存儲(chǔ)器的分類及其區(qū)別

第第頁(yè)存儲(chǔ)器的分類及其區(qū)別

存儲(chǔ)器可分為易失性存儲(chǔ)器和非易失性存儲(chǔ)器兩類，前者在掉電后會(huì)失去記憶的數(shù)據(jù)，后者即使在切斷（電源）也可以保持?jǐn)?shù)據(jù)。易失性存儲(chǔ)器又可分為（DRAM）(Dynam（ic）（RAM）)和SRAM(StaticRAM)。而（ROM）則是非易失性存儲(chǔ)器，ROM可分為EEPROM(ElectricallyErasableProgrammableROM)、flashmem（or）y等。

RAM:即Random（Ac）cessMemory隨機(jī)存儲(chǔ)內(nèi)存。這種存儲(chǔ)器在斷電時(shí)將丟失其存儲(chǔ)內(nèi)容，故主要用于存儲(chǔ)短時(shí)間使用的程序。SRAM靜態(tài)存儲(chǔ)器（StaticRandomAccessMemory,SRAM）利用雙穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器來(lái)保存信息的，DRAM動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器（DynamicRandomAccessMemory）利用MOS（電容）存儲(chǔ)電荷來(lái)儲(chǔ)存信息，因此必須通過(guò)不停的給電容充電來(lái)維持信息，所以DRAM的成本、集成度、功耗等明顯優(yōu)于SRAM。我們常說(shuō)（手機(jī)）的運(yùn)行內(nèi)存指的就是（DDR）-DRAM.

SRAM:SRAM速度非?？欤悄壳白x寫(xiě)最快的存儲(chǔ)設(shè)備了，但是它也非常昂貴，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如（CPU）的一級(jí)cache，二級(jí)cache。SRAM利用（寄存器）來(lái)存儲(chǔ)信息，所以一旦掉電，（資料）就會(huì)全部丟失，只要（供電），它的資料就會(huì)一直存在，不需要?jiǎng)討B(tài)刷新，所以叫靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器。

DDR（SD）RAM;(DoubleDataRa（te）synchronousdynamicrandom-accessmemory)：雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器,DRAM利用MOS管的柵電容上的電荷來(lái)存儲(chǔ)信息，一旦掉電信息會(huì)全部的丟失，由于柵極會(huì)漏電，所以每隔一定的時(shí)間就需要一個(gè)刷新機(jī)構(gòu)給這些柵電容補(bǔ)充電荷，并且每讀出一次數(shù)據(jù)之后也需要補(bǔ)充電荷，這個(gè)就叫動(dòng)態(tài)刷新，所以稱其為動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器?，F(xiàn)在使用較多的是DDR3,DDR4,LPDDR4,DDR5,LPDDR5等。

ROM:（Re（ad）-OnlyMemory）即只讀內(nèi)存，是一種只能讀出事先所存數(shù)據(jù)的固態(tài)（半導(dǎo)體）存儲(chǔ)器。

EEPROM：最典型的電可改寫(xiě)非揮發(fā)性存儲(chǔ)器，它具有電可（編程）、可擦/寫(xiě)、使用靈活等優(yōu)點(diǎn)。Flashmemory和EEPROM都是電可擦寫(xiě)可編程的存儲(chǔ)器，EEPROM在很多（STM32）（單片機(jī)）中得到使用，一般是128KB，16KB這種容量比較小，一般用來(lái)保存用戶數(shù)據(jù)（在運(yùn)行中可改變的數(shù)據(jù)）

FLASH(NANDFLASH,NORFLASH):它結(jié)合了ROM和RAM的長(zhǎng)處，不僅具備（電子）可擦出可編程（EEPROM）的性能，還不會(huì)斷電丟失數(shù)據(jù)同時(shí)可以快速讀取數(shù)據(jù)（N（VR）AM的優(yōu)勢(shì)）,用作存儲(chǔ)Bootloader以及（操作系統(tǒng)）或者（程序代碼）或者直接當(dāng)硬盤(pán)使用（U盤(pán)）.

目前Flash主要有兩種NORFlash和NADNFlash。一般小容量的用NORFlash（常見(jiàn)為16M,64M,128M等等），因?yàn)槠渥x取速度快，多用來(lái)存儲(chǔ)操作系統(tǒng)等重要信息。而大容量的用NANDFLASH（常見(jiàn)為（4G）b,8Gb等等）常用來(lái)存放數(shù)據(jù)。目前市面上的FLASH主要來(lái)自（Intel），（AMD），F(xiàn)ujitsu和Toshiba，而生產(chǎn)NANDFlash的主要廠家有Samsung和Toshiba。

NORFLASH&NANDFLASH:NORflash占據(jù)了容量小的閃存市場(chǎng)，而NANDflash只是用在Gb等大容量（產(chǎn)品）當(dāng)中，這也說(shuō)明NOR主要應(yīng)用在代碼存儲(chǔ)介質(zhì)中，NAND適合于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。

以下是NOR/NANDFLASH的區(qū)別：

對(duì)于用戶來(lái)說(shuō)，EEPROM和FLASH的最主要的區(qū)別如下：

總的來(lái)說(shuō)，對(duì)與用戶來(lái)說(shuō)，EEPROM和FLASH沒(méi)有大的區(qū)別，只是EEPROM是低端產(chǎn)品，容量低，價(jià)格便宜，但是穩(wěn)定性較FLASH要好一些，但FLASH設(shè)計(jì)工藝以及在原理使用上教復(fù)雜。

EMMC：(EmbeddedMultiMediaCard）即（嵌入式）多媒體卡。EMMC相當(dāng)于NANDFLASH+FLASHCONTROLLER.EMMC容量8Gb，16Gb比較多，容量比較大,在嵌入式硬件設(shè)計(jì)和現(xiàn)在的手機(jī)中使用較多。和我們?nèi)粘Ｉa(chǎn)生活中使用的（TF）/SD卡比較類似。

一個(gè)典型的系統(tǒng)配置是：采用ddr3的內(nèi)存，配置若干容量的norflash用于存儲(chǔ)bootloader，一定容量的nandflash用于存儲(chǔ)內(nèi)核、文件系統(tǒng)等大容量數(shù)據(jù)