硅片接收和檢驗(yàn)

原硅片接收檢驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)?目的：規(guī)定本公司的硅片檢驗(yàn)流程，保證和持續(xù)提高產(chǎn)品質(zhì)量?范圍：用于本公司硅片的來料檢驗(yàn)過程?職責(zé)：質(zhì)量部門負(fù)責(zé)按照本標(biāo)準(zhǔn)嚴(yán)格執(zhí)行硅片的來料檢驗(yàn)工作。4.內(nèi)容4.1硅片中金屬雜質(zhì)和碳氧含量標(biāo)準(zhǔn)，見表1表一硅片中金屬雜質(zhì)和碳氧含量雜志種類基體總金屬雜質(zhì)含量（fecrnicu） ppba表面總金屬雜質(zhì)含量（feznna）ppba氧(at0ms/cm3)碳(atoms/cm3)雜質(zhì)含量（單晶N-type）W50<70<9X1017<5X1016雜質(zhì)含量（單晶P-type）W50<70<9X1017<5X1016雜質(zhì)含量（多晶P-type）<50<70<3X1017<5X10174.2硅片檢驗(yàn)方法:Ltem檢驗(yàn)項(xiàng)目Level檢驗(yàn)水平AQL%Conductivetype導(dǎo)電類型H1Resistivity電阻率1Thicknesstolerance厚度1TTV厚度變化量1Bow彎曲度1Appearance外觀Lndents凹坑1Chips崩邊1SawMarks切痕1Craters應(yīng)力1Cracks裂紋1Else其他1

4.2 P型單晶硅片檢驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn) 見表2檢驗(yàn)項(xiàng)目合格標(biāo)準(zhǔn)檢驗(yàn)方法說明導(dǎo)電類型P型冷熱探針測試儀器電阻率(n.cm)1-3/3-6四探針測試儀器徑向電阻率不均勻度RRVV25%四探針測試儀器對邊寬(mm)125±0.5 165±0.5數(shù)顯游標(biāo)卡尺對角錢(mm)150±1 165±1200±1 205±1數(shù)顯游標(biāo)卡尺圓弧長(mm)27.77-32.20/10.4-14.1119.93-23.80/14.43-18.16模具方片角度90°±0.3°角尺厚度(um)200±20設(shè)備1.硅片的平均厚度為200微米；2.硅片表面所有厚度要在規(guī)定范圍內(nèi),最薄處不低于180微米;3?同批硅片的厚度要呈正態(tài)分布，即測量數(shù)據(jù)的均值±3,&應(yīng)在厚度規(guī)定的范圍內(nèi)厚度不均勻度TTVW30設(shè)備在保證硅片表面厚度情況，對硅片表面取五點(diǎn)測試(中心點(diǎn)以及距四周邊緣6mm各取一點(diǎn))來換算厚度變化量位錯密度(個/cm?)<1000供方保證項(xiàng)有效載流子壽命>1.35us，且>1.4us占90%以上WT-1000少子壽命測試儀體少子壽命>15usSINTON少子壽命測試儀擴(kuò)散后測試光致衰減LID<3%預(yù)投流程驗(yàn)證硅片中心低響應(yīng)(黑心片)比例<0.05%預(yù)投流程驗(yàn)證彎曲度至40塞尺切痕無明顯切痕手持式粗糙度測試儀允許的切痕深度＜10um凹坑無凹坑目視硅片表面平整，無硅落現(xiàn)象穿孔無穿孔目視沾污無沾污目視不允許有肉眼可見的油污，硅粉,清洗劑，水痕朋邊無崩邊目視應(yīng)力無應(yīng)力手感當(dāng)硅片拿在手上輕微晃動時不能有嘣咚嘣咚的響聲孿晶無孿晶目視從外觀看，出現(xiàn)兩個及以上的晶體劃傷無劃傷目視只要在硅片表面有明顯肉眼可見異物劃過的痕跡，不論長度和面積大小都不合格

氧化膜末磨無氧化膜末磨目視缺口無缺口目視缺角無缺角目視裂紋/隱裂無裂紋/隱裂目視偏心偏離度v0.5mm模具4.3P型多晶硅片檢驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn) 見表3檢驗(yàn)項(xiàng)目合格標(biāo)準(zhǔn)檢驗(yàn)方法說明導(dǎo)電類型P型冷熱探針測試儀電阻率（n.cm）1-3/3-6四探針測試儀徑向電阻率不均勻RRVV25%四探針測試儀對邊寬（mm）125±0.5156±0.5數(shù)顯游標(biāo)卡尺對角線（mm）175±1219±1數(shù)顯游標(biāo)卡尺倒角（mm）1X45°模具方片角度90°±30°角尺厚度200±20數(shù)顯千分表或硅片檢片機(jī)1?硅片的平均厚度為200微米；2.硅片表面所有厚度要在規(guī)定范圍內(nèi),最薄處不低于180微米;3?同批硅片的厚度要呈正態(tài)分布，即測量數(shù)據(jù)的均值±3,&應(yīng)在厚度規(guī)定的范圍內(nèi)厚度不均勻度TTVW30數(shù)顯千分表在保證硅片表面厚度情況，對硅片表面取五點(diǎn)測試（中心點(diǎn)以及距四周邊緣6mm各取一點(diǎn)）來換算厚度變化量有效載流子壽命>1.35us,且>1.4us占90%以上WT-1000少子壽命測試儀體少子壽命>2usSINTON少子壽命測試儀擴(kuò)散后測試光致衰減LID^2%預(yù)投流程驗(yàn)證彎曲度至40塞尺微晶1厘米長度內(nèi)至5個晶粒目視硅片表面任一方向明顯切痕無明顯切痕手持式粗糙度測試儀允許的切痕深度W10um凹坑無目視硅片表面平整，無硅落現(xiàn)象穿孔無目視粘污無目視不允許有肉眼可見的油污，硅粉,清洗劑，水痕朋邊無目視應(yīng)力無當(dāng)硅片拿在手上輕微晃動時不能有嘣咚嘣咚的響聲

劃傷無只要在硅片表面有明顯肉眼可見異物劃過的痕跡，不論長度和面積大小都不合格缺口無缺角無裂紋/隱裂無4.4N型單晶硅片檢驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)，見表4檢驗(yàn)項(xiàng)目合格標(biāo)準(zhǔn)檢驗(yàn)方法說明導(dǎo)電類型N型冷熱探針測試儀器電阻率(n.cm)1-3/3-6四探針測試儀器徑向電阻率不均勻度RRVV25%四探針測試儀器對邊寬(mm)125±0.5 156±0.5數(shù)顯游標(biāo)卡尺對角錢(mm)165土1200±1 205±1數(shù)顯游標(biāo)卡尺圓弧長(mm)10.40-14.1119.93-23.80/14.43-18.16模具方片角度90°±0.3°角尺厚度(um)200±20數(shù)顯千分表或硅片檢片機(jī)1.硅片的平均厚度為200微米；2.硅片表面所有厚度要在規(guī)定范圍內(nèi),最薄處不低于180微米;3?同批硅片的厚度要呈正態(tài)分布，即測量數(shù)據(jù)的均值±3,&應(yīng)在厚度規(guī)定的范圍內(nèi)厚度不均勻度TTVW30數(shù)顯千分表在保證硅片表面厚度情況，對硅片表面取五點(diǎn)測試(中心點(diǎn)以及距四周邊緣6mm各取一點(diǎn))來換算厚度變化量位錯密度(個/cm?)無供方保證項(xiàng)體少子壽命>1000usSINTON少子壽命測試儀擴(kuò)散后測試光致衰減LIDW0.5%預(yù)投流程驗(yàn)證硅片中心低響應(yīng)(黑心片)比例V0.05%預(yù)投流程驗(yàn)證彎曲度(um)至40塞尺切痕無明顯切痕手持式粗糙度測試儀允許的切痕深度＜10um凹坑無凹坑目視硅片表面平整，無硅落現(xiàn)象穿孔無穿孔目視沾污無沾污目視不允許有肉眼可見的油污，硅粉,清洗劑，水痕朋邊無崩邊目視應(yīng)力無應(yīng)力手感當(dāng)硅片拿在手上輕微晃動時