實(shí)驗(yàn)二 靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器實(shí)驗(yàn)

PAGE1山西大學(xué)計(jì)算機(jī)與信息技術(shù)學(xué)院實(shí)驗(yàn)報(bào)告姓名學(xué)號(hào)專業(yè)班級(jí)2011級(jí)計(jì)算機(jī)科學(xué)與技術(shù)課程名稱計(jì)算機(jī)組成原理課程設(shè)計(jì)實(shí)驗(yàn)日期成績(jī)指導(dǎo)教師批改日期實(shí)驗(yàn)名稱實(shí)驗(yàn)二靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器實(shí)驗(yàn)一、實(shí)驗(yàn)?zāi)康模赫莆侦o態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器RAM工作特及數(shù)據(jù)的讀寫(xiě)方法。二、實(shí)驗(yàn)內(nèi)容：1、實(shí)驗(yàn)原理：實(shí)驗(yàn)所用的靜態(tài)存儲(chǔ)器由一片（2K×8i構(gòu)（位于MEM單如圖2-1所示。6有三控制線C（片選線O（讀線W（寫(xiě)線其功能如表2-1所當(dāng)片選有效（CS=）時(shí)，OE=0時(shí)進(jìn)行讀操作，WE=0時(shí)進(jìn)行寫(xiě)操作，本實(shí)驗(yàn)將CS常接地。圖2-1SRAM6116引腳圖由于存儲(chǔ)（MEM最終是掛接到CPU上所以其還需要一個(gè)讀寫(xiě)控制邏輯使得CPU能控制MM的讀寫(xiě)實(shí)驗(yàn)中的讀寫(xiě)控制邏輯如圖2-2示由于T3的參與可以保證MEM的寫(xiě)脈寬與T3一致3由時(shí)序單元的TS3給IOM用來(lái)選擇是對(duì)I/O還是對(duì)MEM行讀寫(xiě)操作，RD=1時(shí)讀，WR=1時(shí)為寫(xiě)。表2-1SRAM6116功能表CS′WE′OE′功能1000×100×010不選擇讀寫(xiě)寫(xiě)圖2-2讀寫(xiě)控制邏輯實(shí)驗(yàn)原理圖如圖2-3示，存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)線接至數(shù)據(jù)總線，數(shù)據(jù)總線上接有8個(gè)LD燈顯示D7…D0的內(nèi)容。地址線接至地址總線，地址總線上接有8個(gè)LED燈顯示A7…A0的內(nèi)容，地址由地址鎖存器（74S273，位于PC&AR單元）給出。數(shù)據(jù)開(kāi)關(guān)（位于IN單元）經(jīng)一個(gè)三態(tài)門(mén)（74LS45）連至據(jù)總線，分時(shí)給出地址和數(shù)據(jù)。地址寄存器為8位，接入16的地址A7…A0，16的高三地址A10…8接地，所其實(shí)際容量為26字。圖2-3存儲(chǔ)器實(shí)驗(yàn)原理圖實(shí)驗(yàn)箱中所有單元的時(shí)序都連接至?xí)r序與操作臺(tái)單元CR都連接至N單元的CLR按鈕實(shí)驗(yàn)時(shí)T3由時(shí)序單給出其余信號(hào)由CON單元的二進(jìn)制開(kāi)關(guān)模擬給出其中IOM應(yīng)為低（即MM操作，D、WR高有效，MR和MW低有，LDAR高有效。2、實(shí)驗(yàn)步驟：(1)關(guān)閉實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)電源按圖2-4接實(shí)驗(yàn)電路并檢查.圖2-4實(shí)驗(yàn)接線圖(2)將時(shí)序與操作臺(tái)單元的開(kāi)關(guān)KK1KK3置為運(yùn)行檔開(kāi)關(guān)KK2置‘單步。(3)將CON單元的IOR開(kāi)關(guān)置為,打開(kāi)電源開(kāi)關(guān)如果聽(tīng)到‘嘀’報(bào)警聲，說(shuō)明有總線競(jìng)爭(zhēng)現(xiàn)象，立即關(guān)閉電源，重新檢查接線，直到錯(cuò)誤排除。(4)給存器的00H、1H、02H、3H、04H址單元中分別寫(xiě)入數(shù)據(jù)1H、12H、3H、14H、5H。由前面的存儲(chǔ)器實(shí)驗(yàn)原理圖2-3可以看出，由于數(shù)據(jù)和地址由同一個(gè)數(shù)據(jù)開(kāi)關(guān)給出，因此數(shù)據(jù)和地址要分時(shí)寫(xiě)入，先寫(xiě)地址，具體操作步驟如下圖2-5.圖2-5寫(xiě)存儲(chǔ)器流程圖再寫(xiě)數(shù)據(jù)，具體操作步驟如下圖2-6。圖2-6讀存儲(chǔ)器流程圖實(shí)驗(yàn)箱和PC聯(lián)機(jī)操作可通過(guò)軟件中的數(shù)據(jù)通路圖來(lái)觀測(cè)實(shí)驗(yàn)結(jié)方法是打開(kāi)軟件選擇聯(lián)機(jī)軟件【實(shí)【存儲(chǔ)器實(shí)驗(yàn)打開(kāi)存儲(chǔ)器實(shí)驗(yàn)的數(shù)據(jù)通路圖。進(jìn)行上面的手動(dòng)操作每按動(dòng)一次ST按鈕數(shù)據(jù)通路圖會(huì)有數(shù)據(jù)的流動(dòng)反映當(dāng)前存儲(chǔ)器所做的操作,借助于數(shù)據(jù)通路圖仔細(xì)分析SRAM的讀寫(xiě)過(guò)程。3、實(shí)驗(yàn)結(jié)果：?jiǎn)卧刂穼?xiě)入數(shù)據(jù)讀出數(shù)據(jù)第一部分地址00H11H11H01H12H12H02H13H13H03H14H14H04H15H15H第二部分地址15H11H11H56H21H21HA2H22H22HD4H32H32HE1H41H41H三、實(shí)驗(yàn)總結(jié)：1,在讀出數(shù)據(jù)完成時(shí),應(yīng)先關(guān)閉RD按鈕然后再關(guān)閉IOR按鈕，否則就會(huì)產(chǎn)生“滴”的聲音。2，在插線的過(guò)程中注意不要把兩頭的線插錯(cuò)位或插反了，否則會(huì)影響試驗(yàn)結(jié)果。3，可以不依次輸出存儲(chǔ)單元的內(nèi)容，如在依次輸入第00、1、2、3、04單元內(nèi)容后，可以不按順序隨機(jī)輸出存儲(chǔ)單元的內(nèi)容，如，先輸出00號(hào)存儲(chǔ)單元，然后輸出04號(hào)存儲(chǔ)單元。4，數(shù)據(jù)通路圖會(huì)有數(shù)據(jù)的流動(dòng)反映當(dāng)前存儲(chǔ)器所做的操作，即使是對(duì)存儲(chǔ)器進(jìn)行