JFET與MOSFET的特性曲線

WordJFET與MOSFET的特性曲線本章主要內(nèi)容為：

1.介紹兩種主要類型場效應(yīng)（晶體管）;

2.熟悉并了解JFET與（MOSFET）的特性曲線;

3.學(xué)會(huì)基礎(chǔ)題型的解法。

1場效應(yīng)管

場效應(yīng)晶體管主要分為結(jié)型場效應(yīng)管(JFET)和金屬-氧化物-（半導(dǎo)體）場效應(yīng)管(MOSFET)。從導(dǎo)電載流子的帶電極性來看，分為N溝道(（電子）型)和P溝道(空穴型)，按照導(dǎo)電溝道形成機(jī)理的不同，又分為增強(qiáng)型(簡稱E型)和耗盡型(簡稱D型)兩種。元件符號(hào)如下：

上圖為結(jié)型場效應(yīng)管(JFET)，(a)為N溝道JFET，(b)為P溝道JFET，大家記住箭頭指向內(nèi)部就為N型，向外為P溝道型。簡單說一下，箭頭的方向表示柵極pn結(jié)正偏時(shí)的（電流）方向，JFET只有耗盡型。

上圖為耗盡型MOSFET符號(hào)。

上圖為增強(qiáng)型MOSFET。

2轉(zhuǎn)移特性曲線

結(jié)型場效應(yīng)管的轉(zhuǎn)移特性曲線和輸出特性曲線如下圖:

轉(zhuǎn)移特性表明了輸出電流ID與輸入電壓VGS，漏極電流的方向表示為從漏極流向源極，注意各值的符號(hào)與方向。

耗盡型N溝道MOSFET的轉(zhuǎn)移特性曲線和輸出特性曲線如下圖,當(dāng)VGS=0V,ID=IDSS當(dāng)VGS

耗盡型P溝道MOSFET的轉(zhuǎn)移特性曲線和輸出特性曲線如下圖,當(dāng)VGS=0V,ID=IDSS當(dāng)VGS>0V,ID

增強(qiáng)型N溝道MOS管的轉(zhuǎn)移特性曲線如下圖，為了形成N溝道必須保持VGS為正。VT(orVGS(Th))稱為開啟電壓，當(dāng)VGS增加時(shí),

ID增加：

增強(qiáng)型P溝道MOS管的轉(zhuǎn)移特性曲線如下圖，除了電壓的極性與電流的方向相反外，P溝道增強(qiáng)型MOS管與N溝道MOS管是相同的：

在觀察各類型FET轉(zhuǎn)移特性曲線時(shí)，需要注意各個(gè)量的幅值與方向。

3重點(diǎn)公式

對(duì)于場效應(yīng)管，我們首先記住下面公式：

對(duì)于所有場效應(yīng)管:

對(duì)于結(jié)型和耗盡型MOSFET：

對(duì)于增強(qiáng)型MOSFET:

這里的k為電導(dǎo)常數(shù)，可通過數(shù)據(jù)手冊查找，也有計(jì)算方法，可在下方（視頻）觀看哦。

場效應(yīng)管FET與雙極型晶體管BJT差別：

?輸入(VGS)輸出(ID)非線性

?FET是電壓控制型器件，而BJT是電流控制型器件

?FET輸入阻抗高

?FET溫度穩(wěn)定性好

在FET的考題中，主要也是通過直流分析和交流分析，交流分析通常運(yùn)用?。ㄐ盘?hào)）模型分析法來解題，