關(guān)于二極管的反向恢復(fù)電荷

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Word關(guān)于二極管的反向恢復(fù)電荷在功率變換器中，整流（二極管）的Qrr值。對效率的影響較大。下面對Qrr造成的影響分析如下，歡迎大家多多指導(dǎo)。

1、反向恢復(fù)（電流）與反向恢復(fù)電荷

1.1現(xiàn)象

當(dāng)二極管從正偏到反偏時，二極管電流不會立即截止。會產(chǎn)生一個反向恢復(fù)電流。

2、產(chǎn)生的損耗

2.1該電荷在（MOSFET）內(nèi)部釋放

MOSFET的內(nèi)部二極管的反向恢復(fù)電荷，在MOSFET導(dǎo)通的時候，二極管的反向恢復(fù)電荷，在MOSFET的Ron上產(chǎn)生損耗。

2.2該電荷導(dǎo)致高端MOSFET產(chǎn)生損耗

以經(jīng)典的Buck電路為例：

當(dāng)高邊MOSFET導(dǎo)通時，MOSFET的體二極管再次發(fā)生反向偏置。

反向恢復(fù)電流Irr會短暫流經(jīng)高邊MOSFET，直到積累的電荷Qrr完全耗盡。

電荷耗盡不是瞬間完成的，Irr通常會流動幾十納秒，直到Qrr耗盡。

下圖為Buck電路，MOSFET導(dǎo)通，二極管截止時，反向恢復(fù)電流與輸入電流相疊加。

在Ron產(chǎn)生的損耗也相應(yīng)增大。

3、產(chǎn)生的電壓尖峰

反向恢復(fù)電流與（PCB）的寄生電感，將會產(chǎn)生電壓尖峰。進(jìn)一步造成柵極電壓擾動。

嚴(yán)重時，會造成MOSFET誤導(dǎo)通。

Vpeak=Ls*dirr/dt

以上就是二極管反向恢復(fù)電荷，可能造成的影響。最后，以一張（仿真）圖說明上述分析。

仿真目的：使用s（pi）ce模型仿真Qrr與兩倍Qrr的MOSF

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