顯，短期HJT、TOPCon、IBC多技術(shù)并存，中長期看好HJT。HJT電池較PERC電池的優(yōu)勢體現(xiàn)在更高的效率上限，自2021年9月起各廠家不斷突破HJT電池實(shí)驗(yàn)室效率上限，根據(jù)2022年12月15日隆基綠能的公告，公司HJT電池實(shí)驗(yàn)室效率達(dá)26.56%，至理論極限28.5%仍有不小空間。另外同屬N型電池，HJT電池較TOPCon電池工序步驟更少，對(duì)應(yīng)良率上限更高。我們認(rèn)為，雖然現(xiàn)階段HJT高額的設(shè)備投資造成部分廠家的觀望，伴隨PERC效率逐漸達(dá)到瓶頸以及降本路線的逐漸落地，各廠家或加速擴(kuò)產(chǎn)，助力HJT電池產(chǎn)能放量?，F(xiàn)階段HJT電池面臨銀漿耗量大+價(jià)格貴的問題。根據(jù)CPIA，2021年M6尺寸P型電池平均銀漿（正銀+背銀）耗量96.4mg/片；TOPCon電池正面使用的銀鋁漿（95%銀）消耗量約75.1mg/片；異質(zhì)結(jié)電池雙面低溫銀漿消耗量約190.0mg/片，異質(zhì)結(jié)電池總的銀耗量同比減少14.9%，超過P型電池同比下降10.2%，但總耗量仍是P型電池的2倍。此外，N型電池所用銀漿國產(chǎn)化程度產(chǎn)生較大分歧，區(qū)別于P型PERC和TOPCon電池可以使用高溫銀漿，HJT電池通常只能使用低溫銀漿（燒結(jié)溫度250℃以下），而低溫主柵銀漿國產(chǎn)率在10%左右，細(xì)柵用銀漿全部依賴進(jìn)口（日本京都電子、德國漢高公司、美國杜邦公司等市占率超80%），造成賣方溢價(jià)。另外，采用低溫銀漿還存在印刷速度低（250~280mm/s，對(duì)比PERC350~450mm/s）和線型寬（38~42um，對(duì)比PERC22~26um）的問題，進(jìn)一步制約了HJT電池的量產(chǎn)商用化。拆解電池成本，銀漿占電池片總成本13%，占非硅成本51%。根據(jù)SOLARZOOM新能源智庫，我們對(duì)M6尺寸N型HJT電池片成本進(jìn)行拆解，部分假設(shè)略作修正：進(jìn)口低溫銀漿價(jià)格約8500~9500元/kg，我們?nèi)°y漿價(jià)格8500元/kg，假設(shè)22年銀漿消耗量在21年基礎(chǔ)上再下降30%左右，取135mg/片；靶材價(jià)格按2000元/kg估算；M6尺寸硅片按6.35元/片估算，按6.89W/片折算。目前，降低銀耗的路徑包括多主柵（MBB）技術(shù)、激光轉(zhuǎn)印技術(shù)、低溫銀漿國產(chǎn)化、銀包銅技術(shù)和電鍍銅技術(shù)。在考慮仍使用銀粉作為原材料的路線中，銀包銅技術(shù)（降低銀耗）、多主柵技術(shù)和激光轉(zhuǎn)印、外加銀粉國產(chǎn)化可以實(shí)現(xiàn)并聯(lián)，預(yù)計(jì)總體降本60~70%。銀包銅技術(shù)雖然能夠降低含銀量，但該降低有所上限，且同樣會(huì)降低部分效率（約在0.2%以內(nèi)），從而在總效益提升上不明顯。而電鍍銅技術(shù)與上述路線并行，旨在直接擺脫銀漿的依賴，有望在降低銀耗的同時(shí)提升效率。1.2.電鍍銅技術(shù)有望助力HJT電池降本增效電鍍技術(shù)是利用電化學(xué)方法在導(dǎo)電固體表面沉積一層薄金屬、合金或復(fù)合材料的過程。電鍍銅技術(shù)屬于一種特殊的電解過程，利用電解原理在導(dǎo)電層表面沉積銅，主要基于種子層?xùn)啪€的方法替代絲網(wǎng)印刷制作電極，一般使用含銀的電鍍液，再用銅鍍層，從而減少銀漿用量，或者用銅鍍層完全代替銀漿，使成本更具有競爭力。銅作為銀的“替身使者”，性價(jià)比更高。相比較銀柵線，銅柵線的電阻率要高3倍左右（銅柵線電阻率在1.7μΩ.cm，而銀在3~10μΩ.cm），而低接觸電阻的金屬柵極是發(fā)揮高效異質(zhì)結(jié)電池光電轉(zhuǎn)換效率的重要途徑。另外，單從價(jià)格上更進(jìn)一步體現(xiàn)銅柵線的優(yōu)勢，銅價(jià)格約60元/kg，約是銀柵線的十分之一，若考慮低溫進(jìn)口銀漿（8500~9500元/kg），這一價(jià)格優(yōu)勢將更加明顯。電鍍銅技術(shù)不光可以擺脫銀漿降本，還可以助力提升效率。根據(jù)光伏行業(yè)報(bào)告顯示，2021年絲網(wǎng)印刷工藝下銀柵線寬度控制在平均27μm左右（市場主流的主柵數(shù)量是10BB及以上），隨著銀漿技術(shù)的創(chuàng)新和印刷技術(shù)的提升，預(yù)計(jì)至2022年底細(xì)柵或?qū)⑾陆抵?0μm。相比于銀柵線，銅柵線寬度更細(xì)（超細(xì)線寬可以實(shí)現(xiàn)≤10μm），更細(xì)的柵線寬度可以減少占用電池片的面積，從而達(dá)到增加發(fā)電效率的效果。污染物處理+產(chǎn)能受限，電鍍銅技術(shù)距離商業(yè)化還需時(shí)日。1）考慮到光伏產(chǎn)能很大，外加有些物質(zhì)比較難以處理（比如干膜或者油墨都是有機(jī)污染物），環(huán)保上需要另外投入以滿足國家標(biāo)準(zhǔn)。2）電鍍銅工藝流程比傳統(tǒng)的絲網(wǎng)印刷工藝更長，為此需要額外投入更多的設(shè)備成本及人力成本，以邁為的絲網(wǎng)印刷設(shè)備為例，一臺(tái)機(jī)器就可以實(shí)現(xiàn)8000-10000片（對(duì)應(yīng)1GWh）的印刷，而目前以采用水平鍍工藝的單臺(tái)電鍍?cè)O(shè)備產(chǎn)能還未達(dá)到GW量級(jí)。2.“種子層制備+圖形化+金屬化+后處理”四大環(huán)節(jié)構(gòu)建整套工藝電鍍銅技術(shù)路線是對(duì)傳統(tǒng)絲網(wǎng)印刷環(huán)節(jié)的替代，可以分為“種子層制備+圖形化+金屬化+后處理”四大環(huán)節(jié)。以HJT電池為例，為了實(shí)現(xiàn)銅電鍍，即金屬化，首先需要在TCO膜之后鍍一層金屬（如銅）種子層；再將感光膠膜（如光刻膠、油墨等）貼敷在種子層上作為圖形化前期準(zhǔn)備，隨后采用曝光、顯影處理；再使用電鍍工藝加厚種子層；最后再去掉掩膜及種子層；電池正反兩面均需重復(fù)此項(xiàng)操作。涉及電鍍銅技術(shù)的廠商可以分為深耕光伏領(lǐng)域設(shè)備商的前瞻布局+細(xì)分環(huán)節(jié)龍頭廠商的橫向拓展。目前，捷得寶、金石能源和邁為股份涉及電鍍銅整線的布局，種子層環(huán)節(jié)布局多以電池片設(shè)備廠商為主；圖形化環(huán)節(jié)多方案并行，各家廠商（芯碁微裝、蘇大維格、帝爾激光等）進(jìn)展不一；電鍍環(huán)節(jié)工藝主要在水平鍍（捷得寶、寶馨科技等）和垂直鍍（東威科技等）兩大路線中抉擇。2.1.種子層制備：PVD對(duì)工藝溫度要求較低，為目前主流方案電鍍銅路線的第一步是種子層的制備，用來增加電鍍銅與TCO層之間的附著力。若直接在TCO上進(jìn)行電鍍，會(huì)因?yàn)楦街κ欠兜氯A力（鍍層和TCO間的物理接觸產(chǎn)生）而容易引起電極的脫落，而銅與TCO的接觸特性是影響HJT電池載流子收集、附著特性及電性能提高的重要因素，另外直接在TCO上電鍍銅是非選擇性的。為此，在電鍍前在TCO表面沉積一層極薄的種子層（100nm），可以改善銅和TCO接觸及附著特征，隨后沉積圖形化的掩膜，以實(shí)現(xiàn)選擇性電鍍。在種子層制備方式上，包括物理氣相沉積（PVD）和化學(xué)氣相沉積（CVD）等。物理氣相沉積是在真空或低壓氣體放電條件下（即在等離子體中進(jìn)行的），經(jīng)過“蒸發(fā)或?yàn)R射”后，在物體表面生成與基材料性能完全不同的新固態(tài)涂層過程；而化學(xué)氣相沉積則是把含有構(gòu)成薄膜元素的氣態(tài)反應(yīng)劑或液態(tài)反應(yīng)劑的蒸氣及反應(yīng)所需其它氣體引入反應(yīng)室，在襯底表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成薄膜的過程。PVD和CVD主要區(qū)別體現(xiàn)在工藝溫度上，目前主流方法為PVD制備。CVD對(duì)工藝溫度要求較高（爐內(nèi)溫度在800~1000℃），并且在高溫條件下鍍層結(jié)合強(qiáng)度會(huì)更強(qiáng)，相比較而言，PVD對(duì)工藝溫度要求較低（500℃或更低）。此外，PVD和CVD在適用范圍、鍍膜效果、投資成本和生產(chǎn)周期方面各有千秋，以PVD為例，其設(shè)備投資較貴，但對(duì)應(yīng)生產(chǎn)周期更短；鍍膜可以做到更?。?~5μm），但涂層結(jié)合強(qiáng)度會(huì)更低。種子層也起到阻擋層的作用，一般選擇導(dǎo)電性能良好的鎳。以TOPCon電池為例，晶硅電池若采用銅電極的挑戰(zhàn)在于銅在硅基內(nèi)的擴(kuò)散速度很快，若不加以控制，會(huì)導(dǎo)致晶硅電池的失效，造成轉(zhuǎn)換效率大幅降低，因此需要合適的擴(kuò)散阻擋層（種子層）來阻擋銅離子進(jìn)入晶硅內(nèi)部。鎳由于與銅在晶硅內(nèi)部的沉淀規(guī)律不同（在硅基內(nèi)部擴(kuò)散的量較少），都處于硅基表面，且鎳與硅在370℃的退火溫度下就可以形成良好的硅鎳合金，因此鎳是作為種子層較好的材料。相比較而言，HJT電池最外層的TCO是天然的阻擋層材料，因此HJT電池電鍍銅工藝也可以選擇不制備種子層，但如何保證銅與TCO的有效歐姆接觸也是問題（TCO不耐高溫）。2022年9月，邁為股份聯(lián)合澳大利亞金屬化技術(shù)公司SunDrive采用邁為自主創(chuàng)新的可量產(chǎn)微晶設(shè)備技術(shù)和工藝研制的全尺寸(M6，274.5cm2)N型晶硅異質(zhì)結(jié)電池，其轉(zhuǎn)換效率高達(dá)26.41%，而在電池的金屬化方面，SunDrive優(yōu)化了其無種子層直接電鍍工藝，使電極高寬比得到提升（柵線寬度可達(dá)9μm，高度7μm）。2.2.圖形化：光刻路線和激光路線并行，主流工藝仍在探索圖形化是電鍍銅整個(gè)工藝路線中的重要環(huán)節(jié)，主要分為光刻路線和激光路線兩種。方案一：光刻路線（利用光學(xué)-化學(xué)反應(yīng)原理和化學(xué)、物理刻蝕等方法，將設(shè)計(jì)好的微圖案轉(zhuǎn)移到基板表面），在基板上先進(jìn)行薄膜沉積→涂感光材料（光刻膠、油墨等）→光刻→顯影→刻蝕→脫膠，各環(huán)節(jié)相互影響、相互制約，其中曝光是光刻技術(shù)中最重要的環(huán)節(jié)。根據(jù)感光材料使用的類別，又可以分為干膜光刻和濕膜光刻。濕膜光刻所用的光刻膠是正膠，而干膜光刻所用的光刻膠是負(fù)膠，在需要相同的圖形時(shí)，二者采用的掩膜板是相反的。1）干膜（負(fù)膠）是一種高分子化合物，它通過紫外線的照射后產(chǎn)生一種聚合反應(yīng)（由單體合成聚合物的反應(yīng)過程），形成一種穩(wěn)定的物質(zhì)附著于基板表面，從而達(dá)到阻擋電鍍和蝕刻的功能，即顯影時(shí)曝光區(qū)的光刻膠被保留。2）濕膜（正膠）相對(duì)干膜而言，是一種感光油墨，是指對(duì)紫外線敏感，并且能通過紫外線固化的一種油墨，即顯影時(shí)非曝光區(qū)的光刻膠被保留。濕膜光刻比干膜光刻多一道烘烤環(huán)節(jié)，但其性能優(yōu)異和成本低，為目前主流路線。1）工藝上，濕膜光刻工藝簡單，雖然耗時(shí)較長，但光刻效果質(zhì)量高；干膜光刻雖然沒有烘烤環(huán)節(jié)可以節(jié)省很多時(shí)間，但操作起來比較難控制，由于沒有烘烤環(huán)節(jié)顯影過程中的顯影液會(huì)使得膠膜吸水膨脹，出現(xiàn)膨脹溶脹現(xiàn)象，使得殘留的溶液較難處理。2）性能上，濕膜的對(duì)比度、分辨率和反應(yīng)速度等性能指標(biāo)更加優(yōu)異，使其應(yīng)用范圍更為廣泛。3）成本上，濕膜（油墨）的成本較干膜更低，更適合光伏電池大規(guī)模的生產(chǎn)。根據(jù)是否使用掩模版，光刻技術(shù)可以分為直寫光刻和掩膜光刻。其中，掩膜光刻可進(jìn)一步分為接近/接觸式光刻以及投影式光刻。1）直寫光刻（無掩膜光刻），是指將計(jì)算機(jī)控制的高精度光束聚焦投影至涂覆有感光材料的基材表面，整個(gè)過程無需掩膜而直接進(jìn)行掃描曝光。直寫光刻根據(jù)輻射源的不同又可以分為光學(xué)直寫光刻（激光直寫光刻）和帶電粒子直寫光刻（電子束直寫、離子束直寫等）。2）掩膜光刻，由光源發(fā)出的光束經(jīng)掩膜版在感光材料上成像。具體又可分為接近、接觸式光刻以及投影光刻。相較于接觸式光刻和接近式光刻技術(shù)，投影式光刻技術(shù)更加先進(jìn)，通過投影的原理能夠在使用相同尺寸掩膜版的情況下獲得更小比例的圖像，從而實(shí)現(xiàn)更精細(xì)的成像。精度高+靈活性強(qiáng)，直寫光刻設(shè)備有望在電鍍銅圖形化環(huán)節(jié)發(fā)力。以PCB應(yīng)用領(lǐng)域?yàn)槔?）精度方面，直寫光刻解析能力由微鏡尺寸及成像鏡頭縮放倍率決定，避免了底片的限制與影響，可以實(shí)現(xiàn)更精細(xì)的線寬。目前直接成像技術(shù)能夠?qū)崿F(xiàn)最高精度可達(dá)5μm的線寬，而使用傳統(tǒng)曝光底片（銀鹽膠片）的傳統(tǒng)曝光技術(shù)能夠?qū)崿F(xiàn)最高精度一般約50μm左右。2）靈活度方面，特定型號(hào)的掩膜版使用壽命相對(duì)較短，會(huì)加劇掩膜版投入成本，尤其是新產(chǎn)品研發(fā)成本高、周期長，外加實(shí)際使用時(shí)更換底片等環(huán)節(jié)，故直寫光刻工藝靈活度更高。值得一提的是，直寫光刻技術(shù)目前還受限于生產(chǎn)效率等方面問題，如帶電粒子直寫光刻技術(shù)的生產(chǎn)效率較低，且在大規(guī)模生產(chǎn)中會(huì)產(chǎn)生較為嚴(yán)重的鄰近效應(yīng)。方案二：激光路線，包括激光開槽和激光轉(zhuǎn)印兩種。激光開槽在太陽能電池電鍍銅中具備應(yīng)用前景，但與HJT電池工藝不兼容。由于HJT電池的本征和摻雜非晶硅層（a-Si層）厚度均小于20nm，激光束將造成鈍化層的嚴(yán)重?fù)p壞，使得在不影響器件性能的情況下燒灼TCO層變得不可能。為解決上述問題，可以通過以下方案來解決：首先在TCO層上沉積Al2O3/a-Si疊層（a-Si層作為吸收劑應(yīng)用于激光照射，使Al2O3薄膜區(qū)域被燒蝕）→其次在TCO上通過激光開槽形成電鍍開口→沉積種子層（鎳）→電鍍銅。由于沉積Al2O3/a-Si疊層的方法僅適用單面電鍍，外加兩個(gè)額外工藝步驟，并不適用于雙面電鍍太陽能電池。相較激光開槽，激光誘導(dǎo)正向轉(zhuǎn)移（LIFT）可適用于HJT電池。LIFT技術(shù)工藝流程相對(duì)簡單：首先在TCO薄膜上沉積一層電介質(zhì)作為鍍膜→將種子層正向誘導(dǎo)至太陽能電池上→種子層通過燒制與TCO形成良好接觸→電鍍銅。其中，無機(jī)材料的厚度通常為幾十納米，電極形貌與較厚的有機(jī)鍍膜相比更加平滑，且可以通過調(diào)整鍍液來抑制橫向生長，從而實(shí)現(xiàn)更大的高寬比。圖形化環(huán)節(jié)光刻路線和激光路線并行，主流工藝仍在探索。1）光刻路線方面，以芯碁微裝為代表，其直寫光刻設(shè)備現(xiàn)階段已可應(yīng)用于電鍍銅方案，正與相關(guān)產(chǎn)業(yè)方就上述方案在光伏領(lǐng)域的量產(chǎn)應(yīng)用進(jìn)行合作，但目前暫未形成量產(chǎn)出貨。2）激光路線方面，以帝爾激光為代表，其電鍍工藝在前期TOPCon電池上已實(shí)現(xiàn)較好的中試應(yīng)用，且在2022年IBC上又有更進(jìn)一步的突破。目前，已取得電鍍銅激光設(shè)備的量產(chǎn)訂單。2.3.金屬化：垂直鍍技術(shù)成熟但產(chǎn)量受限，水平鍍有望助力產(chǎn)能放量垂直鍍工藝成熟但產(chǎn)能有限，難以支撐大規(guī)?；纳a(chǎn)。根據(jù)東威科技（國內(nèi)PCB電鍍?cè)O(shè)備龍頭）招股書顯示，目前其垂直連續(xù)電鍍?cè)O(shè)備相對(duì)成熟（在均勻性和貫孔率等關(guān)鍵指標(biāo)上表現(xiàn)良好），是PCB下游廠商的首選。在采用垂直鍍對(duì)光伏電池進(jìn)行銅電鍍時(shí)，需要利用陰電極夾具夾持住太陽電池（壓針與特別設(shè)計(jì)的開膜區(qū)域接觸）→然后將電池浸泡在種子層為鎳的鍍槽中→鍍完鎳后經(jīng)過清洗槽后再提拉至水槽清洗→清洗后提拉至電鍍銅槽進(jìn)行銅電鍍→再提拉至水槽清洗，后再提拉至錫槽鍍錫（錫的厚度約為1微米，用以防氧化，銅較銀更容易氧化）。根據(jù)垂直鍍的工藝流程，可以發(fā)現(xiàn)受限于機(jī)械結(jié)構(gòu)限制單槽夾持的電池片數(shù)目，以及考慮夾住硅片并進(jìn)行上下移動(dòng)的耗時(shí)，垂直鍍路線的產(chǎn)能將受限（目前東威科技垂直鍍?cè)O(shè)備量產(chǎn)水平約7000片/小時(shí)）。水平鍍與垂直鍍?cè)硐嗤a(chǎn)的速度和效率要更高。水平鍍是在垂直鍍基礎(chǔ)上發(fā)展的新穎電鍍技術(shù)，該技術(shù)需要與鍍液和輔助裝置等實(shí)現(xiàn)良好的相互配合。與垂直鍍?cè)硐嗤?，水平鍍也必須具有陰陽兩極，通電后產(chǎn)生電極反應(yīng)使電解液主成份產(chǎn)生電離，使帶電的正離子向電極反應(yīng)區(qū)的負(fù)相移動(dòng)；帶電的負(fù)離子向電極反應(yīng)區(qū)的正相移動(dòng)，于是產(chǎn)生金屬沉積鍍層和放出氣體。在傳送方面，水平鍍采用鏈?zhǔn)絺鬏敚L輪旋轉(zhuǎn)帶動(dòng)電池片移動(dòng)），而其中一側(cè)滾輪為導(dǎo)電材料形成電鍍系統(tǒng)的陰電極，電池在水平傳輸過程中與陰電極滾輪保持連續(xù)的或幾乎連續(xù)的接觸，從而實(shí)現(xiàn)銅電鍍。為此，只需要設(shè)計(jì)合適長度的槽體，提高傳輸?shù)乃俣?，即可?shí)現(xiàn)理想的單位時(shí)間產(chǎn)片量，使其滿足大規(guī)模量產(chǎn)化需求。水平鍍與垂直鍍實(shí)際效果差異不大，各廠商正積極研發(fā)驗(yàn)證。根據(jù)捷得寶在2021年8月更新的水平電鍍?cè)O(shè)備數(shù)據(jù)來看，該設(shè)備能夠?qū)崿F(xiàn)雙面同時(shí)電鍍和較佳的均勻性，產(chǎn)速以M2計(jì)算，可達(dá)6000片/小時(shí)（目標(biāo)10000片/小時(shí)）。而目前進(jìn)展較快的羅博特科在2022年12月26日實(shí)現(xiàn)首創(chuàng)新型異質(zhì)結(jié)電池銅電鍍?cè)O(shè)備的交付，對(duì)現(xiàn)階段在HJT電池銅互聯(lián)技術(shù)的推進(jìn)有著里程碑的重大意義。2.4.后處理：刻蝕+去膜，工藝難度不大后處理主要是對(duì)感光材料和種子層的去除，工藝難度不大。在經(jīng)顯影（圖形化）、以及鍍銅（金屬化）后，先對(duì)感光材料進(jìn)行去膜處理，然后通過刻蝕來去除種子層，保證非鍍銅位置的TCO層能夠露出。其中刻蝕可以分為濕法刻蝕和干法刻蝕干法刻蝕占比大，約占90%。1）濕法刻蝕：用液體化學(xué)試劑（如酸、堿和溶劑等）以化學(xué)的方式去除硅片表面的材料，以集成電路工藝為例，大多是濕法化學(xué)刻蝕是將硅片浸入化學(xué)溶劑或向硅片上噴灑刻蝕溶劑；一般適用于尺寸較大的情況下（大于3μm）。2）干法刻蝕：通過等離子氣與硅片發(fā)生物理或化學(xué)反應(yīng)（或結(jié)合物理、化學(xué)兩種反應(yīng)）的方式將表面材料去除。目前，較光刻而言，國內(nèi)刻蝕工藝和刻蝕設(shè)備比較成熟，已經(jīng)能夠達(dá)到世界較為前列的水平，能夠達(dá)到較高的刻蝕選擇性、更好的尺寸控制、低面比例依賴刻蝕和更低的等離子體損傷。3.從成本端測算看電鍍銅路線的經(jīng)濟(jì)性根據(jù)我們測算：僅考慮折舊+銀漿成本，1）在考慮新增設(shè)備對(duì)應(yīng)折舊以及電鍍銅本身工藝成本的情況下，現(xiàn)階段電鍍銅路線預(yù)計(jì)可以較傳統(tǒng)HJT絲網(wǎng)印刷路線節(jié)約0.044元/W（不考慮良率）。現(xiàn)階段，盡管從我們測算角度看，電鍍銅技術(shù)可以幫助HJT電池較傳統(tǒng)絲網(wǎng)印刷方案節(jié)省五分之一的成本，但就銀漿+折舊這兩塊成本而言，與PERC和TOPCon電池比仍分別高出約0.07和0.05元/W的成本，而這差異主要源于設(shè)備的投資總額。2）考慮良率的情況下，電鍍銅工藝良率提升到80%左右預(yù)計(jì)和絲網(wǎng)印刷成本打平。假設(shè)絲網(wǎng)印刷良率在98%，從折舊+銀漿成本平衡角度看，對(duì)應(yīng)電鍍銅工藝良率在80%左右（0.182/0.226×98%）；3）不考慮良率的情況下，現(xiàn)階段電鍍銅路線成本（0.182元/W）略低于激光轉(zhuǎn)印路線成本（0.189元/W），具備經(jīng)濟(jì)性優(yōu)勢。預(yù)測假設(shè)：1）采用電鍍銅路線較傳統(tǒng)絲網(wǎng)印刷路線可以提升0.3%的效率；2）銀漿耗量方面，假設(shè)PERC、TOPCon和HJT電池在21年的基礎(chǔ)（表1：分別對(duì)應(yīng)96.4、145.1和190mg/片）上分別下降約15%/25%/30%，取整近似后分別取80、110、135mg/片；高溫和低溫銀漿售價(jià)分別取6000和8500元/kg（含稅）；3）材料費(fèi)用（掩膜成本+藥水成本+種子層成本）取0.04元/W，運(yùn)營費(fèi)用（人工+水電+環(huán)保處理費(fèi)）取0.04元/W，電鍍銅工藝成本合計(jì)取0.08元/W；4）假設(shè)絲網(wǎng)印刷設(shè)備占總投資額比重為15%，設(shè)備折舊按5年無殘值；5）假設(shè)激光轉(zhuǎn)印方案的銀漿耗量較傳統(tǒng)絲網(wǎng)印刷方案下降30%，取95元/W，新增設(shè)備投資額取3000萬/GW；6）我們估計(jì)新增電鍍銅設(shè)備投資額在1.5~2億元/GW，取1.7億元/GW。長遠(yuǎn)來看，電鍍銅技術(shù)較傳統(tǒng)絲網(wǎng)印刷方案仍具備經(jīng)濟(jì)性。在考慮電鍍銅新增設(shè)備投資額降低、以及傳統(tǒng)絲網(wǎng)印刷方案銀耗量降低的情況下，我們進(jìn)一步對(duì)電鍍銅路線的成本和傳統(tǒng)方案的成本進(jìn)行靈敏度分析（這里成本仍僅考慮折舊+銀漿）。假設(shè)方面與上述保持一致，在假定銀漿售價(jià)（8500元/kg）以及電鍍銅工藝成本（0.08元/kg）不變的情況下，即使銀漿耗量下降30%（對(duì)應(yīng)95mg/片），現(xiàn)階段電鍍銅方案仍能與傳統(tǒng)方案成本打平；而當(dāng)銀漿耗量下降40%（對(duì)應(yīng)81mg/片）時(shí)，將新增設(shè)備投資額下降30%（對(duì)應(yīng)1.2億元）時(shí)，電鍍銅方案與傳統(tǒng)方案成本依舊可以基本打平。4.電鍍銅技術(shù)蓄勢待發(fā)，產(chǎn)業(yè)化推進(jìn)有望打開市場空間電鍍銅并非全新技術(shù)，但產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程在加速。早在2011年11月，日本Kaneka公司和比利時(shí)IMEC微電子研