負光阻留下的光阻課件

微影技術(shù)流程微影技術(shù)流程1光阻製程◆光阻的材料，通常是將感光性的樹脂成分溶解於有機溶劑中，利用旋轉(zhuǎn)塗佈將基板塗上一層光阻?！艄庾杩煞譃樨摴庾韬驼庾鑳煞N，但由於解析度的關(guān)係，目前以正光阻為主流?！糌摴庾枋瞧毓獾牟课唤?jīng)聚合硬化後，將未曝光的部位溶解，得到曝光部位的顯像?！粽庾枥貌煌娘@像液，改變可溶性的構(gòu)造，選擇將曝光的部分溶解或聚合，顯像留下未曝光的部分?！羧鐖D為正光阻和負光阻的定義。光阻製程◆光阻的材料，通常是將感光性的樹脂成分溶解於有機溶2負光阻和正光阻的比較負光阻和正光阻的比較3負光阻和正光阻的比較◆欲形成相同的底膜圖案時，負光阻和正光阻使用黑白相反圖案的光罩?！糌摴庾枇粝碌墓庾鑸D案(曝光部分)，受到顯像液的影響而膨脹，導(dǎo)致解析度降低?！粽庾栌蟹€(wěn)定性、黏著性、使用不便等問題。但因具有高解析度，而選擇使用正光阻。因為光阻顯像時，對曝光和未曝光部分的溶解度差(對比)，必須非常敏銳?！糌摴庾枋呛芯吒泄馓匦缘幕衔锖铜h(huán)化橡膠類樹脂的有機溶劑，經(jīng)光線照射後產(chǎn)生架橋反應(yīng)，經(jīng)重合、硬化，利用顯影劑形成不溶性鹼。也就是說，可利用曝光部分和未曝光部分產(chǎn)生溶解度的差異，進行圖案的顯像?！粽庾鑴t是含有感光性材料和酚類樹脂的有機溶劑，為不溶性鹼。但經(jīng)過光的照射，則成為可溶性鹼，因此可使用鹼溶劑進行圖案的顯像。

負光阻和正光阻的比較◆欲形成相同的底膜圖案時，負光阻和正光4負光阻和正光阻的比較負光阻和正光阻的比較5微影製程詳細流程微影製程詳細流程6圖案曝光製程◆步進機為了進行縮小投影，具有光學(xué)透鏡系統(tǒng)和照明系統(tǒng)(光源)。為了進行stepandrepeat，需要有精密驅(qū)動的X-Y晶圓移動臺。◆步進機的性能，主要受到縮小投影透鏡的性能，調(diào)準夾對準位置的精確度，以及X-Y移動臺的精確度等影響。隨著年年技術(shù)的提升，解析度也持續(xù)改良?！粲伸犊s小投影透鏡與光源的進步，提升解析度的手法有兩種：提升透鏡口徑(NA：numericalaperture)，及光源的短波長化?！?.15μm的圖案，可使用KrF光源(249nm)；小於0.10μm的話，則使用更短波長的(157nm)等?！綦S著NA增大、光源的短波長化，將產(chǎn)生聚焦深度(DOF；DepthofFocus)的問題。圖案曝光製程◆步進機為了進行縮小投影，具有光學(xué)透鏡系統(tǒng)和照7聚焦深度探討◆如果超過聚焦深度，對凹凸不平的表面進行曝光時，將無法得到預(yù)期的解析度。◆由於提高解析度，DOF會變淺，故必須避免表面的凹凸，如果能保持表面平坦進行曝光，就可以得到預(yù)期的高解析度。為此提出一個有效的解決方法：多層光阻技術(shù)?！舨还艿啄な欠癜纪共黄?，只要使光阻表面平坦，在上面的薄膜(或是其他種類的光阻膜)完成高解析度的圖案後，利用RIE(反應(yīng)性離子蝕刻)對下層光阻厚膜進行異向性蝕刻。如此一來，就可以形成與底膜無關(guān)的高解析度光阻圖案。這就是多層光阻製程的概念。聚焦深度探討◆如果超過聚焦深度，對凹凸不平的表面進行曝光時8步進機解析度、NA、波長、聚焦深度關(guān)係步進機解析度、NA、波長、聚焦深度關(guān)係9提高解析度的多層光阻製程提高解析度的多層光阻製程10曝光裝置◆曝光裝置分為接觸曝光方式和近接曝光方式?！舨恍柽M行縮小投影，直接利用掃瞄形成縮小投影圖案，稱為掃瞄的方式。不但可減少變形，並可形成場面積大的圖案?！魹榱颂岣邎D案的解析度，利用相位差光罩(PSM:PhaseShiftMask)圖案的方式。曝光裝置◆曝光裝置分為接觸曝光方式和近接曝光方式。11圖案曝光裝置分類

圖案曝光裝置分類12精品課件！精品課件！13精品課件！精品課件！14今後的展望◆以光進行曝光的技術(shù)還是有極限，今後將朝X光或電子束的曝光技術(shù)前進?！粼谖⒂凹夹g(shù)I的範圍內(nèi)，今後隨著尺寸的細微化，光源的選擇與光阻的開發(fā)，將成為重要的關(guān)鍵?！魹榱私鉀Q提升解析度，造成聚焦深度(DOF)變淺的問題，利用CMP(化學(xué)機器研磨)將全面平坦化技術(shù)導(dǎo)入製程中，可獲得很好的改善?！魪?970年代開