硅太陽能電池教學(xué)課件

目錄硅太陽能電池分類和簡介多晶硅薄膜硅太陽能電池的制備以及應(yīng)用硅太陽能電池的發(fā)展歷史目錄硅太陽能電池分類和簡介多晶硅薄膜硅太陽能電池的制備以及應(yīng)1硅太陽能電池ppt幻燈片課件2一、太陽能電池的發(fā)展歷史1839年法國物理學(xué)家貝克勒爾首次發(fā)現(xiàn)光伏效應(yīng)。1954年美國貝爾實(shí)驗(yàn)室制成第一個(gè)單晶硅太陽能電池。1958年我國研制出了首塊硅單晶，研發(fā)出的電池主要用于空間領(lǐng)域。70年代末，我國與國際同期開展了砷化鎵太陽能電池研究，該電池具有很高的光吸收系數(shù)，1999年，2×2cm2電池的轉(zhuǎn)換效率達(dá)22％。1975年寧波、開封先后成立太陽電池廠，電池制造工藝模仿早期生產(chǎn)空間電池的工藝，太陽能電池的應(yīng)用開始從空間降落到地面。80年代末期，國內(nèi)先后引進(jìn)了多條太陽能電池生產(chǎn)線，生產(chǎn)能力由原來的幾百KW（千瓦）一下子提升到4.5MW，這種產(chǎn)能一直持續(xù)到2002年，產(chǎn)量則只有2MW左右。1999年，保定天威英利新能源有限公司承建了“多晶硅太陽能電池及應(yīng)用系統(tǒng)示范工程”項(xiàng)目，2003年12月正式通過國家驗(yàn)收，全線投產(chǎn)，填補(bǔ)了我國不能商業(yè)化生產(chǎn)多晶硅太陽能電池的空白。一、太陽能電池的發(fā)展歷史1839年法國物理學(xué)家貝克勒爾首次發(fā)32002年9月，尚德第一條10MW太陽電池生產(chǎn)線正式投產(chǎn)，產(chǎn)能相當(dāng)于此前四年全國太陽電池產(chǎn)量的總和，一舉將我國與國際光伏產(chǎn)業(yè)的差距縮短了15年。2004年1月19日，中國第一臺(tái)12對棒多晶硅高效節(jié)能大還原爐在中硅高科試驗(yàn)成功，各項(xiàng)技術(shù)指標(biāo)均達(dá)到國際先進(jìn)水平。至此，中國人掌握了由美國、日本、德國等國壟斷20余年的多晶硅生產(chǎn)核心技術(shù)。2005年，國內(nèi)第一個(gè)300噸多晶硅生產(chǎn)項(xiàng)目在洛陽中硅建成投產(chǎn)，拉開了中國多晶硅大發(fā)展的序幕。2005年12月14日，無錫尚德在美國紐約證券交易所掛牌，成為中國內(nèi)地首家在紐交所掛牌上市的民營高科技企業(yè)。從此，國內(nèi)太陽能電池的生產(chǎn)和研發(fā)也駛?cè)肓丝燔嚨馈?007年，我國太陽能電池產(chǎn)量約占世界總產(chǎn)量的三分之一，成為世界第一大太陽能電池生產(chǎn)國。2002年9月，尚德第一條10MW太陽電池生產(chǎn)線正式投產(chǎn)，產(chǎn)4二、太陽能電池的分類：二、太陽能電池的分類：51.單晶硅太陽能簡介：轉(zhuǎn)換效率最高，技術(shù)最為成熟其高性能依賴于高質(zhì)量單晶硅材料和相關(guān)的成熟的加工處理工藝制作一般都采用表面織構(gòu)化、發(fā)射區(qū)鈍化、分區(qū)摻雜等技術(shù)開發(fā)的主要有:平面單晶硅電池、刻槽埋柵電極單晶硅電池1.單晶硅太陽能簡介：轉(zhuǎn)換效率最高，技術(shù)最為成熟6單晶硅太陽能電池優(yōu)缺點(diǎn)優(yōu)點(diǎn)：轉(zhuǎn)換效率最高缺點(diǎn)：單晶硅成本價(jià)格高、大幅度降低成本困難解決：尋找替代品傳統(tǒng)的硅太陽能電池剛硬、沉重而且不透明單晶硅太陽能電池優(yōu)缺點(diǎn)優(yōu)點(diǎn)：轉(zhuǎn)換效率最高傳統(tǒng)的硅太陽能電池剛7）、磷等，當(dāng)摻入硼時(shí)，硅晶體中就會(huì)存在一個(gè)空穴。工藝特點(diǎn)：多晶硅薄膜電池除采用了再結(jié)晶工藝外，另外采用了幾乎所有制備單晶硅太陽能電池的技術(shù)，這樣制得的太陽能電池轉(zhuǎn)換效率明顯提高。單晶硅太陽能電池優(yōu)缺點(diǎn)?日本三菱公司用該法制備電池，效率達(dá)16.多晶硅太陽能電池兼具單晶硅電池的高轉(zhuǎn)換效率和長壽命以及非晶硅薄膜電池的材料制備工藝相對簡化等優(yōu)點(diǎn)的新一代電池，其轉(zhuǎn)換效率一般為15%左右，稍低于單晶硅太陽電池，沒有明顯效率衰退問題，并且有可能在廉價(jià)襯底材料上制備，其成本遠(yuǎn)低于單晶硅電池，而效率高于非晶硅薄膜電池。等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（PECVD）多晶硅太陽能電池衛(wèi)星接收天線也可用來制備多晶硅薄膜電池。5MW，這種產(chǎn)能一直持續(xù)到2002年，產(chǎn)量則只有2MW左右。1999年，保定天威英利新能源有限公司承建了“多晶硅太陽能電池及應(yīng)用系統(tǒng)示范工程”項(xiàng)目，2003年12月正式通過國家驗(yàn)收，全線投產(chǎn)，填補(bǔ)了我國不能商業(yè)化生產(chǎn)多晶硅太陽能電池的空白。目前,太陽能電池的應(yīng)用已從軍事領(lǐng)域、航天領(lǐng)域進(jìn)入工業(yè)、商業(yè)、農(nóng)業(yè)、通信、家用電器以及公用設(shè)施等部門，尤其可以分散地在邊遠(yuǎn)地區(qū)、高山、沙漠、海島和農(nóng)村使用，以節(jié)省造價(jià)很貴的輸電線路。至此，中國人掌握了由美國、日本、德國等國壟斷20余年的多晶硅生產(chǎn)核心技術(shù)。將非晶硅層退火，得到較大晶粒將非晶硅層退火，得到較大晶粒N區(qū)的電子匯擴(kuò)散到P區(qū)，P區(qū)的空穴會(huì)擴(kuò)散到N區(qū)，一旦擴(kuò)散就形成了一個(gè)有N指向P的“內(nèi)電場”，從而阻止擴(kuò)散進(jìn)行。轉(zhuǎn)換效率最高，技術(shù)最為成熟硅太陽能電池分類和簡介當(dāng)將所產(chǎn)生的電子-空穴對靠半導(dǎo)體內(nèi)形成的勢壘分開到兩極時(shí)，兩極間會(huì)產(chǎn)生電勢，稱為光生伏打效應(yīng)，簡稱光伏效應(yīng)。80年代末期，國內(nèi)先后引進(jìn)了多條太陽能電池生產(chǎn)線，生產(chǎn)能力由原來的幾百KW（千瓦）一下子提升到4.主要是靠單晶硅表面微結(jié)構(gòu)處理和分區(qū)摻雜工藝2.多晶硅太陽能簡介多晶硅太陽能電池兼具單晶硅電池的高轉(zhuǎn)換效率和長壽命以及非晶硅薄膜電池的材料制備工藝相對簡化等優(yōu)點(diǎn)的新一代電池，其轉(zhuǎn)換效率一般為15%左右，稍低于單晶硅太陽電池，沒有明顯效率衰退問題，并且有可能在廉價(jià)襯底材料上制備，其成本遠(yuǎn)低于單晶硅電池，而效率高于非晶硅薄膜電池。此外，多晶硅太陽能電池的使用壽命也要比單晶硅太陽能電池短。）、磷等，當(dāng)摻入硼時(shí)，硅晶體中就會(huì)存在一個(gè)空穴。2.多晶硅太83.多晶硅薄膜太陽能電池多晶硅薄膜太陽能電池是將多晶硅薄膜生長在低成本的襯底材料上，用相對薄的晶體硅層作為太陽能電池的激活層，不僅保持了晶體硅太陽能電池的高性能和穩(wěn)定性，而且材料的用量大幅度下降，明顯地降低了電池成本。多晶硅薄膜太陽能電池的工作原理與其他太陽能電池一樣，是基于太陽光與半導(dǎo)體材料的作用而形成光伏效應(yīng)。光與半導(dǎo)體的相互作用可以產(chǎn)生光生載流子。當(dāng)將所產(chǎn)生的電子-空穴對靠半導(dǎo)體內(nèi)形成的勢壘分開到兩極時(shí)，兩極間會(huì)產(chǎn)生電勢，稱為光生伏打效應(yīng)，簡稱光伏效應(yīng)。3.多晶硅薄膜太陽能電池多晶硅薄膜太陽能電池是將多晶硅薄膜生9區(qū)別區(qū)別10單晶,多晶太陽能電池板的使用壽命一般為25年，非晶硅一般為10年，單晶與多晶轉(zhuǎn)換效率高，但是價(jià)格高，能源回收期長，非晶太陽能轉(zhuǎn)換率低一些，但是價(jià)格低，潛力大，能源回收期短，是未來的發(fā)展方向，技術(shù)主要掌握在美國、德國和日本少數(shù)國家手上。在猛烈陽光底下，單晶體式太陽能電池板較非晶體式能夠轉(zhuǎn)化多一倍以上的太陽能為電能，但可惜單晶體式的價(jià)格比非晶體式的昂貴兩三倍以上，而且在陰天的情況下非晶體式反而與晶體式能夠收集到差不多一樣多的太陽能。單晶,多晶太陽能電池板的使用壽命一般為25年，非晶硅一般為111三.多晶薄膜硅太陽能電池的基本原理：基本原理

——

光生伏特效應(yīng)PN結(jié)的光生伏特效應(yīng)——在光的照射下，半導(dǎo)體

p-n結(jié)的兩端產(chǎn)生電位差

的現(xiàn)象。三.多晶薄膜硅太陽能電池的基本原理：12硅材料是一種半導(dǎo)體材料，太陽能電池發(fā)電的原理主要就是利用這種半導(dǎo)體的光電效應(yīng)。一般半導(dǎo)體的分子結(jié)構(gòu)是這樣的：當(dāng)硅晶體中摻入其他的雜質(zhì)，如硼（黑色或銀灰色固體，熔點(diǎn)2300℃，沸點(diǎn)3658℃，密度2.34克/厘米，硬度僅次于金剛石，在室溫下較穩(wěn)定，可與氮、碳、硅作用，高溫下硼還與許多金屬和金屬氧化物反應(yīng)，形成金屬硼化物。這些化合物通常是高硬度、耐熔、高導(dǎo)電率和化學(xué)惰性的物質(zhì)。）、磷等，當(dāng)摻入硼時(shí)，硅晶體中就會(huì)存在一個(gè)空穴。硅材料是一種半導(dǎo)體材料，太陽能電池發(fā)電的原理主要就是利用這種13圖中，正電荷表示硅原子，負(fù)電荷表示圍繞在硅原子旁邊的四個(gè)電子，而黃色的表示摻入的硼原子，因?yàn)榕鹪又車挥?個(gè)電子，所以就會(huì)產(chǎn)生如圖所示的藍(lán)色的空穴，這個(gè)空穴因?yàn)闆]有電子而變得很不穩(wěn)定，容易吸收電子而中和，形成P（positive）型半導(dǎo)體。圖中，正電荷表示硅原子，負(fù)電荷表示圍繞在硅原子旁邊的四個(gè)電子14同樣，摻入磷原子以后，因?yàn)榱自佑形鍌€(gè)電子，所以就會(huì)有一個(gè)電子變得非?；钴S，形成N（negative）型半導(dǎo)體。黃色的為磷原子核，紅色的為多余的電子，如下圖所示：同樣，摻入磷原子以后，因?yàn)榱自佑形鍌€(gè)電子，所以就會(huì)有一個(gè)電15P型半導(dǎo)體中含有較多的空穴，而N型半導(dǎo)體中含有較多的電子，這樣，當(dāng)P型和N型半導(dǎo)體結(jié)合在一起時(shí)，就會(huì)在接觸面形成電勢差，這就是PN結(jié)。P型半導(dǎo)體中含有較多的空穴，而N型半導(dǎo)體中含有較多的電子，這16當(dāng)P型和N型半導(dǎo)體結(jié)合在一起時(shí)，在兩種半導(dǎo)體的交界面區(qū)域里會(huì)形成一個(gè)特殊的薄層，界面的P型一側(cè)帶負(fù)電，N型一側(cè)帶正電。這是由于P型半導(dǎo)體多空穴，N型半導(dǎo)體多自由電子，出現(xiàn)了濃度差。N區(qū)的電子匯擴(kuò)散到P區(qū)，P區(qū)的空穴會(huì)擴(kuò)散到N區(qū)，一旦擴(kuò)散就形成了一個(gè)有N指向P的“內(nèi)電場”，從而阻止擴(kuò)散進(jìn)行。達(dá)到平衡后，就形成了這樣一個(gè)特殊的薄層形成電勢差，從而形成PN結(jié)。當(dāng)晶片受光后，PN結(jié)中，N型半導(dǎo)體的空穴往P型區(qū)移動(dòng)，而P型區(qū)中的電子往N型區(qū)移動(dòng)，從而形成從N型區(qū)到P型區(qū)的電流。然后在PN結(jié)中形成電勢差，這就形成了電源。當(dāng)P型和N型半導(dǎo)體結(jié)合在一起時(shí)，在兩種半導(dǎo)體的交界面區(qū)域里會(huì)17硅太陽能電池ppt幻燈片課件18四.晶體硅太陽能電池生產(chǎn)流程四.晶體硅太陽能電池生產(chǎn)流程19多晶硅：硅錠——硅片——電池片——組件單晶硅：硅棒——硅片——電池片——組件多晶硅：硅錠——硅片——電池201.多晶硅薄膜太陽能電池制備

低壓化學(xué)氣相沉積（LPCVD）化學(xué)氣相沉積法等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（PECVD）此外，液相外延法（LPPE）和濺射沉積法也可用來制備多晶硅薄膜電池。｛1.多晶硅薄膜太陽能電池制備｛21多晶硅薄膜電池生產(chǎn)車間這些化合物通常是高硬度、耐熔、高導(dǎo)電率和化學(xué)惰性的物質(zhì)。PN結(jié)的光生伏特效應(yīng)——在光的照射下，半導(dǎo)體將非晶硅層退火，得到較大晶粒一般半導(dǎo)體的分子結(jié)構(gòu)是這樣的：因此，再結(jié)晶技術(shù)無疑是很重要的一個(gè)環(huán)節(jié)然后在PN結(jié)中形成電勢差，這就形成了電源。N區(qū)的電子匯擴(kuò)散到P區(qū)，P區(qū)的空穴會(huì)擴(kuò)散到N區(qū)，一旦擴(kuò)散就形成了一個(gè)有N指向P的“內(nèi)電場”，從而阻止擴(kuò)散進(jìn)行。當(dāng)P型和N型半導(dǎo)體結(jié)合在一起時(shí)，在兩種半導(dǎo)體的交界面區(qū)域里會(huì)形成一個(gè)特殊的薄層，界面的P型一側(cè)帶負(fù)電，N型一側(cè)帶正電。單晶硅太陽能電池優(yōu)缺點(diǎn)硅太陽能電池的發(fā)展歷史硅太陽能電池分類和簡介1954年美國貝爾實(shí)驗(yàn)室制成第一個(gè)單晶硅太陽能電池。這些化合物通常是高硬度、耐熔、高導(dǎo)電率和化學(xué)惰性的物質(zhì)。P型半導(dǎo)體中含有較多的空穴，而N型半導(dǎo)體中含有較多的電子，這樣，當(dāng)P型和N型半導(dǎo)體結(jié)合在一起時(shí)，就會(huì)在接觸面形成電勢差，這就是PN結(jié)。多晶硅薄膜太陽能電池是將多晶硅薄膜生長在低成本的襯底材料上，用相對薄的晶體硅層作為太陽能電池的激活層，不僅保持了晶體硅太陽能電池的高性能和穩(wěn)定性，而且材料的用量大幅度下降，明顯地降低了電池成本。也可用來制備多晶硅薄膜電池。光與半導(dǎo)體的相互作用可以產(chǎn)生光生載流子。將非晶硅層退火，得到較大晶粒硅太陽能電池分類和簡介轉(zhuǎn)換效率最高，技術(shù)最為成熟化學(xué)氣相沉積：反應(yīng)氣體SiH2Cl2、SiHCl3、SiCl4或SiH4

↓（一定保護(hù)氣氛下）硅原子沉積在加熱的襯底上襯底材料一般選用Si、SiO2、Si3N4等。非硅襯底上很難形成較大的晶粒，容易在晶粒間形成空隙。解決辦法：LPCVD得到較薄非晶硅層將非晶硅層退火，得到較大晶粒籽晶上沉積厚的多晶硅薄膜因此，再結(jié)晶技術(shù)無疑是很重要的一個(gè)環(huán)節(jié)

（固相結(jié)晶法、中區(qū)熔再結(jié)晶法）多晶硅薄膜電池生產(chǎn)車間化學(xué)氣相沉積：22

工藝特點(diǎn)：多晶硅薄膜電池除采用了再結(jié)晶工藝外，另外采用了幾乎所有制備單晶硅太陽能電池的技術(shù)，這樣制得的太陽能電池轉(zhuǎn)換效率明顯提高。

?德國費(fèi)萊堡太陽能研究所采用區(qū)館再結(jié)晶技術(shù)在FZSi襯底上制得的多晶硅電池轉(zhuǎn)換效率為19％，

?日本三菱公司用該法制備電池，效率達(dá)16.42%。多晶硅薄膜電池生產(chǎn)車間工藝特點(diǎn)：多晶硅薄膜電池除采用了再結(jié)晶工藝外，另外采用了232.轉(zhuǎn)換效率提高的工藝途徑主要是靠單晶硅表面微結(jié)構(gòu)處理和分區(qū)摻雜工藝德國夫朗霍費(fèi)費(fèi)萊堡太陽能系統(tǒng)研究所保持著世界領(lǐng)先水平電池轉(zhuǎn)化效率超過23%，最大值可達(dá)23.3％Kyocera公司制備的大面積（225cm2）單電晶太陽能電池轉(zhuǎn)換效率為19．44%北京太陽能研究所研制的平面高效單晶硅電池（2cmX2cm）轉(zhuǎn)換效率達(dá)到19.79%，刻槽埋柵電極晶體硅電池（5cmX5cm）轉(zhuǎn)換效率達(dá)8.6%2.轉(zhuǎn)換效率提高的工藝途徑主要是靠單晶硅表面微結(jié)構(gòu)處理和24五.硅太陽能電池的應(yīng)用多晶硅太陽能電池衛(wèi)星接收天線目前,太陽能電池的應(yīng)用已從軍事領(lǐng)域、航天領(lǐng)域進(jìn)入工業(yè)、商業(yè)、農(nóng)業(yè)、通信、家用電器以及公用設(shè)施等部門，尤其可以分散地在邊遠(yuǎn)地區(qū)、高山、沙漠、海島和農(nóng)村使用，以節(jié)省造價(jià)很貴的輸電線路。但是在目前階段，它的成本還很高，發(fā)出1kW電需要投資上萬美元，因此大規(guī)模使用仍然受到經(jīng)濟(jì)上的限制。五.硅太陽能電池的應(yīng)用多晶硅太陽能電池衛(wèi)星接收天線25臺(tái)北太陽塔臺(tái)北太陽塔26THEENDTHANKYOU!THEEND273.多晶硅薄膜太陽能電池多晶硅薄膜太陽能電池是將多晶硅薄膜生長在低成本的襯底材料上，用相對薄的晶體硅層作為太陽能電池的激活層，不僅保持了晶體硅太陽能電池的高性能和穩(wěn)定性，而且材料的用量大幅度下降，明顯地降低了電池成本。多晶硅薄膜太陽能電池的工作原理與其他太陽能電池一樣，是基于太陽光與半導(dǎo)體材料的作用而形成光伏效應(yīng)。光與半導(dǎo)體的相互作用可以產(chǎn)生光生載流子。當(dāng)將所產(chǎn)生的電子-空穴對靠半導(dǎo)體內(nèi)形成的勢壘分開到兩極時(shí)，兩極間會(huì)產(chǎn)生電勢，稱為光生伏打效應(yīng)，簡稱光伏效應(yīng)。3.多晶硅薄膜太陽能電池多晶硅薄膜太陽能電池是將多晶硅薄膜生28當(dāng)將所產(chǎn)生的電子-空穴對靠半導(dǎo)體內(nèi)形成的勢壘分開到兩極時(shí)，兩極間會(huì)產(chǎn)生電勢，稱為光生伏打效應(yīng)，簡稱光伏效應(yīng)。1999年，保定天威英利新能源有限公司承建了“多晶硅太陽能電池及應(yīng)用系統(tǒng)示范工程”項(xiàng)目，2003年12月正式通過國家驗(yàn)收，全線投產(chǎn)，填補(bǔ)了我國不能商業(yè)化生產(chǎn)多晶硅太陽能電池的空白。多晶硅太陽能電池衛(wèi)星接收天線將非晶硅層退火，得到較大晶粒硅太陽能電池分類和簡介多晶硅薄膜太陽能電池制備單晶硅太陽能電池優(yōu)缺點(diǎn)5MW，這種產(chǎn)能一直持續(xù)到2002年，產(chǎn)量則只有2MW左右。79%，刻槽埋柵電極晶體硅電池（5cmX5cm）轉(zhuǎn)換效率達(dá)8.N區(qū)的電子匯擴(kuò)散到P區(qū)，P區(qū)的空穴會(huì)擴(kuò)散到N區(qū)，一旦擴(kuò)散就形成了一個(gè)有N指向P的“內(nèi)電場”，從而阻止擴(kuò)散進(jìn)行。至此，中國人掌握了由美國、日本、德國等國壟斷20余年的多晶硅生產(chǎn)核心技術(shù)。北京太陽能研究所研制的平面高效單晶硅電池（2cmX2cm）轉(zhuǎn)換效率達(dá)到19.硅太陽能電池分類和簡介然后在PN結(jié)中形成電勢差，這就形成了電源。晶體硅太陽能電池生產(chǎn)流程70年代末，我國與國際同期開展了砷化鎵太陽能電池研究，該電池具有很高的光吸收系數(shù)，1999年，2×2cm2電池的轉(zhuǎn)換效率達(dá)22％。當(dāng)P型和N型半導(dǎo)體結(jié)合在一起時(shí)，在兩種半導(dǎo)體的交界面區(qū)域里會(huì)形成一個(gè)特殊的薄層，界面的P型一側(cè)帶負(fù)電，N型一側(cè)帶正電。多晶硅薄膜太陽能電池制備將非晶硅層退火，得到較大晶粒平面單晶硅電池、刻槽埋柵電極單晶硅電池P型半導(dǎo)體中含有較多的空穴，而N型半導(dǎo)體中含有較多的電子，這樣，當(dāng)P型和N型半導(dǎo)體結(jié)合在一起時(shí)，就會(huì)在接觸面形成電勢差，這就是PN結(jié)。當(dāng)將所產(chǎn)生的電子-空穴對靠半導(dǎo)體內(nèi)形成的勢壘分開到兩極時(shí)，兩29硅太陽能電池ppt幻燈片課件30四.晶體硅太陽能電池生產(chǎn)流程四.晶體硅太陽能電池生產(chǎn)流程311.多晶硅薄膜太陽能電池制備

低壓化學(xué)氣相沉積（LPCVD）化學(xué)氣相沉積法等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（PECVD）此外，液相外延法（LPPE）和濺射沉積法也可用來制備多晶硅薄膜電池。｛1.多晶硅薄膜太陽能電池制備｛32多晶硅太陽能電池衛(wèi)星接收天線當(dāng)P型和N型半導(dǎo)體結(jié)合在一起時(shí)，在兩種半導(dǎo)體的交界面區(qū)域里會(huì)形成一個(gè)特殊的薄層，界面的P型一側(cè)帶負(fù)電，N型一側(cè)帶正電。70年代末，我國與國際同期開展了砷化鎵太陽能電池研究，該電池具有很高的光吸收系數(shù)，1999年，2×2cm2電池的轉(zhuǎn)換效率達(dá)22％。平面單晶硅電池、刻槽埋柵電極單晶硅電池80年代末期，國內(nèi)先后引進(jìn)了多條太陽能電池生產(chǎn)線，生產(chǎn)能力由原來的幾百KW（千瓦）一下子提升到4.低壓化學(xué)氣相沉積（LPCVD）當(dāng)將所產(chǎn)生的電子-空穴對靠半導(dǎo)體內(nèi)形成的勢壘分開到兩極時(shí)，兩極間會(huì)產(chǎn)生電勢，稱為光生伏打效應(yīng)，簡稱光伏效應(yīng)。晶體硅太陽能電池生產(chǎn)流程等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（PECVD））、磷等，當(dāng)摻入硼時(shí)，硅晶體中就會(huì)存在一個(gè)空穴。2005年12月14日，無錫尚德在美國紐約證券交易所掛牌，成為中國內(nèi)地首家在紐交所掛牌上市的民營高科技企業(yè)。多晶硅太陽能電池衛(wèi)星接收天線80年代末期，國內(nèi)先后引進(jìn)了多條太陽能電池生產(chǎn)線，生產(chǎn)能力由原來的幾百KW（千瓦）一下子提升到4.目前,太陽能電池的應(yīng)用已從軍事領(lǐng)域、航天領(lǐng)域進(jìn)入工業(yè)、商業(yè)、農(nóng)業(yè)、通信、家用電器以及公用設(shè)施等部門，尤其可以分散地在邊遠(yuǎn)地區(qū)、高山、沙漠、海島和農(nóng)村使用，以節(jié)省造價(jià)很貴的輸電線路。當(dāng)將所產(chǎn)生的電子-空穴對靠半導(dǎo)體內(nèi)形成的勢壘分開到兩極時(shí)，兩極間會(huì)產(chǎn)生電勢，稱為光生伏打效應(yīng)，簡稱光伏效應(yīng)。多晶硅薄膜太陽能電池制備當(dāng)將所產(chǎn)生的電子-空穴對靠半導(dǎo)體內(nèi)形成的勢壘分開到兩極時(shí)，兩極間會(huì)產(chǎn)生電勢，稱為光生伏打效應(yīng)，簡稱光伏效應(yīng)。多晶硅太陽能電池衛(wèi)星接收天線當(dāng)晶片受光后，PN結(jié)中，N型半導(dǎo)體的空穴往P型區(qū)移動(dòng)，而P型區(qū)中的電子往N型區(qū)移動(dòng)，從而形成從N型區(qū)到P型區(qū)的電流。1954年美國貝爾實(shí)驗(yàn)室制成第一個(gè)單晶硅太陽能電池。因此，再結(jié)晶技術(shù)無疑是很重要的一個(gè)環(huán)節(jié)將非晶硅層退火，得到較大晶粒當(dāng)P型和N型半導(dǎo)體結(jié)合在一起時(shí)，在兩種半導(dǎo)體的交界面區(qū)域里會(huì)形成一個(gè)特殊的薄層，界面的P型一側(cè)帶負(fù)電，N型一側(cè)帶正電。二、太陽能電池的分類：?日本三菱公司用該法制備電池，效率達(dá)16.硅太陽能電池分類和簡介德國夫朗霍費(fèi)費(fèi)萊堡太陽能系統(tǒng)研究所保持著世界領(lǐng)先水平電池轉(zhuǎn)化效率超過23%，最大值可達(dá)23.當(dāng)將所產(chǎn)生的電子-空穴對靠半導(dǎo)體內(nèi)形成的勢壘分開到兩極時(shí)，兩極間會(huì)產(chǎn)生電勢，稱為光生伏打效應(yīng)，簡稱光伏效應(yīng)。多晶硅薄膜太陽能電池是將多晶硅薄膜生長在低成本的襯底材料上，用相對薄的晶體硅層作為太陽能電池的激活層，不僅保持了晶體硅太陽能電池的高性能和穩(wěn)定性，而且材料的用量大幅度下降，明顯地降低了電池成本。平面單晶硅電池、刻槽埋柵電極單晶硅電池?日本三菱公司用該法制備電池，效率達(dá)16.硅太陽能電池的發(fā)展歷史34克/厘米，硬度僅次于金剛石，在室溫下較穩(wěn)定，可與氮、碳、硅作用，高溫下硼還與許多金屬和金屬氧化物反應(yīng)，形成金屬硼化物。當(dāng)將所產(chǎn)生的電子-空穴對靠半導(dǎo)體內(nèi)形成的勢壘分開到兩極時(shí)，兩極間會(huì)產(chǎn)生電勢，稱為光生伏打效應(yīng)，簡稱光伏效應(yīng)。多晶硅薄膜太陽能電池的工作原理與其他太陽能電池一樣，是基于太陽光與半導(dǎo)體材料的作用而形成光伏效應(yīng)。當(dāng)將所產(chǎn)生的電子-空穴對靠半導(dǎo)體內(nèi)形成的勢壘分開到兩極時(shí)，兩極間會(huì)產(chǎn)生電勢，稱為光生伏打效應(yīng)，簡稱光伏效應(yīng)。當(dāng)將所產(chǎn)生的電子-空穴對靠半導(dǎo)體內(nèi)形成的勢壘分開到兩極時(shí)，兩極間會(huì)產(chǎn)生電勢，稱為光生伏打效應(yīng)，簡稱光伏效應(yīng)。多晶硅薄膜電池生產(chǎn)車間多晶硅薄膜太陽能電池是將多晶硅薄膜生長在低成本的襯底材料上，用相對薄的晶體硅層作為太陽能電池的激活層，不僅保持了晶體硅太陽能電池的高性能和穩(wěn)定性，而且材料的用量大幅度下降，明顯地降低了電池成本。多晶硅太陽能電池衛(wèi)星接收天線轉(zhuǎn)換效率最高，技術(shù)最為成熟制作一般都采用表面織構(gòu)化、發(fā)射區(qū)鈍化、分區(qū)摻雜等技術(shù)多晶硅薄膜太陽能電池的工作原